JP2007305232A - フォトディテクタ回路及びそれを備えた光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザー光の強度に対する電圧信号の増幅率の調整を可能としつつ、外部ノイズ等の影響を抑制することができるフロントモニタフォトディテクタ回路を提供すること。
【解決手段】本発明に係るフロントモニタフォトディテクタ回路は、光信号を受信するフォトダイオードと、フォトダイオードに流れる電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換器と、電流電圧変換器の出力を電圧増幅する増幅部とがＣＯＢ（chip on board）パッケージや透明モールドパッケージに収納される。そして、この増幅部には、一対のトランジスタと、これらのトランジスタの出力側に接続した定電流回路とを有し、かつ前記電流電圧変換器の出力に対する増幅率を前記定電流回路の電流値に応じて変更する差動増幅回路が備えられ、定電流回路の電流値は、パッケージ外に設けられた可変抵抗により設定される。
【選択図】図３

Description

本発明は、光信号を電気信号に変換するフォトディテクタ回路に関する。詳細には、レーザー光を光学系を介して光ディスクに照射することによって光ディスクに対してデータを読み書きする光ディスク装置において、光学系を介して分光されたレーザー光を電気信号に変換するフロントモニタフォトディテクタ回路に関する。

従来よりＣＤドライブ，ＤＶＤドライブなどの光ディスク装置がある。この光ディスク装置は、レーザー光を光学系を介して光ディスクに照射することによって光ディスクに対してデータを読み書きするものである。

この種の光ディスク装置においては、光ディスクにデータを読み書きするときのレーザー光の強度をモニタし、適正なレーザー光の強度となるように調整することが一般的に行われている。

すなわち、光ディスク装置では、レーザー光の強度をモニタするために、レーザー光を電気信号に変換するフォトディテクタ回路（以下、「フロントモニタフォトディテクタ回路」と呼ぶ。）が用いられている（例えば、特許文献１）。

ここで、従来のフロントモニタフォトディテクタ回路の具体的な構成を図面を参照して説明する。図５は、従来のフロントモニタフォトディテクタ回路100の構成を示す図である。

図５に示すように、フロントモニタフォトディテクタ回路100は、フォトダイオードＰＤ100と、オペアンプＡＭＰ100，ＡＭＰ101と、固定抵抗Ｒ100，Ｒ101，R102と、可変抵抗ＶＲ100とから構成されている。また、これらの素子は、可変抵抗ＶＲ100を除き、ＣＯＢ（chip on board）パッケージ又は透明モールドパッケージ（以下、「パッケージ」と呼ぶ。）に収納されている。

フォトダイオードＰＤ100は、光ディスクにデータを読み書きするときのレーザー光を受光し、電流に変換する。フォトダイオードＰＤ100による電流は、オペアンプＡＭＰ100に入力され、オペアンプＡＭＰ100によって電流−電圧変換が行われる。すなわち、フォトダイオードＰＤ100による電流信号がオペアンプＡＭＰ100によって電圧信号へ変換され、出力信号としてパッケージのＩＶout端子から出力される。なお、電流電圧の変換比率は固定抵抗Ｒ100の値に応じて決定される。

パッケージのＩＶout端子とＶin端子との間には、可変抵抗ＶＲ100が接続されており、オペアンプＡＭＰ100からの出力信号は、この可変抵抗ＶＲ100を介して、Ｖin端子に入力される。

Ｖin端子には、固定抵抗Ｒ101の一端が接続され、一方、固定抵抗Ｒ101の他端はオペアンプＡＭＰ101の入力端子に接続される。したがって、オペアンプＡＭＰ100からの出力信号は、可変抵抗ＶＲ100と固定抵抗Ｒ101を介して入力され、オペアンプＡＭＰ101によって増幅される。

オペアンプＡＭＰ101の出力はパッケージの端子Ｖoutに接続されており、この端子Ｖoutからレーザー光の強度に応じた電圧レベルの電圧信号が出力されることになる。

このフロントモニタフォトディテクタ回路100は、以上のように構成されており、可変抵抗ＶＲ100を調整することにより、レーザー光の強度に対する電圧信号の増幅率を調整することができる。
特開２００５−１３５５２８号公報

しかし、従来のフロントモニタフォトディテクタ回路においては、初段のオペアンプＡＭＰ100から出力される電圧信号が、パッケージ外に設けられる可変抵抗ＶＲ100を介して後段のオペアンプＡＭＰ101に入力される。

