JP2007279406A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2703086C (en) 2007-10-26 2014-11-25 Asahi Kasei Chemicals Corporation Method for purifying protein
JP4842983B2 (ja) * 2008-02-14 2011-12-21 日本電信電話株式会社 半導体光集積素子及びその作製方法
JP4971235B2 (ja) * 2008-04-08 2012-07-11 日本電信電話株式会社 半導体光集積素子
JP5043880B2 (ja) * 2009-03-31 2012-10-10 日本オクラロ株式会社 半導体素子及びその製造方法
JP2010283104A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置
JP5597029B2 (ja) * 2010-05-27 2014-10-01 住友電気工業株式会社 波長可変半導体レーザ
JP2012002929A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Opnext Japan Inc 半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、光伝送装置
JP5545847B2 (ja) * 2010-06-16 2014-07-09 日本電信電話株式会社 光半導体装置
EP2420882A1 (en) * 2010-08-16 2012-02-22 Alcatel Lucent Active photonic device with flattened photo-generated carrier distribution
JP2012141335A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Mitsubishi Electric Corp 非冷却光半導体装置
JP5622239B2 (ja) * 2011-02-21 2014-11-12 日本電信電話株式会社 光送信器及び光送信器の駆動条件設定装置
JP2012209286A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Hitachi Ltd 光モジュール
JP2012256770A (ja) * 2011-06-10 2012-12-27 Furukawa Electric Co Ltd:The レーザモジュール
JP2012209583A (ja) * 2012-07-12 2012-10-25 Japan Oclaro Inc レーザ素子及び光送信モジュール
JP6180213B2 (ja) * 2012-09-19 2017-08-16 日本オクラロ株式会社 光モジュール及び光モジュールの制御方法
JP2013165288A (ja) * 2013-04-19 2013-08-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置
JP6213103B2 (ja) * 2013-09-27 2017-10-18 三菱電機株式会社 半導体光素子および光モジュール
US9762025B2 (en) * 2016-02-17 2017-09-12 TeraMod LLC Temperature insensitive integrated electro-absorption modulator and laser
JP6866976B2 (ja) * 2016-10-27 2021-04-28 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体レーザ装置の動作条件決定方法
US10923879B2 (en) 2016-11-17 2021-02-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method for fabricating an elctro-absorption modulated laser and electro-absorption modulated laser
JP6920851B2 (ja) * 2017-03-29 2021-08-18 日本ルメンタム株式会社 半導体光素子、光送信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置、並びにそれらの製造方法
CN111418120B (zh) * 2017-12-04 2022-10-21 三菱电机株式会社 电场吸收型调制器、光半导体装置及光模块
WO2021097560A1 (en) 2019-11-18 2021-05-27 Electrophotonic-Ic Inc. Vertically integrated electro-absorption modulated lasers and methods of fabrication
US20250158356A1 (en) * 2022-02-14 2025-05-15 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical Transmitter
CN117639914B (zh) * 2022-08-12 2026-03-31 武汉光迅科技股份有限公司 波的偏移量的确定方法、装置、设备和存储介质

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5771256A (en) * 1996-06-03 1998-06-23 Bell Communications Research, Inc. InP-based lasers with reduced blue shifts
JP2001013472A (ja) * 1999-06-28 2001-01-19 Nec Corp 光半導体素子および光通信装置
JP2001127377A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Hitachi Ltd 光送信装置および光伝送装置
JP2002134842A (ja) * 2000-10-26 2002-05-10 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置
US7120183B2 (en) 2001-07-11 2006-10-10 Optium Corporation Electro-absorption modulated laser with high operating temperature tolerance
JP4108400B2 (ja) * 2002-07-24 2008-06-25 富士通株式会社 電界吸収型光変調器を備えた半導体レーザモジュールの駆動回路および駆動方法
JP2004273993A (ja) * 2003-03-12 2004-09-30 Hitachi Ltd 波長可変分布反射型半導体レーザ装置
US20040258119A1 (en) * 2003-06-10 2004-12-23 Photonami Inc. Method and apparatus for suppression of spatial-hole burning in second of higher order DFB lasers
JPWO2005053124A1 (ja) * 2003-11-28 2010-02-04 日本電気株式会社 分布帰還型半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザアレイ及び光モジュール
US20070189344A1 (en) * 2004-02-20 2007-08-16 Nec Corporation Modulator-integrated light source and its manufacturing method
WO2005106546A2 (en) * 2004-04-15 2005-11-10 Infinera Corporation COOLERLESS AND FLOATING WAVELENGTH GRID PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS (PICs) FOR WDM TRANSMISSION NETWORKS
JP4934271B2 (ja) 2004-06-11 2012-05-16 日本オプネクスト株式会社 単一電源駆動光集積装置
JP4421951B2 (ja) * 2004-06-11 2010-02-24 日本オプネクスト株式会社 光送信モジュール

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