JP2009177799A - 無線通信モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は無線通信モジュールに関する。
【解決手段】本発明は、複数の誘電体シートが積層された基板（１４０）と、上記積層基板（１４０）の内部に形成される帯域通過フィルター（１１０）と、上記積層基板（１４０）の内部に形成され、上記帯域通過フィルター（１１０）に一端が連結される不平衡素子を有するバラン回路（１２０）及び上記積層基板（１４０）の内部に形成され、上記バラン回路（１２０）の平衡素子の夫々の一端に連結される第１及び第２マッチング回路（１３０）を含み、上記帯域通過フィルター（１１０）、バラン回路（１２０）、第１及び第２マッチング回路（１３０）のうち少なくとも１つは分布定数素子を用いて上記基板の積層誘電体シートの間に形成されることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、無線通信モジュールに関するもので、より詳細には積層基板の内部に複数の部品を形成することにおいて小型化が可能な無線通信モジュールに関するものである。

携帯電話機等の無線通信機器に対する技術が発達するに従って多様な形態の無線通信機器が開発されており、無線通信機器の効率を極大化するために、小型化及び薄型化が求められている。

このような小型化及び薄型化の要求を満たすために複数の誘電体シートが積層された積層基板の内部に部品を形成する技術が紹介されている。このように積層基板の内部に部品を形成する際、物理的な体積を最大限減らすために様々な努力が続けられている。

上記の問題点を解決するために、本発明は積層基板の内部に形成される部品の小型化のために必要な構造及び配列を提供することを目的とする。

本発明は、複数の誘電体シートが積層された基板と、上記積層基板の内部に形成される帯域通過フィルターと、上記積層基板の内部に形成され、上記帯域通過フィルターに一端が連結される不平衡素子を有するバラン回路及び上記積層基板の内部に形成され、上記バラン回路の平衡素子の夫々の一端に連結される第１及び第２マッチング回路を含み、上記帯域通過フィルター、バラン回路、第１及び第２マッチング回路のうち少なくとも１つは分布定数素子を用いて上記基板の積層誘電体シートの間に形成されることを特徴とする無線通信モジュールを提供することができる。

上記バラン回路は、不平衡素子と１つの平衡素子の間で発生した容量結合により発生した平衡電流が他の平衡素子に流れることを特徴とすることができる。上記バラン回路は、上記積層基板の一誘電体シート上に形成される不平衡素子と、上記不平衡素子と容量結合を成すように上記一誘電体シートと他の誘電体シート上に形成され一端が上記第１マッチング回路に連結される第１平衡素子及び上記一誘電体シートと他の誘電体シートに形成され、一端が上記第１平衡素子と連結され他端は上記第２マッチング回路に連結される第２平衡素子を含むことができる。上記バラン回路は、上記不平衡素子と上記第２平衡素子の間に形成され上記不平衡素子と第２平衡素子の間の容量結合を防ぐ接地面をさらに含むことができる。上記不平衡素子と、第１平衡素子及び第２平衡素子は夫々λ／４の長さを有することができる。

上記帯域通過フィルターは、上記積層基板の一誘電体シート上に形成された対称形の第１及び第２インダクタパターンと、上記第１及び第２インダクタパターンと少なくとも一部が重畳されるように上記一誘電体シートと他の誘電体シートに形成された対称形の第１及び第２キャパシタパターンを有する第１及び第２共振器と、上記第１及び第２共振器の一端に夫々電気的に容量結合される第１及び第２負荷キャパシタパターンを含み、上記第１及び第２インダクタパターンは夫々広幅ラインで形成された低インピーダンス部及び上記低インピーダンス部から延長されメアンダー（ｍｅａｎｄｅｒ）タイプの狭幅ラインで形成された高インピーダンス部で形成されることができる。上記帯域通過フィルターは、上記第１及び第２共振器の他端に夫々電気的に容量結合される第１及び第２ノッチ用キャパシタパターンをさらに含むことができる。上記第１及び第２ノッチ用キャパシタパターンは夫々上記第１及び第２共振器の高インピーダンス部と容量結合することができる。

