KR101114091B1 - 적층 여파기 - Google Patents

Abstract

본 발명의 실시 예는 적층 여파기에 관한 것으로서, 소형화 구조를 이룰 수 있으며, 동시에 광대역에 걸쳐서 고성능을 발휘할 수 있는 적층 여파기를 특징으로 한다. 본 발명의 실시 예는 다수의 유전체 시트가 적층되어 형성되고, 서로 공진하는 유도기와 용량기를 포함하는 공진부와, 상기 공진부의 상부와 하부에 각각 제공되는 접지부와, 상기 접지부 중 어느 하나에 형성되는 입력전극 및 출력전극을 포함한다. 상기 유도기는, 복수의 유전체 시트에 제공되어, 각 시트의 유도기가 좌우로 대칭하여 마주보도록 형성된다. 상기 유도기는 적층되어, 제1유전체 시트 상에서 나선형으로 형성되는 제1도선패턴과 제2유전체 시트 상에서 나선형으로 형성되는 제2도선패턴을 포함한다.

여파기, 필터, 적층, 커패시터, 코일, 인덕터, 기생효과, 기생용량, 소형화

Description

적층 여파기{Multi-layer filter}

본 발명은 적층 여파기에 관한 것이다.

소형의 삽입형 여파기를 제작, 응용하는데 있어 일반적으로 주파수에 대한 의존성이 적은 수동 소자를 선택하는 것이 이상적인 여파기 설계에 적합하다고 알려져 왔다.

이를 위하여, 기생 효과가 적은 구조 등이 각광받아 왔다. 따라서 이상적인 여파기를 구현하기 위해 기생 효과가 적은 구조가 사용되고 있으며 이는 유도기나 용량기 등의 구성에 있어 신호 도체와 접지면 사이를 일정 간격 이상으로 띄워 구성하거나 접지면이 존재하지 않는 구조 또는 결함 접지면을 갖는 구조 등이 제안되고 있다.

그런데, 이와 같은 설계 방법은 첫째로 광대역에서 이상적으로 동작하는 소자 설계는 불가능하고, 둘째, 외부 회로와의 간섭, 셋째, 전체적인 회로의 소형화 등이 어렵다는 문제점들이 있다.

본 발명은 적층 여파기의 소형화 구조를 이룰 수 있으며, 적층 구조에 따른 기생 효과까지 이용하여 광대역에 걸쳐서 고성능을 발휘할 수 있는 적층 여파기이다.

본 발명의 실시 예는 다수의 유전체 시트가 적층되어 형성되고, 서로 공진하는 유도기와 용량기를 포함하는 공진부와, 상기 공진부의 상부와 하부에 각각 제공되는 접지부와, 상기 접지부 중 어느 하나에 형성되는 입력전극 및 출력전극을 포함한다.

상기 접지부는, 입력전극을 통해 들어오는 입력신호가 각 유전체 시트의 유도기, 용량기, 스터브를 거쳐 출력전극으로 흘러나간다..

상기 유도기는, 복수의 유전체 시트에 제공되어, 각 시트의 유도기가 좌우로 대칭하여 마주보도록 형성된다. 상기 유도기는 적층되어, 제1유전체 시트 상에서 나선형으로 형성되는 제1도선패턴과 제2유전체 시트 상에서 나선형으로 형성되는 제2도선패턴을 포함한다.

상기 제1도선패턴은 상기 제1유전체 시트 상에서 상기 입력전극 및 출력전극 과 각각 비아홀을 통해 형성되는 입력 제1도선패턴 및 출력 제1도선패턴과 상기 제2도선패턴은 상기 제2유전체 시트 면상에서 상기 입력전극 및 출력전극과 각각 비아홀을 통해 형성되는 입력 제2도선패턴 및 출력 제2도선패턴을 형성한다.

