JP2007150803A - インピーダンス変成器 - Google Patents
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Abstract
【課題】所定の異なる2つの周波数帯域の反射波の発生を抑制することができるインピーダンス変成器を得る。
【解決手段】第1および第2の伝送線路3,4の長さと特性インピーダンスを、インピーダンス変成を図る異なる第1の周波数帯と第2の周波数帯のそれぞれの帯域端における反射振幅を揃えるように設定する。ここで、第1および第2の伝送線路3,4の長さは、第1の周波数帯と第2の周波数帯の間の周波数において略1/4波長となるように設定する。また、第1および第2の伝送線路は、誘電体基板と、誘電体基板の表面に形成された導体パターンと、誘電体基板の裏面に形成された接地導体とにより形成され、それぞれの伝送線路の端部から他の導体パターンを介して負荷と接続されるようにする。
【選択図】図1
【解決手段】第1および第2の伝送線路3,4の長さと特性インピーダンスを、インピーダンス変成を図る異なる第1の周波数帯と第2の周波数帯のそれぞれの帯域端における反射振幅を揃えるように設定する。ここで、第1および第2の伝送線路3,4の長さは、第1の周波数帯と第2の周波数帯の間の周波数において略1/4波長となるように設定する。また、第1および第2の伝送線路は、誘電体基板と、誘電体基板の表面に形成された導体パターンと、誘電体基板の裏面に形成された接地導体とにより形成され、それぞれの伝送線路の端部から他の導体パターンを介して負荷と接続されるようにする。
【選択図】図1
Description
この発明は、マイクロ波やミリ波帯で使用されるインピーダンス変成器に関するものである。
従来のインピーダンス変成器は、第1の伝送路と第2の伝送路とを備え、第1の伝送路の一端と第2の伝送路の一端を接続し、第1の伝送路の他端に第1の接続端子を接続し、第2の伝送路の他端に第2の接続端子を接続することにより構成される。第1および第2の伝送路の長さは、所定の周波数帯域を有する信号の中心周波数における伝搬波長の1/4とし、第1および第2の伝送路の特性インピーダンスは、第1および第2の接続端子に接続される負荷抵抗と、前記所定の周波数帯域の帯域端の周波数から与えられる。この時、前記所定の周波数帯域の帯域端と前記中心周波数における反射振幅は、同じ値に揃うようになる(例えば、非特許文献1を参照)。
R.E.Collin:Foundations for microwave engineering(Second Edition),McGraw−Hill lnc.,New York,1992.
従来のインピーダンス変成器は以上のように構成されており、例えば、異なる2つの周波数帯域で使用する場合には、これら2つの周波数帯域とその間の周波数を含めた周波数を1つの周波数帯域として、第1および第2の伝送路の長さと特性インピーダンスを与える必要があった。しかし、この場合、考慮する必要のない異なる2つの周波数帯域間の周波数でもインピーダンス変成されるよう反射が抑制されるため、その分だけ所定の異なる2つの周波数帯域での反射が増加し、伝送損失を劣化させる原因になっていた。
この発明は前記のような課題を解決するためになされたもので、所定の異なる2つの周波数帯域の反射波の発生を抑制することができるインピーダンス変成器を得ることを目的とする。
この発明に係るインピーダンス変成器は、第1および第2の伝送線路の長さと特性インピーダンスを、インピーダンス変成を図る異なる第1の周波数帯と第2の周波数帯のそれぞれの帯域端における反射振幅を揃えるように設定するものである。
この発明によれば、第1および第2の周波数帯のそれぞれの帯域端における反射振幅を揃えることで、異なる2つの周波数帯域の反射波の発生を抑制することができる。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に係るインピーダンス変成器の構成を示すブロック図である。図1に示すインピーダンス変成器は、第1の伝送線路3の一端と第2の伝送線路4の一端が接続され、第1の伝送線路3の他端に第1の端子1が接続され、第2の伝送線路4の他端に第2の端子2が接続される。第1の端子1と第2の端子2のそれぞれには、図示しない負荷抵抗R1とR2が接続される。
図1は、この発明の実施の形態1に係るインピーダンス変成器の構成を示すブロック図である。図1に示すインピーダンス変成器は、第1の伝送線路3の一端と第2の伝送線路4の一端が接続され、第1の伝送線路3の他端に第1の端子1が接続され、第2の伝送線路4の他端に第2の端子2が接続される。第1の端子1と第2の端子2のそれぞれには、図示しない負荷抵抗R1とR2が接続される。
今、インピーダンス変成を図る異なる2つの周波数帯域のうち、低い方の周波数帯域を第1の周波数帯、高い方の周波数帯域を第2の周波数帯とする。また、第1の周波数帯の下限の周波数をfL1、上限の周波数をfL2、第2の周波数帯の下限を周波数fH1、上限の周波数をfH2(fL1<fL2<fH1<fH2)とする。また、第1の周波数帯と第2の周波数帯の帯域幅、すなわちfL2−fL1とfH2−fH1は、略等しいものとする。
ここで、第1と第2の周波数帯の中間の周波数、すなわち中心周波数f0は式(1)から与えられる。
ここでは、図1に示すように、第1の伝送線路3と第2の伝送線路4の長さを、式(1)によって定まる中心周波数f0において略1/4波長となるように与える。また、第1の伝送線路3と第2の伝送線路4の特性インピーダンスを、それぞれZ1、Z2とする。
非特許文献1によれば、第1の伝送線路3と第2の伝送線路4の特性インピーダンスZ1、Z2は、式(2)により与えられる。
式(2)において、周波数fzは周波数fL1と中心周波数f0の間に位置し、反射振幅が零となる周波数である。すなわち、インピーダンス変成器を介して負荷抵抗R1がR2へ、或いは負荷抵抗R2がR1へ不整合することなく変成される周波数を表す。このような反射振幅が零になる周波数は、その他、中心周波数f0と周波数fH2の間にも表れ、中心周波数f0の2倍の周波数から周波数fzを差し引いた周波数に位置する。
非特許文献1では、周波数fzを下記式(3)のように与えている。なお、ここでは、本実施の形態1によるインピーダンス変成器で与える周波数fzと区別するためf'zと記す。
このように、式(1)から式(3)にしたがって第1の伝送線路3と第2の伝送線路4の特性インピーダンスZ1、Z2を与えると、周波数fL1とfH2の反射振幅と周波数f0の反射振幅が同じ値に揃うようになる、いわゆるチェビシェフ変成器が構成される。このようなインピーダンス変成器では、第1の周波数帯と第2の周波数帯だけでなく、これら周波数帯の間の周波数でもインピーダンス変成されるよう反射が抑制されるようになる。そのため、その分だけ第1および第2の周波数帯での反射は増大してしまう。
そこで、本実施の形態1によるインピーダンス変成器では、第1と第2の周波数帯の帯域端、すなわち周波数fL1、fL2、fH1、fH2における反射振幅が揃うように、周波数fzを以下の式(4)から与える。
このように周波数fzを与え、さらに式(1)、(2)にしたがって第1の伝送線路3と第2の伝送線路4の特性インピーダンスZ1、Z2を与えると、第1の周波数帯の帯域内にfzが形成され、さらには第2の周波数帯の帯域内にも反射振幅が零となる周波数が形成されるようになり、第1の周波数帯と第2の周波数帯のみの反射が抑制されるようになる。
次に動作を説明する。
第1の端子1、或いは第2の端子2から、第1の周波数帯の帯域幅を有する信号、第2の周波数帯の帯域幅を有する信号の何れか、或いは両方の信号を入力した場合、第1の伝送線路3と第2の伝送線路4の長さおよび特性インピーダンスを式(1)、(2)、(4)にしたがって与えているので、第1或いは第2の周波数帯の帯域幅を有する両信号は、反射が抑制された形で他方の端子へ伝送される。すなわち、負荷抵抗R1からR2へ、或いは負荷抵抗R2からR1へ不整合することなくインピーダンス変成される。
第1の端子1、或いは第2の端子2から、第1の周波数帯の帯域幅を有する信号、第2の周波数帯の帯域幅を有する信号の何れか、或いは両方の信号を入力した場合、第1の伝送線路3と第2の伝送線路4の長さおよび特性インピーダンスを式(1)、(2)、(4)にしたがって与えているので、第1或いは第2の周波数帯の帯域幅を有する両信号は、反射が抑制された形で他方の端子へ伝送される。すなわち、負荷抵抗R1からR2へ、或いは負荷抵抗R2からR1へ不整合することなくインピーダンス変成される。
以上で明らかなように、この実施の形態1によれば、第1および第2の周波数帯のそれぞれの帯域端における反射振幅を揃えるように、第1および第2の伝送線路の長さと特性インピーダンスを設定する構成としたので、所定の異なる2つの周波数帯域の反射波の発生を抑制することができる効果を奏する。
実施の形態2.