また、本発明は、第１誘電率を有する少なくとも１つの第１誘電体シートが積層された第１積層領域及び上記第１誘電率より小さい第２誘電率を有する少なくとも１つの第２誘電体シートが積層された第２積層領域を含む基板と、上記基板の第１積層領域に形成されるキャパシタと、上記基板の第２積層領域に形成される帯域通過フィルター及び上記基板の第２積層領域に形成され、上記帯域通過フィルターと連結されるバラン回路を含み、上記帯域通過フィルター及びバラン回路のうち少なくとも１つは分布定数素子を用いて形成されることを特徴とする無線通信モジュールを提供することができる。上記第１誘電率は誘電定数（εr）が約５００以上であることができる。上記第２誘電率は誘電定数（εr）が約１０以下であることができる。上記無線通信モジュールは、上記第１積層領域と第２積層領域の間に積層されるバッファ層をさらに含むことができる。

本発明によると、積層基板の内部に電子部品を形成する無線通信モジュールにおいてより小型化された電子部品を提供することにより無線通信モジュールを小型化することができる。

以下、添付の図面を参照して本発明を詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態による無線通信モジュールの断面図である。

図１を参照すると、本実施形態による無線通信モジュール１００は積層基板１４０と、上記積層基板内に形成される帯域通過フィルター（ＢＰＦ）１１０と、バラン回路１２０及びマッチング回路１３０を含むことができる。

上記積層基板１４０は、複数の誘電体シートが積層され形成されることができる。上記積層基板１４０を形成する複数の誘電体シートの夫々には内部回路を連結する回路パターンが形成されることができ、上記誘電体シートを介して形成される素子を電気的に連結するために上記夫々の誘電体シートには導電性ビアが形成されることができる。上記積層基板１４０の表面には半導体素子等が搭載され、これらは導電性ビアにより上記積層基板の内部に形成される回路パターンに連結されることができる。

上記誘電体シートは、ガラスエポキシ樹脂等の有機系誘電体基板を用いることができ、上記誘電体シートに形成される導体パターンは銅等の導体を用いることができる。また、セラミック材料等の無機系誘電体シートに各種導体パターンを形成し、これらを積層後同時に焼成したものを用いることもできる。

セラミック誘電体の非誘電率は通常７〜２５で樹脂基板に比べて高いため、上記誘電体シートとしてセラミック材料を用いると誘電体シートを薄くすることができ、誘電体シートの間に内蔵された回路のサイズを小さくすることができ、素子同士の距離も狭くすることができる。

特に、ガラスセラミックス等の低温で焼成が可能なセラミック材料を用いると、導体パターンを抵抗の低い銅、銀等で形成することができる。また、上記導電性ビアは誘電体シートに形成された貫通孔の内面にメッキ処理するか、導体ペーストを充填して形成することができる。

上記帯域通過フィルター１１０は、分布定数素子を用いて形成されることができる。上記帯域通過フィルターを形成するために上記積層基板の積層された誘電体シートの間に所定のインダクタパターン及びキャパシタパターンが形成されることができる。

本実施形態においては、上記帯域通過フィルターを構成するインダクタパターン及びキャパシタパターンを分布定数素子で具現することにより上記帯域通過フィルターの大きさを減らすことができる。分布定数素子を用いて形成された帯域通過フィルターの具体的な実施形態に対しては図３において詳細に説明する。

上記バラン回路１２０は、１つの不平衡素子及び２つの平衡素子を含むことができる。一般的にバラン回路は１つの不平衡素子に入力される信号を２つの平衡素子に出力するか、２つの平衡素子に入力される信号を１つの不平衡信号に出力することができる。この際、上記２つの平衡素子の夫々に出力される信号は大きさが同一で１８０度の位相差を有することができる。

