JP2000299554A - 電子部品の端子の表面処理方法 - Google Patents
電子部品の端子の表面処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 端子の表面にスズまたはスズ合金のめっき膜
を形成した電子部品を長期保存しても端子のはんだ付け
性が劣化することはなく、安定したはんだ付けが行える
電子部品の端子の表面処理方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 電子部品の端子の表面にスズまたはスズ
合金のめっき膜を形成し、この形成に引き続いて直ち
に、あるいは前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成
した後、非酸化雰囲気中で処理または保管し、その後、
前記スズまたはスズ合金のめっき膜の表面にスズより貴
な金属からなる膜を形成したものである。
を形成した電子部品を長期保存しても端子のはんだ付け
性が劣化することはなく、安定したはんだ付けが行える
電子部品の端子の表面処理方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 電子部品の端子の表面にスズまたはスズ
合金のめっき膜を形成し、この形成に引き続いて直ち
に、あるいは前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成
した後、非酸化雰囲気中で処理または保管し、その後、
前記スズまたはスズ合金のめっき膜の表面にスズより貴
な金属からなる膜を形成したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器に使用
される電子部品に関するものであり、特に、電子部品の
端子の表面処理方法に関するものである。
される電子部品に関するものであり、特に、電子部品の
端子の表面処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、各種電子部品の接続用の端子
はプリント基板へのはんだ付けを容易にするために、通
常はんだめっきされて使用されてきた。しかしながら、
環境汚染に対する改善策の一つとして、鉛を使用しない
はんだの使用が推奨され、スズ単独またはスズを主体と
する低融点合金の使用が図られるようになってきた。
はプリント基板へのはんだ付けを容易にするために、通
常はんだめっきされて使用されてきた。しかしながら、
環境汚染に対する改善策の一つとして、鉛を使用しない
はんだの使用が推奨され、スズ単独またはスズを主体と
する低融点合金の使用が図られるようになってきた。
【０００３】しかしながら、上記スズまたはスズ合金を
端子めっきに使用した電子部品は、空気中で長期保存す
ることによって端子めっきの表面に強固な酸化スズの膜
を形成するため、従来のスズ−鉛合金のはんだ付けに際
して使用されてきたフラックスではその酸化膜を除去す
ることが困難であり、長期保存することによって端子の
はんだ付け性が悪くなるという問題点を有していた。
端子めっきに使用した電子部品は、空気中で長期保存す
ることによって端子めっきの表面に強固な酸化スズの膜
を形成するため、従来のスズ−鉛合金のはんだ付けに際
して使用されてきたフラックスではその酸化膜を除去す
ることが困難であり、長期保存することによって端子の
はんだ付け性が悪くなるという問題点を有していた。
【０００４】長期保存後の電子部品の端子のはんだ付け
性を改良するために高活性のフラックスを使用した場
合、プリント基板の洗浄が不十分であると、プリント基
板そのものの信頼性が劣化するという新たな課題が生じ
るため、プリント基板の洗浄、乾燥などに余分なエネル
ギを要し、環境対策上不利である。さらに昨今のフラッ
クスの無洗浄という流れにも逆らうものとなる等の課題
を有していた。そこで上記課題の解決のため、端子の表
面にニッケルメッキを施した後、貴金属をめっきする
か、あるいはスズまたはスズ合金の表面に貴金属をめっ
きする方法等が考えられている。
性を改良するために高活性のフラックスを使用した場
合、プリント基板の洗浄が不十分であると、プリント基
板そのものの信頼性が劣化するという新たな課題が生じ
るため、プリント基板の洗浄、乾燥などに余分なエネル
ギを要し、環境対策上不利である。さらに昨今のフラッ
クスの無洗浄という流れにも逆らうものとなる等の課題
を有していた。そこで上記課題の解決のため、端子の表
面にニッケルメッキを施した後、貴金属をめっきする
か、あるいはスズまたはスズ合金の表面に貴金属をめっ
きする方法等が考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電子部
品を長期保存した後でも端子に対する安定したはんだ付
け性を確保するためには、端子の表面にニッケルメッキ
を施した後、貴金属をめっきする方法ではかなり厚い貴
