JP2007273153A - ショートアーク型水銀ランプ - Google Patents
ショートアーク型水銀ランプ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007273153A JP2007273153A JP2006094948A JP2006094948A JP2007273153A JP 2007273153 A JP2007273153 A JP 2007273153A JP 2006094948 A JP2006094948 A JP 2006094948A JP 2006094948 A JP2006094948 A JP 2006094948A JP 2007273153 A JP2007273153 A JP 2007273153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- lamp
- titanium
- amount
- mercury
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 75
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 73
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 117
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 117
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 117
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 67
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 47
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 27
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 19
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 18
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 17
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001595 contractor effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WLTSUBTXQJEURO-UHFFFAOYSA-N thorium tungsten Chemical compound [W].[Th] WLTSUBTXQJEURO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
【解決手段】石英ガラスからなる発光部11に陰極20と陽極30が対向して配置され、発光部11の中に水銀が2〜12(mg/cm3)、少なくともアルゴン(Ar)もしくはクリプトン(Kr)が1〜8気圧封入させて、発光部11の肉厚t(mm)と、発光部11に含まれるチタン濃度n(wt・ppm)の関係が、20≦n×t≦120を満たすことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
(1)近年、ショートアーク型水銀ランプはi線よりも短波長の光(紫外線)の放射が求められる。
(2)しかし、波長200nm以下の紫外線が放射されるとオゾンを発生させるため、チタニアを使ってオゾンの発生防止をしなければならない。
(3)しかし、チタンが吸収する波長は、バルブ温度により変動するため、波長200nm以下の紫外線の放射を防止しつつ、かつ、波長250〜300nmの紫外線を常に効率よく放射させることは困難であった。
また、石英バルブ(発光管)に含まれるチタン濃度を規定することで、波長200nm以下の紫外線の発生を限りなく阻止することができ、結果として、オゾンの発生を抑制している。
つまり、波長250nm〜350nmの放射量を向上するとともに、波長200nm以下の紫外線を発生防止できる。
水銀ランプは、石英ガラスからなる発光管10より構成され、発光管は発光部11と、この発光部11から両端に伸びるロッド状の封止部12から構成される。発光部11の内部には陰極20と陽極30が、例えば5.0mmの間隙をもって対向配置しており、陰極20の先端にアーク輝点が形成される。なお、発光部11は球形、あるいは管軸方向に細長く伸びる紡錘形である。発光管には後述するが所定量のチタンがドープされる。
陽極30は、例えば、タングステンよりなり、全体が円柱状ロッドであるとともに、先端に平面を有する略砲弾形状であり、陽極棒31に支持される。
水銀の封入量は、発光空間の内容積当たり、2〜12mg/ccの範囲であって、例えば5mg/cc含まれる。希ガスの封入量は1.0〜8.0気圧であって、例えば3気圧である。水銀と希ガスの定常点灯時の総内圧は18気圧程度になる。
このように、本発明では、水銀が2.0〜12.0(mg/cm3)封入されるという条件と密接不可分かつ有機的関係を持ちながら、アルゴンもしくはクリプトンを1〜8気圧封入することで、波長250〜350nmの放射量を増大させ、かつ、アークの収縮効果による放射効率のアップも図っている。
まず、発光管に封入される水銀量と水銀ランプの放射量の関係を実験した。
(実験A)
封入水銀量の異なる5種類のランプ(ランプA1〜ランプA5)を用意し、それぞれに1mg/cm3、2mg/cm3、5mg/cm3、12mg/cm3、14mg/cm3の水銀を封入した。それ以外のランプ仕様、点灯条件は基本的に同一として、電極間距離4.5mm、管壁負荷20w/cm2、発光管の肉厚3mm、希ガスを1気圧封入して、入力電力2KWで直流点灯させた。測定はランプから1mの位置に分光器を配置して、波長250nm〜波長300nmの積分量を測定した。