本実施形態においては、上記不平衡素子は上記帯域通過フィルター１１０に連結され、上記不平衡素子に流れる不平衡電流により上記２つの平衡素子のうち１つの平衡素子に平衡電流が誘導されることができる。上記２つの平衡素子は互いが連結されており、上記１つの平衡素子に誘導された平衡電流は他の１つの平衡素子に流れることができる。

本実施形態においては、上記バラン回路を構成する不平衡素子及び２つの平衡素子を分布定数素子で具現することにより上記バラン回路の大きさを減らすことができる。分布定数素子を用いて形成されたバラン回路の具体的な実施形態に対しては図２において詳細に説明する。

上記マッチング回路１３０は上記バラン回路１２０と連結されバラン回路の出力端子とＩＣ入力端子の間のインピーダンスをマッチングさせる役割をすることができる。上記マッチング回路１３０は第１及び第２マッチング回路を含むことができ、上記第１及び第２マッチング回路は夫々上記バラン回路の平衡素子の一端に連結されることができる。

本実施形態においては、上記マッチング回路を分布定数素子で具現することにより上記マッチング回路を含む無線通信モジュールの大きさを減らすことができる。

図２は、本発明の一実施形態による無線通信モジュールに用いるバラン回路の構造図である。

図２を参照すると、本実施形態に用いるバラン回路１２０は不平衡素子１２１と、第１及び第２平衡素子１２２、１２３及び接地面１２４を含むことができる。

本実施形態において、上記不平衡素子と、第１平衡素子及び第２平衡素子は夫々上記積層基板の異なる誘電体シート１４５、１４４、１４６に形成されることができる。

上記不平衡素子１２１は一端が上記帯域通過フィルター１１０に連結され、他端は接地部に連結されることができる。

上記第１平衡素子１２２は上記不平衡素子と容量結合をするように上記不平衡素子と重畳される面積を有するように形成されることができる。本実施形態において上記第１平衡素子１２２は上記不平衡素子が形成された誘電体シート１４５と異なる誘電体シート１４４に形成されることができる。

上記第１平衡素子１２２の一端は上記第２平衡素子１２３の一端に連結されることができ、上記第１平衡素子１２２の他端は第１マッチング回路１３１に連結されることができる。

上記不平衡素子１２１と上記第１平衡素子１２２は容量結合を起こし、上記不平衡素子１２１に流れる不平衡電流により上記第１平衡素子１２２に平衡電流が誘導されることができる。

上記第２平衡素子１２３は、一端が上記第１平衡素子１２２と連結され他端が第２マッチング回路１３２と連結されることができる。

上記第１平衡素子１２２に誘導された平衡電流は上記第２平衡素子１２３にも流れるようになる。

本実施形態においては、上記第１平衡素子及び第２平衡素子をλ／４の長さで形成することができる。従って、上記第１マッチング回路及び第２マッチング回路に出力される信号は大きさが同一で１８０度の位相差を有する信号が出力されることができる。

上記第２平衡素子１２３と上記不平衡素子１２１の間に接地面１２４が形成されることができる。上記接地面１２４は上記第２平衡素子１２３と上記不平衡素子１２１の間の容量結合を防ぐことができる。従って、上記第１平衡素子１２２において誘導された平衡電流が上記第２平衡素子１２３に流れるとき、外部の影響を受けないようにすることができる。

図３は、本発明の一実施形態による無線通信モジュールに用いる帯域通過フィルター１１０の分解斜視図である。

図３を参照すると、本実施形態に用いる帯域通過フィルター１１０は、第１及び第２共振器Ｑ１、Ｑ２と、負荷用キャパシタパターン１１３ａ、１１３ｂを含むことができる。

上記第１共振器Ｑ１は、一誘電体シート１４２の上面に形成されたインダクタパターン１１１ａ及び他の誘電体シート１４１の上面に形成されたキャパシタパターン１１２ａを含むことができる。上記キャパシタパターン１１２ａは上記インダクタパターン１１１ａと少なくとも一部が重畳されるように形成されることができる。上記インダクタパターン１１１ａは、広幅ラインで形成された低インピーダンス部Ｌ１ａ及び上記低インピーダンスから延長されメアンダー（ｍｅａｎｄｅｒ）タイプの狭幅ラインで形成された高インピーダンス部Ｌ１ｂで形成されることができる。