제3유전체 시트 면상에는 'ㄷ' 패턴을 갖는 제3도선패턴이 형성되어 제3도선패턴의 각 끝단이 제2도선패턴 시트의 비아홀을 통해 입력 제2도선패턴 및 출력 제2도선패턴에 각각 연결하여 형성된다.

상기 용량기는, 복수의 유전체 시트에 전극판 형상으로 제공되어, 각 시트의 용량기가 상하로 대칭 형성되고, 용량기의 형상 크기는 좌우로 비대칭 형성된다.

상기 용량기는, 제1유전체 시트 상에 제1용량전극이 형성되고 제2유전체 시트 상에서 상기 제1용량전극과 대향되는 지점에 제2용량전극이 대칭하여 형성된다.

상기 용량기는, 상기 제1유전체 시트 면상에서 상기 입력 및 출력 제1도선패턴에 대칭하여 형성되는 입력 및 출력 제1용량전극과 상기 제2유전체 시트 면상에서 상기 입력 및 출력 제2도선패턴에 대칭하여 형성되는 입력 및 출력 제2용량전극을 포함한다.

상기 제1용량전극은, 상기 제1도선패턴과 같은 유전체 시트 면에서 상기 제1도선패턴에 연결되며, 상기 제2용량전극은 제2유전체 시트 면에서 비아홀을 통해 상기 제3도선패턴에 연결된다.

상기 입력 제1용량전극 및 입력 제2용량전극이 연결되어 형성되는 입력 용량기와 상기 출력 제1용량전극 및 출력 제2용량전극이 연결되어 형성되는 출력 용량기를 포함한다.

또한, 상기 입력 유도기와 마주보는 위치에 대칭하여 형성되어 서로 공진 하는 입력 용량기와 상기 출력 유도기와 마주보는 위치에 대칭하여 형성되어 서로 공진 하는 출력 용량기를 포함한다.

상기 공진부에 임피던스 매칭을 수행하는 스터브를 포함한다. 상기 스터브는, 상기 제1유전체 시트 상의 제1도선패턴 내부에 연결되어 형성되는 제 1스터브와 상기 제3유전체 시트 상의 제3도선패턴 내부에 연결되어 형성되는 제 3스터브를 포함한다.

상기 제1스터브 및 제3스터브는 전극을 형성하여 임피던스 매칭을 수행한다

상기 제1스터브는, 입력 제1스터브와 출력 제1스터브를 포함하며, 상기 입력 제1스터브는 상기 입력 제1도선패턴에 연결되어 입력 임피던스 매칭, 상기 출력 제1스터브는 상기 출력 제1도선패턴에 연결되어 출력 임피던스 매칭을 수행한다.

본 발명은 유도기와 용량기의 기생 효과를 고려한 설계를 통하여 적층 여파기의 크기를 줄여줄 뿐만 아니라, 특히, 적층 구조에 따른 기생 효과까지 고려함으로써 광대역에 걸쳐서 고성능의 효과를 가질 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들의 상세한 설명이 첨부된 도면들을 참조하여 설명될 것이다. 하기에서 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다.

본 발명의 설명에 앞서 이상적인 여파기의 등가회로를 도 1에 도시하고, 이를 실제로 여파기로 구현할 시에 발생되는 기생 효과에 대하여 설명한다.

도 1은 이상적인 수동 소자들로 구성된 저역 통과 여파기(LPF;Low Pass Filter)의 일반적인 등가 회로도이다.

이상적인 수동 소자들로 구성된 저역 통과 여파기의 등가 회로는, 일반적으로 두 개의 직렬 공진기(11,12)와 세 개의 병렬 용량기(13,14,15)로 구성되어진다. 두 개의 직렬 공진기(11,12)의 역할은 원치 않는 주파수의 신호를 억제함에 있다. 즉, 두 개의 직렬 공진기(11,12)의 공진 주파수의 위치는 각각 주파수 차단을 위한 전송 영점 발생 위치와 같다. 또한, 세 개의 병렬 용량기(13,14,15)의 역할은 임피던스 매칭을 하기 위한 목적을 갖는다.