図に示す結果より、封入水銀量が2mg/cm3のランプ2、封入水銀量が5mg/cm3のランプ3、封入水銀量が12mg/cm3のランプ4は放射量が大きく合格であり、封入水銀量が1mg/cm3のランプ1、封入水銀量が14mg/cm3のランプ5は放射量が小さく不合格となった。つまり、封入水銀量が2〜12mg/cm3の場合に放射量が大きいことが分かる。なお、前記したように、封入水銀量が1mg/cm3の場合は発光種という意味で水銀が少なすぎることが放射量低下の原因と考えられ、封入水銀量が14mg/cm3の場合は波長254.7nmの共鳴線の吸収幅が広がることが放射量低下の原因と考えられる。
(実験B)
希ガスの種類と封入量の異なる9種類のランプ(ランプB0〜ランプB8)を用意した。具体的には、希ガスの種類として、ランプB0はキセノンを封入し、ランプB1〜B4はアルゴンを封入し、ランプB5〜B8はクリプトンを封入した。また、アルゴンを封入したランプB1〜B4のうち、ランプB1は0.5気圧、ランプB2は1.0気圧、ランプB3は3.0気圧、ランプB4は8.0気圧それぞれ封入し、クリプトンを封入したランプB5〜B8のうち、ランプB5は0.5気圧、ランプB6は1.0気圧、ランプB7は3.0気圧、ランプB8は8.0気圧それぞれ封入した。それ以外のランプ仕様、点灯条件は基本的に同一として、電極間距離4.5mm、水銀量5mg/cm3、管壁負荷20w/cm2、発光管の肉厚3mm、入力電力2KWで直流点灯させて放射量を測定した。測定はランプから1mの位置に分光器を配置して行った。
図に示す結果より、アルゴンを封入したランプでは、封入ガス圧が1.0気圧のランプB1、封入ガス圧が3.0気圧のランプB3、封入ガス圧が8.0気圧のランプB4が放射量の大きく合格であり、クリプトンを封入したランプでは、封入ガス圧が1.0気圧のランプB6、封入ガス圧が3.0気圧のランプB7、封入ガス圧が8.0気圧のランプB8が放射量の大きく合格であった。アルゴンの封入ガス圧が0.5気圧のランプB1、クリプトンの封入ガス圧が0.5気圧のランプB5は放射量がキセノンの場合とほとんど変わらず不合格となった。
つまり、封入すべき希ガスはキセノンではなく、アルゴンもしくはクリプトンであり、その封入ガス圧は1〜8気圧の場合に放射量が大きいことが分かる。なお、前記したように、封入ガス圧は1気圧の場合は封入量が小さすぎてアークからの放射量増大が十分でないことが不合格の原因と考えられる。
なお、この実験では、楕円反射鏡を使ってアーク輝点を焦点とするような光学構造ではないため、アーク収縮による放射量増大の効果を図ることはできない。
チタン濃度の規定は、具体的には、発光管の肉厚t(mm)と、発光管に含まれるチタン濃度n(wt・ppm)の関係が20≦n×t≦120の数値範囲内である。
本願発明は、希ガスとしてキセノンではなくアルゴンやクリプトンを使い、かつ陽圧に封入することで、前記したようにキセノンを使う場合や負圧で封入させる場合に比べて、アーク温度が高くなり、結果として、バルブ温度も高くなるという状況において、アルゴンやクリプトンの封入量と有機的かつ密接な関連を持ちつつ、オゾンを発生させないためのチタン量を算出したにほかならない。
次に、チタン濃度とオゾン発生の関係に関する実験を説明する。
チタンの総量(n×t)が異なる6種類の水銀ランプを製作し、各ランプを点灯させた場合のオゾン発生状況を測定した。6種類の水銀ランプはランプM1〜M6であり、ランプM1はチタン総量が10(wtppm・mm)、ランプM2はチタン総量が20(wtppm・mm)、ランプM3はチタン総量が50(wtppm・mm)、ランプM4はチタン総量が80(wtppm・mm)、ランプM5はチタン総量が120(wtppm・mm)、ランプM6はチタン総量が200(wtppm・mm)である。各ランプはチタン総量以外のランプ仕様、点灯条件を基本的に同一として、水銀5mg/cm3、アルゴンを3気圧封入するとともに、入力電力2KWで直流点灯させて、分光器により、波長200nmと波長250nmの透過率を測定した。これらは波長400nmの透過率を1としたときの相対値(比率(%))で表示している。
チタン総量が10(wtppm・mm)のランプM1は、波長200nmの透過率が7%と高く、すなわち、ランプの周辺でオゾンを発生させた。一方、チタン総量が20〜200(wtppm・mm)のランプM2〜ランプM6は波長200nmの透過率が1%未満ときわめて小さく、ランプ周辺のオゾン発生はほとんどなかった。
曲線Aはチタン総量が適正な範囲の場合を示し、波長200nmの透過率はほとんど0%であり、波長250nmの透過率は90%以上であることを示している。上記実験で言えば、チタン総量20〜120(wtppm・mm)の場合が相当する。
曲線Bはチタン総量が適正範囲より大きい場合を示し、波長200nmの透過率はほとんど0%であり、この点で問題がないが、波長250nmの透過率は90%以下になっている。つまり、オゾンの発生は抑えているものの、波長250nmの放射量が少なくなるので好ましくない。上記実験で言えば、チタン総量200(wtppm・mm)の場合が相当する。
曲線Cはチタン総量が適正範囲より小さい場合を示し、波長200nmの透過率が大きくなっている。この場合、オゾン発生を生じるため好ましくない。上記実験で言えば、チタン総量10(wtppm・mm)の場合が相当する。
図5(b)については後述する。
曲線Aはチタン以外の金属が存在しない場合、すなわち、図5(a)の曲線Aと同じ状態を示す。
曲線Bはチタン以外の金属が存在する場合を示す。この場合、波長200nmの透過率はほとんど0%と問題ないが、波長250nmの透過率が低下している。つまり、チタン以外の金属が存在する場合は、たとえチタン濃度が同一であったとしても、透過率が変化し、具体的には、透過率曲線の傾きが緩やかになるよう変化することがわかる。