上記第２共振器Ｑ２は、一誘電体シート１４２の上面に形成されたインダクタパターン１１１ｂ及び他の誘電体シート１４１の上面に形成されたキャパシタパターン１１２ｂを含むことができる。上記キャパシタパターン１１２ｂは上記インダクタパターン１１１ｂと少なくとも一部が重畳されるように形成されることができる。上記インダクタパターン１１１ｂは、広幅ラインで形成された低インピーダンス部Ｌ２ａ及び上記低インピーダンスから延長されメアンダー（ｍｅａｎｄｅｒ）タイプの狭幅ラインで形成された高インピーダンス部Ｌ２ｂで形成されることができる。

上記第１共振器Ｑ１を形成するインダクタパターン１１１ａ及びキャパシタパターン１１２ａは、上記第２共振器Ｑ２を形成するインダクタパターン１１１ｂ及びキャパシタパターン１１２ｂと対称形で平行に配置されることができる。

本実施形態においては、共振器を形成するインダクタパターンが広幅及び狭幅からなる段差（ｓｔｅｐ）インピーダンス共振器を用いて高インピーダンス部と低インピーダンス部の比を一定に維持することにより通過帯域以外の部分で阻止特性を改善させることができる。そして、高インピーダンス部がメアンダータイプで具現されるため、フィルター全体の大きさを減らすことができる。

即ち、本実施形態による共振器は信号を通過させようとする周波数に該当するλ／４の長さを同じ広さを有する構造ではない広い面積と狭い面積を一定の長さの比で連結して製造することができる。このような構造を有する共振器で構成されたフィルターを一般的に同じ広さを有する共振器で構成されたフィルターと比較すると、中心周波数を中心に相当帯域の阻止特性が優れ、さらなる構造が必要でなく、且つ、狭い面積の部分をメアンダータイプで具現することができるため、物理的な大きなを減らすことができるという効果を得ることができる。

上記第１及び第２共振器Ｑ１、Ｑ２は負荷キャパシタパターン１１３ａ、１１３ｂにより電気的に結合されることができる。即ち、共振器Ｑ１、Ｑ２の低インピーダンス部Ｌ１ａ、Ｌ２ａの線路の端の部分と上記負荷キャパシタパターン１１３ａ、１１３ｂが容量結合を起こし負荷キャパシタンスを形成し、上記負荷キャパシタパターン１１３ａ、１１３ｂは夫々接地部（不図示）に連結されることができる。

このように、負荷キャパシタパターン１１３ａ、１１３ｂを共振器Ｑ１、Ｑ２の低インピーダンス部Ｌ１ａ、Ｌ２ａに連結すると、上端帯域の阻止特性を改善させることができると共にλ／４長さの共振器の長さを減らすことができるようになる。

本実施形態においては、上記共振器Ｑ１、Ｑ２と容量結合を成すノッチ用キャパシタパターン１１４ａ、１１４ｂがさらに含まれることができる。

上記ノッチ用キャパシタパターン１１４ａ、１１４ｂは上記共振器Ｑ１、Ｑ２の高インピーダンス部Ｌ１ｂ、Ｌ２ｂと夫々容量結合を成しノッチ用キャパシタンスを形成し、上記ノッチ用キャパシタパターン１１４ａ、１１４ｂの夫々は接地部に接地されることができる。このように連結してノッチ用キャパシタを具現するとフィルターの下段帯域の阻止特性を増加させることができる。

図４は、上記図３の帯域通過フィルターの等価回路図である。

図４を参照すると、第１共振器Ｑ１を形成するインダクタＬ１及びキャパシタＣ１は、夫々上記図３の第１インダクタパターン１１１ａによるインダクタンス及び上記第１インダクタパターン１１１ａとキャパシタパターン１１２ａの間に形成されるキャパシタンスを示すことができる。

