JP2007258490A - リード、リードの製造方法、パッケージ部品、パッケージ部品の製造方法、半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】極性基を有する樹脂14で一部が封止されるリード11であって、リード11における、少なくとも樹脂14で封止されない部分16に、撥水性被膜が被覆されている
【選択図】図1
Description
具体的には、特許文献1に示されるように、半導体素子とリードとが封止樹脂で一体成型される。一体成型は、金型内に、半導体素子が固着されたリードを挿入した後、金型内において、熱硬化性樹脂を射出成型することにより行われる。
樹脂バリが形成されると、半導体素子とリードとの電気的接続が妨げられ
たり、リードの半田性や外観が著しく損なわれることから、樹脂バリを取り
除くための種々の技術が開示されている。
処理する方法(特許文献2)などが示されている。
又、粗面化処理する方法では、銅や銀やパラジウムのように、封止樹脂との接合力が強い材質のリードの場合に、樹脂バリを剥離しにくいという問題がある。
前記撥水性被膜は、極性基と無極性基を有する化合物から構成され、極性基が前記リードと結合するように被覆されていることとすることができる。
又、前記化合物は、無極性基としてアルキル鎖又はフルオロアルキル鎖を有することとすることができる。
又、本発明は、リードの一部が極性基を有する樹脂で封止されるリードの製造方法であって、樹脂封止されないリード部分を撥水性被膜で被覆する被覆ステップを含むこととすることができる。
従って、封止樹脂に損傷を与えることなく、容易に樹脂バリを除去することができる。
又、本発明は、半導体素子とリードの一部とが極性基を有する樹脂で封止された半導体装置であって、前記リードが撥水性被膜で被覆されていることとしてもよい。
これにより、封止樹脂で封止されるリードの一部が、撥水性被膜で覆われた状態で、樹脂封止されるので、リードの一部を覆う封止樹脂が水分を吸湿した場合においても、封止樹脂と撥水性被膜との間の界面に水分が滞留するのを防止することができるので、リードの半田付け等による高温処理が行われた場合においても、封止樹脂とリードとの界面において、水分蒸発によるクラックが生じるのを効果的に防止することができる。
(実施の形態)
<構成>
図1は、本実施の形態における半導体装置10の断面図である。同図に示す様に、半導体装置10は、リード11、半導体素子12、電気接続用ワイヤー13、封止樹脂14から構成される。
(リード11)
リード11は、銅、銅合金、鉄、鉄合金などの金属薄板材で構成され、表面が後述する金属被膜21で覆われている。
符号15で示す部分は、「背景技術」で説明したように、樹脂バリが生ずる部分である。
リード11は、外表面が金属被膜21と撥水性被膜22の2層の被膜で覆われている。
金属被膜21は、例えば、ニッケル、パラジウム、銀、金などの金属をリードの表面にメッキすることにより形成される。
撥水性被膜22は、金属と結合可能な極性の官能基(例えば、チオール、チオール誘導体、含窒素複素環化合物など)と無極性(疎水性)のアルキル鎖若しくはフルオロアルキル鎖若しくはアリール基若しくはフルオロアリール基とを含む撥水性被膜剤から形成される。
又、前記撥水性皮膜剤の末端は、上記のSH基と置き換えて含窒素複素環化合物でもよく、例えば、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、ジアジン化合物、トリアジン化合物、テトラジン化合物から形成されても良い。
図3の(a)の化学式において、Rは、炭素数1〜18のアルキル基であることを示し、図3の(b)の化学式において、R1、R2は、H又は炭素数1〜8のアルキル基であることを示し、図3の(a)、(b)において、X1、X2は、SH又はSNaであることを示す。
図4では、チオール又はチオール誘導体を含む化合物が、チオール(SH)基(符号40で示す)を介して金属被膜21の表面の金属と結合し、それに伴ってアルキル鎖41が外方に向いた状態で金属被膜21表面に配列される。
このように、自己組織化単分子膜が金属被膜21の表面上において、高密度に形成され、当該金属被膜21の表面に、アルキル鎖41が露出されることにより、撥水性となる。
