しかしながら、図12に示すように、従来の多層型バラントランス101においては、LTCC基板の加圧焼成時にLTCC基板のマザー基板130がその中心から放射線状(図12の矢印)に伸張するため、図13(a)に示す太い実線のインダクタンス素子103と斜線のインダクタンス素子104との適正配置関係が、図13(b)に示すように、LTCC基板の面内方向(X方向およびY方向)においてずれてしまう。例えば、インダクタンス素子103、104の配設位置がLTCC基板の面内方向(X方向およびY方向)にそれぞれ±50μmずつずれると、図14に示すように、各LTCC基板上のインダクタンス素子103、104の対向面積は減少することから、それらインダクタンス素子103、104の電磁結合度が変化してしまう。そのため、従来の多層型バラントランス101においては、LTCC基板の加圧焼成により相互インダクタンス素子102の結合特性が変化し、その伝送損失を低下させてしまうという問題があった。
また、図13および図15に示すように、一般的に、多層型バラントランス101に備わるキャパシタ106、106は相互インダクタンス素子102の形成層と異なる層に形成されており、相互インダクタンス素子102および多層型バラントランス101の小型化・省スペース化が困難であった。
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、インダクタンス素子の配設位置が所望の位置からずれたとしても相互インダクタンス素子の結合特性を安定させることができる相互インダクタンス素子を提供することを本発明の目的としている。
また、本発明は、キャパシタが接続された相互インダクタンス素子の小型化・省スペース化を図ることができる相互インダクタンス素子を提供することを他の目的としている。
そして、本発明は、誘電板の加圧焼成時にインダクタンス素子の配設位置が所望の位置からずれたとしても不平衡線路(同軸線路)と平衡型線路(レッヘル線路)と間の伝送損失を低下させずに安定させることができる平衡不平衡変換器を提供することを他の目的としている。
前述した目的を達成するため、本発明の相互インダクタンス素子は、その第1の態様として、第1の誘電板上において対向する二辺を第1の対辺として有する多角形環を形成している第1の導体線路と、第2の誘電板上において第1の対辺とそれぞれ平行する二辺を第2の対辺として有する多角形環を形成している第2の導体線路とを備えており、第2の導体線路は、第1の誘電板または第2の誘電板を介して第1の導体線路と積層方向に重なるように積層されており、第2の対辺の対向間隔は、第1の対辺の対向間隔と異なっており、第2の対辺は、積層方向において第1の対辺に重なる部分と重ならない部分とを設けるようにして第1の対辺の内側もしくは外側のいずれか一方にずらして配列されていることを特徴としている。
本発明の第2の態様の相互インダクタンス素子は、第1の態様の相互インダクタンス素子において、第1の導体線路は、第1の対辺の対向方向と異なる方向において対向する二辺を第3の対辺として有する多角形環を形成し、第2の導体線路は、第3の対辺とそれぞれ平行する二辺を第4の対辺として有する多角形環を形成するとともに、第4の対辺の対向間隔は第3の対辺の対向間隔と異なっており、第4の対辺は積層方向において第3の対辺に重なる部分と重ならない部分とを設けるようにして第3の対辺の内側もしくは外側のいずれか一方にずらして配列されていることを特徴としている。
本発明の第3の態様の相互インダクタンス素子は、第2の態様の相互インダクタンス素子において、第2の対辺が第1の対辺の内側にずらして配列される場合、第4の対辺は第3の対辺の外側にずらして配列されており、第2の対辺が第1の対辺の外側にずらして配列される場合、第4の対辺は第3の対辺の内側にずらして配列されていることを特徴としている。
本発明の第4の態様の相互インダクタンス素子は、第2または第3の態様の相互インダクタンス素子において、第1の導体線路および第2の導体線路は、第1の対辺および第3の対辺ならびに第2の対辺および第4の対辺の各対向方向をそれぞれ直交させてなる開いた略四角形環をそれぞれ形成していることを特徴としている。
本発明の第5の態様の相互インダクタンス素子は、第1の態様の相互インダクタンス素子において、第3の誘電板上において第1の対辺とそれぞれ平行する二辺を第5の対辺として有する多角形環を形成している第3の導体線路を備えており、第3の導体線路は、第1の導体線路の形成面に対する第2の導体線路の反対側において、第3の誘電板または第1の誘電板を介して第1の導体線路と積層方向に重なるように積層されているとともに、その一端が第2の導体線路の一端と電気的に接続されており、第5の対辺の対向間隔は第1の対辺の対向間隔と異なっており、第5の対辺は積層方向において第1の対辺に重なる部分と重ならない部分とを設けるようにして第1の対辺の内側もしくは外側のいずれか一方にずらして配列されていることを特徴としている。
本発明の第6の態様の相互インダクタンス素子は、第5の態様の相互インダクタンス素子において、第1の導体線路は、第1の対辺の対向方向と異なる方向において対向する二辺を第3の対辺として有する多角形環を形成し、第2の導体線路は、第3の対辺とそれぞれ平行する二辺を第4の対辺として有する多角形環を形成し、第3の導体線路は、第3の対辺とそれぞれ平行する二辺を第6の対辺として有する多角形環を形成するとともに、第4の対辺の対向間隔および第6の対辺の対向間隔は第3の対辺の対向間隔と異なっており、第4の対辺および第6の対辺は積層方向において第3の対辺に重なる部分と重ならない部分とを設けるようにして第3の対辺の内側もしくは外側のいずれか一方にずらして配列されていることを特徴としている。
本発明の第7の態様の相互インダクタンス素子は、第6の態様の相互インダクタンス素子において、第2の対辺が第1の対辺の内側または外側のいずれか一方にずらして配列される場合、第5の対辺はその他方側にずらして配列されており、第4の対辺が第3の対辺の内側または外側のいずれか一方にずらして配列される場合、第6の対辺はその他方側にずらして配列されていることを特徴としている。
本発明の第8の態様の相互インダクタンス素子は、第6または第7の態様の相互インダクタンス素子において、第1の導体線路、第2の導体線路および第3の導体線路は、第1の対辺および第3の対辺、第2の対辺および第4の対辺ならびに第5の対辺および第6の対辺の各対向方向をそれぞれ直交させてなる略四角形環をそれぞれ形成していることを特徴としている。
また、本発明の相互インダクタンス素子は、その第9の態様として、第1の誘電板上に円環を形成している第1の導体線路と、第2の誘電板上に円環を形成している第2の導体線路とを備えており、第2の導体線路に係る円環は、第1の導体線路に係る円環と同軸上に積層されているとともに、第1の導体線路に係る円環と積層方向に第1の誘電板または第2の誘電板を介して重なる範囲内において、第1の導体線路に係る円環の内側もしくは外側のいずれか一方に縮小または拡大させた大きさに形成されていることを特徴としている。