以上、図5(a)で説明した現象とあわせてまとめると、チタン濃度が変化することで透過率曲線が図における左右方向にシフトし、チタン以外の金属が存在することで透過率曲線の傾斜が変化する。
(実験D)
まず、実験を説明するが、チタン濃度が異なる4種類の水銀ランプ(ランプN1〜N4)を作成した。具体的には、ランプN1のチタン濃度は135wtppm、ランプN2のチタン濃度は65wtppm、ランプN3のチタン濃度は20wtppm、ランプN4のチタン濃度は4wtppmである。これら4種類の水銀ランプの波長250nmにおける透過率をそれぞれ測定してみた。なお、水銀ランプの肉厚tはいずれも3mmである。
と表される。さらに、吸収係数αは、経験式として
として表されることが知られている。(2)式において、A≡exp(-a/λ0)を用いて変形すると
(3)式を(1)式に代入すると、分光透過率Tλは、
と表される。
ここで、(3)式より、λ0は、吸収係数αが1となる波長に相当することがわかる。本明細書の範囲に限り、改めてλ0を吸収端波長と定義する。言い換えれば、媒質単位長さ当りの透過光強度が入射光強度の1/eに減衰する位置に相当する波長を表す。
筆者らの実験により、λ0はチタン濃度と密接に関連していること、及び、係数aとチタン濃度の相関は見られないことが分った。そして、この係数aはガラス母材の種類(換言すると不純物の種類と濃度)に強く依存することを見出した。
分光器が測定した4種類の水銀ランプの各分光透過率から波長λ0を求める。この波長λ0は前記したように吸収端波長であり透過率が一定に落ち着く波長(この場合400nm)の1/eに減衰する波長を意味する。従って、測定した分光透過率データから波長400nmの透過率T400を算出し、この透過率T400の1/eの透過率を有する波長として求める。そして、式(4)に波長200nm〜400nmの各分光透過率データを代入することで係数aを求める。
これら4種類のランプ(N1〜N4)の波長λ0の値と、チタン濃度nの関係を近似式で求まると、λ0=16×log10(n)+190となる。
次に、係数aと透過率の関係に関する実験を行った。
係数aが異なる3種類の石英ガラスを使い、また、それぞれの係数においてチタン濃度の異なる水銀ランプを作成して相対放射照度を測定した。
つまり、ランプQ1は係数aが3000、チタン濃度が20(wtppm)、ランプQ2は係数aが4000、チタン濃度が20(wtppm)、ランプQ3は係数aが5000、チタン濃度が20(wtppm)、ランプQ4は係数aが3000、チタン濃度が60(wtppm)、ランプQ5は係数aが4000、チタン濃度が60(wtppm)、ランプQ6は係数aが5000、チタン濃度が60(wtppm)、ランプQ7は係数aが3000、チタン濃度が80(wtppm)、ランプQ8は係数aが4000、チタン濃度が80(wtppm)、ランプQ9は係数aが5000、チタン濃度が80(wtppm)、ランプQ10は係数aが3000、チタン濃度が120(wtppm)、ランプQ11は係数aが4000、チタン濃度が120(wtppm)、ランプQ12は係数aが5000、チタン濃度が120(wtppm)、ランプQ13は係数aが3000、チタン濃度が200(wtppm)、ランプQ14は係数aが4000、チタン濃度が200(wtppm)、ランプQ15は係数aが5000、チタン濃度が200(wtppm)である。
さらに、チタン濃度は、チタンとシリカ混合溶液を作成し、石英ガラス材の内面に必要量を均一に塗布して、その上で酸水素バーナーなどにより加熱して、ガラス材に溶融拡散させることで作成できる。この際、チタン濃度は石英ガラス内面への塗布量で調整する。なお、チタン濃度は肉厚方向で不均一になるが、肉厚方向の全チタン量を厚さで割ったときに求まる「平均チタン濃度」で定義する。
なお、実験は、係数aとチタン濃度以外のランプ仕様やランプ点灯条件は基本的に同一とし、電極間距離4.5mm、管壁負荷20w/cm2、発光管の肉厚2mm、水銀量5mg/cm3、希ガスを1気圧封入して、入力電力2KWで直流点灯させて放射量を測定した。測定はランプから1mの位置に分光器を配置して行った。
相対照度はランプQ12の照度を基準として表示している。この結果、ランプQ2、ランプQ3、ランプQ6、ランプQ9、ランプQ12は相対照度が100を超えて良好であった。これら5つのランプに共通する特性は、チタン濃度が20〜120(wtppm)の範囲にあり、かつ、係数4000以下であり、さらに、透過率を導く指数である「t×exp{a(1/λ-1/λ0)}」の値が0.1以下であることが示される。
から導くことができる係数aと、さらに、バルブの肉厚tを考慮して求まる式「t×exp{a(1/λ-1/λ0)}」を所定の範囲にすることで、チタン以外の不純物が石英ガラス(バルブ)に存在していたとしても波長250nmの透過率を十分に確保できる。
まず、チタンを含む石英ガラス円筒管を引き伸ばし、所定の濃度になるまで肉厚を薄くさせる。次に、チタンを含まない別の石英ガラス円筒管を用意して、チタンを含む円筒管の外側に同軸的に配置させて両者を融着させる。この状態から合体させた円筒管に対して酸水素バーナーなどで溶融させることでバルブを成形できる。チタン濃度は引き伸ばしの程度で調整することができ、別の円筒管を足し合わせることで所定の肉厚を維持できる。
光源に200nm以上の光を放射するキセノンランプを光源とする。このキセノンランプからの放射光を分光器に通し、各波長における分光放射照度をI0(λ)とする。次に、光源と分光器の間に、チタンを分散させた石英ガラスを置き、そのガラスの透過光を分光器で測定する。この透過光の分光放射照度をI(λ)とする。λ=400nmにおける分光透過率Tλ=400nm=1として、相対分光透過率Tλ=I(λ)/ I0(λ)を定義する。
11 発光部
12 封止部
13 外部リード
20 陰極
21 陰極棒
30 陽極
31 陽極棒
Claims (2)
