JP2007315757A - 応力検出センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化を図るとともに、2軸応力の検出精度を向上させることが可能な応力検出センサを提供すること。
【解決手段】少なくとも主面1aが絶縁体層1Bにより形成されている基板1と、主面1a上に形成された1対の帯状の抵抗体2A,2Bと、を備えており、1対の抵抗体2A,2Bが、互いに直交し、かつこれらの中央部2aどうしの位置が同一である構成とされた、応力検出センサA1であって、1対の抵抗体2A,2Bは、互いの中央部2aどうしが電気的および機械的に接合されており、1対の抵抗体2A,2Bにそれぞれ接続された1対のホイートストンブリッジ回路61A,61Bを備えている。
【選択図】 図1
【解決手段】少なくとも主面1aが絶縁体層1Bにより形成されている基板1と、主面1a上に形成された1対の帯状の抵抗体2A,2Bと、を備えており、1対の抵抗体2A,2Bが、互いに直交し、かつこれらの中央部2aどうしの位置が同一である構成とされた、応力検出センサA1であって、1対の抵抗体2A,2Bは、互いの中央部2aどうしが電気的および機械的に接合されており、1対の抵抗体2A,2Bにそれぞれ接続された1対のホイートストンブリッジ回路61A,61Bを備えている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、たとえば車両の車輪に作用する摩擦力、垂直抗力等を検出するための車輪作用力測定装置に用いられる応力検出センサに関する。
従来の応力検出センサとしては、車両に装備されるアンチロックブレーキ装置(以下、ABS)を構成する車輪作用力測定装置に用いられるものがある。図5は、そのような応力検出センサの一例を示している。本図に示された応力検出センサXは、基体91と、この基体91の両面に設けられた2対の帯状の抵抗体92a,92b,93a,93bとを具備している。2対の抵抗体92a,92b,93a,93bは、基体91の同じ面に形成されたものどうしが直交しており、互いの中央部が重なる配置とされている。たとえば、1対の抵抗体92a,92bは、SiO2などの絶縁体層(図示略)に覆われた基体91の表面に抵抗体92aを貼付し、この抵抗体92a全体を覆うように追加の絶縁体層(図示略)を形成した後に、抵抗体92bを貼付することにより形成されている。
応力を測定する際には、1対の抵抗体92a,92bの交差部が測定点に位置される。1対の抵抗体92a,92bは、上記測定点に発生する応力に応じて、長手方向寸法が伸縮され、これによりそれぞれの両端縁間の電気抵抗が変化する。この電気抵抗の変化を読み取ることにより、上記測定点における2軸応力を測定可能となっている。さらに、基体91の両面に1対ずつの抵抗体92a,92b,93a,93bを備えることにより、基体91の厚さ方向におけるモーメントなども測定可能である。このような応力検出センサXを適宜組み合わせて車輪作用力測定装置を構成すれば、車輪に作用する摩擦力、垂直抗力等を検出し、路面摩擦係数等を得ることができる。これらの諸量に基づいて、たとえばABSの駆動制御がなされる。
しかしながら、近年、ABSとしても制動距離の短縮化や、制動姿勢のさらなる安定化などの要求が高まっている。このため、上記車輪作用力測定装置には、摩擦力や垂直抗力をより高い精度で測定することが求められている。応力検出センサXは、上記測定点における応力を正確に測定するため、2対の抵抗体92a,92b,93a,93bが交差部を有しており、それぞれが上記絶縁体層を介して積層された構成となっている。このため、下位に配置された抵抗体92a,93aには、基材91の応力が直接伝達されるが、上位に配置された抵抗体92b,93bには、基材91の応力が上記追加の絶縁体層を介して伝達されることとなる。上記追加の絶縁体層を薄膜状に形成したとしても、その厚さ方向にせん断変形が生じることが避けられない。このため、下位に配置された抵抗体92a,93aに比べて上位に配置された抵抗体92b,93bによる検出精度が上記せん断変形の分だけ低下することとなる。このような検出精度の低下は、上記車輪作用力測定装置の測定精度の低下に直結するため、ABSの制動距離の短縮化や、制動姿勢の安定化といった要望に十分に応えられない場合があった。また、上記車輪作用力測定装置の測定精度向上には、応力検出センサXの小型化が有利であるが、その反面、応力検出センサXの小型化を図るほど、上記追加の絶縁体層のせん断変形の影響が大きくなるなどの問題があった。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図るとともに、2軸応力の検出精度を向上させることが可能な応力検出センサを提供することをその課題とする。