このように信号経路の途中で、その信号経路がパッケージの外部に出てしまうと、外部ノイズの影響を受けやすくなる。特に、外部配線などは外部ノイズの影響を受けやすい。

すなわち、パッケージのＩＶout端子とＶin端子との間において信号経路が外部に出てしまうため、この経路中にある外部配線などが外部ノイズの影響を受けてしまう可能性があり、このような影響を受けた場合、その外部ノイズが後段のオペアンプＡＭＰ101によって増幅されてしまう恐れがある。

また、端子容量（ＩＶout端子容量やＶｉｎ端子容量）や外部配線の容量などによって、これらの容量の影響がパルス応答時の波形にリンギングとして現れる。このように発生したリンギングの影響で、パルス応答の安定時間が長くなり、光ディスク装置において高倍速化が困難となる。

そこで、本発明は、レーザー光の強度に対する電圧信号の増幅率の調整を可能としつつ、外部ノイズや端子容量などの影響を抑制することができるフロントモニタフォトディテクタ回路及びそれを備えた光ディスク回路を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、光信号を電気信号に変換するフォトディテクタ回路において、前記光信号を受信するフォトダイオードと、前記フォトダイオードに流れる電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換器と、前記電流電圧変換器の出力を電圧増幅する増幅部と、をパッケージ内に備え、前記増幅部は、一対のトランジスタと、これらのトランジスタの出力側に接続した定電流回路とを有し、かつ前記電流電圧変換器の出力に対する増幅率を前記定電流回路の電流値に応じて変更する差動増幅回路を備え、前記定電流回路の電流値は、前記パッケージ外に設けられた可変抵抗により設定されることを特徴とする。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記差動増幅回路は、第１差動増幅回路と第２差動増幅回路とからなり、前記第１差動増幅回路は、前記定電流回路として第１定電流回路を有し、前記電流電圧変換器の出力に対する増幅率を、前記第１定電流回路の定電流値に応じて変更し、前記第２差動増幅回路は、前記定電流回路として第２定電流回路を有し、前記第１差動増幅回路の出力に対する増幅率を、前記第２定電流回路の定電流値に応じて変更することを特徴とする。

また、請求項３に記載の発明は、レーザー光を光学系を介して光ディスクに照射することによって前記光ディスクに対してデータを読み書きする光ディスク装置において、前記光学系を介して分光された前記レーザー光を電気信号に変換するフォトディテクタ回路を備え、前記フォトディテクタ回路は、前記レーザー光を受信するフォトダイオードと、前記フォトダイオードに流れる電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換器と、前記電流電圧変換器の出力を電圧増幅する増幅部と、をパッケージ内に備え、前記増幅部は、一対のトランジスタと、これらのトランジスタの出力側に接続した定電流回路とを有し、かつ前記電流電圧変換器の出力に対する増幅率を前記定電流回路の電流値に応じて変更する差動増幅回路を備え、前記定電流回路の電流値は、前記パッケージ外に設けられた可変抵抗により設定されることを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、光信号を電気信号に変換するフォトディテクタ回路において、前記光信号を受信するフォトダイオードと、前記フォトダイオードに流れる電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換器と、前記電流電圧変換器の出力を電圧増幅する増幅部とをパッケージ内に備え、前記増幅部は、一対のトランジスタと、これらのトランジスタの出力側に接続した定電流回路とを有し、かつ前記電流電圧変換器の出力に対する増幅率を前記定電流回路の電流値に応じて変更する差動増幅回路を備え、前記定電流回路の電流値は、前記パッケージ外に設けられた可変抵抗により設定されるので、電流電圧変換器から出力される信号の増幅率を調整するための調整回路を、その信号の経路中に設けずに済む。したがって、外部ノイズの影響を可及的に回避することができる。

また、請求項２に記載の発明によれば、前記差動増幅回路は、第１差動増幅回路と第２差動増幅回路とからなり、前記第１差動増幅回路は、前記定電流回路として第１定電流回路を有し、前記電流電圧変換器の出力に対する増幅率を、前記第１定電流回路の定電流値に応じて変更し、前記第２差動増幅回路は、前記定電流回路として第２定電流回路を有し、前記第１差動増幅回路の出力に対する増幅率を、前記第２定電流回路の定電流値に応じて変更するので、電流電圧変換器の出力に対する増幅率の変更を２段階で行うことができ、増幅率の微調整を容易に行うことができる。