本発明の第10の態様の相互インダクタンス素子は、第9の態様の相互インダクタンス素子において、第2の導体線路における線路幅の中心は、第1の導体線路における線路幅の中心から第1の導体線路における線路幅の半分の長さだけ第1の導体線路に係る円環の内側もしくは外側のいずれか一方にずらしていることを特徴としている。
本発明の第11の態様の相互インダクタンス素子は、第1から第10のいずれか1の態様の相互インダクタンス素子において、誘電板は低温同時焼成セラミック(LTCC)であることを特徴としている。
本発明の第12の態様の相互インダクタンス素子は、第1から第11のいずれか1の態様の相互インダクタンス素子において、第1の導体線路に対する2次側の導体線路は、2次側の導体線路の両端間中央に接続されている中間端子を有していることを特徴としている。
本発明の第13の態様の相互インダクタンス素子は、第1から第12のいずれか1の態様の相互インダクタンス素子において、第1の導体線路に係る環の内側において積層方向に積層された複数のキャパシタを備えていることを特徴としている。
そして、本発明の平衡不平衡変換器は、第1から第13のいずれか1の態様の相互インダクタンス素子と、第1の導体線路の一端に接続される第1の入出力端子と、第2の導体線路の両端または第2の導体線路および第3の導体線路における互いに接続されていない各一端にそれぞれ接続されている第2の入出力端子と、第1の導体線路の他端に接続されている接地導体とを備えていることを特徴としている。
本発明の第1の態様の相互インダクタンス素子によれば、第1の誘電板が第1の対辺の対向方向の平行方向に伸縮したり、第2の誘電板が第2の対辺の対向方向の平行方向に伸縮したりしたとしても、第2の対辺が第1の対辺と重なっている限りにおいては、第2の対辺の一方と第1の対辺の一方との対向面積が減少しても、第2の対辺の他方と第1の対辺の他方との対向面積が増加するので、第1の導体線路と第2の導体線路との対向面積はほとんど変化しない。そのため、第1の導体線路と第2の導体線路との電磁結合度の変化を防止することができるので、相互インダクタンス素子の結合特性が安定するという効果を奏する。
本発明の第2の態様の相互インダクタンス素子によれば、第1の対辺および第2の対辺の対向方向の平行方向だけでなく、第3の対辺および第4の対辺の対向方向の平行方向に第1の誘電板または第2の誘電板が伸縮したとしても、第4の対辺が第3の対辺と重なっている限りにおいては、第1の導体線路と第2の導体線路との対向面積はほとんど変化しない。そのため、第1の導体線路と第2の導体線路との電磁結合度の変化を防止することができるので、相互インダクタンス素子の結合特性が安定するという効果を奏する。
本発明の第3の態様の相互インダクタンス素子によれば、第2の対辺を第1の対辺の内側にずらして配列させた長さ分だけ第4の対辺を第3の対辺の外側にずらして配列させることができる。同様にして、第2の対辺を第1の対辺の外側にずらして配列させた長さ分だけ第4の対辺を第3の対辺の内側にずらして配列させることができる。そのため、第2の導体線路の長さを第1の導体線路の長さと同等にすることができるので、相互インダクタンス素子の結合特性が安定するという効果を奏する。
本発明の第4の態様の相互インダクタンス素子によれば、第1の対辺および第3の対辺に係る各々の対向方向の平行方向および第2の対辺および第4の対辺に係る各々の対向方向の平行方向が第1の誘電板および第2の誘電板の面内方向(X方向およびY方向)に対応しているので、第1の誘電板または第2の誘電板がその面内方向(X方向およびY方向)に伸縮して第1の導体線路と第2の導体線路との位置関係がずれたとしても、第2の導体線路が第1の導体線路と重なっている限りにおいて、第1の導体線路と第2の導体線路との対向面積がほとんど変化しない。そのため、第1の導体線路と第2の導体線路との電磁結合度の変化を防止することができ、相互インダクタンス素子の結合特性が安定するという効果を奏する。また、本発明の第4の態様の相互インダクタンス素子によれば、複雑な形状の多角形環を形成することなく、第1の導体線路と第2の導体線路との電磁結合度の変化を防止することができるので、相互インダクタンス素子の製造コストを低廉なものとすることができるという効果を奏する。
本発明の第5の態様の相互インダクタンス素子によれば、第3の誘電板が第5の対辺の対向方向の平行方向に伸縮したとしても、第5の対辺が第1の対辺と重なっている限りにおいては、第5の対辺の一方と第1の対辺の一方との対向面積が減少しても、第5の対辺の他方と第1の対辺の他方との対向面積が増加するので、第1の導体線路と第3の導体線路との対向面積はほとんど変化しない。そのため、第1の導体線路と第3の導体線路との電磁結合度の変化を防止することができるので、相互インダクタンス素子の結合特性が安定するという効果を奏する。また、第1の導体線路に係る多角形環の両面側に第2の導体線路および第3の導体線路をそれぞれ配設することができるので、インピーダンス変換比の設定を容易に行なうことができるという効果を奏する。
本発明の第6の態様の相互インダクタンス素子によれば、第1の対辺および第5の対辺の対向方向の平行方向だけでなく、第3の対辺および第6の対辺の対向方向の平行方向に第1の誘電板または第3の誘電板が伸縮したとしても、第6の対辺が第3の対辺と重なっている限りにおいては、第1の導体線路と第2の導体線路との対向面積はほとんど変化しない。そのため、第1の導体線路と第3の導体線路との電磁結合度の変化を防止することができるので、相互インダクタンス素子の結合特性が安定するという効果を奏する。
本発明の第7の態様の相互インダクタンス素子によれば、第2の導体線路と第3の導体線路との対向面積が減少するので、相互インダクタンス素子にとって悪影響を及ぼすおそれのある第2の導体線路と第3の導体線路との電磁結合を減少させることができるという効果を奏する。
本発明の第8の態様の相互インダクタンス素子によれば、第1から第3の誘電板の面内方向に伸縮して第1の導体線路と第2の導体線路との位置関係および第1の導体線路と第3の導体線路との位置関係がずれたとしても、第1の導体線路と第2の導体線路との対向面積および第1の導体線路と第3の導体線路との対向面積がほとんど変化しない。そのため、第1の導体線路と第2の導体線路との電磁結合度および第1の導体線路と第3の導体線路との電磁結合度の変化を防止することができ、相互インダクタンス素子の結合特性が安定するという効果を奏する。また、本発明の第8の態様の相互インダクタンス素子によれば、複雑な形状の多角形環を形成することなく、相互インダクタンス素子の製造コストを低廉なものとすることができるという効果を奏する。