종래에는 도 1의 이상적인 소자들을 구현하기 위해 접지면과 신호 도체간에 발생하는 기생 용량 효과를 제거하는 방법 등을 이용해왔다. 이러한 방법으로 접지면이 존재하지 않는 구조 또는 접지면과 신호 도체 사이의 거리를 일정 간격 띄워 구성하는 방법 등이 널리 알려져 왔다. 그런데, 이러한 기존의 설계 방법은 광대역에서 이상적으로 동작하는 소자 설계는 불가능하고, 또한, 외부 회로와의 간섭, 전체적인 회로의 소형화 등이 어렵다는 문제점들이 있다.

본 발명은 역으로 이상적이지 않은 소자에 존재하는 기생 용량 효과를 이용하여 제어하는 방법을 제시함으로써, 광대역에서 이상적인 동작이 이루어지도록 하며 동시에 회로의 소형화를 이루는 설계 구조를 제안한다.

이를 위하여 기존의 도 1의 등가회로를 본 발명의 도 2과 같이 병렬로서 재 표현한다. 즉, Cpp1, Cpp2, Cpp3는 종래 기술에 따른 병렬 용량기 구성과 같다. Ccp1, Ccp2, Ccp3, Ccp4는 직렬 공진기 내부의 직렬 용량기 구성에 따라 발생하는 기생 용량 효과를 표현한 것이다. CLp1, CLp2, CLp3, CLp4는 직렬 공진기 내부의 직렬 유도기 구성에 따라 발생하는 기생 용량 효과를 표현한 것이다. 이들은 각각 직렬 용량기와 접지면 사이에 발생하는 전위차에 의해 발생하는 추가적인 용량 효과이다.

한편, CLs1, CLs2는 유도기 구조 자체에서 발생하는 기생용량 효과이다. 본 발명은 이와 같은 기생 용량 효과들을 긍정적으로 이용하기 위해 도 2과 같이 용량기들이 병렬 연결 관계를 갖도록 등가회로를 구성한다. 병렬 연결된 용량기의 용량값은 회로적으로 더해질 수 있다. 즉, 직렬 공진기를 구성하는 직렬 유도기와 직렬 용량기 구성에 따른 기생 용량 효과들은 도 2의 등가 회로 구성을 통해 병렬 캐패시터 효과와 더하여 질 수 있다. 도 3 및 도 4에 따라서, 도 3의 병렬 용량 값들은 도 4에서 기생 용량 값들과 병렬 용량 값의 합과 등가적으로 같다. 즉, 종래의 구성 방법에 따라 도 1의 병렬 용량기들을 구조적으로 구현하는 것에 비하여, 도 2과같이 기생 효과를 고려한 구성을 함으로써 본래 구성하려 했던 용량기의 크기를 줄여줄 뿐만 아니라, 쉴딩(shielding)을 위한 접지면 추가에 따른 영향까지도 고려할 수 있게 할 수 있다.

상기 도 2의 등가회로를 실제로 적층 시트면에서 적층 여파기로 구현할 때의 설계 패턴을 설명하기로 한다. 이하에서는, 저역 통과 여파기(LPF)를 적층 여파기로서 구현할 때의 일 예를 들어 설명하겠으나, 다른 종류의 여파기 역시 본 발명의 구조와 같은 개념의 적층 여파기로서 구현할 수 있음은 자명할 것이다.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 적층 여파기의 외부 사시도를 도시한 그림이고 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 적층 여파기의 분해 단면도를 도시한 그림이다.

본 발명의 적층 여파기는 다수의 유전체 시트에 유도기와 용량기를 형성하여 이들 유도기와 용량기 사이에 공진이 일어나도록 하는 공진부, 이들 공진부 상부와 하부에 각각 제공되는 접지부, 상기 접지부 중에서 상부 또는 하부 중 어느 하나에 형성되는 입력전극 및 출력전극을 포함한다.