- 石英ガラスからなる発光管に陽極と陰極が対向配置あい、発光管の中に水銀が2〜12(mg/cm3)、少なくともアルゴン(Ar)もしくはクリプトン(Kr)が1〜8気圧封入されたショートアーク水銀ランプにおいて、
前記発光管の肉厚t(mm)と、当該発光管に含まれるチタン濃度n(wt・ppm)の関係が、
20≦n×t≦120
を満たすことを特徴とするショートアーク型水銀ランプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006094948A JP4736900B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | ショートアーク型水銀ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006094948A JP4736900B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | ショートアーク型水銀ランプ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007273153A true JP2007273153A (ja) | 2007-10-18 |
JP4736900B2 JP4736900B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=38675764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006094948A Active JP4736900B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | ショートアーク型水銀ランプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4736900B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210438A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Iwasaki Electric Co Ltd | メタルハライドランプ |
JP2013201026A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Iwasaki Electric Co Ltd | 殺菌用紫外線ランプ |
JP2019199392A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 日本電気硝子株式会社 | 膜付きガラス板及びパッケージ |
JP2020127337A (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-20 | 東京電力ホールディングス株式会社 | 発電量推定装置、発電量推定方法及び発電量推定用プログラム |
KR20210149712A (ko) | 2019-04-05 | 2021-12-09 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | 자외선 흡수성이 우수한 티타늄 함유 석영 유리 및 그 제조 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09171800A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Ushio Inc | 放電ランプ |
JPH11339716A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Ushio Inc | 紫外線ランプ |
JP2003257364A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Ushio Inc | ショートアーク型水銀ランプ |
JP2005056692A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Ushio Inc | ショートアーク型水銀蒸気放電ランプ |
JP2005053714A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Ushio Inc | 光透過部材の製造方法および光透過部材 |
JP2005272243A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 波長変換シリカガラス |
-
2006
- 2006-03-30 JP JP2006094948A patent/JP4736900B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09171800A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Ushio Inc | 放電ランプ |
JPH11339716A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Ushio Inc | 紫外線ランプ |
JP2003257364A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Ushio Inc | ショートアーク型水銀ランプ |
JP2005056692A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Ushio Inc | ショートアーク型水銀蒸気放電ランプ |
JP2005053714A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Ushio Inc | 光透過部材の製造方法および光透過部材 |
