JP2007260624A - 真空装置に用いる真空容器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】鋳造により容器本体を形成することにより、大幅なコストダウンを図ることが可能な真空装置に用いる真空容器を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して所定の処理を施すため、或いは前記被処理体を搬送するために内部が真空雰囲気に設定される真空装置が用いられ、プロセスチャンバ４、トランスファチャンバ６やロードロック室１０で構成される。プロセスチャンバに用いられる真空容器３０は、筒体状に成形された容器本体３０Ａとこの天井板３０Ｂと底部を閉じる底板３０Ｃとにより構成されており、トランスファチャンバやロードロック室の真空容器３２、３４も同様に構成される。上記真空容器構成部材をＳｉ含有量が４〜６％の範囲内のアルミニウム合金を用いて鋳造し、アルマイト皮膜を形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対して真空雰囲気下にて成膜処理やエッチング処理等の所定の処理を施すプロセスチャンバや真空雰囲気下で被処理体を搬送するトランスファチャンバ等の真空装置に用いる真空容器及びその製造方法に関する。

一般に、半導体デバイス等を製造するためには、半導体ウエハやガラス基板等の被処理体に対して成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理、改質処理等の各種の処理を繰り返し施す必要がある。この場合、ウエハに施される各種処理の内の多くの処理は真空雰囲気中で行われ、且つ処理時にはウエハに対する金属汚染を避けなければならないことから、内部を真空雰囲気にするようなプロセスチャンバ（真空装置）の真空容器の材料は、加工が比較的容易で且つ金属汚染の極めて少ない材料が選択されている。

またプロセスチャンバのみならず、プロセスチャンバまでにウエハを搬送する経路途中に設けられる各種の搬送室にあっても、この内部が真空雰囲気に晒されるような真空装置に用いる真空容器には、被処理体を搬出入するための搬出入口や、真空容器内のガスを排気するための排気マニホルドなどを有しており、このような複雑な形状の真空容器は一体的に削り出して製造することはできないので、真空容器を複数の構成部材で構成し、削り出しにより成形した各構成部材をボルト等で接合して組み立てるようにしている。

そして、この種の真空装置に用いる真空容器の材料としては、上記したように加工が比較的容易で且つ金属汚染の極めて少ない材料が求められる。このような条件に適合した材料として、一般的にはアルミニウム合金が使用されており、このアルミニウム合金により真空容器を形成し、アルマイト処理を施すことによりその表面にアルマイト皮膜を形成して耐久性や耐腐食性等を向上させるようになっている（特許文献１）。具体的には、アルミニウム合金よりなる大きなブロック材料を圧延機で形成し、このブロック材料を削り出しすることによって真空装置の筒体状の容器本体を製造し、そして、この容器本体にアルマイト処理を施すことによって容器本体の外面や内面を含む表面全体にアルマイト皮膜を形成するようになっている。この場合、上記ブロック材料中に含まれるＳｉが、単独のＳｉ粒子として析出した状態で存在するとき、このような合金材料を陽極酸化すると、Ｓｉ粒子が皮膜中に残存し、これが周囲の皮膜と化学的性質が異なるために、塩素イオンを含む腐食媒によって、選択的に溶解脱落して皮膜欠陥となり腐食が進行する。しかし、Ｍｇを添加してＳｉをＭｇ_２ Ｓｉなる化合物にすれば、陽極酸化処理でもＡｌとともに溶解してしまうために皮膜欠陥にならないとされている（特開平６−２５８０８号公報）。そこで、例えばＪＩＳ６０６１合金においては、Ｍｇ_２ Ｓｉを形成するに必要なＳｉ量と同等或いは若干過剰な量になるようにＳｉ量は０．４〜０．８％に規定されている。

特開平１１−３００４８２号公報

ところで、上記した真空容器の製造方法にあっては、ブロック材料が高価であるのみならず、削り出し作業に要する費用も高いことから、全体的に大幅なコスト高を招来している、という問題があった。特に、ウエハサイズも直径２００ｍｍから３００ｍｍへ更に大型化する傾向にあり、この点よりも装置自体が大型化しているので、更なるコスト高を招来する、といった問題があった。

また前述のように、真空容器は、複数の構成部材をボルト等で接合して組み立てるようにしているので、真空容器を接地するためのシール部材を構成部材の接合面に介在させたり、真空容器内を気密保持するためのシール部材を接合面に設けたりする必要がある。このため、シール部材の管理が必要になる上、このシール面の加工精度も要求されるので、加工処理がコスト高になっていた。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、鋳造法により容器本体を形成することにより、大幅なコストダウンを図ることを可能とすると共に、鋳物で製造することにより、複雑な形状の真空容器を一体的に形成でき、低コストでできるのみならず、リークや接地不良などの心配のない真空装置に用いる真空容器及びこの製造方法を提供することにある。