また、請求項３に記載の発明によれば、レーザー光を光学系を介して光ディスクに照射することによって光ディスクに対してデータを読み書きする光ディスク装置において、前記光学系を介して分光された前記レーザー光を電気信号に変換するフォトディテクタ回路を備え、前記フォトディテクタ回路は、前記レーザー光を受信するフォトダイオードと、前記フォトダイオードに流れる電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換器と、前記電流電圧変換器の出力を電圧増幅する増幅部とをパッケージ内に備え、前記増幅部は、一対のトランジスタと、これらのトランジスタの出力側に接続した定電流回路とを有し、かつ前記電流電圧変換器の出力に対する増幅率を前記定電流回路の電流値に応じて変更する差動増幅回路を備え、前記定電流回路の電流値は、前記パッケージ外に設けられた可変抵抗により設定されるので、電流電圧変換器から出力される信号の増幅率を調整するための調整回路を、その信号の経路中に設けずに済む。したがって、外部ノイズの影響を可及的に回避することができる。

本実施形態におけるフォトディテクタ回路は、レーザー光を光学系を介して光ディスクに照射することによって光ディスクに対してデータを読み書きする光ディスク装置に備えられるものである。また、この光ディスク装置は、ＣＤ及びＤＶＤのいずれに対してもデータの読み書きが可能に構成される。

そして、このフォトディテクタ回路は、レーザー光である光信号を受信するフォトダイオードと、フォトダイオードに流れる電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換器と、電流電圧変換器の出力を電圧増幅する増幅部とを備えている。

しかも、増幅部は、一対のトランジスタと、これらのトランジスタの出力側（エミッタ側はコレクタ側）に接続した定電流回路とを有し、かつ電流電圧変換器の出力に対する増幅率を定電流回路の電流値に応じて変更する差動増幅回路を備えており、定電流回路の電流値はパッケージ外から調整可能に構成される。

したがって、電流電圧変換器から出力される信号の増幅率を調整するための調整回路を、その信号の経路中に設けずに済み、外部ノイズ等の影響を可及的に回避することができる。

定電流回路の電流値の調整は、パッケージ外に設けられた可変抵抗により設定される。すなわち、定電流回路の電流値を調整する可変抵抗を接続する端子をパッケージに設けることにより、定電流回路の電流値の調整が容易となっている。

また、差動増幅回路は、第１差動増幅回路と第２差動増幅回路とからなる。第１差動増幅回路は、定電流回路として第１定電流回路を有し、電流電圧変換器の出力に対する増幅率を、前記第１定電流回路の定電流値に応じて変更する。同様に、第２差動増幅回路は、定電流回路として第２定電流回路を有し、第１差動増幅回路の出力に対する増幅率を、第２定電流回路の定電流値に応じて変更する。

したがって、電流電圧変換器の出力に対する増幅率の変更を２段階で行うことができ、増幅率の微調整を容易に行うことができる。

以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳説する。図１は、本実施形態の光ディスク装置の概略構成図である。

本実施形態における光ディスク装置１は、図１に示すように、ＣＤ用の光信号であるレーザー光を出射するＣＤ用レーザーダイオード２と、ＤＶＤ用の光信号であるレーザー光を出射するＤＶＤ用レーザーダイオード３と、光学系４と、ＣＤやＤＶＤなどの光ディスク６から反射するレーザー光を受光して電気信号に変換する第１のフォトディテクタ回路５と、光ディスク６を回転制御するためのサーボモータ７と、光学系４を介して分光されたレーザー光を電気信号に変換する第２のフォトディテクト回路であるフロントモニタフォトディテクタ回路10と、各レーザーダイオード２，３からレーザー光を出射するための制御信号の生成処理、各フォトディテクタ回路５，10からの出力信号の処理、サーボモータ７への制御信号の生成処理などの各種信号処理を行うＤＳＰ11と、光ディスク装置１全体を制御するコントローラ12などから構成される。

光学系４は、レンズ20,21,25〜27と、プリズム22と、スプリッタ23と、反射ミラー24とを含んでいる。

インターフェイスを介してコントローラ12により記録用のデータを受信すると、コントローラ12は、ＤＳＰ11を制御して、その記録するデータに応じて変調したレーザー光をＣＤ用レーザーダイオード２又はＤＶＤ用レーザーダイオード３から出射させる。