金属めっきを必要とし、また、スズまたはスズ合金の表
面に貴金属をめっきした場合には長期保存に際してのは
んだ付け性の改善効果にばらつきがあるというそれぞれ
の課題を有していた。
品を長期保存した後でも端子に対する安定したはんだ付
け性を確保するためには、端子の表面にニッケルメッキ
を施した後、貴金属をめっきする方法ではかなり厚い貴
金属めっきを必要とし、また、スズまたはスズ合金の表
面に貴金属をめっきした場合には長期保存に際してのは
んだ付け性の改善効果にばらつきがあるというそれぞれ
の課題を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、端子の表面にスズまたはスズ合金のめっき膜を形成
した電子部品を長期保存しても端子のはんだ付け性が劣
化することはなく、安定したはんだ付けが行える電子部
品の端子の表面処理方法を提供することを目的とするも
のである。
で、端子の表面にスズまたはスズ合金のめっき膜を形成
した電子部品を長期保存しても端子のはんだ付け性が劣
化することはなく、安定したはんだ付けが行える電子部
品の端子の表面処理方法を提供することを目的とするも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の電子部品の端子の表面処理方法は、電子部品
の端子の表面にスズまたはスズ合金のめっき膜を形成
し、この形成に引き続いて直ちに、あるいは前記スズま
たはスズ合金のめっき膜を形成した後、非酸化雰囲気中
で処理または保管し、その後、前記スズまたはスズ合金
のめっき膜の表面にスズより貴な金属からなる膜を形成
したもので、この表面処理方法によれば、端子の表面に
スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した電子部品を長
期保存しても端子のはんだ付け性が劣化することはな
く、安定したはんだ付けが行えるものである。
に本発明の電子部品の端子の表面処理方法は、電子部品
の端子の表面にスズまたはスズ合金のめっき膜を形成
し、この形成に引き続いて直ちに、あるいは前記スズま
たはスズ合金のめっき膜を形成した後、非酸化雰囲気中
で処理または保管し、その後、前記スズまたはスズ合金
のめっき膜の表面にスズより貴な金属からなる膜を形成
したもので、この表面処理方法によれば、端子の表面に
スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した電子部品を長
期保存しても端子のはんだ付け性が劣化することはな
く、安定したはんだ付けが行えるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、電子部品の端子の表面にスズまたはスズ合金のめっ
き膜を形成し、この形成に引き続いて直ちに、あるいは
前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した後、非酸
化雰囲気中で処理または保管し、その後、前記スズまた
はスズ合金のめっき膜の表面にスズより貴な金属からな
る膜を形成したもので、この表面処理方法によれば、ス
ズまたはスズ合金のめっき膜を形成した後、非酸化雰囲
気中で処理または保管し、その後、前記スズまたはスズ
合金のめっき膜の表面にスズより貴な金属からなる膜を
形成しているため、このスズより貴な金属からなる膜の
存在により、スズまたはスズ合金のめっき膜の表面の酸
化を防止することができ、かつスズより貴な金属からな
る膜の表面には通常の保存状態では酸化膜が形成されな
いため、電子部品の端子のはんだ付け性が劣化すること
はなく、安定したはんだ付けが行えるという作用を有す
るものである。
は、電子部品の端子の表面にスズまたはスズ合金のめっ
き膜を形成し、この形成に引き続いて直ちに、あるいは
前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した後、非酸
化雰囲気中で処理または保管し、その後、前記スズまた
はスズ合金のめっき膜の表面にスズより貴な金属からな
る膜を形成したもので、この表面処理方法によれば、ス
ズまたはスズ合金のめっき膜を形成した後、非酸化雰囲
気中で処理または保管し、その後、前記スズまたはスズ
合金のめっき膜の表面にスズより貴な金属からなる膜を
形成しているため、このスズより貴な金属からなる膜の
存在により、スズまたはスズ合金のめっき膜の表面の酸
化を防止することができ、かつスズより貴な金属からな
る膜の表面には通常の保存状態では酸化膜が形成されな
いため、電子部品の端子のはんだ付け性が劣化すること
はなく、安定したはんだ付けが行えるという作用を有す
るものである。
【０００９】請求項２に記載の発明は、電子部品の端子
の表面にスズまたはスズ合金のめっき膜を形成し、この
形成に引き続いて直ちに、あるいは前記スズまたはスズ
合金のめっき膜を形成した後、非酸化雰囲気中で処理ま