これにより、封止樹脂の化学構造に含まれる極性基(例えば、封止樹脂として汎用されているエポキシ樹脂の場合には、エポキシ基)が、金属被膜21の表面の金属と、極性基を介して化学的に結合できなくなり、リード11における、撥水性被膜22が形成された領域において封止樹脂の結合力が弱められ、当該領域において樹脂バリが形成された場合においても、容易に取り除くことができる。
図5(a)は、撥水性被膜22非存在下における、符号51で示す各エポキシ樹脂分子と、金属被膜21との結合様式を示す。図5に示すように、各エポキシ樹脂分子51は、金属被膜21の表面の金属と、符号52で示すエポキシ基を介して結合する。
(半導体素子12)
リード11上に、ダイボンディングされて固定され、電気接続用ワイヤー13でリード11の接続部とワイヤーボンディングされて、接続部と電気的に接続されている。
(電気接続用ワイヤー13)
半導体素子12とリード11とを電気的に接続する。
(封止樹脂14)
半導体素子12及びリード11を封止する樹脂であり、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー(パーフルオロスルホン酸系ポリマー)などから構成される。
<製法>
(リード11のコーティング工程)
銅、銅合金、鉄、鉄合金等の金属薄板材をプレス加工又はエッチング加工してリード11を形成し、リード11の表面をニッケル、パラジウム、銀、金などの金属で金属メッキ処理をして、金属被膜21を形成した後、さらに上記に示す何れかの撥水性被膜剤を用いて、以下に示す条件で表面のコーティング処理を行い、金属被膜21の上に撥水性被膜22を形成して、その後、前記撥水性皮膜剤を含有しない水やアルコール等の溶媒により、洗浄する事により、余分な撥水皮膜22を除去し、リード11を完成する。
上記撥水皮膜剤の濃度は、低すぎると処理に時間を要し、高すぎても一定以上の効果は期待できず、短分子皮膜が形成されるとそれ以上は皮膜形成反応が進行しない。
撥水性被膜剤を溶解させる溶剤として、水、アルコール類(例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール)、ケトン類(例えば、アセトン、メチルエチルケトン)を用いることができる。望ましくは、親水性、例えば、脱イオン水や純水を用いることができる。
又、コーティング処理は、リード11を、撥水性被膜剤を溶剤に溶解させた溶液に所定時間、浸漬させることにより行っても良いし、上記溶液を、リード11に塗布したり、噴霧したりすることによって行うこととしてもよい。
(パッケージ工程)
コーティング処理後のリード11に半導体素子12を導電性ペースト(銀ペースト)により、リード11に接着し、ワイヤーボンディング機器を用いて、電気接続用ワイヤー13をリード11の接続部にワイヤボンドし、半導体素子12と接続部とを電気的に接続した後、封止樹脂14を成型するための金型を用いて、コーティング処理後のリード11に、封止樹脂14を成型し、乾式又は湿式ブラスト装置を用いて、樹脂バリを除去するためのブラスト処理を行い、半導体装置10を完成する。
<補足>
(1)本実施の形態に係る撥水性被膜22で被覆されたリード11は、図6(e)に示すように、中空樹脂封止型の半導体装置にも適用できる。
(イ)リード11における樹脂封止が行われる部分の周辺部分(符号61で示す部分)を、半導体装置100におけるリード11のコーティング工程と同様に、コーティング処理して撥水性被膜22を形成した後、(ロ)コーティング処理後のリード11を、図6(b)に示す金型31、32間に挿入し、樹脂注入口30からモールド樹脂を注入して、リード11にモールド樹脂33を成型し、図6(c)に示すリード11の樹脂成型体を作成し、(ハ)乾式又は湿式ブラスト装置を用いて、樹脂バリを除去するためのブラスト処理を行った後、(二)図6(d)に示すように、半導体素子12を導電性ペースト(例えば、銀ペースト)により、リード11に固着し、ワイヤーボンディング機器を用いて、電気接続用ワイヤー13をリード11の接続部にワイヤボンドし、半導体素子12と接続部とを電気的に接続し、(ホ)最後に図6(e)に示すように、上部の開口部を、樹脂製の蓋34で封止する。