負荷用キャパシタＣＬ１は上記図３の第１インダクタパターンの低インピーダンス部Ｌ１ａと負荷用キャパシタパターン１１３ａの間に形成されるキャパシタンスを示すことができる。

ノッチ用キャパシタＣｎ１は、上記図３の第１インダクタパターンの高インピーダンスＬ１ｂとノッチ用キャパシタパターン１１４ａの間に形成されるキャパシタンスを示すことができる。

第２共振器Ｑ２を形成するインダクタＬ２及びキャパシタＣ２は、夫々上記図３の第２インダクタパターン１１１ｂによるインダクタンス及び上記第２インダクタパターン１１１ｂとキャパシタパターン１１２ｂの間に形成されるキャパシタンスを示すことができる。

負荷用キャパシタＣＬ２は、上記図３の第２インダクタパターンの低インピーダンス部Ｌ２ａと負荷用キャパシタパターン１１３ｂの間に形成されるキャパシタンスを示すことができる。

ノッチ用キャパシタＣｎ２は、上記図３の第２インダクタパターンの高インピーダンス部Ｌ２ｂとノッチ用キャパシタパターン１１４ｂの間に形成されるキャパシタンスを示すことができる。

図５は、本発明の他の実施形態による無線通信モジュールの断面図である。

図５を参照すると、本実施形態による無線通信モジュール５００は、第１誘電体シートが積層された第１積層領域５５０及び第２誘電体シートが積層された第２積層領域５４０を有する積層基板５６０と、上記第１積層領域に形成されたキャパシタ５７０と、上記第２積層領域に形成される帯域通過フィルター５１０と、バラン回路５２０を含むことができる。

上記積層基板５６０は、第１誘電体シートが積層された第１積層領域５５０及び第２誘電体シートが積層された第２積層領域５４０に分けることができる。

上記第１積層領域５５０は第１誘電率を有する複数の第１誘電体シートが積層され形成されることができる。本実施形態において、上記第１誘電体シートは誘電定数（εr）が約５００以上である高誘電率を有することができる。

上記第２積層領域５４０は第２誘電率を有する複数の第２誘電体シートが積層され形成されることができる。本実施形態において、上記第２誘電体シートは誘電定数（εr）が約１０以下である低誘電率を有することができる。

上記積層基板５６０を形成する複数の誘電体シートの夫々には内部回路を連結する回路パターンが形成されることができ、上記誘電体シートを介して形成される素子を電気的に連結するために上記夫々の誘電体シートには導電性ビアが形成されることができる。上記積層基板５６０の表面には半導体素子等が搭載され、これらは導電性ビアにより上記積層基板の内部に形成される回路パターンに連結されることができる。

上記誘電体シートはガラスエポキシ樹脂等の有機系誘電体基板を用いることができ、上記誘電体シートに形成される導体パターンは銅等の導体を用いることができる。また、セラミック材料等の無機系誘電体シートに各種導体パターンを形成し、これらを積層後同時に焼成したものを用いることもできる。

上記積層基板５６０は、上記第１積層領域５５０と第２積層領域５４０の間にバッファ層５８０をさらに含むことができる。

上記バッファ層５８０は、上記第１積層領域を形成する第１誘電体シートの高誘電率材料と上記第２積層領域を形成する第２誘電体シートの低誘電率材料が互いに混入することを防ぐことができる。

上記キャパシタ５７０は、上記積層基板の第１積層領域５５０に積層される誘電体シートを介して対向するように形成される電極により形成されることができる。上記対向する電極は夫々異なる極性を有するように連結され、上記電極の間に配置された第１誘電体シートの誘電率によりキャパシタンスが発生することができる。

本実施形態においては、上記第２誘電体シートの誘電率より相対的に大きい誘電率を有する第１誘電体シートを用いることにより上記第１積層領域に形成されるキャパシタを高容量で具現することができる。