図2は、前述した実施の形態1に係るインピーダンス変成器の反射振幅の周波数特性を具体的に示した数値例の説明図である。
図2は、前述した実施の形態1に係るインピーダンス変成器の反射振幅の周波数特性を具体的に示した数値例の説明図である。
ここでは、説明の便宜上、負荷の抵抗R1を50Ω、R2を100Ωとする。また、インピーダンス変成を図る2つの周波数帯域のうち、第1の周波数帯を759−1009MHz、第2の周波数を1920−2170MHzとする。したがって、fL1は759MHz、fL2は1009MHz、fH1は1920MHz、fH2は2170MHzとなる。
前記の式(1)から、中心周波数f0は1464.5MHzとなる。したがって、第1の伝送線路3と第2の伝送線路4の長さは、1464.5MHzの伝搬波長の1/4となるよう与えている。また、式(4)から周波数fzは878.39MHzとなる。さらに、式(2)に前記負荷抵抗の値とそれぞれの周波数を代入すると、第1の伝送線路3の特性インピーダンスZ1は65.25Ω、第2の伝送線路4の特性インピーダンスZ2は76.63Ωとなる。
以上により与えられたインピーダンス変成器の反射振幅の周波数特性は、図2に示すようになる。図2において、太線で示した実線が本実施の形態2によるインピーダンス変成器の反射振幅であり、縦の破線はfL1、fL2、fH1、fH2の各周波数、すなわち第1の周波数帯の帯域端の周波数と第2の周波数帯の帯域端の周波数を表し、縦の一点鎖線は中心周波数f0を表し、さらに横の破線はこれら4つの帯域端の周波数における反射振幅(−23.4dB)を表す。また、参考として一点鎖線に式(3)にしたがって周波数f’ zを与えた場合の従来のチェビシェフ変成器の反射振幅、および横の一点鎖線に帯域端fL1、fH2と中心周波数f0における反射振幅(−19.3dB)を表す。
この場合、第1の伝送線路3と第2の伝送線路4の長さは、本実施の形態2によるインピーダンス変成器と同様であり、伝送線路の特性インピーダンスZ1、Z2はそれぞれ62.78Ω、79.64Ωとなる。図2に示すように、周波数fL1、fL2、fH1、fH2における反射振幅を揃えることで、第1および第2の周波数帯の反射振幅が抑制されている様子がわかる。
以上で明らかなように、この実施の形態2によれば、第1および第2の周波数帯のそれぞれの帯域端における反射振幅を揃えるように、第1および第2の伝送線路の長さと特性インピーダンスを設定する構成としたので、所定の異なる2つの周波数帯域の反射波の発生を抑制することができる効果を奏する。
実施の形態3.
図3は、前述した実施の形態1及び2によるインピーダンス変成器の具体的な構成例を示した説明図である。図3に示すように、誘電体基板5の表面に導体パターン6が形成され、誘電体基板5の裏面には接地導体7が形成される。導体パターン6は、第1の伝送線路3を構成する導体パターン6a、第2の伝送線路4を構成する導体パターン6b、第1の端子1と第1の伝送線路3とを接続する導体パターン6c、第2の端子2と第2の伝送線路4とを接続する導体パターン6dからなる。
図3は、前述した実施の形態1及び2によるインピーダンス変成器の具体的な構成例を示した説明図である。図3に示すように、誘電体基板5の表面に導体パターン6が形成され、誘電体基板5の裏面には接地導体7が形成される。導体パターン6は、第1の伝送線路3を構成する導体パターン6a、第2の伝送線路4を構成する導体パターン6b、第1の端子1と第1の伝送線路3とを接続する導体パターン6c、第2の端子2と第2の伝送線路4とを接続する導体パターン6dからなる。
第1の伝送線路3は、誘電体基板5と導体パターン6aと接地導体7により構成される。同様に、第2の伝送線路4は、誘電体基板5と導体パターン6bと接地導体7により構成される。第1および第2の伝送線路3、4の特性インピーダンスZ1、Z2は、誘電体基板5の誘電率と厚さ、および導体パターン6a、6bのそれぞれの幅によって決まり、ここでは、それぞれZ1=65.25Ω、Z2=76.63Ωとなる誘電率および寸法を選択する。また、第1および第2の伝送線路3、4の長さは、1464.5MHzにおける伝搬波長の1/4とする。
さらに、誘電体基板5の誘電率と厚さ、および導体パターン6cの幅によって決まる特性インピーダンスは、第1の端子1に接続される負荷抵抗R1と同じ50Ω、誘電体基板5の誘電率と厚さ、および導体パターン6dによって決まる特性インピーダンスは、第2の端子2に接続される負荷抵抗R2と同じ100Ωとする。
次に動作を説明する。
第1の端子1、或いは第2の端子2から、第1の周波数帯(759−1009MHz)の帯域幅を有する信号、第2の周波数帯(1920−2170MHz)の帯域幅を有する信号の何れか、または両方の信号を入力した場合、第1および第2の伝送線路3、4の長さと特性インピーダンスを、実施の形態2で示した通りの値としており、また、第1の端子1と第1の伝送線路3とを負荷抵抗R1(50Ω)と同じ特性インピーダンスを有する導体パターンで接続し、第2の端子2と第2の伝送線路4とを負荷抵抗R2(100Ω)と同じ特性インピーダンスを有する導体パターンで接続しているので、第1或いは第2の周波数帯の帯域幅を有する両信号は、反射が抑制された形で他方の端子へ伝送される。すなわち、負荷抵抗R1(50Ω)からR2(100Ω)へ、或いは負荷抵抗R2(100Ω)からR1(50Ω)へ不整合することなくインピーダンス変成される。