たは保管し、その後、前記スズまたはスズ合金のめっき
膜の表面に電解めっきまたは無電解めっきによりインジ
ウム、ビスマス、マンガン、鉄、コバルト、亜鉛から選
ばれた少なくとも１種の卑金属からなる膜を形成したも
ので、この表面処理方法によれば、スズまたはスズ合金
のめっき膜を形成した後、非酸化雰囲気中で処理または
保管し、その後、前記スズまたはスズ合金のめっき膜の
表面に電解めっきまたは無電解めっきによりインジウ
ム、ビスマス、マンガン、鉄、コバルト、亜鉛から選ば
れた少なくとも１種の卑金属からなる膜を形成している
ため、この卑金属からなる膜の存在により、スズまたは
スズ合金のめっき膜の表面の酸化を防止することがで
き、またこの卑金属からなる膜の表面は保存中に酸化さ
れるが、卑金属の酸化物は、その膜厚が薄い場合は通常
のフラックスで除去することができ、さらに前記卑金属
ははんだ溶解するため、卑金属からなる膜で表面を覆わ
れた電子部品の端子のはんだ付けも容易に行われるとい
う作用を有するものである。
の表面にスズまたはスズ合金のめっき膜を形成し、この
形成に引き続いて直ちに、あるいは前記スズまたはスズ
合金のめっき膜を形成した後、非酸化雰囲気中で処理ま
たは保管し、その後、前記スズまたはスズ合金のめっき
膜の表面に電解めっきまたは無電解めっきによりインジ
ウム、ビスマス、マンガン、鉄、コバルト、亜鉛から選
ばれた少なくとも１種の卑金属からなる膜を形成したも
ので、この表面処理方法によれば、スズまたはスズ合金
のめっき膜を形成した後、非酸化雰囲気中で処理または
保管し、その後、前記スズまたはスズ合金のめっき膜の
表面に電解めっきまたは無電解めっきによりインジウ
ム、ビスマス、マンガン、鉄、コバルト、亜鉛から選ば
れた少なくとも１種の卑金属からなる膜を形成している
ため、この卑金属からなる膜の存在により、スズまたは
スズ合金のめっき膜の表面の酸化を防止することがで
き、またこの卑金属からなる膜の表面は保存中に酸化さ
れるが、卑金属の酸化物は、その膜厚が薄い場合は通常
のフラックスで除去することができ、さらに前記卑金属
ははんだ溶解するため、卑金属からなる膜で表面を覆わ
れた電子部品の端子のはんだ付けも容易に行われるとい
う作用を有するものである。
【００１０】請求項３に記載の発明は、電子部品の端子
の表面にスズまたはスズ合金のめっき膜を形成し、この
形成に引き続いて直ちに、あるいは前記スズまたはスズ
合金のめっき膜を形成した後、このめっき膜の表面を空
気に触れることなく酸化防止機能を有する有機化合物で
処理するようにしたもので、この表面処理方法によれ
ば、スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した後、この
めっき膜の表面を空気に触れることなく酸化防止機能を
有する有機化合物で処理するようにしているため、この
有機化合物が単分子膜で前記めっき膜の表面に吸着して
酸化防止機能を発揮することになり、その結果、電子部
品の端子のはんだ付け性が酸化膜によって阻害されると
いうこともないため、安定したはんだ付けが行えるとい
う作用を有するものである。
の表面にスズまたはスズ合金のめっき膜を形成し、この
形成に引き続いて直ちに、あるいは前記スズまたはスズ
合金のめっき膜を形成した後、このめっき膜の表面を空
気に触れることなく酸化防止機能を有する有機化合物で
処理するようにしたもので、この表面処理方法によれ
ば、スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した後、この
めっき膜の表面を空気に触れることなく酸化防止機能を
有する有機化合物で処理するようにしているため、この
有機化合物が単分子膜で前記めっき膜の表面に吸着して
酸化防止機能を発揮することになり、その結果、電子部
品の端子のはんだ付け性が酸化膜によって阻害されると
いうこともないため、安定したはんだ付けが行えるとい
う作用を有するものである。
【００１１】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における電子部品の端子の表面処理方法について詳
細に説明する。
態１における電子部品の端子の表面処理方法について詳
細に説明する。
【００１２】本発明の実施の形態１における電子部品の
端子の表面処理方法は、基本的には電子部品の端子の表
面にスズまたはスズ合金のめっき膜を形成し、この形成
に引き続いて直ちに、あるいは前記スズまたはスズ合金
のめっき膜を形成した後、非酸化雰囲気中で処理または
保管し、その後、前記スズまたはスズ合金のめっき膜の
表面にスズより貴な金属からなる膜または薄い膜、ある
いは卑金属からなる薄い膜を形成したことを特徴とする
ものである。ただし、前記貴な金属からなる膜と卑金属
からなる薄い膜の作用はそれぞれ異なるものである。
端子の表面処理方法は、基本的には電子部品の端子の表
面にスズまたはスズ合金のめっき膜を形成し、この形成