本発明の第9の態様の相互インダクタンス素子によれば、第2の誘電板がその面内方向に伸縮したとしても、第2の導体線路に係る円環が第1の導体線路に係る円環に重なっている限りにおいて、第1の導体線路と第2の導体線路との全体の対向面積の変化があまり生じない。そのため、第1の導体線路と第2の導体線路との電磁結合度の変化を防止することができ、相互インダクタンス素子の結合特性が安定するという効果を奏する。
本発明の第10の態様の相互インダクタンス素子によれば、第2の導体線路が第1の導体線路の線路幅と同程度までずれても相互インダクタンス素子の結合特性が安定するという効果を奏する。
本発明の第11の態様の相互インダクタンス素子によれば、LTCC基板はHTCC基板の焼成温度(1600℃程度)と比較してその焼成温度が低い(900℃程度)ので、第1の導体線路や第2の導体線路などの導体の材料として高電導かつ低融点のCu、Ag、Auを用いることができる。そのため、相互インダクタンス素子の伝送抵抗を低くすることができるので、高周波回路においてその伝送抵抗によるエネルギーロスを少なくすることができるという効果を奏する。
本発明の第12の態様の相互インダクタンス素子によれば、中間端子から2次側の導体線路の両端に平衡な電気信号を送ることができるので、2次側の導体線路に接続される回路に対して中間端子から直流電圧を平衡給電することができるという効果を奏する。
また、本発明の第13の態様の相互インダクタンス素子によれば、デットスペースとなっている第1の導体線路の環内部をキャパシタの配設場所として有効利用しているので、相互インダクタンス素子を小型化・省スペース化することができるという効果を奏する。
そして、本発明の平衡不平衡変換器によれば、誘電板の加圧焼成時にインダクタンス素子の配設位置が所望の位置からずれたとしても、相互インダクタンス素子の結合特性が安定しているので、不平衡線路(同軸線路)と平衡型線路(レッヘル線路)と間の伝送損失を低下させずに安定させることができるという効果を奏する。
以下、図1から図10を用いて、本発明の相互インダクタンス素子および平衡不平衡変換器を、その第1から第3の実施形態により説明する。
はじめに、図1から図5を用いて、第1の実施形態の相互インダクタンス素子2Aおよびその相互インダクタンス素子2Aを備える平衡不平衡変換器1Aを説明する。
図1(a)、(b)は第1の実施形態の平衡不平衡変換器1Aの斜視図を示している。第1の実施形態の平衡不平衡変換器1Aは、図1(a)に示すように、8枚の誘電板11A〜18Aを積層させて形成されている。この誘電板11A〜18Aは、HTCC(高温焼成セラミック)基板やLTCC(低温同時焼成セラミック)基板などのセラミック系基板など絶縁性に優れる基板を用いることができるが、第1の実施形態においては、LTCC基板が用いられている。
図1(a)、(b)に示すように、各々の誘電板11A〜18Aには、それらの表面上に、第1の導体線路3A、第2の導体線路4A、キャパシタ6A、6A、入出力端子7、8a、8bまたは接地導体9が適宜に分配配置されている。ここで、8枚の層よりなる平衡不平衡変換器1Aのうちの最上方層を第1の層と称すると、第1の層から下方に計数して第5番目の層となる第5の層においては、第1の導体線路3Aが形成された誘電板(以下、「第1の誘電板」という。)15Aが配設されている。また、第4の層においては、第2の導体線路4Aが形成された誘電板(以下、「第2の誘電板」という。)14Aが配設されている。この第1の誘電板15Aの上方に第2の誘電板14Aを積層させることにより、第1の実施形態の第1の導体線路3Aおよび第2の導体線路4Aは相互インダクタンス素子2Aを形成する。なお、第1の誘電板15Aおよび第2の誘電板14Aの積層順は相互インダクタンス素子2Aの結合特性に影響を与えないので、他の実施形態においては第2の誘電板14Aの上方に第1の誘電板15Aを積層させても良い。
図2(a)は第1の実施形態の相互インダクタンス素子2Aの平面図を示しており、図2(b)は、その相互インダクタンス素子2Aの等価回路を示している。また、図3は、図2(a)の3−3矢視断面図を示している。
第1の導体線路3Aは、図2(a)に示すように、インダクタンス素子となる開いた四角形環を形成しており、1次側の導体線路となっている。この四角形環は略長方形状に形成されることによりそれぞれ平行に対向している二辺(略四角形環が開いていることにより一部接続されていない辺23Aaも接続された一辺として考える。第2の導体線路4Aなどにおいても同様とする。)21Aa、21Ab、23Aa、23Abを2組の対辺として有している。これら2組の対辺21Aa、21Abおよび23Aa、23Abは、それらの対向方向の平行方向(X方向およびY方向)を互いに直交させるように形成されており、本発明の第1の対辺21Aa、21Abおよび第3の対辺23Aa、23Abとして用いられている。
第2の導体線路4Aは第1の導体線路3Aと同程度の線路幅を有している。また、この第2の導体線路4Aは第1の導体線路3Aと同様の形状およびインダクタンス素子となる開いた四角形環を形成しており、本発明の2次側の導体線路となっている。第2の導体線路4Aに係る四角形環の各辺は第1の導体線路3Aに係る四角形環の各辺21Aa、21Ab、23Aa、23Abとそれぞれ平行に配列されている。第1の実施形態においては、第1の対辺21Aa、21Abとそれぞれ平行に配列されている対向する二辺22Aa、22Abを本発明の第2の対辺22Aa、22Abとし、第3の対辺23Aa、23Abとそれぞれ平行に配列されている対向する二辺24Aa、24Abを本発明の第4の対辺24Aa、24Abとして用いられている。これら第2の対辺22Aa、22Abおよび第4の対辺24Aa、24Abは、第1の対辺21Aa、21Abおよび第3の対辺23Aa、23Abにそれぞれ平行であることから、それらの各対向方向は互いに直交している。
また、第2の導体線路4Aは、図1(a)、図2(a)および図3に示すように、第2の誘電板14Aを介して、その積層方向において第1の導体線路3Aと重なるように積層されている。ここで、第2の導体線路4Aにおける第2の対辺22Aa、22Abの対向間隔は第1の対辺21Aa、21Abの対向間隔よりも狭くなっている。そのため、第1の対辺21Aa、21Abの各内側部分は第2の対辺22Aa、22Abの各外側部分と重なっている。同様にして、第4の対辺24Aa、24Abの対向間隔は第3の対辺23Aa、23Abの対向間隔よりも広くなっている。そのため、第3の対辺23Aa、23Abの各外側部分は第4の対辺24Aa、24Abの各内側部分と重なっている。なお、以下の説明においては、「第1の対辺21Aa、21Abから第4の対辺24Aa、24Abに係る各対辺の対向間隔を適宜変えることにより、一の対辺が対応する他の対辺(例えば第2の対辺22Aa、22Abが一の対辺であれば第1の対辺21Aa、21Abが対応する他の対辺となる。)に重なる部分と重ならない部分とを設けるようにして当該対応する他の対辺の内側もしくは外側のいずれか一方にずれさせる」ことを「オフセット」と称し、「一の対辺に係る各辺を対応する他の対辺に係る各辺にオフセットして配列させる」ことを「オフセット配列」と称する。