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
本発明によって提供される応力検出センサは、少なくとも主面が絶縁性物質により形成されている基板と、上記主面上に形成された1対の帯状の抵抗体と、を備えており、上記1対の抵抗体が、互いに直交し、かつこれらの中央部どうしの位置が同一である構成とされた、応力検出センサであって、上記1対の抵抗体は、互いの中央部どうしが電気的および機械的に接合されており、上記1対の抵抗体にそれぞれ接続された1対のホイートストンブリッジ回路を備えていることを特徴としている。
このような構成によれば、上記1対の抵抗体の中央部には、上記基板の上記主面から直接応力が伝達されるため、たとえば、絶縁体層が介在することによる応力伝達ロスを抑制することができる。したがって、応力検出の精度を向上するのに適しており、たとえばこの応力検出センサが用いられる車輪作用力測定装置の測定精度向上が可能であり、ABSの制動距離の短縮化や、制動姿勢の安定化を図ることができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記1対のホイートストンブリッジ回路は、スイッチング機構を介して同一の電源に接続されている。このような構成によれば、上記1対の抵抗体それぞれに伝達された応力を独立して、かつ適切に検出することが可能である。また、上記応力検出センサとして、1つの電源を備えれば十分であるため、小型化および製造コストの低減に有利である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記1対のホイートストンブリッジ回路は、それぞれが個別の電源に接続されている。このような構成によれば、上記1対のホイートストンブリッジ回路に対して常時電圧を印加することが可能である。したがって、上記1対の抵抗体に生じた応力を同時に検出することができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記1対の抵抗体は、上記両端縁間の電気抵抗が互いに同一である。このような構成によれば、上記1対の抵抗体に同一の大きさの応力が作用した場合に、それぞれの両端縁間の電気抵抗の変化量を同一とすることが可能である。したがって、上記1対の抵抗体が延びる2軸方向における応力検出の精度をさらに高めることができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記1対の抵抗体は、互いの中央部を共有することにより、平面視十字形状とされている。このような構成によれば、上記1対の抵抗体は、互いに上位または下位といった関係にならず、上記基板の上記主面に対して双方が直接接合された構成となる。したがって、上記応力検出センサによって応力を検出すべき測定点からの応力が、上記1対の抵抗体に対して等しい条件で伝達される。したがって、上記応力検出センサによる応力検出精度を高めるのに好適である。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1および図2は、本発明に係る応力検出センサの第1実施形態を示している。この応力検出センサA1は、基板1、1対の抵抗体2A,2B、配線パターン3、端子4、1対のホイートストンブリッジ回路61A,61B,および電源63を具備して構成されている。なお図1においては、図2に示す保護膜5を省略して示している。
図1に示すように、基板1は、全体として略矩形状であり、図2に示すように、SUS板1A上に絶縁体層1Bが積層された構成である。本実施形態においては、基板1のサイズは、たとえば、1mm角〜8mm角程度の比較的小サイズとされる。これは、応力検出センサA1がABSを構成する車輪作用力測定装置に用いられる場合に、車両のサスペンションに埋設されるには、できるだけ小型であることが測定精度の向上に好ましいことによる。なお、絶縁体層1Bの厚さは、たとえば2000〜3000Å程度とされる。