本発明者等は、真空容器の鋳造による製造の可能性について鋭意研究した結果、鋳造時の湯流れを促進させる作用と、アルマイト皮膜の形成を阻害する作用の両作用を示すＳｉ含有量を最適化することにより、ブロック材料からの削り出しによって製造した従来の真空容器と同等の特性を示す真空容器を製造することができる、という知見を得ることにより、本発明に至ったものである。

請求項１に係る発明は、被処理体に対して所定の処理を施すため、或いは前記被処理体を搬送するために内部が真空雰囲気に設定される真空装置に用いる真空容器において、Ｓｉ含有量が４〜６％の範囲内のアルミニウム合金を用いて鋳造されることを特徴とする真空装置に用いる真空容器である。
このように、Ｓｉ含有量が４〜６％の範囲内のアルミニウム合金を用いて鋳造法により容器本体を形成することにより、従来の削り出しによって形成した場合と同等の特性を維持しつつ大幅なコストダウンを図ることを可能とすると共に、鋳物で製造することにより、複雑な形状の真空容器を一体的に形成でき、低コストでできるのみならず、リークや接地不良などの心配も無くすことができる。

この場合、例えば請求項２に規定するように、前記真空容器の表面にアルマイト処理が施されている。
また、例えば請求項３に規定するように、前記真空装置は、前記被処理体に対して真空雰囲気下にて所定の処理を施すためのプロセスチャンバである。
また例えば請求項４に規定するように、前記真空装置は、前記被処理体を真空雰囲気下で搬送するためのトランスファチャンバである。
また例えば請求項５に規定するように、前記真空装置は、前記被処理体を搬送するために真空引き及び大気圧復帰が繰り返されるロードロック室である。

請求項６に係る発明は、被処理体に対して所定の処理を施すため、或いは前記被処理体を搬送するために内部が真空雰囲気に設定される真空装置に用いる真空容器の製造方法において、前記真空容器を形成する容器構成部材を、Ｓｉ含有量が４〜６％の範囲内のアルミニウム合金を用いて鋳造によって形成する鋳造工程を有することを特徴とする真空容器の製造方法である。
この場合、例えば請求項７に規定するように、前記容器構成部材の表面にアルマイト皮膜を形成するアルマイト工程を有する。

また例えば請求項８に規定するように、前記鋳造工程の直後に、前記容器構成部材を加熱することにより溶体化処理を施し、次いで人工時効処理を施す。
また例えば請求項９に規定するように、前記アルマイト工程の前工程として、前記容器構成部材の表面に存在する共晶Ｓｉを除去するＳｉ除去処理を施す。
また例えば請求項１０に規定するように、前記Ｓｉ除去処理は、薬液を用いた化学的処理である。
また例えば請求項１１に規定するように、前記Ｓｉ除去処理は、洗浄水を用いた物理的処理である。
また例えば請求項１２に規定するように、前記アルマイト工程の前後には、前記容器構成部材のシール面に引き目加工処理を施す。

本発明の真空装置に用いる真空容器及びその製造方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
Ｓｉ含有量が４〜６％の範囲内のアルミニウム合金を用いて鋳造法により容器本体を形成することにより、大幅なコストダウンを図ることを可能とすると共に、鋳物で製造することにより、複雑な形状の真空容器を一体的に形成でき、低コストでできるのみならず、リークや接地不良などの心配も無くすことができる。

以下に、本発明に係る真空装置に用いる真空容器及びその製造方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る真空装置の真空容器を用いた処理システムの一例を示す概略平面図、図２は処理システムを示す概略断面図である。

まず、本発明に係る真空容器を用いた真空装置を組み合わせてなる処理システムの一例について説明する。図１及び図２に示すように、この処理システム２は、真空装置としての真空引き可能になされたプロセスチャンバ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄを有している。これらのプロセスチャンバ４Ａ〜４Ｄとしては、成膜処理やエッチング処理等の真空雰囲気下で行われる全ての処理装置が適用される。これらのプロセスチャンバ４Ａ〜４Ｄは、同じく真空装置としての真空引き可能になされた六角形状のトランスファチャンバ６の周囲にそれぞれゲートバルブ８Ａ、８Ｂ、８Ｃ、８Ｄを介して接続されている。また、この処理システム２は、上記トランスファチャンバ６内に対して、この真空を破ることなく被処理体としての半導体ウエハＷを搬送するための真空装置としてのロードロック室１０Ａ、１０Ｂを有しており、両ロードロック室１０Ａ、１０Ｂは上記トランスファチャンバ６にそれぞれゲートバルブ１２Ａ、１２Ｂを有して接続されている。