また、第1の導体線路3Aに係る線路幅の中心から第2の導体線路4Aに係る線路幅の中心までの距離を「オフセット量」と称する。第1の実施形態においては、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの位置関係のずれの許容範囲を最大にするために、オフセット量を第1の導体線路3Aおよび第2の導体線路4Aの線路幅の半分程度としている。この場合には、第1の導体線路3Aに係る第1の対辺の一方21Aaの内側半分と第2の導体線路4Aに係る第2の対辺の一方22Aaの外側半分が重なり、第1の導体線路3Aに係る第1の対辺の他方21Abの内側半分が第2の導体線路4Aに係る第2の対辺の他方22Abの外側半分と重なる。これにより、第1の導体線路3Aおよび第2の導体線路4Aの線路幅の半分以下の幅の範囲内において第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの位置関係がずれたとしても、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aの重なる面積は変化しない。
第1の導体線路3Aおよび第2の導体線路4Aは、図1および図2に示すように、各層に形成されたスルーホール10を介して、第3から第7の各層にそれぞれ2枚ずつ矩形状に形成された金属平板を積層させてなる2つのキャパシタ6A、6Aにそれぞれ並列に接続されている。これらキャパシタ6A、6Aは、積層方向において、第1の導体線路3Aおよび第2の導体線路4Aに係る環の内側に配設されている。
これらキャパシタ6A、6Aの一部6Aa、6Aaが形成された第3の層の上層には、ダミー層となる第2の層を介して第1の層が積層されている。第1の層は、誘電板11Aの表面に印刷形成された1本の第1の入出力端子7および2本の第2の入出力端子8a、8bを有している。第1の入出力端子7は、図1に示すように、第1層から第5層までの各誘電板11A〜15Aに形成されたスルーホール10を介して、第1の導体線路3Aの一端3Aaに電気的に接続されている。また、第2の入出力端子8a、8bは、第1層から第4層までの各誘電板11A〜14Aに形成されたスルーホール10を介して、第2の導体線路4Aの両端4Aa、4Abに電気的に接続されている。
また、キャパシタ6A、6Aの他の一部6Ab、6Abが形成された第7の層の下層には、最下層となる第8の層が積層されている。第8の層は、誘電板18Aの表面に平板状に形成された接地導体9を有している。この接地導体9は、第1の入出力端子7に接続されていない第1の導体線路3Aの他端3Abに接続されている。
なお、図1および図2に示すように、スルーホール10を介して第2の導体線路4Aの両端間中央に電気的に接続される中間端子20Aを第1の層の誘電板11Aに形成しても良い。
次に、第1の実施形態の平衡不平衡変換器1Aの作用を説明する。
第1の実施形態の平衡不平衡変換器1Aの誘電板11A〜18Aは、LTCC基板が用いられている。このLTCC基板の焼成温度(900℃程度)は、HTCC基板の焼成温度(1600℃程度)と比較して低いので、第1の導体線路3Aや第2の導体線路4Aなどの導体の材料として高電導かつ低融点のCu、Ag、Auを用いることができる。そのため、相互インダクタンス素子2Aの伝送抵抗を低くすることができ、高周波回路においてその伝送抵抗によるエネルギーロスを少なくすることができる。
このLTCC基板のマザー基板を加圧焼成する際、マザー基板がその中心から放射線状に伸縮する(図12を参照)。そのため、第1の実施形態の平衡不平衡変換器1Aにおいては、相互インダクタンス素子2Aを形成する第2の導体線路4Aの第2の対辺22Aa、22Abおよび第4の対辺24Aa、24Abを前述した所定の方向にオフセット配列させている。これにより、図2および図3に示すように、加圧焼成時に第1の誘電板15Aまたは第2の誘電板14Aが第1の対辺21Aa、21Abまたは第2の対辺22Aa、22Abの対向方向の平行方向(Y方向)に伸縮したり、第3の対辺23Aa、23Abまたは第4の対辺24Aa、24Abの対向方向の平行方向(X方向)に伸縮したりしたとしても、第2の対辺22Aa、22Abが第1の対辺21Aa、21Abと重なっている限りにおいては、相互インダクタンス素子2Aの結合特性はほとんど影響を受けない。
つまり、図4に示すように、第1の誘電板15Aまたは第2の誘電板14Aがそれらの面内方向(第1の対辺21Aa、21Abおよび第3の対辺23Aa、23Abの各々の対向方向の平行方向または第2の対辺22Aa、22Abおよび第4の対辺24Aa、24Abの各々の対向方向の平行方向)に伸縮することにより、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの位置関係がずれ、第2の導体線路4Aに係る第2の対辺22Aa、22Abの一方22Abと第1の導体線路3Aに係る第1の対辺21Aa、21Abの一方21Abとの対向面積が減少しても、第2の対辺22Aa、22Abの他方22Aaと第1の対辺21Aa、21Abの他方21Aaとの対向面積が増加するので、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの対向面積はほとんど変化しない。同様に、第2の導体線路4Aに係る第4の対辺24Aa、24Abの一方24Aaと第1の導体線路3Aに係る第3の対辺23Aa、23Abの一方23Aaとの対向面積が減少しても、第4の対辺24Aa、24Abの他方24Abと第3の対辺23Aa、23Abの他方23Abとの対向面積が増加するので、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの対向面積はほとんど変化しないことになる。そのため、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの位置関係が第1の誘電板15Aまたは第2の誘電板14Aの面内方向にずれても、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの電磁結合度の変化を防止することができるので、相互インダクタンス素子2Aの結合特性が安定する。