접지부에는 절연 분리된 입력전극과 출력전극이 형성되어 있는데, 상기 입력전극을 통해 들어오는 입력신호가 각 유전체 시트의 유도기, 용량기, 스터브를 거쳐 출력전극으로 흘러나간다.

따라서 접지부는, 공진부가 형성되는 다수의 유전체 시트의 상부에 위치하여 전위 접지를 제공하는 상부 접지면(20a)과 다수의 유전체 시트의 하부에 위치하는 하부 접지면(20b)을 구비한다.

상기 상부 접지면(20a) 또는 하부 접지면(20b) 중 어느 하나의 접지면에는 입력전극(21a) 및 출력전극(21b)이 형성되는데, 본 발명의 실시 예에서는 상부 접지면(20a)에 입력전극(21a) 및 출력전극(21b)이 형성되는 예를 들어 설명한다.

상기 입력전극(21a) 및 출력전극(21b)은 비록 접지면에 형성되지만 전위 접 지와 절연되도록 격리 설계하여 접지면 상에서 형성된다.

상기 입력전극(21a)을 통해 들어오는 입력신호는 각 유전체 시트의 비아홀(bia hole)을 통해 다수의 유전체 시트에 형성된 유도기, 용량기, 스터브를 거쳐 출력전극(21b)으로 흘러나간다.

공진부는 유도기와 용량기가 형성되는 다수의 유전체 시트로 구현된다. 상기 유전체 시트는 일반적으로 직사각형의 세라믹 재질의 유전체 시트로 구현될 수 있지만, 다른 형상 및 재질로 구현될 수 있다. 이들 다수의 유전체 시트는 내부를 형성하는 복수의 내부 유전체 시트를 가지는 적층체(30; 이하, '적층 유전체 시트'라 함)를 형성한다. 각 유전체 시트에는 비아홀이 형성되어 있어, 이를 통해 입력신호를 각 유전체 시트에 제공한다.

상기 적층 유전체 시트는 제1유전체 시트(31), 제2유전체 시트(32), 제3유전체 시트(33) 차례로 이루어진 예를 들어 본 발명을 설명하겠으나, 본 발명에서의 적층 유전체 시트는 상기 3개의 유전체 시트가 적층된 상태뿐 아니라 다수의 유전체 시트가 적층된 상태에서도 본 발명이 적용될 수 있음은 자명할 것이다.

또한, 상부 접지면(20a)과 제1유전체 시트(31) 사이에 유도기나 용량기가 형성되지 않은 무패턴의 유전체 시트(34; 이하, '무패턴 유전체 시트'라 함)가 더 삽입될 수 있는데, 이는 실제 제품 구현에 있어서 상부 접지면(20a)과 제1유전체 시트(31) 사이의 간격을 유지하는데 이용될 수 있다.

적층 유전체 시트(30;31,32,33,34)는 나선형의 유도기와 용량전극이 마주보 는 형태의 용량기로 구현되어, 두 개의 공진 전극을 구성한다. 나선형 형태의 유도기는 제1유전체시트(31), 제2유전체 시트(32) 상에서 구현되고, 용량기는 제1유전체 시트(31), 제2유전체 시트(32) 상에서 구현된다.

상기 유도기는 복수의 유전체 시트에 제공되어, 각 시트의 유도기가 좌우로 대칭하여 마주보도록 형성된다. 즉, 제1유전체시트(31), 제2유전체 시트(32) 각각에 입력 도선패턴 및 출력 도선패턴이 좌우로 대칭하여 마주보도록 형성된다.

상술하면, 제1유전체 시트(31)에는 도전성 있는 재질의 패턴이 제1유전체 시트면 상에서 나선형으로 각각 갖도록 형성된 제1도선패턴이 형성된다. 상기 제1도선패턴은 상기 제1유전체 시트 상에서 상기 입력전극 및 출력전극과 각각 비아홀을 통해 연결되는 입력 제1도선패턴(41a) 및 출력 제1도선패턴(41b)을 포함한다. 상기 입력 제1도선패턴(41a)은 입력전극(21a)과 무패턴 유전체 시트(34)의 비아홀을 통해 연결되며, 상기 출력 제1도선패턴(41b)은 출력전극(21b)과 마찬가지로 비아홀을 통해 연결된다.