JP2005272243A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 波長変換シリカガラス |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210438A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Iwasaki Electric Co Ltd | メタルハライドランプ |
JP2013201026A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Iwasaki Electric Co Ltd | 殺菌用紫外線ランプ |
JP2019199392A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 日本電気硝子株式会社 | 膜付きガラス板及びパッケージ |
JP7035795B2 (ja) | 2018-05-18 | 2022-03-15 | 日本電気硝子株式会社 | 膜付きガラス板及びパッケージ |
JP2020127337A (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-20 | 東京電力ホールディングス株式会社 | 発電量推定装置、発電量推定方法及び発電量推定用プログラム |
JP7346835B2 (ja) | 2019-02-06 | 2023-09-20 | 東京電力ホールディングス株式会社 | 発電量推定装置、発電量推定方法及び発電量推定用プログラム |
KR20210149712A (ko) | 2019-04-05 | 2021-12-09 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | 자외선 흡수성이 우수한 티타늄 함유 석영 유리 및 그 제조 방법 |
DE112020001744T5 (de) | 2019-04-05 | 2021-12-23 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Titanhaltiges Quarzglas mit ausgezeichneter UV-Absorption und Verfahren zu dessen Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4736900B2 (ja) | 2011-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9922814B2 (en) | Apparatus and a method for operating a sealed beam lamp containing an ionizable medium | |
US9655225B2 (en) | Method and system for controlling convection within a plasma cell | |
US9615439B2 (en) | System and method for inhibiting radiative emission of a laser-sustained plasma source | |
JP4736900B2 (ja) | ショートアーク型水銀ランプ | |
JP7192056B2 (ja) | 光学装置 | |
US9899205B2 (en) | System and method for inhibiting VUV radiative emission of a laser-sustained plasma source | |
US10186416B2 (en) | Apparatus and a method for operating a variable pressure sealed beam lamp | |
JP2008034222A (ja) | ショートアーク型水銀ランプ | |
JP2857137B1 (ja) | ショートアーク型水銀ランプ | |
JP2000188085A (ja) | ショートアーク型水銀ランプおよび紫外線発光装置 | |
KR100349800B1 (ko) | 방전램프 | |
JP6660594B2 (ja) | 放電ランプ | |
JP2006344383A (ja) | 光照射装置 | |
JP2009283227A (ja) | メタルハライドランプ | |
JP2005276640A (ja) | エキシマランプ | |
JP6645363B2 (ja) | 放電ランプ | |
JP2007026675A (ja) | 光照射装置、光照射装置用ランプおよび光照射方法 | |
JP2002279932A (ja) | 放電ランプ | |
JP2011100620A (ja) | エキシマランプ | |
JP2011119151A (ja) | キセノン水銀放電ランプおよび光照射装置 | |
JPH06231732A (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプ | |
JP2005100835A (ja) | 無電極放電灯及び無電極放電灯光源装置 | |
JP2019114395A (ja) | 放電ランプ | |
JPH087835A (ja) | 半導体露光用放電ランプ | |
TW202108506A (zh) | 金屬鹵化物燈及紫外線照射裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080916 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4736900 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |