JP2007274182A - 高周波回路 - Google Patents
高周波回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007274182A JP2007274182A JP2006095513A JP2006095513A JP2007274182A JP 2007274182 A JP2007274182 A JP 2007274182A JP 2006095513 A JP2006095513 A JP 2006095513A JP 2006095513 A JP2006095513 A JP 2006095513A JP 2007274182 A JP2007274182 A JP 2007274182A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- branch
- line
- point
- transmission line
- frequency circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
【課題】T型分岐回路の各分岐路を伝播するマイクロ波間の位相差に起因する合成点での利得の低下を防止するための調整が容易にできる高周波回路を提供すること。
【解決手段】L字に曲げられた伝送線路11と線路長に差のある第1、第2の分岐線路12、13とから形成されている。L字に曲げられた伝送線路11内には屈曲点Aと2つの分岐線路12、13の分岐点Bを定義し、このAB点間に調整導体を接続することにより、線路幅を調整し、合成点での利得低下を防止する。
【選択図】図1
【解決手段】L字に曲げられた伝送線路11と線路長に差のある第1、第2の分岐線路12、13とから形成されている。L字に曲げられた伝送線路11内には屈曲点Aと2つの分岐線路12、13の分岐点Bを定義し、このAB点間に調整導体を接続することにより、線路幅を調整し、合成点での利得低下を防止する。
【選択図】図1
Description
本発明は高周波回路に関し、特にマイクロ波帯の高周波半導体装置において複数個の同一トランジスタセルを用いて電力分配、電力合成するための高周波回路に関する。
現在衛星通信用等に使用される電力増幅器用高周波回路において、複数個の同一のトランジスタセルを並列配置し、マイクロストリップ線路からなるT型分岐回路を多段に用いて各トランジスタセルへの電力分配あるいは電力合成を行っている。図4に具体例を示す。パッケージ40に4つの半導体チップ41が実装され、その前後にT型分岐回路である分配器42と合成器43がツリー形状に配置されている。このような電力増幅器において、前記T型分岐回路の2つの分岐路の長さに差違を設けることで前記T型分岐回路の前記各分岐路を伝播するマイクロ波間の位相偏差を抑圧することができることが知られている(特許文献1参照)。
このような位相偏差抑圧手段においては、 位相偏差抑圧効果が2つの分岐路の長さの差違に対して感度が高く調整が困難という問題点がある。すなわちT型分岐回路を形成するマイクロストリップ線路のパターン精度の要求を厳しくする必要が生じる。
また上記のような2つの分岐枝の長さの差違を用いている場合、最適値が使用周波数によって異なってくるため、回路構成部品の共通化が出来ず使用周波数毎に設計する必要が生じていた。
特開平2001−168656号公報
したがって本発明は前記に鑑みてなされたものでその目的とするところは、T型分岐回路の各分岐路を伝播するマイクロ波間の位相差に起因する合成点での利得の低下を防止するための調整が容易にできる高周波回路を提供することにある。
前記課題を解決するために、本願発明の一態様によれば、L字に曲げられたL字状伝送線路と、このL字状伝送線路の一端にほぼ直交するように接続され、前記L字状伝送線路の一端を分岐点として互いに反対側に延長され、互いに異なる線路長を有する第1および第2の分岐線路と、前記L字状伝送線路の屈曲点と分岐点とを相互に接続する調整導体とを備えることを特徴とする高周波回路が提供される。
また、本願発明の一態様によれば、前記L字状伝送線路における屈曲点と前記分岐点間の線路部分の線路幅は、前記L字状伝送線路の他の部分より細く形成されており、前記調整導体により、この部分の線路幅を拡大することを特徴とする高周波回路が提供される。
さらに本願発明の一態様によれば、前記調整導体は金箔あるいはワイヤであることを特徴とする高周波回路が提供される。
本発明によれば、T型分岐回路の各分岐路を伝播するマイクロ波間の位相差に起因する合成点での利得の低下を防止するための調整が容易にできる。
以下本発明の実施形態につき詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態におけるT型ウィルキンソン分配器もしくは合成器を表したものである。L字に曲げられた第1の伝送線路11と線路長に差のある第1、第2分岐線路12、13とから形成されている。L字に曲げられた伝送線路11内には屈曲点Aと線路長に差のある2つの分岐線路12、13の分岐点Bを定義し、このAB点間の距離をLABとする。
使用する基板としては例えば、アルミナ基板を用いる。アルミナ基板は比誘電率が9.8であり、0.25mm厚のアルミナ基板を用いて従来のウィルキンソン分配器もしくは合成器を作成しようとすると、L字に曲げられた伝送線路11の線路幅は約0.25mmで、2つの分岐線路12、13の線路幅は約0.125mmとなる。