基板1の主面1a上には、1対の抵抗体2A,2Bが形成されている。1対の抵抗体2A,2Bは、たとえばCrOxまたはNiからなり、5000Å程度の帯状膜とされている。本実施形態においては、1対の抵抗体2A,2Bは、中央部2aを共有した平面視十字状の一体部材として構成されており、それぞれの側延部2Ab,2Bbが互いに直交する方向に延びた配置とされている。また、1対の抵抗体2A,2Bは、応力が負荷されていない自然状態において、それぞれの両端縁2Ac,2Bc間における電気抵抗が同一となる長さおよび厚さとされている。この応力検出センサA1は、中央部2aが測定点と一致する配置とされる。1対の抵抗体2A,2Bは、この測定点における応力に応じて、これらの長手方向寸法がそれぞれ伸縮する。この伸縮により、1対の抵抗体2A,2Bの両端縁2Ac,2Bc間における電気抵抗が変化する。この変化を読み取ることにより、1対の抵抗体2A,2Bがそれぞれ延びる方向、すなわち互いに直交する2軸方向の応力を検出可能となっている。このような1対の抵抗体2A,2Bは、スパッタリングまたはCVDなどの薄膜形成手法により、CrOxまたはNiの薄膜を生成し、この薄膜に対して、フォトリソグラフィにより形成したレジストマスクをエッチングマスクとしたドライエッチングを施すことにより形成することができる。
図1に示すように、基板1の一端縁には、4つの端子4が設けられている。4つの端子4は、配線パターン3により、1対の抵抗体2A,2Bと両端縁2Ac,2Bcにおいて導通している。4つの端子4および配線パターン3は、たとえば金からなる。
図2に示すように、1対の抵抗体2A,2Bおよび絶縁体部材3を含む主面1aには、これらを覆う保護膜5が形成されている。保護膜5は、たとえばSiO2からなる。
図1に示すように、4つの端子4には、1対のホイートストンブリッジ回路61A,61Bが接続されている。ホイートストンブリッジ回路61Aは、3つの抵抗61Arと抵抗体2Aとによって構成されている。ホイートストンブリッジ回路61Bは、3つの抵抗61Brと抵抗体2Bとによって構成されている。
1対のホイートストンブリッジ回路61A,61Bは、スイッチング機構62A,62Bを介して、電源63に接続されている。電源63は、ホイートストンブリッジ回路61A,61Bの電位差を検出することにより、1対の抵抗体2A,2Bの抵抗値の変化量を計測するための直流電圧を印加するためのものである。スイッチング機構62A,62Bは、それぞれ電源63の正極および負極を選択的にホイートストンブリッジ回路61A,61Bのいずれかに接続するためのものである。スイッチング機構62A,62Bは、たとえば10kHz以上の周波数で、ホイートストンブリッジ回路61A,61Bを交互に電源63へと接続可能に構成されている。このスイッチング機構62A,62Bの切替周波数は、たとえばABSを構成する車輪作用力測定装置において、車輪に作用する2軸方向の力をほぼリアルタイムで計測するのに十分な周波数とすることが望ましい。
ホイートストンブリッジ回路61A,61Bからは、それぞれ出力端子64A,64Bが取り出されている。出力端子64A,64Bは、ホイートストンブリッジ回路61A,61Bの構成を利用して、1対の抵抗体2A,2Bの抵抗値の変化量を読み取るために用いられる。1対の抵抗体2A,2Bの抵抗値の変化量は、測定点における応力の大きさに対応している。
応力検出センサA1を用いた応力の測定は、以下のように行われる。図1に示された応力検出センサA1は、スイッチング機構62A,62Bによって、ホイートストンブリッジ回路61Aが電源63に接続された状態とされている。このため、ホイートストンブリッジ回路61Aには、直流電圧が印加されているが、ホイートストンブリッジ回路61Bには、直流電圧は印加されていない。この状態で、基板1が貼付された測定点に応力が生じると、1対の抵抗体2A,2Bの中央部2aを中心として、1対の抵抗体2A,2Bに歪が生じる。ただし、直流電圧が印加されているのは、ホイートストンブリッジ回路61Aを構成する抵抗体2Aのみである。