また、第1の実施形態の相互インダクタンス素子2Aにおいては、第2の対辺22Aa、22Abを第1の対辺21Aa、21Abの内側にオフセット配列させ、第4の対辺24Aa、24Abを第3の対辺23Aa、23Abの外側にオフセット配列させている。このことから、第2の対辺22Aa、22Abを第1の対辺21Aa、21Abの内側にオフセット配列させた長さ分だけ第4の対辺24Aa、24Abを第3の対辺23Aa、23Abの外側にオフセット配列させることができる。そのため、第2の導体線路4Aを容易に長さ調整することができるので、第2の導体線路4Aの長さを第1の導体線路3Aの長さと同等にすることができ、インピーダンス・マッチングが行ない易くなるとともに、相互インダクタンス素子2Aの結合特性を安定させることができる。例えば、第1の実施形態においては、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとを同等の長さにすることができるので、インピーダンス変換比が1:1の相互インダクタンス素子2Aを形成することができる。
もちろん、上記と逆側にオフセット配列させたとしても、第2の対辺22Aa、22Abを第1の対辺21Aa、21Abの外側にオフセット配列させた長さ分だけ第4の対辺24Aa、24Abを第3の対辺23Aa、23Abの内側にオフセット配列させることができるので、同様の効果を得ることができる。
図5は、第1の実施形態の相互インダクタンス素子2Aの結合特性を示している。例えば図4に示すように、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの位置関係が誘電板11A〜18Aの面内方向(X方向およびY方向)にそれぞれ±50μmずつずれたとしても、図5と図14(従来例)と比較すれば、相互インダクタンス素子2Aの伝送損失に変化が生じていないことは明らかである。これは、前述したように、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの対向面積はほとんど変化しないことに起因している。このことからも、第1の実施形態の相互インダクタンス素子2Aにおいては、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの電磁結合度の変化を防止することができ、相互インダクタンス素子2Aの結合特性を安定させることができるといえる。
さらに、第1の実施形態の相互インダクタンス素子2Aについては、第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとによる2つの長方形環のインダクタンス素子を積層させることにより形成することができるので、例えば渦巻き形状などの複雑な形状のインダクタンス素子を形成せずとも第1の導体線路3Aと第2の導体線路4Aとの電磁結合度の変化を防止することができる。そのため、相互インダクタンス素子2Aを容易に形成することができるので、相互インダクタンス素子2Aの製造コストを低廉なものとすることができる。
そして、第1の実施形態の相互インダクタンス素子2Aは、第1の導体線路3Aに係る長方形環の内側にキャパシタ6A、6Aを有しているので、デットスペースとなっていた第1の導体線路3Aの環内部を有効利用することができる。このため、相互インダクタンス素子2Aおよび平衡不平衡変換器1Aの小型化・省スペース化を図ることができる。
また、第1の実施形態の相互インダクタンス素子2Aに中間端子20Aを形成した場合、中間端子20Aから第2の導体線路(2次側の導体線路)4Aの両端4Aa、4Abに平衡な電気信号を送ることができるので、2次側の導体線路に接続されるICなどの回路(図示せず)に対して中間端子20Aから直流電圧を平衡に給電することができる。
すなわち、第1の実施形態の平衡不平衡変換器1Aおよび相互インダクタンス素子2Aによれば、誘電板11A〜18Aの加圧焼成時にインダクタンス素子(第1の導体線路3Aおよび第2の導体線路4A)の配設位置が所望の位置からずれたとしても、相互インダクタンス素子2Aの結合特性が安定しているので、不平衡線路(例えば、同軸ケーブルなどの同軸線路)と平衡線路(例えば、ツイステッド・ペア・ケーブルなどのレッヘル線路)と間の伝送損失を低下させずに安定させることができ、さらに平衡不平衡変換器1Aおよび相互インダクタンス素子2Aの小型化・省スペース化を図ることができる。
なお、第1の実施形態においては、第1の導体線路3Aおよび第2の導体線路4Aは開いた略四角形環を形成しているが、他の実施形態においては、開いた五角形環や六角形環など、開いた多角形環を形成してもよい。また、第1の対辺21Aa、21Abや第2の対辺22Aa、22Abなど、第1の導体線路3Aおよび第2の導体線路4Aに係る各環においてオフセットされる各対辺は2組以上あってもよいし、誘電板11A〜18Aの伸縮方向をある一方向に予想することができるのであれば、第1の対辺21Aa、21Abおよび第2の対辺22Aa、22Abのみをオフセット配列の対象とさせて形成させてもよい。
次に、図6から図9を用いて、第2の実施形態の平衡不平衡変換器1Bを説明する。なお、特に言及しない点については、第1の実施形態と同様にして形成されている。
図6(a)、(b)は第2の実施形態の平衡不平衡変換器1Bの分解斜視図を示している。第2の実施形態の平衡不平衡変換器1Bは、図6に示すように、8枚の誘電板11B〜18Bを積層させて形成されている。各々の誘電板11B〜18Bには、その表面上に、第1の導体線路3B、第2の導体線路4B、第3の導体線路5B、キャパシタ6B、6B、入出力端子7、8a、8bまたは接地導体9が適宜に分配配置されている。第5の層においては、第1の導体線路3Bが形成された第1の誘電板15Bが配設されている。また、第4の層においては、第2の導体線路4Bが形成された第2の誘電板14Bが配設されており、第6の層においては、第3の導体線路5Bが形成された誘電板(以下、「第3の誘電板」という。)16Bが配設されている。このように、第1の誘電板15Bの上層に第2の誘電板14Bを積層させつつ、第1の誘電板15Bの下層に第3の誘電板16Bを積層させることにより、第2の実施形態の第1の導体線路3B、第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5Bは相互インダクタンス素子2Bを形成する。
図7(a)は第2の実施形態の相互インダクタンス素子2Bの平面図を示しており、図7(b)は、その相互インダクタンス素子2Bの等価回路を示している。また、図8は、図7(a)の8−8矢視断面図を示している。
第1の導体線路3Bおよび第2の導体線路4Bならびにそれらに係る略四角形環は、第1の実施形態と同様に形成されている。
第2の実施形態の第2の導体線路4Bは第1の実施形態と同様に積層されており、第2の対辺22Ba、22Bbおよび第4の対辺24Ba、24Bbは第1の実施形態と同様にオフセット配列されている。オフセット量も第1の実施形態と同程度となっている。