そして、上記各プロセスチャンバ４Ａ〜４Ｄ内には、ウエハＷを載置するための載置台１２Ａ〜１２Ｄがそれぞれ設けられている。また、上記トランスファチャンバ６内には、ウエハＷを搬送するために屈伸及び旋回可能になされた２ピックの搬送アーム機構１４が設けられ、各プロセスチャンバ４Ａ〜４Ｄ間及びこれらと各ロードロック室１０Ａ、１０Ｂとの間でウエハＷを移載できるようになっている。また各ロードロック室１０Ａ、１０Ｂ内には、ウエハＷを一時的に保持する保持台１６Ａ、１６Ｂがそれぞれ設けられる。また上記ロードロック室１０Ａ、１０Ｂの反対側には、それぞれゲートバルブ１８Ａ、１８Ｂを介して横長のロードモジュール２０が取り付けられ、このロードモジュール２０の一側には、複数枚のウエハを収容できるカセット（図示せず）を載置するＩ／Ｏポート２２が設けられている。そして、このロードモジュール２０内には、屈伸及び旋回可能になされた搬送アーム２４が設けられており、この搬送アーム２４は案内レール２６に沿ってその長手方向へ移動可能になされている。

ここで図２を参照して各真空装置について説明する。尚、図２中において、４つのプロセスチャンバ４Ａ〜４Ｄを代表してプロセスチャンバ４として示しており、載置台１２Ａ〜１２Ｄを代表して載置台１２として示している。また２つのロードロック室１０Ａ、１０Ｂを代表してロードロック１０として示している。
上記プロセスチャンバ４内では、例えば処理ガスが供給されて、真空雰囲気中にて所定の処理、例えば成膜処理等が行われ、所定の処理ガスやＮ_２ ガス等を導入するガス導入部２８が設けられる。

このプロセスチャンバ４に用いる真空容器３０は、筒体状に成形された容器本体３０Ａと、この天井部を閉じる天井板３０Ｂと、底部を閉じる底板３０Ｃとにより構成されている。ここで例えば上記容器本体３０Ａと底板３０Ｃとは鋳物で一体成形され、この一体成形物と天井板３０Ｂとはボルト等により接合される。またトランスファチャンバ６の真空容器３２は、その径が大きな筒体状に成形された容器本体３２Ａと、この天井部を閉じる天井板３２Ｂと、底部を閉じる底板３２Ｃとにより構成されている。ここで例えば上記容器本体３２Ａと底板３２Ｃとは鋳物で一体成形され、この一体成形物と天井板３２Ｂとはボルト等により接合される。

また更に、ロードロック室１０の真空容器３４は、筒体状に成形された容器本体３４Ａと、この天井部を閉じる天井板３４Ｂと、底部を閉じる底板３４Ｃとにより構成されている。ここで例えば上記容器本体３４Ａと底板３４Ｃとは鋳物で一体成形され、この一体成形物と天井板３４Ｂとはボルト等により接合される。ここで上記各容器本体、天井板及び底部がそれぞれ容器構成部材となる。尚、上記トランスファチャンバ６やロードロック室１０内へは必要に応じてＮ_２ ガス等の不活性ガス、或いは清浄空気が供給されて大気圧復帰できるようになっている。

そして、上記した各真空容器３０、３２、３４の筒体状の容器本体３０Ａ、３２Ａ、３４Ａ及び各底板３０Ｃ、３２Ｃ、３４Ｃがそれぞれ本発明方法で一体物として製造されることになる。尚、各天井板３０Ｂ、３２Ｂ、３４Ｂも本発明方法で製造するようにしてもよい。すなわち、本発明方法では、上記各容器構成部材をＳｉ含有量が４〜６％の範囲内のアルミニウム合金により鋳造によって形成し、この容器構成部品の表面全体にアルマイト皮膜を形成する。このように構成した容器構成部品は、その後、ボルト等によって組み立て固定することによって真空容器が作られる。尚、上記容器本体と底板とをそれぞれ別々に本発明方法で製造し、その後、両者をボルト等によって組み立てるようにしてもよいし、また容器本体と天井板とを一体物として成形し、これに底板をボルト等によって組み立てるようにしてもよい。