ＣＤ用レーザーダイオード２から出射されたレーザー光は、レンズ21及びプリズム22を介して、スプリッタ23に入射する。同様に、ＤＶＤ用レーザーダイオード３から出射されたレーザー光は、レンズ21及びプリズム22を介して、スプリッタ23に入射する。

スプリッタ23に入射したレーザー光は、このスプリッタ23によって、反射ミラー24方向とフロントモニタフォトディテクタ回路10方向へと分光される。

反射ミラー24方向へ分光したレーザー光は、反射ミラー24での反射によってその光の方向が変更され、レンズ25によってコリメートされた後、レンズ26によって集光されて、光ディスク６に照射される。

一方、スプリッタ23によってフロントモニタフォトディテクタ回路10方向へと分光されたレーザー光は、フロントモニタフォトディテクタ回路10で受光される。

フロントモニタフォトディテクタ回路10で受光されたレーザー光は、フロントモニタフォトディテクタ回路10によって電気信号に変換され、ＤＳＰ11へ送信される。

ＤＳＰ11は、フロントモニタフォトディテクタ回路10から送信される電気信号に基づいて、各レーザーダイオード２，３から出射されるレーザー光の強度を検出し、各レーザーダイオード２，３から出射するレーザー光の強度を調整する。

なお、光ディスク６に照射され、この光ディスク６で反射したレーザー光は、レンズ25,26、反射ミラー24、スプリッタ23、レンズ27を介して、第１のフォトディテクタ回路５で受光される。また、光ディスク６に書き込まれたデータを読み取るときには、読み取りのためのレーザー光をＣＤ用レーザーダイオード２又はＤＶＤ用レーザーダイオード３から出射する。以降上記と同様の経路で、分光されたレーザー光がフロントモニタフォトディテクタ回路10で受光され、光ディスク６で反射されたレーザー光が第１のフォトディテクタ回路５で受光される。

ここで、本発明の特徴部分であるフロントモニタフォトディテクタ回路10について、図面を参照して具体的に説明する。図２は本実施形態におけるフロントモニタフォトディテクタ回路10の概略構成図、図３はフロントモニタフォトディテクタ回路10の構成図、図４はフロントモニタフォトディテクタ回路10の定電流回路の構成図である。

フロントモニタフォトディテクタ回路10は、図２に示すように、フォトダイオードＰＤ１と、電流電圧変換器40と、増幅部50とを有している。

電流電圧変換器40は、フォトダイオードＰＤ１に流れる電流を電圧に変換して出力する機能を有し、第１オペアンプＡＭＰ１と、固定抵抗Ｒ１とから構成される。また、増幅部50は、ゲインコントローラ60と、第２オペアンプＡＭＰ２と、固定抵抗Ｒ３，Ｒ４と、可変抵抗Ｒext１，Ｒext２と、コンデンサＣ１，Ｃ２とから構成される。

また、これらの素子は、可変抵抗Ｒext１，Ｒext２を除き、ＣＯＢ（chip on board）パッケージ30（以下、「パッケージ」と呼ぶ。）に収納されている。すなわち、可変抵抗Ｒext１，Ｒext２をパッケージ30外に設けて外付けとするのである。なお、パッケージ30としてＣＯＢパッケージに代え、透明モールドパッケージ等を用いることもできる。

パッケージ30には、そのパッケージの外面に露出する８つの端子、すなわち、電源電圧入力用のＶcc端子（端子番号２）、基準電圧入力用のＶc端子（端子番号８）、接地電圧入力用のＧＮＤ端子（端子番号１）、スリープ制御用のＳＬＥＥＰ端子（端子番号６）、増幅率制御用の第１端子（端子番号７）、増幅率制御用の第２端子（端子番号５）、出力信号用のＶout端子（端子番号３）、無接続端子（端子番号４）を有している。

フォトダイオードＰＤ１は、ＧＮＤ端子にそのアノードが接続され、第１オペアンプＡＭＰ１の反転入力端子にそのカソードが接続される。また、第１オペアンプＡＭＰ１の非反転入力端子はＶc端子に接続され、第１オペアンプＡＭＰ１の出力端子はゲインコントローラ60の入力に接続される。さらに、第１オペアンプＡＭＰ１の反転入力端子と出力端子とは固定抵抗Ｒ１を介して接続される。