このため、上記測定点の2軸応力に対応して1対の抵抗体2A,2Bが伸縮しても、抵抗値の変化量として検出されるのは、抵抗体2Aの伸縮のみである。すなわち、上記測定点に生じた2軸応力のうち、抵抗体2Aの側延部2Abが延びる方向の応力のみが出力端子64Aから選択的に検出される。この応力によって抵抗体2Bが変形したとしても、この変形によっては抵抗体2Aの両端縁2Ac間の抵抗はほとんど変化しないからである。一方、スイッチング機構62A,62Bを図示された状態と反対側の経路を閉じる状態とすると、ホイートストンブリッジ回路61Bに電源63からの直流電圧が印加される。これにより、上記測定点に生じた2軸応力のうち、抵抗体2Bの側延部2Bbが延びる方向の応力が出力端子64Bから選択的に検出される。スイッチング機構62A,62Bの切替を、たとえば10kHzの切替周波数で行うことにより、上記測定点における2軸応力をほぼリアルタイムで検出することができる。
次に、応力検出センサA1の作用について、以下に説明する。
本実施形態によれば、上述した測定点における応力検出精度を向上させることができる。その理由として、1対の抵抗体2A,2Bが互いに直交するとともに、それぞれが中央部2aを共有した平面視十字状とされていることがある。中央部2aが応力検出すべき測定点に中央部2aが一致するように基板1を貼付すれば、上記測定点に生じた応力が1対の抵抗体2A,2Bのそれぞれに直接伝わることとなる。たとえば、1対の抵抗体2A,2Bが重なる部分に絶縁体層を設けた構成においては、この絶縁体層の厚さ方向に生じるせん断変形分だけ、1対の抵抗体2A,2Bのうち上位に位置するものの歪が不正確となる。本実施形態においては、このような絶縁体層が介在することがなく、しかも1対の抵抗体2A,2Bは、一体的に成形された部材とされている。また、1対の抵抗体2A,2Bが互いに直交する構成とされていることにより、上記測定点に生じた2軸応力を、互いに直交する方向における応力成分として独立して検出することが可能である。したがって、上記測定点における2軸応力を正確に検出することができる。
半導体製造プロセスに用いられる手法によって抵抗体2A,2Bを形成すれば、それぞれを所望のサイズおよび形状に正確に仕上げることが可能である。これにより、抵抗体2A,2Bの両端縁2Ac,2Bc間寸法を正確なものとすることができる。したがって、抵抗体2A,2Bの両端縁2Ac,2Bc間の電気抵抗を等しいものとして、応力検出精度を向上させるのに有利である。
スイッチング機構62A,62Bを用いて、電源63からの直流電圧をホイートストンブリッジ回路61A,61Bに対して交互に印加することにより、平面視十字状の一体部材とされた1対の抵抗体2A,2Bに伝達された応力を独立して適切に検出することが可能である。これは、抵抗体2A,2Bが互いに直交する配置とされているため、たとえば抵抗体2Aが延びる方向の応力によって抵抗体2Bがその幅方向に伸縮しても、抵抗体2Aの両端縁2Ac間の抵抗値には抵抗体2Bの伸縮はほとんど影響を及ぼさないからである。したがって、本実施形態によれば、1対の抵抗体2A,2B間に絶縁層を設けない構成であるにもかかわらず、それぞれが延びる方向の応力を合理的かつ正確に検出することができる。また、スイッチング機構62A,62Bを用いて同一の電源63を活用することにより、電源の必要数を半分とすることが可能である。これは、応力検出センサA1全体の小型化、および製造コストの低減に有利である。
図3は、本発明に係る応力検出センサの第2実施形態を示している。なお、本図においては、図1に示された1対のホイートストンブリッジ回路61A,61B,スイッチング機構62A,62B、電源63、および出力端子64A,64Bを省略している。本実施形態の応力検出センサA2は、1対の抵抗体2A,2Bが互いに重なる構成とされている点が、上述した第1実施形態と異なっている。本実施形態においては、1対の抵抗体2A,2Bがそれぞれの中央部2Aa,2Baにおいて重なる配置とされている。また、1対の抵抗体2A,2Bは、中央部2Aa,2Baどうしが電気的および機械的に接合されている。
このような実施形態によっても、1対の抵抗体2A,2Bの間に絶縁体層などが介在しない状態で、測定点の応力を検出することができる。上述した第1実施形態と同様に、本実施形態においても、測定点に生じた応力が抵抗体2A,2Bへと正確に伝達される。したがって、上記測定点における2軸応力を正確に検出することができる。