又、(ハ)のブラスト処理後、リード11の撥水性被膜22で被覆された部分を銀や金などの金属でメッキするメッキ処理工程を(二)の工程の前に挿入することとしてもよい。
なお、リード11の製造工程を簡略化するため、撥水性被膜22は、リード11全体に形成することとしてもよい。
(2)本実施の形態及び(1)の実施の形態のように、撥水性被膜22で被覆されたリード11を用いることで、得られる効果は、撥水性被膜22が形成された領域において、樹脂バリが形成された場合においても、樹脂バリを容易にとり除けるということだけではなく、リード11における撥水性被膜22が形成された領域(以下、「被膜領域」という。)と封止樹脂との間の界面に、封止樹脂が吸湿した水分がたまるのを防止できる。
(3)本実施の形態に係る撥水性被膜22は、ヒートシンクを有する半導体装置にも利用することができる。図7は、撥水性被膜22でコーティングされたヒートシンクを有する中空樹脂封止型の半導体装置(以下、「ヒートシンク付中空半導体装置」という。)の製造過程を示す図である。以下、図7を参照して、ヒートシンク付中空半導体装置の製造方法について説明する。
上記製造工程により、製造されたヒートシンク付中空半導体装置においては、リード11の、封止樹脂で封止されていない、図7(e)の符号73で示す部分の半田付けにより、放熱基板と接合された際に、図7(e)の符号74で示す、ヒートシンクと放熱基板(不図示)との接合部に塗布される、放熱性に優れたシリコーン系等の極性を有する接着剤が、半田付け時に発生する高熱により、図7(e)の符号75で示す、撥水性被膜22で被覆された部分のヒートシンクの表面と当該表面を覆う封止樹脂との間及び図7(e)の符号76で示す撥水性被膜22で被覆された部分のリードと当該部分のリード表面を覆う封止樹脂との間に隙間が入り、それらの隙間を通って上記接合部に塗布された接着剤が毛細管現象により、接合部から半導体素子12へと流出し、半導体素子12が接着剤で汚染されるのを防ぐことができる。
上記効果は、中空樹脂封止型の半導体装置に限らず、補足(1)に記載のLED等の光半導体装置、実施の形態に記載の半導体装置10においても、同様にヒートシンクを接合して、半導体装置100におけるリード11のコーティング工程と同様に、コーティング処理を行うことにより、実現することができる。
2、11 リード
6、12 半導体素子
8、13 電気接続用ワイヤー
14、160 封止樹脂
21 金属被膜
22 撥水性被膜
31、32、100、110 金型
30、120 樹脂注入口
33 モールド樹脂
34 樹脂製の蓋
140 空気抜き口
Claims (8)
- 極性基を有する樹脂で一部が封止されるリードであって、
前記リードにおける、少なくとも前記樹脂で封止されない部分に、撥水性被膜が被覆されている
ことを特徴とするリード。 - 前記撥水性被膜は、極性基と無極性基を有する化合物から構成され、極性基が前記リードと結合するように被覆されている
ことを特徴とする請求項1記載のリード - 前記化合物は、極性基として含窒素複素環又はチオール基を有する
ことを特徴とする請求項2記載のリード。 - 前記化合物は、無極性基としてアルキル鎖又はフルオロアルキル鎖を有する
ことを特徴とする請求項2記載のリード。 - リードの一部が極性基を有する樹脂で封止されるリードの製造方法であって、
樹脂封止されないリード部分を撥水性被膜で被覆する被覆ステップ
を含むことを特徴とするリードの製造方法。 - リードの一部が極性基を有する樹脂で封止されたパッケージ部品の製造方法であって、
樹脂封止されないリード部分を撥水性被膜で被覆する被覆ステップと
前記リードの一部を前記樹脂で封止する封止ステップと、
を含むことを特徴とするパッケージ部品製造方法。 - リードの一部が極性基を有する樹脂で封止されたパッケージ部品であって、
前記リードが撥水性被膜で被覆されている
ことを特徴とするパッケージ部品。 - 半導体素子とリードの一部とが極性基を有する樹脂で封止された半導体装置であって、
前記リードが撥水性被膜で被覆されている
ことを特徴とする半導体装置。
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