図３は容器構成部品の表面の変化を示す部分拡大模式図、図４はシール面に形成される引き目の状態を示す模式図、図５は本発明方法を説明するための工程図である。尚、図３においては、各容器構成部材を代表してトランスファチャンバ６の真空容器３２の容器本体３２Ａを例にとって説明する。

まず、Ｓｉ含有量が４〜６％の範囲内になるように調整されたアルミニウム合金よりなる溶湯を用いて、この溶湯を鋳型に流すことによって容器構成部材である容器本体３２Ａを形成する（図３（Ａ）及びＳ１）。このようにＳｉ含有量を４〜６％の範囲内に設定する理由は、Ｓｉ含有量が多くなればなるほど、溶湯の流動性は良好になるが、Ｓｉ含有量が６％以上になると、後工程で行われるアルマイト処理においてアルマイト皮膜の生成が不均一になるとともに、アルマイト皮膜の均質性が損なわれることになり、更にざく巣等の欠陥が生じ易く、耐圧性を損なうことにもなるからである。また、４％よりも少なくなると、ポロシティが発生し易くなるとともに、準固相温度範囲が広くなるため溶湯の流動性が低下し、溶湯を鋳型に鋳込む際に鋳型内の隅々まで溶湯が十分に廻り込まず、湯廻り不良や湯境等の不具合が発生することになる。さらに、準液相範囲が狭くなり、押湯による溶湯補給性が劣化して、引け等の欠陥が発生し易くなるからである。

また、溶湯を注湯する前に、鋳型を高温で加熱することが望ましく、加熱することによって鋳型内の水分量を常に一定に保つことができ、これによって鋳物の品質を季節や天候に左右されることなく、一定に維持することができる。また、この加熱によって溶湯の湯流れが向上し、湯廻り不良や湯境等の不具合の発生が防止されるとともに、塗型材やバインダーを適度に燃焼させ、ガスとして鋳型内の隙間から外部へ放出させることにより、注湯後、鋳型内部で発生するガスを抑制し、ブローホール欠陥の発生を防止することが可能となる。

このような鋳造物にあっては、その表面、すなわち鋳肌面にＳｉ元素が比較的晶出し易くなり、図３（Ａ）に示すように鋳肌面にＳｉ元素４０が晶出する傾向となる。尚、この露出状態のＳｉ元素４０は後述するアルマイト処理時に悪影響を及ぼすので、以下に説明する方法で除去されることになる。

Ａｌ−Ｓｉ系合金鋳物にあっては、共晶Ｓｉは針状および棒状に晶出するため、後述するアルマイト処理時においてアルマイト皮膜の生成および均質性に悪影響を及ぼすことになるため、この共晶Ｓｉの形態を変化させる必要がある。容器本体３２Ａに所定の強さを付与するために高温から焼入れを行い、溶体化処理を施し、次いで人工時効処理を行なう。この際、溶体化処理の温度が高ければ高いほど、共晶Ｓｉが分断され、その形態も針状、棒状から塊状に変化する。しかし、溶体化処理の温度が高すぎると、焼入れ時に生ずる残留応力が大きくなり、その後の加工時に割れを生ずる可能性がある。したがって、溶体化温度は５００〜５３５℃が好ましい。５００℃以下では、溶質元素の固溶度が小さくなり、所定の強度が得られないし、共晶Ｓｉの形態変化が十分でなくなる。また、５３５度を超えると焼入れ時の残留応力が過大となり、割れの危険性が増す。

次に、容器の組み立て時に部材同士がＯリング等のシール部材を介して接することになるシール面に対してシール性を高めるために第１回目の引き目加工処理を施す（Ｓ３）。図４は容器本体３２Ａに形成されているシール面の一例を示しており、ここではゲートバルブに接合されるウエハ搬送用の開口４２の周囲がシール面４４となっている。そして、このシール面４４に、ここに介在されるべきシール部材の長さ方向に沿って複数条の微細なる溝４６が引き目加工によって形成される。図４においては、ウエハ搬送用の開口４２の周囲に、これを囲むようにして複数条の溝４６が形成されており、容器組み立て時にはこのシール面４４上に、溝方向に沿ってシール部材が接触することになる。

