JP2007313526A - 接合材料、電子部品および接合構造体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Biを主成分とする合金を含み、前記合金は、0.2〜0.8重量%のCuと、0.02〜0.2重量%のGeとを含む接合材料を用い、電子部品の素子と電極とを接合する。
【選択図】図6
Description
本実施形態の接合材料は、Biを主成分とする合金を含み、前記合金は、0.2〜0.8重量%のCuと、0.02〜0.2重量%のGeとを含む。Cuの含有量は0.4〜0.6重量%が好ましく、Geの含有量は0.02〜0.05重量%が好ましい。Biを主成分とする合金が3元合金(3種の元素からなる合金)である場合、CuとGe以外の残部はBiのみからなる。
本実施形態の接合材料は、Biを主成分とする合金を含み、前記合金は、0.2〜0.8重量%のCuと、0.02〜0.2重量%のGeと、0.02〜0.08重量%のNiとを含む。Cuの含有量は0.4〜0.6重量%が好ましく、Geの含有量は0.02〜0.05重量%が好ましく、Niの含有量は0.02〜0.05重量%が好ましい。このような接合材料は、実施の形態1の接合材料よりも、耐衝撃性が高くなる。
99.46重量%のBiと、0.5重量%のCuと、0.04重量%のGeとを含む3元合金(Bi−0.5%Cu−0.04%Ge)で接合された接合部を有するチップコンデンサを用い、上記の耐衝撃試験を行ったところ、チップコンデンサは接合部で破断した。破断後の接合部の断面を観察したところ、Bi含有量の多いα相と、Cu含有量の多いβ相との界面で破断していた。
上記試験で破断した接合部の断面で結晶外周値を測定したところ、結晶外周値は87μmであった。
図5は、また、0.5重量%のCuと0.2重量%のGeとを含むBi−Cu−Ge−Ni合金におけるNi含有量(重量%)と、結晶外周値との関係(グラフB)を示している。
図5から、Ni含有量が0.02〜0.08重量%である場合に、結晶外周値が大きくなり、α相とβ相とが均一に混合されることがわかる。一方、Ni含有量が0.11重量%以上になると、結晶外周値が小さくなり、α相とβ相とが均一に混合されないことがわかる。図5から、Niの含有量は0.02〜0.08重量%が好適であり、0.02〜0.05重量%が更に好適であることがわかる。
本実施形態の電子部品は、電子素子と、電子素子と接続される電極と、電子素子と電極とを接合する接合材料とを具備する。ここで、接合材料には、実施の形態1または実施の形態2の接合材料を用いることができる。
本発明は、特に4.5mm×3.2mmサイズ以下の熱容量を有する電子部品を得る場合に好適である。
本実施形態の接合構造体は、電子部品と、電子部品を搭載する基板と、電子部品と基板とを接合する第1の接合材料とを具備し、第1の接合材料は、第1の合金を含む。
電子部品は、電子素子と、電子素子と接続される電極と、電子素子と電極とを接合する第2の接合材料とを具備し、第2の接合材料は、実施の形態1または実施の形態2の接合材料からなる。
11 フェライトコア
13 コイル銅線
14 電極端子
15 接合材料
16 電極フレーム
Claims (5)
- Biを主成分とする合金を含み、前記合金は、0.2〜0.8重量%のCuと、0.02〜0.2重量%のGeとを含む、接合材料。
- 前記合金は、更に、0.02〜0.08重量%のNiを含む、請求項1記載の接合材料。
- 電子素子と、前記電子素子と接続される電極と、前記電子素子と前記電極とを接合する請求項1または2記載の接合材料とを具備する、電子部品。
- 電子部品と、前記電子部品を搭載する基板と、前記電子部品と前記基板とを接合する第1の接合材料とを具備し、前記第1の接合材料は、第1の合金を含み、
前記電子部品は、電子素子と、前記電子素子と接続される電極と、前記電子素子と前記電極とを接合する第2の接合材料とを具備し、前記第2の接合材料は、Biを主成分とする第2の合金を含み、
前記第2の合金は、0.2〜0.8重量%のCuと、0.02〜0.2重量%のGeとを含み、前記第2の合金は、前記第1の合金よりも高い溶融温度を有する、接合構造体。 - 前記第2の合金が、更に、0.02〜0.08重量%のNiを含む、請求項4記載の接合構造体。
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