上記帯域通過フィルター５１０は、分布定数素子を用いて形成されることができる。上記帯域通過フィルターを形成するために上記積層基板の第２積層領域５４０に積層された誘電体シートの間に所定のインダクタパターン及びキャパシタパターンが形成されることができる。

本実施形態においては、上記帯域通過フィルターを構成するインダクタパターン及びキャパシタパターンを分布定数素子で具現することにより上記帯域通過フィルターの大きさを減らすことができる。

上記バラン回路５２０は、１つの不平衡素子及び２つの平衡素子を含むことができる。一般的にバラン回路は１つの不平衡素子に入力される信号を２つの平衡素子に出力するか、２つの平衡素子に入力される信号を１つの不平衡信号に出力することができる。この際、上記２つの平衡素子の夫々に出力される信号は大きさが同一で１８０度の位相差を有することができる。

本実施形態においては、上記不平衡素子は上記帯域通過フィルター５１０に連結され、上記不平衡素子に流れる不平衡電流により上記２つの平衡素子のうち１つの平衡素子に平衡電流が誘導されることができる。上記２つの平衡素子は互いが連結されており、上記１つの平衡素子に誘導された平衡電流は他の１つの平衡素子に流れることができる。

本実施形態においては、上記バラン回路を構成する不平衡素子及び２つの平衡素子を分布定数素子で具現することにより上記バラン回路の大きさを減らすことができる。上記バラン回路は上記積層基板の第２積層領域５４０に形成されることができる。分布定数素子を用いて形成されたバラン回路の具体的な実施形態に対しては図２において詳細に説明する。

このように、本実施形態の無線通信モジュールは、積層基板の内部に帯域通過フィルター、バラン回路及びキャパシタを形成することにより外部に実装される素子の数を減少させ製造費用を節減することができ、大量生産時に不良を減少させることができる。また、高誘電率を有する誘電体シートの間に上記キャパシタを形成することにより一般実装用キャパシタより小型でありながら高容量のキャパシタを形成することができ、全体モジュール特性を安定的に具現することができる。

図６は、本発明の他の実施形態による無線通信モジュールに用いるキャパシタの断面図である。

図６を参照すると、本実施形態によるキャパシタ６７０は、第１誘電率を有する第１誘電体シート６５２、６５３、６５４、６５５、６６５、６５７を介して形成され、夫々異なる極性に連結される複数の電極６７１、６７２、６７３、６７４、６７５、６７６、６７７を含むことができる。

本実施形態において、上記複数の第１誘電体シートの夫々を介して形成される複数の電極は夫々異なる極性を有するように連結されることができる。本実施形態において一部電極６７１、６７３、６７５、６７７は接地部に連結されることができ、残りの電極６７２、６７４、６７６は電源部に連結されることができる。

本実施形態において、上記第１誘電体シートは誘電定数（εr）が約５００以上である高誘電率を有することができる。従って、上記電極により形成されるキャパシタを高容量に具現することができる。

上記第１誘電体シートが積層される第１積層領域６５０と第２誘電体シートが積層される第２積層領域６４０の間にはバッファ層６８１が形成されることができる。上記バッファ層は上記第１積層領域６５０の高誘電率セラミック材料と上記第２積層領域６４０の低誘電率セラミック材料が混入することを防ぐことができる。

また、上記第１積層領域６５０の外部に露出されないように上記第１積層領域の露出された一面にもバッファ層６８２が形成されることができる。

本発明は上述の実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、上記の請求の範囲により限定する。従って、請求の範囲に記載の本発明の技術的思想から外れない範囲内で当技術分野において通常の知識を有する者により多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。

本発明の一実施形態による無線通信モジュールの断面図である。 本発明の一実施形態による無線通信モジュールに用いるバラン回路の構造図である。 本発明の一実施形態による無線通信モジュールに用いる帯域通過フィルターの分解斜視図である。 上記図３の帯域通過フィルターの等価回路図である。 本発明の他の実施形態による無線通信モジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態による無線通信モジュールに用いるキャパシタの断面図である。

