JP5393675B2 - スローウェーブ伝送線路 - Google Patents
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Description
例えば、伝送線路の信号線及びグランド線に対して垂直なストリップラインをダミーグランド(Dummy Ground)として用い、グランド線と同電位のストリップラインとを、信号線に近づける構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
図1は、本発明の実施の形態1に係るスローウェーブ伝送線路100の概略構造図である。図1(a)は斜視図であり、図1(b)は上面図である。
図6は、本願発明の実施の形態2に係るスローウェーブ伝送線路200の構造を示す図であり、図6(a)は低インピーダンス線路の断面図、図6(b)は高インピーダンス線路の断面図をそれぞれ示す。図6において、実施の形態1と同じ構成を有する部分については、その説明を省略する。
図7は実施の形態3に係るスローウェーブ伝送線路300の構造を示す図であり、図7(a)は低インピーダンス線路の断面図、図7(b)は高インピーダンス線路の断面図をそれぞれ示す。図7において、実施の形態2と同じ構成を有する部分については説明を省略する。
図9は、実施の形態4に係るスローウェーブ伝送線路400を上面から見た概略構造図である。図9において、402eは信号線路102a内に設けたスリットであり、Mn層に構成されている。その他の構成については実施の形態1と同じ構成であるため説明を省略する。
図10は実施の形態5に係るスローウェーブ伝送線路500を上面から見た概略構造図である。図10において、507は伝送線路を分配する2分岐回路である。その他の構成は実施の形態1と同じであるため説明を省略する。
図13は実施の形態6に係るスローウェーブ伝送線路600を上面から見た概略構造図である。図13において、610はベンド部における内側と外側の位相差を調整するための位相調整素子である。
102 低インピーダンス線路
102a、202a、302a 信号線路
306 信号線路
102b、202b グランド
103b、203b、303b グランド
102c、202c、302c エアブリッジ
102d、202d、302d ビア
103 高インピーダンス線路
103a、203a 信号線路
104、204、304 補助信号線路
205、305 短絡ビア
Claims (9)
- 第1のインピーダンス線路と、前記第1のインピーダンス線路の線路長よりも長い線路長を有する第2のインピーダンス線路を含み、前記第1のインピーダンス線路のインピーダンスよりも高いインピーダンスを有する前記第2のインピーダンス線路とを繰り返し配置することで形成される信号線と、
グランド線と、
前記グランド線に接続し、前記信号線と交差するストリップラインと、を有するスローウェーブ伝送線路。 - 前記信号線、前記グランド線、及び前記ストリップラインは、半導体基板上に形成された複数の導電層及び絶縁層から構成され、
前記第1のインピーダンス線路は、
前記複数の導電層のうち最上位導電層に形成され、前記信号線の一部を形成する信号線路と、
前記最上位導電層に形成され、前記グランド線の一部を形成するグランドと、
前記最上位導電層の一つ下の導電層に形成された、前記ストリップラインを形成するエアブリッジと、
前記グランドと前記エアブリッジとを接続するビアと、を有する請求項1に記載のスローウェーブ伝送線路。 - 前記信号線、前記グランド線、及び前記ストリップラインは、半導体基板上に形成された複数の導電層及び絶縁層から構成され、
前記第1のインピーダンス線路は、
前記複数の導電層のうち最上位導電層に形成され、前記信号線の一部を形成する信号線路と、
前記最上位導電層に形成され、前記グランド線の一部を形成するグランドと、
前記複数の導電層のうち少なくとも一つの導電層で形成され、前記信号線路の一部を形成する補助信号線路であって、前記信号線路の下部に形成される前記補助信号線路と、
前記補助信号線路を形成する導電層の一つ下の導電層に形成され、前記ストリップラインを形成するエアブリッジと、
前記グランドと前記エアブリッジとを接続するビアと、
前記信号線路と前記補助信号線路とを接続する短絡ビアと、を有する請求項1に記載のスローウェーブ伝送線路。 - 前記信号線、前記グランド線、及び前記ストリップラインは、半導体基板上に形成された複数の導電層及び絶縁層から構成され、
前記第2のインピーダンス線路は、
前記複数の導電層のうち最上位導電層に形成され、前記信号線の一部を形成する信号線路と、
最下位メタル層に形成され、前記グランド線の一部を形成するグランドと、を有する請求項1から3のいずれか1項に記載のスローウェーブ伝送線路。 - 前記信号線、前記グランド線、及び前記ストリップラインは、半導体基板上に形成された複数の導電層及び絶縁層から構成され、
前記第2のインピーダンス線路は、
前記複数の導電層のうち最上位導電層より下層の導電層に形成され、前記信号線の一部を形成する信号線路と、
前記複数の導電層のうち最下位導電層に形成され、前記グランド線の一部を形成するグランドと、を有する請求項1から3のいずれか1項に記載のスローウェーブ伝送線路。 - 前記第1のインピーダンス線路を形成する信号線路内にスリットを設けた構成を有する請求項1に記載のスローウェーブ伝送線路。
- 前記スローウェーブ伝送路を分岐又は合成する2分岐回路において、前記スローウェーブ伝送路と当該2分岐回路のインピーダンスを合わせるように調整する機能を有するインピーダンス調整素子を設けたことを特徴とする請求項1に記載のスローウェーブ伝送線路。
- 前記スローウェーブ伝送線路を折り曲げた構成において、折り曲げ部の内側と外側の位相回転量を調整できる位相調整素子を付加したことを特徴とする請求項1に記載のスローウェーブ伝送線路。
- 請求項1から8のいずれか1項に記載のスローウェーブ伝送線路を用いることを特徴とする半導体集積回路。
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