また、ゲインコントローラ60の出力は固定抵抗Ｒ３の一端に接続され、抵抗Ｒ３の他端は第２オペアンプＡＭＰ２の反転入力端子に接続される。また、第２オペアンプＡＭＰ２の非反転入力端子はＶc端子に接続され、第２オペアンプＡＭＰ２の出力端子はＶout端子に接続される。さらに、第２オペアンプＡＭＰ２の反転入力端子と出力端子とは固定抵抗Ｒ４を介して接続される。

このように構成されたフロントモニタフォトディテクタ回路10は、レーザー光を受光すると次のように動作する。

まず、フォトダイオードＰＤ１に、受光したレーザー光の強度に応じた電流が流れる。フォトダイオードＰＤ１は第１オペアンプＡＭＰ１の反転入力端子に接続されており、電流が流れると、その電流は固定抵抗Ｒ１に流がれ、第１オペアンプＡＭＰ１に電圧が出力される。

増幅部50では、第１オペアンプＡＭＰ１から出力された電圧を増幅してＶout端子から出力するものであり、電流電圧変換器40の出力を電圧増幅する機能を有している。

この増幅部50には、第１オペアンプＡＭＰ１から出力された電圧の増幅率を調整するためのゲインコントローラ60が設けられており、このゲインコントローラ60に接続された可変抵抗Ｒext１，Ｒext２によってその増幅率を調整することができるように構成している。

そして、ゲインコントローラ60の出力は、抵抗Ｒ３を介して第２オペアンプＡＭＰ２によって増幅されて、Ｖout端子に出力される。

ここで、ゲインコントローラ60の構成について、具体的に説明する。

図３に示すように、ゲインコントローラ60は、第１差動増幅回路70と第２差動増幅回路80とから構成される。

第１差動増幅回路70は、ダイオードＤ１，Ｄ２と、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２と、抵抗Ｒ２と、第１定電流回路71とから構成される。この第１差動増幅回路70は、電流電圧変換器40の出力に対する増幅率を、第１定電流回路71の定電流値に応じて変更するものである。第１定電流回路71は、第１定電流源71aと第２定電流源71bとから構成され、第１定電流源71aと第２定電流源71bとは同一の定電流値Ｉ１に設定される。

トランジスタＴｒ１のベースは、第１オペアンプＡＭＰ１の出力に、そのコレクタはダイオードＤ１のカソードに、そのエミッタは第１定電流源71aと抵抗Ｒ２の一端にそれぞれ接続される。また、トランジスタＴｒ２のベースはＶc端子に、そのコレクタはダイオードＤ２のカソード、そのエミッタは第２定電流源71bと抵抗Ｒ２の他端にそれぞれ接続される。ダイオードＤ１，Ｄ２のアノードは、Ｖcc端子に接続される。

第２差動増幅回路80は、トランジスタＴｒ３〜Ｔｒ６と、第３定電流源81aを有する第２定電流回路81とから構成される。この第２差動増幅回路80は、第１差動増幅回路70の出力に対する増幅率を、第２定電流回路81の定電流値に応じて変更するものである。

トランジスタＴｒ３のエミッタはＶcc端子に、そのコレクタはトランジスタＴｒ５のコレクタに、そのベースはトランジスタＴｒ４のベースとトランジスタＴｒ５のコレクタにそれぞれ接続される。また、トランジスタＴｒ４のエミッタはＶcc端子に、そのコレクタはトランジスタＴｒ６のコレクタと抵抗Ｒ３の他端に接続される。トランジスタＴｒ５のエミッタ及びトランジスタＴｒ６のエミッタとはそれぞれ第２定電流回路81の第３定電流源81aに接続される。

ここで、第１差動増幅回路70には、上述のようにダイオードＤ１，Ｄ２を設けており、これらにより第２差動増幅回路80のトランジスタＴｒ５，Ｔｒ６による温度変化の影響を打ち消すことができる。すなわち、第１差動増幅回路70と第２差動増幅回路80とは互いに温度変化に対する影響を打ち消しあう。

また、第１定電流源71a，第２定電流源71bは、図４（ａ）に示すように、トランジスタＴｒ10，Ｔｒ11、第３オペアンプＡＭＰ10と、可変抵抗Ｒext１と、コンデンサＣ１と、ダイオードＤ３とから構成される。この可変抵抗Ｒext１は、第１定電流回路71の電流値I１を調整するために設けられるものであり、端子番号７の端子に接続される。