마찬가지로, 제2유전체 시트(32)에는 나선형으로 된 제2도선패턴이 형성된다. 상기 제2도선패턴은 입력 제2도선패턴(42a) 및 출력 제2도선패턴(42b)으로 형성된다. 상기 입력 제2도선패턴(42a) 및 출력 제2도선패턴(42b)은 제1유전체 시트(31)의 비아홀을 통해 입력 제1도선패턴(41a) 및 출력 제1도선패턴(41b)과 각각 연결된다.

한편, 입력 제1용량전극(51a) 및 출력 제1용량전극(51b)이 상기 제1유전체 시트 면상에서 상기 입력 및 출력 제1도선패턴(41a,41b)에 대칭하여 형성된다. 즉, 전극판 모양의 형상을 갖는 입력 제1용량전극(51a)이 상기 입력 제1도선패턴(41a)에 연결되어 형성되고, 마찬가지로 출력 제1용량전극(51b)이 상기 출력 제1도선패턴(41b)에 연결되어 형성된다.

마찬가지로, 입력 제2용량전극(52a) 및 출력 제2용량전극(52b)이 제2유전체 시트 면상에서 상기 입력 및 출력 제2도선패턴(42a,42b)에 대칭하여 형성된다. 즉, 전극판 모양의 형상을 갖는 입력 제2용량전극(52a)이 상기 입력 제2도선패턴(42a)에 연결되어 형성되고, 마찬가지로 출력 제2용량전극(52b)이 상기 출력 제2도선패턴(42b)에 연결되어 형성된다.

상기 입력 제2용량전극(52a)은 상기 제1유전체 시트(31)의 입력 제1용량전극(51a)과 서로 상하로 대향되는 위치 지점에 형성되며, 출력 제2용량전극(52b) 역시 상기 제1유전체 시트(31)의 출력 제1용량전극(51a)과 서로 상하로 대향되는 위치 지점에 형성된다. 상기 입력 제2용량전극(52a)과 출력 제2용량전극(52b)은 제3유전체 시트(33)의 제3도선패턴(43)과 비아홀을 통해 연결되어 전극을 제공받는다.

제3유전체 시트(33)에는 'ㄷ' 패턴을 갖는 제3도선패턴(43)이 형성되어 있으며, 제3도선패턴의 각 끝단이 제2유전체 시트(32)의 비아홀을 통해 입력 제2도선패턴(42a) 및 출력 제2도선패턴(42b)에 각각 연결된다..

상기와 같이 형성된 제1유전체 시트(31),제2유전체 시트(32), 제3유전체 시트(33)를 적층하게 되면, 결과적으로, 입력 제1도선패턴(41a), 입력 제2도선패턴(42a)이 비아홀을 통해 연결되어 나선형 형태의 도선 패턴을 가지게 되어 입력 유도기의 기능을 수행하며, 마찬가지로, 출력 제1도선패턴(41b), 출력 제2도선패턴(42b)이 연결되어 출력 유도기의 기능을 수행한다.

한편, 입력 제1용량전극(51a) 및 입력 제2용량전극(52a)은 서로 상하로 대향되는 위치에 있게 되어 입력 용량기의 기능을 수행하며, 출력 제1용량전극(51b) 및 출력 제2용량전극(52b) 역시 서로 상하로 대향 되는 위치에 있게 되어 출력 용량기의 기능을 수행한다.

상기 입력 용량기의 용량전극(51a,52a) 크기와 출력 용량기의 용량전극(51b,52b) 크기는 반사 손실을 줄이기 위하여 그 크기를 서로 달리할 수 있다. 예컨대, 입력 용량기의 크기를 출력 용량기보다 크게 하여 반사 손실을 줄일 수 있다.