第3の導体線路5Bは、図6(a)および図7(a)に示すように、第1の導体線路3Bと同程度の線路幅を有しており、第1の導体線路3Bと同様の形状であってインダクタンス素子となる開いた四角形環を形成している。第3の導体線路5Bに係る四角形環の各辺25Ba、25Bb、26Ba、26Bbは第1の導体線路3Bに係る四角形環の各辺21Ba、21Bb、23Ba、23Bbとそれぞれ平行に配列されている。第1の対辺21Ba、21Bbとそれぞれ平行に配列されている対向する二辺25Ba、25Bbは本発明の第5の対辺25Ba、25Bbとし、第3の対辺23Ba、23Bbとそれぞれ平行に配列されている対向する二辺26Ba、26Bbは本発明の第6の対辺26Ba、26Bbとして用いられている。
また、第3の導体線路5Bは、図6(a)、図7(a)および図8に示すように、第1の誘電板15Bを介して、その積層方向において第1の導体線路3Bと重なるように積層されている。ここで、第3の導体線路5Bにおける第5の対辺25Ba、25Bbの対向間隔は第1の対辺21Ba、21Bbの対向間隔よりも広くなっており、第1の対辺21Ba、21Bbの各外側部分が第5の対辺25Ba、25Bbの各内側部分と重なっている。同様にして、第6の対辺26Ba、26Bbの対向間隔は第3の対辺23Ba、23Bbの対向間隔よりも狭くなっており、第3の対辺23Ba、23Bbの各内側部分が第6の対辺26Ba、26Bbの各外側部分と重なっている。これにより、第5の対辺25Ba、25Bbは積層方向において第1の対辺21Ba、21Bbに線路幅において部分的に重なりながら第1の対辺21Ba、21Bbの外側にオフセット配列されており、第6の対辺26Ba、26Bbは積層方向において第3の対辺23Ba、23Bbに線路幅において部分的に重なりながら第3の対辺23Ba、23Bbの内側にオフセット配列されている。オフセット量は第1の導体線路3Bの線路幅の半分程度の長さとなっている。
そして、第3の導体線路5Bの一端5Bbは、図6(a)および図7(a)に示すように、第4から第6の層に形成されたスルーホール10を介して、第2の導体線路4Bの一端4Bbと接続されている。この接続により、第1の導体線路3Bは1次側の導体線路となり、接続された第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5Bは2次側の導体線路となる。
第1の導体線路3Bの両端3Ba、3Bbならびに接続された第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5Bの各他端4Ba、5Baは、図6および図7(a)に示すように、各層に形成されたスルーホール10を介して、第3から第7の各層にそれぞれ2枚ずつ矩形状に形成された金属平板を積層させてなる2つのキャパシタ6B、6Bにそれぞれ並列に接続されている。これらキャパシタ6B、6Bは、積層方向において、第1の導体線路3B、第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5Bに係る環の内側に配設されている。
これらキャパシタ6B、6Bの一部が形成された第3の層の上層には、ダミー層となる第2の層を介して第1の層が積層されている。第1の層は、誘電板11Bの表面に1本の第1の入出力端子7および2本の第2の入出力端子8a、8bを有している。第1の入出力端子7は、図6に示すように、第1層から第7層までの各誘電板11B〜17Bに形成されたスルーホール10を介して、第1の導体線路3Bの一端3Baに電気的に接続されている。また、一方の第2の入出力端子8aは、第1層から第4層までの各誘電板11B〜14Bに形成されたスルーホール10を介して、第3の導体線路5Bに接続されていない第2の導体線路4Bの一端4Baに電気的に接続されており、他方の第2の入出力端子8bは、第1層から第6層までの各誘電板11B〜16Bに形成されたスルーホール10を介して、第2の導体線路4Bに接続されていない第3の導体線路5Bの一端5Baに電気的に接続されている。なお、図6および図7に示すように、第2の導体線路4Bの一端4Baと第3の導体線路5Bの一端5Baとの間の中間位置、すなわち2次側の導体線路の端子間中央においては、スルーホール10を介して電気的に接続される中間端子20Bを形成しても良い。
また、キャパシタ6B、6Bの一部が形成された第7の層の下層には第1の実施形態と同様の第8の層が積層されており、第8の層の接地導体9は、第1の実施形態と同様、第1の導体線路3Bの他端3Bbに接続されている。
次に、第2の実施形態の平衡不平衡変換器1Bの作用を説明する。
図6から図8に示すように、第2の実施形態の平衡不平衡変換器1Bにおいては、第2の導体線路4Bの第2の対辺22Ba、22Bbおよび第4の対辺24Ba、24Bbならびに第3の導体線路5Bの第5の対辺25Ba、25Bbおよび第6の対辺26Ba、26Bbを前述した所定の方向にオフセット配列させている。このオフセット配列により、誘電板11B〜18Bの加圧焼成時に第1の誘電板15B、第2の誘電板14Bまたは第3の誘電板16Bが第1の対辺21Ba、21Bb、第2の対辺22Ba、22Bbまたは第5の対辺25Ba、25Bbの対向方向の平行方向に伸縮したり、第3の対辺23Ba、23Bb、第4の対辺24Ba、24Bbまたは第6の対辺26Ba、26Bbの対向方向の平行方向に伸縮したりしたとしても、第2の対辺22Ba、22Bbが第1の対辺21Ba、21Bbと重なっている限りにおいては、相互インダクタンス素子2Bの結合特性はほとんど影響を受けない。
つまり、第1の誘電板15Bまたは第2の誘電板14Bがそれらの面内方向(X方向およびY方向)に伸縮することにより、第1の導体線路3Bと第2の導体線路4Bとの位置関係がずれ、第2の導体線路4Bに係る第2の対辺22Ba、22Bbの一方22Bbと第1の導体線路3Bに係る第1の対辺21Ba、21Bbの一方21Bbとの対向面積が減少しても、第2の対辺22Ba、22Bbの他方22Baと第1の対辺21Ba、21Bbの他方21Baとの対向面積が増加するので、第1の導体線路3Bと第2の導体線路4Bとの対向面積はほとんど変化しない(図4を参照)。また、第2の導体線路4Bに係る第4の対辺24Ba、24Bbの一方24Baと第1の導体線路3Bに係る第3の対辺23Ba、23Bbの一方23Baとの対向面積が減少しても、第4の対辺24Ba、24Bbの他方24Bbと第3の対辺23Ba、23Bbの他方23Bbとの対向面積が増加するので、第1の導体線路3Bと第2の導体線路4Bとの対向面積はほとんど変化しない(図4を参照)。そのため、第1の導体線路3Bと第2の導体線路4Bとの位置関係が第1の誘電板15Bまたは第2の誘電板14Bの面内方向にずれても、第1の導体線路3Bと第2の導体線路4Bとの電磁結合度の変化を防止することができる。