符号の説明

１１０ 帯域通過フィルター
１２０ バラン回路
１３０ マッチング回路
１４０ 積層基板

Claims (12)

1. 複数の誘電体シートが積層された基板と、
   前記積層基板の内部に形成される帯域通過フィルターと、
   前記積層基板の内部に形成され、前記帯域通過フィルターに一端が連結される不平衡素子を有するバラン回路と、
   前記積層基板の内部に形成され、前記バラン回路の平衡素子の夫々の一端に連結される第１及び第２マッチング回路
   を含み、
   前記帯域通過フィルター、バラン回路、第１及び第２マッチング回路のうち少なくとも１つは分布定数素子を用いて前記基板の積層誘電体シートの間に形成されることを特徴とする無線通信モジュール。
2. 前記バラン回路は、
   不平衡素子と１つの平衡素子の間で発生した容量結合により発生した平衡電流が他の平衡素子に流れることを特徴とする請求項１に記載の無線通信モジュール。
3. 前記バラン回路は、
   前記積層基板の一誘電体シート上に形成される不平衡素子と、
   前記不平衡素子と容量結合を成すように前記一誘電体シートと他の誘電体シート上に形成され、一端が前記第１マッチング回路に連結される第１平衡素子と、
   前記一誘電体シートと他の誘電体シートに形成され、一端が前記第１平衡素子と連結され他端は前記第２マッチング回路に連結される第２平衡素子
   を含むことを特徴とする請求項２に記載の無線通信モジュール。
4. 前記不平衡素子と前記第２平衡素子の間に形成され前記不平衡素子と第２平衡素子の間の容量結合を防ぐ接地面
   をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の無線通信モジュール。
5. 前記不平衡素子、第１平衡素子及び第２平衡素子は、
   夫々λ／４の長さを有することを特徴とする請求項３に記載の無線通信モジュール。
6. 前記帯域通過フィルターは、
   前記積層基板の一誘電体シート上に形成された対称形の第１及び第２インダクタパターンと、前記第１及び第２インダクタパターンと少なくとも一部が重畳されるように前記一誘電体シートと他の誘電体シートに形成された対称形の第１及び第２キャパシタパターンを有する第１及び第２共振器と、
   前記第１及び第２共振器の一端に夫々電気的に容量結合される第１及び第２負荷キャパシタパターン
   を含み、
   前記第１及び第２インダクタパターンは夫々広幅ラインで形成された低インピーダンス部及び前記低インピーダンス部から延長されメアンダー（ｍｅａｎｄｅｒ）タイプの狭幅ラインで形成された高インピーダンス部で形成されることを特徴とする請求項１に記載の無線通信モジュール。
7. 前記第１及び第２共振器の他端に夫々電気的に容量結合される第１及び第２ノッチ用キャパシタパターン
   をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の無線通信モジュール。
8. 前記第１及び第２ノッチ用キャパシタパターンは夫々前記第１及び第２共振器の高インピーダンス部と容量結合することを特徴とする請求項７に記載の無線通信モジュール。
9. 第１誘電率を有する少なくとも１つの第１誘電体シートが積層された第１積層領域及び前記第１誘電率より小さい第２誘電率を有する少なくとも１つの第２誘電体シートが積層された第２積層領域を含む基板と、
   前記基板の第１積層領域に形成されるキャパシタと、
   前記基板の第２積層領域に形成される帯域通過フィルターと、
   前記基板の第２積層領域に形成され、前記帯域通過フィルターと連結されるバラン回路
   を含み、
   前記帯域通過フィルター及びバラン回路のうち少なくとも１つは分布定数素子を用いて形成されることを特徴とする無線通信モジュール。
10. 前記第１誘電率は誘電定数（εr）が約５００以上であることを特徴とする請求項９に記載の無線通信モジュール。
11. 前記第２誘電率は誘電定数（εr）が約１０以下であることを特徴とする請求項９に記載の無線通信モジュール。
12. 前記第１積層領域と第２積層領域の間に積層されるバッファ層
    をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の無線通信モジュール。

Images