입력 제1도선패턴(41a) 및 입력 제2도선패턴(42a)으로 구현되는 입력 유도기와 입력 제1용량전극(51a) 및 입력 제2용량전극(52a)으로 이루어지는 입력 용량기는 서로 마주보는 위치에 대칭하여 형성되어 서로 공진(입력 공진)을 수행한다.

마찬가지로, 출력 제1도선패턴(41b) 및 출력 제2도선패턴(42b)로 구현되는 출력 유도기와 출력 제1용량전극(51b) 및 입력 제2용량전극(52b)으로 이루어지는 츨력 용량기는 서로 마주보는 위치에 대칭하여 형성되어 서로 공진(출력 공진)을 수행한다.

상기와 같은 입력 공진기에 의한 공진 주파수와 출력 공진기에 의한 공진 주파수는 도 7에서와 같이 각각의 감쇠 극을 발생시키는 역할을 하게 된다. 만약, 두 개의 공진기의 공진 주파수가 서로 같다면 대칭적인 회로 구성이 가능하게 되고 하나의 감쇠극이 발생하게 되지만, 본 발명에서는 광 대역의 주파수 차단 특성을 위하여 서로 다른 공진 주파수를 발생시켜야 하기 때문에 비대칭으로 구성된다.

따라서, 비대칭 구성에 따른 임피던스 매칭을 위하여 입력 전극 및 출력 전극에 연결되는 스터브 역시 그 크기를 달리하여 비대칭으로 형성되어야 한다. 이러한 임피던스 매칭을 수행하는 스터브는, 제1유전체 시트(31) 상에 구현되는 제1스터브(61a,61b), 제3유전체 시트(33) 상에 구현되는 제3스터브(63)로 이루어진다. 이러한 제1스터브 및 제3스터브는 해당 유전체 시트에 형성된 도선패턴 안쪽 내부에 위치하도록 형성하여 효율적인 면적 구성 설계가 이루어지도록 할 수 있다.

상기 제1스터브(61a,61b) 및 제3스터브(63)는 각각의 해당 유전체 시트(31,33)에 형성된 도선패턴에 각각 연결되어 전극을 형성하여 임피던스 매칭을 각각 수행한다. 즉, 제1스터브는 제1유전체 시트 상의 제1도선패턴 내부에 연결되어 형성되며, 제3스터브는 제3유전체 시트 상의 제3도선패턴 내부에 연결되어 형성된다.

제1스터브는 입력 제1스터브(61a)와 출력 제1스터브(61b)를 구비한다. 상기 입력 제1스터브(61a)는 입력 제1도선패턴(41a)에 연결되어 입력 임피던스 매칭을 하는 수행하며, 출력 제1스터브(61b)는 출력 제1도선패턴(41b)에 연결되어 출력 임피던스 매칭을 수행한다.

그런데, 입력측과 출력측의 비대칭으로 인한 임피던스 매칭을 달리하기 때문에 상기 입력 제1스터브(61a)와 출력 제1스터브(61b)의 크기를 상호 다르게 비대칭 적으로 구현한다.

한편, 공진기 구성에 있어서 공진기 구조와 접지면 사이의 전위차에 기인한 병렬 용량(커패시턴스) 효과는 도 2에서 스터브와 접지면 사이의 용량(커패시턴스) 효과와 병렬 연결 관계이므로, 유도기와 용량기의 접지 면 사이의 전위차에 기인한 기생 용량(커패시턴스) 효과는 스터브와 접지면 사이의 용량(커패시턴스) 효과와 더해짐으로써, 도 1의 이상적인 용량 값을 간접적으로 구현할 수 있다. 참고로, 도 2의 등가 회로를 도 6의 회로 패턴 구현할 때, 각 패턴 구현의 도면 부호 대응 모습을 도 2에 도시하였다.