図4は、本発明に係る応力検出センサの第3実施形態を示している。本実施形態の応力検出センサA3は、1対の電源63A,63Bを備える点が、上述した実施形態と異なっている。1対の抵抗体2A,2Bは、上述した第1実施形態と同様の構成とされており、1対のホイートストンブリッジ回路61A,61Bが接続されている。本実施形態においては、1対のホイートストンブリッジ回路61A,61Bのそれぞれに個別の電源63A,63Bが接続されている。すなわち、電源63Aは、ホイートストンブリッジ回路61A専用として、電源63Bは、ホイートストンブリッジ回路61B専用として、それぞれ使用されるものとされている。
本実施形態によれば、電源63A,63Bによって、1対のホイートストンブリッジ回路61A,61Bの双方に対して常に電圧を印加することが可能である。このため、1対の抵抗体2A,2Bに生じた応力を交互に間欠的に検出するのではなく、完全にリアルタイムで検出することができる。したがって、たとえばABSを構成する車輪作用力測定装置において測定点における2軸応力を常時監視することが実現可能となる。
本発明に係る応力検出センサは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る応力検出センサの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
本発明でいう基板は、SUS板と絶縁体層とを積層させた構成に限定されず、たとえば、絶縁体の単層構造としてもよい。絶縁体の材質としては、SiO2のほかにセラミックなどの絶縁体物質を用いてもよい。抵抗体、絶縁体部材などは、薄膜形成技術やドライエッチングなどの半導体製造プロセスに用いられる手法により形成することが望ましいが、これらに限定されるものではなく、厚さや平面形状を正確に仕上げることが可能な手法であればよい。
本発明に係る応力検出センサの用途としては、基体の両面に2つの応力検出センサが設けられた構成、あるいは、立方体の基体の6面に計6つの応力検出センサが設けられた構成とされた車輪作用力測定装置などが適しているが、これに限定されず、微小な応力測定点について直交する2軸応力を検出するあらゆる装置に適用することが可能であることはもちろんである。
A1,A2,A3 応力検出センサ
1 基板
1A SUS板
1B 絶縁体層
2A,2B 1対の抵抗体
2a,2Aa,2Ba 中央部
2Ab,2Bb 側延部
2Ac,2Bc 両端縁
3 配線パターン
4 端子
5 保護層
61A,61B 1対のブリッジ回路
62A,62B スイッチング機構
63,63A,63B 電源
64A,64B 出力端子
1 基板
1A SUS板
1B 絶縁体層
2A,2B 1対の抵抗体
2a,2Aa,2Ba 中央部
2Ab,2Bb 側延部
2Ac,2Bc 両端縁
3 配線パターン
4 端子
5 保護層
61A,61B 1対のブリッジ回路
62A,62B スイッチング機構
63,63A,63B 電源
64A,64B 出力端子
Claims (5)
- 少なくとも主面が絶縁性物質により形成されている基板と、
上記主面上に形成された1対の帯状の抵抗体と、を備えており、
上記1対の抵抗体が、互いに直交し、かつこれらの中央部どうしの位置が同一である構成とされた、応力検出センサであって、
上記1対の抵抗体は、互いの中央部どうしが電気的および機械的に接合されており、
上記1対の抵抗体にそれぞれ接続された1対のホイートストンブリッジ回路を備えていることを特徴とする、応力検出センサ。 - 上記1対のホイートストンブリッジ回路は、スイッチング機構を介して同一の電源に接続されている、請求項1に記載の応力検出センサ。
- 上記1対のホイートストンブリッジ回路は、それぞれが個別の電源に接続されている、請求項1に記載の応力検出センサ。
- 上記1対の抵抗体は、その両端縁間の電気抵抗が互いに同一である、請求項1ないし3のいずれかに記載の応力検出センサ。
- 上記1対の抵抗体は、互いの中央部を共有することにより、平面視十字形状とされている、請求項1ないし4のいずれかに記載の応力検出センサ。
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