同様にして、第1の誘電板15Bまたは第3の誘電板16Bがそれらの面内方向に伸縮することにより、第1の導体線路3Bと第3の導体線路5Bとの位置関係がずれ、第3の導体線路5Bに係る第5の対辺25Ba、25Bbの一方25Bbと第1の導体線路3Bに係る第1の対辺21Ba、21Bbの一方21Bbとの対向面積が減少しても、第5の対辺25Ba、25Bbの他方35Baと第1の対辺21Ba、21Bbの他方21Baとの対向面積が増加するので、第1の導体線路3Bと第3の導体線路5Bとの対向面積はほとんど変化しない。また、第3の導体線路5Bに係る第6の対辺26Ba、26Bbの一方26Bbと第1の導体線路3Bに係る第3の対辺23Ba、23Bbの一方23Bbとの対向面積が減少しても、第6の対辺26Ba、26Bbの他方26Baと第3の対辺23Ba、23Bbの他方23Baとの対向面積が増加するので、第1の導体線路3Bと第3の導体線路5Bとの対向面積はほとんど変化しない。そのため、第1の導体線路3Bと第3の導体線路5Bとの位置関係が第1の誘電板15Bまたは第2の誘電板14Bの面方向にずれても、第1の導体線路3Bと第3の導体線路5Bとの電磁結合度の変化を防止することができる。
また、第1の導体線路3Bに対して、第2の導体線路4Bと第3の導体線路5Bとは互いにほぼ同じ方向に移動するが、たとえ異なる方向に移動したとしても、相互インダクタンス素子2Bの電磁結合度の変化を防止することができる。
以上より、誘電板11B〜18Bの加圧焼成によりその誘電板11B〜18Bが伸縮したとしても、第1の導体線路3B、第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5Bにより形成される相互インダクタンス素子2Bの結合特性を安定させることができる。
また、第2の実施形態の相互インダクタンス素子2Bにおいては、第2の対辺22Ba、22Bbを第1の対辺21Ba、21Bbの内側にオフセット配列させ、第4の対辺24Ba、24Bbを第3の対辺23Ba、23Bbの外側にオフセット配列させているとともに、第5の対辺25Ba、25Bbを第1の対辺21Ba、21Bbの外側にオフセット配列させ、第6の対辺26Ba、26Bbを第3の対辺23Ba、23Bbの内側にオフセット配列させている。
つまり、第2の対辺22Ba、22Bbを第1の対辺21Ba、21Bbの内側にオフセット配列させた長さ分だけ第4の対辺24Ba、24Bbを第3の対辺23Ba、23Bbの外側にオフセット配列させることができ、同様に、第5の対辺25Ba、25Bbを第1の対辺21Ba、21Bbの外側にオフセット配列させた長さ分だけ第6の対辺26Ba、26Bbを第3の対辺23Ba、23Bbの外側にオフセット配列させることができる。そのため、第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5Bを容易に長さ調整することができるので、第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5Bの長さを第1の導体線路3Bの長さと同等にすることができる。このことから、第1の導体線路3Bおよび第2の導体線路4Bならびに第1の導体線路3Bおよび第3の導体線路5Bのインピーダンス・マッチングが行ないやすくなるとともに、相互インダクタンス素子2Bの結合特性を安定させることができる。
例えば、第2の実施形態においては、第3の導体線路5Bの一端が第2の導体線路4Bの一端に接続されていることから、第1の導体線路3B、第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5Bをそれぞれ同等の長さにすると、インピーダンス変換比が1:2の相互インダクタンス素子2Bを形成することができる。このように、第3の導体線路5Bを第2の導体線路4Bに接続し、第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5Bの長さを調整することにより、第2の実施形態の相互インダクタンス素子2Bに係るインピーダンス変換比の設定を第1の実施形態の相互インダクタンス素子2Aに係るインピーダンス変換比の設定よりも多種多様に行なうことができる。
もちろん、第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5Bに関して、上記とは逆側にオフセット配列させたとしても同様の効果を得ることができる。
さらに、第1の導体線路3Bに係る第1の対辺21Ba、21Bbに対して、第2の導体線路4Bに係る第2の対辺22Ba、22Bbを内側に、第3の導体線路5Bに係る第5の対辺25Ba、25Bbを外側にオフセット配列させている。また、第1の導体線路3Bに係る第3の対辺23Ba、23Bbに対して、第2の導体線路4Bに係る第4の対辺24Ba、24Bbを外側に、第3の導体線路5Bに係る第6の対辺26Ba、26Bbを内側にオフセット配列させている。そのため、第2の導体線路4Bと第3の導体線路5Bとの対向面積を減少させることができるので、第2の実施形態の相互インダクタンス素子2Bにとって悪影響を及ぼすおそれのある第2の導体線路4Bと第3の導体線路5Bとの電磁結合を減少させることができ、第2の導体線路4Bと第3の導体線路5Bとによって相互インダクタンス素子2Bが形成されることを防止することができる。
図9は、第2の実施形態の相互インダクタンス素子2Bの結合特性を示している。例えば、第1の導体線路3Bと第2の導体線路4Bとの位置関係が誘電板11B〜18Bの面内方向(X方向およびY方向)にそれぞれ±50μmずつずれたとしても、図9と図14(従来例)と比較すれば、相互インダクタンス素子2Bの伝送損失に変化が生じていないことは明らかである。これは、前述したように、第1の導体線路3Bと第2の導体線路4Bとの対向面積はほとんど変化しないことに起因している。このことからも、第2の実施形態の相互インダクタンス素子2Bにおいては、第1の導体線路3B(1次側の導体線路)と第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5B(2次側の導体線路)との電磁結合度の変化を防止することができ、相互インダクタンス素子2Bの結合特性を安定させることができるといえる。
第2の実施形態の相互インダクタンス素子2Bについては、3つの長方形環のインダクタンス素子(第1の導体線路3B、第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5B)を積層させることにより形成することができるので、渦巻き形状などの複雑な形状のインダクタンス素子を形成せずとも相互インダクタンス素子2Bの電磁結合度の変化を防止することができる。そのため、相互インダクタンス素子2Bを容易に形成することができるので、相互インダクタンス素子2Bの製造コストを低廉なものとすることができる。