すなわち、第１定電流源71aは、第３オペアンプＡＭＰ10と、トランジスタＴｒ10と、可変抵抗Ｒext１と、コンデンサＣ１とにより構成される。第３オペアンプＡＭＰ10の非反転入力端子はバンドギャップ電圧（ＶＧ）に接続され、その出力端子はトランジスタＴｒ10のベースに接続される。トランジスタＴｒ10のコレクタはトランジスタＴｒ１のエミッタに接続され、そのエミッタは可変抵抗Ｒext１、コンデンサＣ１、及び第３オペアンプＡＭＰ10の反転入力端子にそれぞれ接続される。なお、トランジスタＴｒ３とＴｒ４とでカレントミラー回路が構成される。

また、トランジスタＴｒ１のコレクタはトランジスタＴｒ６のベースに、トランジスタＴｒ２のコレクタはトランジスタＴｒ５のベースにそれぞれ接続される。

第２差動増幅回路80は、第１差動増幅回路70から入力される電圧、すなわちトランジスタＴｒ５のベースに入力される電圧とＴｒ６のベースに入力される電圧との差に応じた電圧を出力する。

また、第２定電流源71bは、第３オペアンプＡＭＰ10と、トランジスタＴｒ11と、可変抵抗Ｒext１と、コンデンサＣ１とにより構成される。トランジスタＴｒ11のコレクタはトランジスタＴｒ２のエミッタに接続され、そのエミッタは可変抵抗Ｒext１、コンデンサＣ１、及び第３オペアンプＡＭＰ10の反転入力端子にそれぞれ接続される。

このように構成しているため、第１定電流源71a、第２定電流源71bは、可変抵抗Ｒext１の抵抗値に応じた定電流値Ｉ１を供給することができる。すなわち、第１差動増幅回路70のゲインを変抵抗Ｒext１の抵抗値に応じて調整することができる。また、可変抵抗Ｒext１にコンデンサＣ１を並列接続しているために、外部からのノイズの影響を受けにくくなり、外部ノイズによる影響を可及的に低減することができる。

また、第３定電流源81aは、図４（ｂ）に示すように、トランジスタＴｒ12、第４オペアンプＡＭＰ11と、可変抵抗Ｒext２と、コンデンサＣ２とから構成される。この可変抵抗Ｒext２は、第２定電流回路81の電流値I２を調整するために設けられるものであり、端子番号５の端子に接続される。

第４オペアンプＡＭＰ11の非反転入力端子はバンドギャップ電圧（ＶＧ）に接続され、その出力端子はトランジスタＴｒ12のベースに接続される。トランジスタＴｒ12のコレクタはトランジスタＴｒ５，Ｔｒ６のエミッタに接続され、そのエミッタは可変抵抗Ｒext２、コンデンサＣ２、及び第４オペアンプＡＭＰ11の反転入力端子にそれぞれ接続される。

このように構成しているため、第３定電流源81aは、可変抵抗Ｒext２の抵抗値に応じた定電流値Ｉ２を供給することができる。すなわち、第２差動増幅回路80のゲインを可変抵抗Ｒext２の抵抗値に応じて調整することができる。

しかも、可変抵抗Ｒext２にコンデンサＣ２を並列接続しているために、外部からのノイズの影響を受けにくくなり、外部ノイズによる影響を可及的に低減することができる。

さらに、信号経路が外部に出てしまうことがないので、信号が端子容量等の影響を受けることがなく、リンギング等の問題も発生しない。

ここで、フォトダイオードＰＤ１で光電変換された電流をＩpd、第１差動増幅回路70のゲインをgm１、第２差動増幅回路80のゲインをgm２とすると、フロントモニタフォトディテクタ回路10の出力電圧Ｖoutは、以下の式（１）で表すことができる。

また、第１及び第２定電流源71a，71bの電流値をＩ１と、第３定電流源81aの定電流値をＩ２とすると、gm１とgm２はそれぞれ以下の近似式（２）で表すことができる。