次に、エッチング処理の際、容器本体３２Ａの表面に生じた黒色付着物を取り除く処理（Ｄｅｓｍｕｔｔｉｎｇ）を行う（Ｓ４）。この汚れ取り処理には、化学的処理と物理的処理の２種類あり、どちらの処理を用いてもよい。化学的処理では、フッ酸溶液、例えばフッ化アンモン溶液や硝酸系溶液により容器本体３２Ａの全表面を清浄、或いはエッチングする。物理的処理では、洗浄水を噴射したり、温水を噴射したりして容器本体３２Ａの全表面を洗浄する。
上記洗浄やエッチングにより、図３（Ａ）に示すように、容器本体３２Ａの表面に晶出しているＳｉ４０を除去したり、他の付着物を除去する。なお、表面のＳｉ４０を除去しないままアルマイト処理を行うと、Ｓｉがアルマイト皮膜中に取り込まれるため、表面を拭いた際、黒粉が付着し好ましくない。

このようなスマット除去処理が終了したならば、次にアルマイト処理を行う（Ｓ５）。このアルマイト処理は、上記容器本体３２Ａを、例えば硫酸溶液中で電気分解することにより行う。これによって図３（Ｃ）に示すように容器本体３２Ａの表面全体に所定の厚さ、例えば厚さ５０μｍ程度のアルマイト（アルミナの水和物）皮膜５０を形成する。この場合、上述したように、容器本体３２Ａの表面に露出しているＳｉ元素４０はすでに除去されているので、アルマイト被膜５０を均一に形成することができる。

このようにアルマイト処理が完了したならば、硫酸溶液を純水等で洗浄した後、次に、ステップＳ３において第１回目の引き目加工を行った部分と同一の部分、すなわちシール面に第２回目の引き目加工処理を施す（Ｓ６）。ここでは図４を参照して説明したと同様にシール面に引き目加工処理を行う。これによって、シール面のシール性を、圧延ブロック材を削り出して製造した従来の部材と同等のシール性まで高めることができる。

このようにして、容器構成部材としての容器本体３２Ａの作成を完成する。そして、この容器本体３２Ａと、上記したと同様に作成した他の容器構成部材とを組み合わせてボルト等で固定することにより真空容器の組み立て製造が完了することになる。このようにして、真空装置の容器構成部材を、アルミニウム合金の鋳造法により容易に製造することができ、コスト削除に大幅に寄与することができる。

ここで、容器構成部材（製品）中のＳｉ含有量とアルマイト皮膜の健全性および溶湯の流動性との関係を説明する。図６は、容器構成部材中のＳｉ含有量とアルマイト皮膜の健全性および溶湯の流動性の依存性を示すグラフである。アルマイト皮膜の健全性とは、表面に形成されるアルマイト皮膜の良否を示し、Ｓｉ含有量が少ないほど均質なアルマイト皮膜を形成することができる。また、溶湯の流動性とは、溶湯の鋳型内での流れ易さを示し、Ｓｉ含有量が多くなるほど良好になって、湯廻り不良、湯境および引け巣などの欠陥が発生することが防止できる。すなわち、Ｓｉ含有量が少なくなると、溶湯の流動性が悪くなって欠陥が多く発生することになる。

このグラフから明らかなように、溶湯の流動性は、溶湯中のＳｉ含有量が増加するほど良好となり、製品に発生する欠陥が少なくなる。この場合の下限値は４％であり、この値よりもＳｉ含有量が少なくなると、ポロシティ、引け巣、湯廻り不良および湯境等の欠陥が発生し、好ましくない。
これに対して、アルマイト生成性は、溶湯中のＳｉ含有量が少ない程好ましく、Ｓｉ含有量が多くなる程、その後に形成されるアルマイト皮膜の特性が劣化してしまう。この場合、Ｓｉ含有量の上限値は６であり、この上限値６よりもＳｉ含有量が多くなると、真空容器の材料としては耐腐食性及び絶縁耐性が過度に低下し、採用することができない。
この結果、上記溶湯の流動性の特性とアルマイト生成性の特性を共に満足させるＳｉ含有量は４〜６％の範囲内であることが確認できた。この場合、より好ましいＳｉ含有量は４．０〜５．０％の範囲内である。

また上記実施例では、図５に示すようにＳ１〜Ｓ６の各ステップについて説明したが、製造されるべき真空装置で必要とされる最低の真空圧にもよるが、必要とされる真空圧がそれ程低くない場合には、すなわちそれ程高いシール性が要求されない場合には、少なくともステップＳ１の鋳造工程とステップＳ５のアルマイト処理の２工程を行うようにすればよい。そして、必要とされる真空圧がより低くなるに従って、他のステップＳ２〜Ｓ４、Ｓ６を次第に加えていく。
特に、必要とする真空圧が最も低い場合、すなわち高いシール性が要求される場合には、特に、アルマイト処理工程Ｓ５の前後に図５に示したようにそれぞれ引き目加工処理Ｓ３、Ｓ６を加えるのがよい。