また、第2の実施形態の相互インダクタンス素子2Bは、第1の導体線路3Bに係る長方形環の内側にキャパシタ6B、6Bを有しているので、デットスペースとなっていた第1の導体線路3Bの環内部を有効利用することができる。このため、相互インダクタンス素子2Bおよび平衡不平衡変換器1Bの小型化・省スペース化を図ることができる。
ここで、第2の実施形態の相互インダクタンス素子2Bに中間端子20Bを形成した場合、中間端子20Bから第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5B(2次側の導体線路)の各一端4Ba、5Baに平衡な電気信号を送ることができるので、2次側の導体線路に接続されるICなどの回路(図示せず)に対して中間端子から直流電圧を平衡に給電することができる。
すなわち、第2の実施形態の平衡不平衡変換器1Bおよび相互インダクタンス素子2Bによれば、誘電板11B〜18Bの加圧焼成時にインダクタンス素子(第1の導体線路3B、第2の導体線路4Bおよび第3の導体線路5B)の配設位置が所望の位置からずれたとしても、相互インダクタンス素子2Bの結合特性が安定しているので、不平衡線路(例えば、同軸ケーブルなどの同軸線路)と平衡線路(例えば、ツイステッド・ペア・ケーブルなどのレッヘル線路)と間の伝送損失を低下させずに安定させることができ、さらに小型化・省スペース化を図ることができる。
次に、図10を用いて、第3の実施形態の平衡不平衡変換器1Cを説明する。なお、特に言及しない点については、第1の実施形態と同様にして形成されている。
第3の実施形態の平衡不平衡変換器1Cは、第1の実施形態と同様、8枚の誘電板(図示せず)を積層させて形成されている。各層に配設された誘電板の表面には、第1の導体線路3C、第2の導体線路4C、キャパシタ6C、6C、入出力端子7、8a、8bまたは接地導体9が適宜に分配配置されている。ここで、入出力端子7、8a、8bおよび接地導体9については第1の実施形態と同一の層において同一形状に形成されている(図1を参照)。また、第1の導体線路3C、第2の導体線路4Cおよびキャパシタ6C、6Cについては、それらの配設層が第1の実施形態と同一となっており、それらの形状が第1の実施形態と異なっている。
図10は、第3の実施形態の相互インダクタンス素子2Cを示す平面図である。第1の導体線路3Cおよび第2の導体線路4Cは、図10に示すように、互いに同程度の線路幅を有しており、開いた円環をそれぞれ形成している。この第2の導体線路4Cに係る円環は、第1の導体線路3Cに係る円環と同軸上に積層されている。また、第2の導体線路4Cに係る円環は、第1の導体線路3Cに係る円環と積層方向に第2の誘電板を介して重なる範囲内において、第1の導体線路3Cに係る円環の内側に縮小させた大きさに形成されている。ここで、第3の実施形態においては、第2の導体線路4Cに係る円環の直径を調整することにより、第2の導体線路4Cにおける線路幅の中心が、第1の導体線路3Cにおける線路幅の中心から第1の導体線路3Cにおける線路幅の半分の長さだけ内側にオフセットされている。
第1の導体線路3Cおよび第2の導体線路4Cは、各層に形成されたスルーホール10を介して、第3から第7の各層にそれぞれ2枚ずつ半円状に形成された金属平板を積層させてなる2つのキャパシタ6C、6Cにそれぞれ並列に接続されている。これらキャパシタ6C、6Cは、積層方向において、第1の導体線路3Cおよび第2の導体線路4Cに係る環の内側に配設されている。
次に、第3の実施形態の平衡不平衡変換器1Cの作用を説明する。
図10に示すように、第3の実施形態の相互インダクタンス素子2Cは、第2の導体線路4Cに係る円環の直径が第1の導体線路3Cに係る円環の直径よりも縮小されている。そのため、第1の誘電板または第2の誘電板がその面内方向に伸縮し、第2の導体線路4Cに係る円環と第1の導体線路3Cに係る円環との一部の対向面積が減少したとしても、その一部と対向する部分において第2の導体線路4Cに係る円環と第1の導体線路3Cに係る円環との対向面積を増大させることができる。つまり、第1の誘電板または第2の誘電板がその面内方向に伸縮したとしても、第2の導体線路4Cに係る円環が第1の導体線路3Cに係る円環に重なっている限りにおいて、第1の導体線路3Cと第2の導体線路4Cとの全体の対向面積の変化があまり生じない。よって、第1の導体線路3Cと第2の導体線路4Cとの電磁結合度の変化を防止することができ、相互インダクタンス素子2Cの結合特性を安定させることができる。
また、第3の実施形態の相互インダクタンス素子2Cにおいては、第1の導体線路3Cと第2の導体線路4Cとの線路幅が同等であり、第2の導体線路4Cに係る線路幅の中心が第1の導体線路3Cに係る線路幅の中心から第1の導体線路3Cの線路幅の半分の長さ分だけ内側にオフセットされている。このことから、第2の導体線路4Cに係る円環を初期位置から第1の導体線路3Cの線路幅の半分の長さ分だけX方向およびY方向にずらしても第1の導体線路3Cと第2の導体線路4Cとの全体の対向面積の変化があまり生じないことになる。つまり、第2の導体線路4Cが第1の導体線路3Cの線路幅と同程度までずれても相互インダクタンス素子2Cの結合特性を安定させることができる。
さらに、第1の実施形態と同様、第3の実施形態の相互インダクタンス素子2Cは、デットスペースとなっていた第1の導体線路3Cの環内部をキャパシタ6C、6Cの配設場所として有効利用することができるので、相互インダクタンス素子2Cを小型化・省スペース化することができる。
すなわち、第3の実施形態の平衡不平衡変換器1Cおよび相互インダクタンス素子2Cによれば、の加圧焼成時にインダクタンス素子(第1の導体線路3Cおよび第2の導体線路4C)の配設位置が所望の位置からずれたとしても、相互インダクタンス素子2Cの結合特性が安定しているので、不平衡線路(同軸ケーブルなどの同軸線路)と平衡型線路(ツイステッド・ペア・ケーブルなどのレッヘル線路)と間の伝送損失を低下させずに安定させることができるという効果を奏する。
なお、第2の導体線路4Cに係る円環は、第1の導体線路3Cに係る円環と積層方向に重なる範囲内において、第1の導体線路3Cに係る円環の外側に拡大させた大きさに形成されていてもよい。この場合も、第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。例えば、第1から第3の実施形態の相互インダクタンス素子2A〜2Cは平衡不平衡変換器1A〜1Cに備えられているが、他の実施形態においては、方向性結合器や電圧制御発信器、PLL回路などの相互インダクタンスを利用する回路に備えられてもよい。