한편, 등가 회로 상에서 스터브와 공진기의 기생 커패시턴스는 절점을 공유하므로, 스터브의 위치는 나선형 형태의 유도기 안에 실장될 수 있고 그 결과 더욱 효율적인 면적 구성이 가능하다. 결국, 유도기와 용량기 내부의 기생 용량(커패시턴스)은 스터브의 크기를 줄여주는 역할을 하게 됨으로써, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 패턴 설계에 의해서 전체 여파기 회로의 크기를 줄여주는 긍정적인 효과를 가져오게 된다.

상술한 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 여러 가지 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 실시될 수 있다. 따라서 본 발명의 특허 범위는 상기 설명된 실시 예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위뿐 아니라 균등 범위에도 미침은 자명할 것이다.

도 1은 이상적인 수동 소자들로 구성된 저역 통과 여파기의 일반적인 등가 회로도이다.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 기생 용량 효과를 고려한 저역 통과 여파기의 등가 회로도이다.

도 3은 저역 통과 여파기의 등가회로에서 병렬 용량 값들을 도시한 테이블이다.

도 4는 기생 용량 값들과 병렬 용량 값의 합과 등가적으로 같음을 나타낸 테이블이다.

도 5은 본 발명의 실시 예에 따른 적층 여파기의 외부 사시도를 도시한 그림이다.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 적층 여파기의 분해 단면도를 도시한 그림이다.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 적층 여파기 내의 두 공진기에서의 공진 주파수가 각각 감쇠 극을 발생시킴을 나타내는 그래프이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

20a; 상부 접지면 20b: 하부 접지면

21a: 입력전극 21b: 출력전극

30: 적층 유전체 시트 31: 제1유전체 시트

32: 제2유전체 시트 33: 제3유전체 시트

34: 무패턴 유전체 시트 41a; 입력 제1도선패턴

41b: 출력 제1도선패턴 42a: 입력 제2도선패턴

42b: 출력 제2도선패턴 43: 제3도선패턴

51a: 입력 제1용량전극 51b: 출력 제1용량전극

52a: 입력 제2용량전극 52b: 출력 제2용량전극

61a: 입력 제1스터브 61b: 출력 제1스터브

63: 제3스터브

Claims (23)

1. 다수의 유전체 시트가 적층되어 형성되고, 서로 공진하는 유도기와 용량기를 포함하는 공진부;

   상기 공진부의 상부와 하부에 각각 제공되는 접지부; 및

   상기 접지부 중 어느 하나에 형성되는 입력전극 및 출력전극

   을 포함하고,

   상기 유도기는 상기 다수의 유전체 시트 각각에 좌우로 대칭하여 마주보도록 형성되며,

   상기 유도기는 적층되어, 제1유전체 시트 상에서 나선형으로 형성되는 제1도선패턴 및 제2유전체 시트 상에서 나선형으로 형성되는 제2도선패턴을 포함하며,

   상기 다수의 유전체 시트에는 비아홀이 포함되며,

   상기 제1도선패턴은 상기 제1유전체 시트 면상에서 상기 입력전극 및 출력전극과 각각 비아홀을 통해 연결되는 입력 제1도선패턴 및 출력 제1도선패턴을 포함하며,

   상기 제2도선패턴은 상기 제2유전체 시트 면상에서 상기 입력전극 및 출력전극과 각각 비아홀을 통해 연결되는 입력 제2도선패턴 및 출력 제2도선패턴을 포함하는 적층 여파기.
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 제1항에 있어서, 상기 제2유전체 시트 아래에 적층되어 형성되는 제3유전체 시트를 포함하는 적층 여파기.
7. 삭제
8. 제6항에 있어서,

   제3유전체 시트 면상에는 'ㄷ' 패턴을 갖는 제3도선패턴이 형성되고, 상기 제3도선패턴의 각 끝단은 상기 제2유전체 시트의 비아홀을 통해 상기 입력 제2도선패턴 및 출력 제2도선패턴에 각각 연결되는 적층여파기.
9. 제1항에 있어서, 상기 유도기는,