第1の端子1、或いは第2の端子2から、第1の周波数帯(759−1009MHz)の帯域幅を有する信号、第2の周波数帯(1920−2170MHz)の帯域幅を有する信号の何れか、または両方の信号を入力した場合、第1および第2の伝送線路3、4の長さと特性インピーダンスを、実施の形態2で示した通りの値としており、また、第1の端子1と第1の伝送線路3とを負荷抵抗R1(50Ω)と同じ特性インピーダンスを有する導体パターンで接続し、第2の端子2と第2の伝送線路4とを負荷抵抗R2(100Ω)と同じ特性インピーダンスを有する導体パターンで接続しているので、第1或いは第2の周波数帯の帯域幅を有する両信号は、反射が抑制された形で他方の端子へ伝送される。すなわち、負荷抵抗R1(50Ω)からR2(100Ω)へ、或いは負荷抵抗R2(100Ω)からR1(50Ω)へ不整合することなくインピーダンス変成される。
以上で明らかなように、この実施の形態3によれば、第1および第2の周波数帯のそれぞれの帯域端における反射振幅を揃えるように、第1および第2の伝送線路の長さと特性インピーダンスを与えて構成したので、異なる2つの周波数帯域での反射波の発生を抑制することができる効果を奏する。
なお、本実施の形態3では、第1の端子と第1の伝送線路とを、或いは第2の端子と第2の伝送線路とを、導体パターンを介して接続した例を挙げたが、これら導体パターンを介さずに、第1および第2の伝送線路の端部にそれぞれ第1、第2の端子を直接接続した場合でも、同様の効果を奏する。
1 第1の端子、2 第2の端子、3 第1の伝送線路、4 第2の伝送線路、6 導体パターン、5 誘電体基板、7 接地導体、6a,6b,6c,6d 導体パターン。
Claims (3)
- 第1の伝送線路と第2の伝送線路とを備え、前記第1の伝送線路の一端と前記第2の伝送線路の一端とが接続され、前記第1および第2の伝送線路の他端に異なる負荷が接続された回路において、
前記第1および第2の伝送線路の長さと特性インピーダンスを、インピーダンス変成を図る異なる第1の周波数帯と第2の周波数帯のそれぞれの帯域端における反射振幅を揃えるように設定する
ことを特徴とするインピーダンス変成器。 - 請求項1に記載のインピーダンス変成器において、
前記第1および第2の伝送線路の長さは、第1の周波数帯と第2の周波数帯の間の周波数において略1/4波長となるように設定する
ことを特徴とするインピーダンス変成器。 - 請求項1または2に記載のインピーダンス変成器において、
前記第1および第2の伝送線路は、誘電体基板と、前記誘電体基板の表面に形成された導体パターンと、前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とにより形成され、それぞれの伝送線路の端部から他の導体パターンを介して負荷と接続されるようにした
ことを特徴とするインピーダンス変成器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343369A JP2007150803A (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | インピーダンス変成器 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=38211658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005343369A Pending JP2007150803A (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | インピーダンス変成器 |
Country Status (1)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8606211B2 (en) | 2009-06-23 | 2013-12-10 | Qualcomm Incorporated | High dynamic range receiver front-end with Q-enhancement |
JP2014197872A (ja) * | 2014-06-02 | 2014-10-16 | 富士通株式会社 | 伝送線路、インピーダンス変換器、集積回路搭載装置および通信機モジュール |
US9054647B2 (en) | 2010-07-02 | 2015-06-09 | Nec Corporation | High frequency power amplifier |
-
2005
- 2005-11-29 JP JP2005343369A patent/JP2007150803A/ja active Pending
Cited By (3)
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