なお、Ｖ_T＝ＫＴ／ｑであり、Ｋ（ボルツマン係数）：1.38×10^-23［Ｊ／Ｋ］、Ｔ：絶対温度［Ｋ］、ｑ（電荷素量）：1.602×10^-19[Ｃ]である。

したがって、上記式（１）は、上記式（２）を代入することにより、以下の式（３）で表すことができる。

また、Ｉ１＝ＶＧ／(２×Ｒext１)、Ｉ２＝ＶＧ／Ｒext２であることから、上記式（３）は、以下の式（４）で表現される。

ここで、固定抵抗Ｒ１〜Ｒ４を同一温度特性とし、可変抵抗Ｒext１，Ｒext２を同一温度特性とすると、出力電圧Ｖoutは以下の式（５）に示すように、その温度特性に関して、フォトダイオードＰＤ１の電流と固定抵抗Ｒ１とに依存し、パッケージ30外の可変抵抗Ｒext１，Ｒext２に依存しない。

したがって、本実施形態におけるフロントモニタフォトディテクタ回路10によれば、温度変化に対して、その出力電圧がパッケージ30外の可変抵抗Ｒext１，Ｒext２に依存しないために、固定抵抗Ｒ１に温度特性がよいものを使用することによって、フロントモニタフォトディテクタ回路10における温度特性を向上させることができる。すなわち、可変抵抗Ｒext１，Ｒext２に温度特性がよいものを使用しなくてもそれらが同様の温度特性を有している限り、出力電圧Ｖoutに影響を与えないのである。

以上、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明したが、これらは例示であり、これに限られるものではない。すなわち、当業者の知識に基づいて種々の変形、改良を施した他の形態で本発明を実施することが可能である。

本発明の実施形態における光ディスク装置の概略構成図。 図１のフロントモニタフォトディテクト回路の概略構成図。 図１のフロントモニタフォトディテクト回路の構成図。 フロントモニタフォトディテクト回路の定電流回路の構成図。 従来のフロントモニタフォトディテクタ回路の具体的な構成を示す図。

符号の説明

１ 光ディスク装置
４ 光学系
６ 光ディスク
１０ フロントモニタフォトディテクト回路
３０ パッケージ
４０ 電流電圧変換器
５０ 増幅部
６０ ゲインコントロール部
７０ 第１差動増幅回路
８０ 第２差動増幅回路
７１ａ，７１ｂ 第１定電流回路
８１ 第２定電流回路

Claims (3)

1. 光信号を電気信号に変換するフォトディテクタ回路において、
   前記光信号を受信するフォトダイオードと、
   前記フォトダイオードに流れる電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換器と、
   前記電流電圧変換器の出力を電圧増幅する増幅部と、をパッケージ内に備え、
   前記増幅部は、
   一対のトランジスタと、これらのトランジスタの出力側に接続した定電流回路とを有し、かつ前記電流電圧変換器の出力に対する増幅率を前記定電流回路の電流値に応じて変更する差動増幅回路を備え、
   前記定電流回路の電流値は、前記パッケージ外に設けられた可変抵抗により設定される
   ことを特徴とするフォトディテクタ回路。
2. 前記差動増幅回路は、
   第１差動増幅回路と第２差動増幅回路とからなり、
   前記第１差動増幅回路は、
   前記定電流回路として第１定電流回路を有し、
   前記電流電圧変換器の出力に対する増幅率を、前記第１定電流回路の定電流値に応じて変更し、
   前記第２差動増幅回路は、
   前記定電流回路として第２定電流回路を有し、
   前記第１差動増幅回路の出力に対する増幅率を、前記第２定電流回路の定電流値に応じて変更する
   ことを特徴とする請求項１に記載のフォトディテクタ回路。
3. レーザー光を光学系を介して光ディスクに照射することによって前記光ディスクに対してデータを読み書きする光ディスク装置において、
   前記光学系を介して分光された前記レーザー光を電気信号に変換するフォトディテクタ回路を備え、
   前記フォトディテクタ回路は、
   前記レーザー光を受信するフォトダイオードと、
   前記フォトダイオードに流れる電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換器と、
   前記電流電圧変換器の出力を電圧増幅する増幅部と、をパッケージ内に備え、
   前記増幅部は、
   一対のトランジスタと、これらのトランジスタの出力側に接続した定電流回路とを有し、かつ前記電流電圧変換器の出力に対する増幅率を前記定電流回路の電流値に応じて変更する差動増幅回路を備えた
   前記定電流回路の電流値は、前記パッケージ外に設けられた可変抵抗により設定される
   ことを特徴とする光ディスク装置。

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