このようなT型のウィルキンソン分配回路と合成回路をパワー半導体素子を挟んで対向し接続したマイクロストリップ回路においては、伝搬するマイクロ波は屈曲点Aから分岐点Bの線路内においてストリップ線路幅の中央を伝播せず、最短距離を通って伝播することとなる。このため、2分岐された2つのマイクロ波は分配、合成回路を通過する間に経路長に差が生じた状態で合成されてしまうため合成利得が低下する。このような利得の低下を防止するためには分岐点Bの水平方向の位置をずらせることで伝搬時間を等しくすることができ、合成利得の低下を防止できる。本発明の一実施形態においてはこのずらし量の最適値は0.3mmである。図2には、ずらし量と合成点での利得低下の関係を示している。同図から明らかなように、ずらし量の最適値0.3mm付近においては合成点での利得がピークになるが、少しでもその位置から外れると利得が急激に低下してしまい、感度が高すぎるため、僅かな線路幅の製造誤差により、最適値から外れてしまうという問題があった。
そこで本発明の一実施形態においては、屈曲点Aと分岐点Bの線路幅を20%程度最初から細く設計してパターンを作成する。そしてパターンのずれている方向を見極めて調整金属14で線路幅を追加する。線路幅を追加する具体的方法としては、金箔を貼着する方法、ワイヤを複数ボンディングする方法が実際的である。精度を若干犠牲にすれば導電性ペーストを塗布、焼結するのも一つの方法である。なお、金箔の貼着は加熱し、超音波を印加しつつ圧着することで達成できる。線路幅を20%程度細くすることによって線路の特性インピーダンスも変化するが、その変化は10%程度の上昇に抑えることができる。その上調整導体14で調整後はインピーダンスは設計値付近に戻すことが可能である。
線路長LABの長さについては、屈曲点Aと分岐点Bの線路長を波長λの16分の1以下でしかも基板厚以上とすることによって位相差の発生を減少することができる。線路長を短くすればするほど位相差は少なくすることができるが、L字に曲げられた線路11と分岐線路12,13とくっついてしまう。またくっつかなくてもL字に曲げられた線路11と分岐線路12,13との間隔が狭いとお互いが干渉を起こし特性インピーダンスが変化してしまう。マイクロストリップ線路の場合、基板下が高周波グランドとなっており、この高周波グランドと線路で特性インピーダンスを決定しているので、基板厚以上他の線路が離れることができれば特性インピーダンスの変化を抑えることが可能である。
図3は、初期のずれ量に対し、追加するパターン幅と合成点での利得低下がどのように変化するかを示した図である。図3(a)は初期ずらし量0.35mmの場合で図3(b)は初期ずらし量0.25mmの場合である。図3(a)では最初からずらし量を最適ずらし量より0.05mm多くしておく。このような状態で屈曲点Aと分岐点Bの線路幅の内側か外側にパターンを追加することを考える。パターンを外側に追加しても利得低下は解消されないが、内側に追加していくことによって利得低下は改善し、追加線路幅0.1mmにおいて利得低下は0とすることができる。
一方、図3(b)では最初からずらし量を最適ずらし量より0.05mm少なくしておく。この場合、外側に線路幅を追加すれば利得低下は改善されるように思われるが、外側に線路幅を追加しても利得低下は改善されないことがわかる。
よって図3(a)のように最初からずらす量を最適ずらし量より多くしておき、内側に線路幅を追加するのがより効果的であることがわかる。
そこで本発明の実施形態に置いては、ずらし量を設計値よりも外側にパターンを形成しておき、内側に線路幅を追加する。
なお、調整導体14で線路幅を追加する具体的方法としては、上述と同様、金箔を貼着する方法、ワイヤを複数ボンディングする方法が実際的である。精度を若干無視すれば導電性ペーストを塗布、焼結するのも一つの方法である。なお、金箔の貼着は加熱し、超音波を印加しつつ圧着することで達成できる。
以上のべたように、このように構成された本発明の実施形態に係る高周波回路によれば、T型ウィルキンソン分配器もしくは合成器はL字に曲げられた伝送線路と線路長に差のある2つの分岐線路とから形成され、前記L字に曲げられた屈曲点と分岐線路の分岐点とを結ぶ線路長が波長λの16分の1以下および基板厚以上としているので調整を不要とすることができる。また前記L字に曲げられた屈曲点と分岐線路の分岐点とを結ぶ線路幅を最適インピーダンス点より細くしてあることにより調整が容易にできる。さらに前記線路長の差を最適位相条件からずらしてある場合にも調整が容易にできる。
本発明は前記実施形態をそのままに限定されるものではなく、実施段階でその要旨を逸脱しない範囲で具体化できる。
11…L字伝送線路
12、13…分岐線路
14…調整導体
12、13…分岐線路
14…調整導体
Claims (3)
- L字に曲げられたL字状伝送線路と、このL字状伝送線路の一端にほぼ直交するように接続され、前記L字状伝送線路の一端を分岐点として互いに反対側に延長され、互いに異なる線路長を有する第1および第2の分岐線路と、前記L字状伝送線路の屈曲点と分岐点とを相互に接続する調整導体とを備えることを特徴とする高周波回路。
- 前記L字状伝送線路における屈曲点と前記分岐点間の線路部分の線路幅は、前記L字状伝送線路の他の部分より細く形成されており、前記調整導体により、この部分の線路幅を拡大することを特徴とする請求項1記載の高周波回路。