この引き目加工処理を、アルマイト処理加工Ｓ５の前、或いは後のいずれか１回だけ行った場合、または両方行わなかった場合には、アルマイト処理加工の前後で引き目加工処理をそれぞれ共に１回行った場合と比較していずれもシール性がやや劣化する傾向にあった。
下記の表１は引き目加工処理のシール性に対する影響を示すデータである。

表１に示すように、引き目加工処理を全く行わなかった場合、或いはアルマイト処理の前のみに１回引き目加工処理を行った場合、またはアルマイト処理の後のみに１回引き目加工処理を行った場合には、シール性はそれ程高くなかった。
これに対して、アルマイト処理の前後でそれぞれ１回ずつ引き目加工処理を行った場合には、従来方法のようにブロック材料から削り出しによって製造した場合と略同等の高いシール性を確保できることが確認できた。
上記実施例では、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等を処理する真空装置に用いる真空容器にも本発明を適用できるのは勿論である。

本発明に係る真空装置の真空容器を用いた処理システムの一例を示す概略平面図である。 処理システムを示す概略断面図である。 容器構成部品の表面の変化を示す部分拡大模式図である。 シール面に形成される引き目の状態を示す模式図である。 本発明方法を説明するための工程図である。 容器構成部材中のＳｉ含有量とアルマイト皮膜の健全性および溶湯の流動性の依存性を示すグラフである。

符号の説明

２ 処理システム
４Ａ〜４Ｄ プロセスチャンバ（真空装置）
６ トランスファチャンバ（真空装置）
１０Ａ，１０Ｂ ロードロック室（真空装置）
３０，３２，３４ 真空容器
３０Ａ，３２Ａ，３４Ａ 容器本体
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

Claims (12)

1. 被処理体に対して所定の処理を施すため、或いは前記被処理体を搬送するために内部が真空雰囲気に設定される真空装置に用いる真空容器において、
   Ｓｉ含有量が４〜６％の範囲内のアルミニウム合金を用いて鋳造されることを特徴とする真空装置に用いる真空容器。
2. 前記真空容器の表面にアルマイト処理が施されていることを特徴とする請求項１記載の真空装置に用いる真空容器。
3. 前記真空装置は、前記被処理体に対して真空雰囲気下にて所定の処理を施すためのプロセスチャンバであることを特徴とする請求項１または２記載の真空装置に用いる真空容器。
4. 前記真空装置は、前記被処理体を真空雰囲気下で搬送するためのトランスファチャンバであることを特徴とする請求項１または２記載の真空装置に用いる真空容器。
5. 前記真空装置は、前記被処理体を搬送するために真空引き及び大気圧復帰が繰り返されるロードロック室であることを特徴とする請求項１または２記載の真空装置に用いる真空容器。
6. 被処理体に対して所定の処理を施すため、或いは前記被処理体を搬送するために内部が真空雰囲気に設定される真空装置に用いる真空容器の製造方法において、
   前記真空容器を形成する容器構成部材を、Ｓｉ含有量が４〜６％の範囲内のアルミニウム合金を用いて鋳造によって形成する鋳造工程を有することを特徴とする真空容器の製造方法。
7. 前記容器構成部材の表面にアルマイト皮膜を形成するアルマイト工程を有することを特徴とする請求項６記載の真空容器の製造方法。
8. 前記鋳造工程の直後に、前記容器構成部材を加熱することにより溶体化処理を施し、次いで人工時効処理を施すことを特徴とする請求項６または７記載の真空容器の製造方法。
9. 前記アルマイト工程の前工程として、前記容器構成部材の表面に存在する共晶Ｓｉを除去するＳｉ除去処理を施すようにしたことを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の真空容器の製造方法。
10. 前記Ｓｉ除去処理は、薬液を用いた化学的処理であることを特徴とする請求項９記載の真空容器の製造方法。
11. 前記Ｓｉ除去処理は、洗浄水を用いた物理的処理であることを特徴とする請求項９記載の真空容器の製造方法。
12. 前記アルマイト工程の前後には、前記容器構成部材のシール面に引き目加工処理を施すことを特徴とする請求項６乃至１１のいずれかに記載の真空容器の製造方法。
    
    

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