   상기 입력 제1도선패턴 및 입력 제2도선패턴이 연결되어 형성되는 입력 유도기; 및

   상기 출력 제1도선패턴 및 출력 제2도선패턴이 연결되어 형성되는 출력 유도기

   를 포함하는 적층 여파기.
10. 제1항에 있어서, 상기 용량기는,

    복수의 유전체 시트에 전극판 형상으로 제공되어, 각 시트의 용량기가 상하로 대칭 형성되고, 용량기의 형상 크기는 좌우로 비대칭 형성되는 적층 여파기.
11. 제10항에 있어서, 상기 용량기는,

    제1유전체 시트 상에 제1용량전극이 형성되고 제2유전체 시트 상에서 상기 제1용량전극과 대향되는 지점에 제2용량전극이 형성되는 적층 여파기.
12. 제8항에 있어서, 상기 용량기는,

    상기 제1유전체 시트 면상에서 상기 입력 및 출력 제1도선패턴에 연결되어 형성되는 입력 및 출력 제1용량전극; 및

    상기 제2유전체 시트 면상에서 상기 입력 및 출력 제2도선패턴에 연결되어 형성되는 입력 및 출력 제2용량전극

    을 포함하는 적층 여파기
13. 제12항에 있어서, 상기 제1용량전극은,

    상기 제1도선패턴과 같은 유전체 시트 면에서 상기 제1도선패턴에 연결되며, 상기 제2용량전극은 제2유전체 시트 면에서 비아홀을 통해 상기 제3도선패턴에 연결되는 적층 여파기.
14. 제12항에 있어서, 상기 용량기는,

    상기 입력 제1용량전극 및 입력 제2용량전극이 연결되어 형성되는 입력 용량기; 및

    상기 출력 제1용량전극 및 출력 제2용량전극이 연결되어 형성되는 출력 용량기

    를 포함하는 적층 여파기.
15. 제9항에 있어서, 상기 용량기는,

    상기 입력 유도기와 마주보는 위치에 형성되어 서로 공진 하는 입력 용량기; 및

    상기 출력 유도기와 마주보는 위치에 형성되어 서로 공진 하는 출력 용량기

    를 포함하는 적층 여파기.
16. 제 15항에 있어서, 상기 입력 용량기의 용량전극 크기와 출력 용량기의 용량 전극의 크기를 서로 달리하는 용량기를 포함하는 적층 여파기.
17. 제8항 또는 제14항에 있어서, 상기 공진부에 임피던스 매칭을 수행하는 스터브를 포함하는 적층 여파기.
18. 제17항에 있어서, 상기 스터브는,

    상기 제1유전체 시트 상의 제1도선패턴 내부에 연결되어 형성되는 제 1스터브; 및

    상기 제3유전체 시트 상의 제3도선패턴 내부에 연결되어 형성되는 제 3스터브

    를 포함하는 적층 여파기.
19. 제18항에 있어서, 상기 제1스터브 및 제3스터브는 전극을 형성하여 임피던스 매칭을 하는 적층 여파기
20. 제19항에 있어서, 상기 제1스터브는,

    입력 제1스터브와 출력 제1스터브를 포함하는 적층여파기.
21. 제20항에 있어서,

    상기 입력 제1스터브는 상기 입력 제1도선패턴에 연결되어 입력 임피던스 매칭을 하고,

    상기 출력 제1스터브는 상기 출력 제1도선패턴에 연결되어 출력 임피던스 매칭을 하는 적층여파기.
22. 제21항에 있어서,

    상기 입력 제1스터브 및 출력 제1스터브의 상호 크기가 비대칭적으로 형성되는 적층여파기.
23. 제1항에 있어서, 상기 접지부와 제1 유전체 시트 사이에 간격을 유지하기 위해 삽입된 도선 무패턴 시트를 포함하는 적층 여파기.

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