- 前記調整導体は金箔あるいはワイヤであることを特徴とする請求項2記載の高周波回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006095513A JP2007274182A (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 高周波回路 |
US11/693,294 US20070229187A1 (en) | 2006-03-30 | 2007-03-29 | High-frequency circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006095513A JP2007274182A (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 高周波回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007274182A true JP2007274182A (ja) | 2007-10-18 |
Family
ID=38557967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006095513A Pending JP2007274182A (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 高周波回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070229187A1 (ja) |
JP (1) | JP2007274182A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8431973B2 (en) * | 2008-12-10 | 2013-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency semiconductor device |
JP5631607B2 (ja) * | 2009-08-21 | 2014-11-26 | 株式会社東芝 | マルチチップモジュール構造を有する高周波回路 |
JP2011171697A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-09-01 | Toshiba Corp | 高周波半導体装置 |
-
2006
- 2006-03-30 JP JP2006095513A patent/JP2007274182A/ja active Pending
-
2007
- 2007-03-29 US US11/693,294 patent/US20070229187A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070229187A1 (en) | 2007-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5393675B2 (ja) | スローウェーブ伝送線路 | |
JP5493801B2 (ja) | 信号変換器及び高周波回路モジュール | |
TWI772359B (zh) | 90度集總與分散式杜赫阻抗反相器 | |
JP2010252188A (ja) | アレーアンテナ装置 | |
US8035994B2 (en) | High frequency storing case and high frequency module | |
JP2006157646A (ja) | 配線基板 | |
JP3290533B2 (ja) | 電力増幅器 | |
JP2007274182A (ja) | 高周波回路 | |
JP2011165910A (ja) | 配線基板 | |
JP4629013B2 (ja) | 高周波回路基板 | |
JP5203775B2 (ja) | 2倍高調波抑圧回路 | |
JP2011130395A (ja) | 信号合成分配回路、電力増幅器および信号合成分配回路の製造方法 | |
JP2008035335A (ja) | 高周波回路基板およびその製造方法 | |
JP2008219476A (ja) | 伝送線路変換部並びにこれを有する高周波回路及び高周波モジュール | |
JP4108099B2 (ja) | 電子部品のパッケージ | |
JP2008022235A (ja) | マイクロ波電力増幅器 | |
JP2009224044A (ja) | 同軸ケーブルの位相調整機構及び位相調整方法 | |
JP2008078187A (ja) | ミリ波rfプローブパッド | |
JP5910963B2 (ja) | カプラおよび半導体装置 | |
JP2007150803A (ja) | インピーダンス変成器 | |
JP5931949B2 (ja) | 変換カプラーおよび信号入出力装置 | |
JP2006019798A (ja) | マイクロ波回路 | |
WO2023112183A1 (ja) | 高周波回路 | |
JP2010098500A (ja) | インピーダンス整合回路 | |
JP5828431B2 (ja) | 増幅器及び増幅方法 |