に引き続いて直ちに、あるいは前記スズまたはスズ合金
のめっき膜を形成した後、非酸化雰囲気中で処理または
保管し、その後、前記スズまたはスズ合金のめっき膜の
表面にスズより貴な金属からなる膜または薄い膜、ある
いは卑金属からなる薄い膜を形成したことを特徴とする
ものである。ただし、前記貴な金属からなる膜と卑金属
からなる薄い膜の作用はそれぞれ異なるものである。
【００１３】すなわち、電子部品の端子の表面に形成し
たスズまたはスズ合金のめっき膜の表面を処理して貴な
金属からなる膜を形成した場合は、貴な金属からなる膜
がスズまたはスズ合金のめっき膜の表面の酸化を直接防
止することができ、かつスズより貴な金属からなる膜の
表面には通常の保存状態では酸化膜が形成されないた
め、電子部品の端子のはんだ付け性が劣化することはな
く、安定したはんだ付けが行えるものである。ここで使
用できるスズより貴な金属としては金、白金、パラジウ
ム、イリジウム、ロジウム、銀などがある。
たスズまたはスズ合金のめっき膜の表面を処理して貴な
金属からなる膜を形成した場合は、貴な金属からなる膜
がスズまたはスズ合金のめっき膜の表面の酸化を直接防
止することができ、かつスズより貴な金属からなる膜の
表面には通常の保存状態では酸化膜が形成されないた
め、電子部品の端子のはんだ付け性が劣化することはな
く、安定したはんだ付けが行えるものである。ここで使
用できるスズより貴な金属としては金、白金、パラジウ
ム、イリジウム、ロジウム、銀などがある。
【００１４】また上記貴な金属からなる膜以外に、電子
部品の端子に形成したスズまたはスズ合金のめっき膜の
表面にインジウム、ビスマス、マンガン、鉄、コバル
ト、亜鉛から選ばれた少なくとも１種の卑金属からなる
薄い膜を形成しても良いもので、この場合は、スズまた
はスズ合金のめっき膜の表面に形成された卑金属からな
る薄い膜が前記めっき膜の表面の酸化を防止する点は貴
な金属からなる膜を形成した場合と同様であるが、貴な
金属からなる膜を形成したものと異なる点は、前記めっ
き膜の表面に形成された卑金属からなる薄い膜の表面が
保存中に酸化されることである。これらの卑金属の酸化
物は、その膜厚が薄い場合は通常のフラックスで除去す
ることができ、さらに前記卑金属ははんだに溶解するた
め、上記卑金属からなる薄い膜で表面を覆われた電子部
品の端子のはんだ付けも容易に行われるものである。
部品の端子に形成したスズまたはスズ合金のめっき膜の
表面にインジウム、ビスマス、マンガン、鉄、コバル
ト、亜鉛から選ばれた少なくとも１種の卑金属からなる
薄い膜を形成しても良いもので、この場合は、スズまた
はスズ合金のめっき膜の表面に形成された卑金属からな
る薄い膜が前記めっき膜の表面の酸化を防止する点は貴
な金属からなる膜を形成した場合と同様であるが、貴な
金属からなる膜を形成したものと異なる点は、前記めっ
き膜の表面に形成された卑金属からなる薄い膜の表面が
保存中に酸化されることである。これらの卑金属の酸化
物は、その膜厚が薄い場合は通常のフラックスで除去す
ることができ、さらに前記卑金属ははんだに溶解するた
め、上記卑金属からなる薄い膜で表面を覆われた電子部
品の端子のはんだ付けも容易に行われるものである。
【００１５】本発明の実施の形態１においては、電子部
品の端子の表面に形成したスズまたはスズ合金のめっき
膜の表面に金属からなる膜を形成する場合、前記スズま
たはスズ合金のめっき膜の形成に引き続いて直ちに、あ
るいは前記めっき膜を形成した後、非酸化雰囲気中で処
理または保管し、その後、上記表面処理用の金属からな
る膜を形成することが重要である。
品の端子の表面に形成したスズまたはスズ合金のめっき
膜の表面に金属からなる膜を形成する場合、前記スズま
たはスズ合金のめっき膜の形成に引き続いて直ちに、あ
るいは前記めっき膜を形成した後、非酸化雰囲気中で処
理または保管し、その後、上記表面処理用の金属からな
る膜を形成することが重要である。
【００１６】すなわち、前記スズまたはスズ合金のめっ
き膜を形成した後、電子部品の端子が空気中に一旦保存
されると、前記めっき膜の表面に酸化スズ膜が形成され
ることになり、その後の酸洗い処理などを行っても前記
酸化スズ膜を効果的に除去することは困難となる。この
ため、外見上電子部品の端子が表面処理されたように見
えて初期のはんだ付け性が良好でも、長期保存後、信頼
性試験後などにおいては、はんだ濡れ性が悪化するもの
である。
き膜を形成した後、電子部品の端子が空気中に一旦保存
されると、前記めっき膜の表面に酸化スズ膜が形成され
ることになり、その後の酸洗い処理などを行っても前記
酸化スズ膜を効果的に除去することは困難となる。この
ため、外見上電子部品の端子が表面処理されたように見
えて初期のはんだ付け性が良好でも、長期保存後、信頼
性試験後などにおいては、はんだ濡れ性が悪化するもの
である。
【００１７】前記酸化スズ膜が形成されないようにする
ための手段としては、前記スズまたはスズ合金のめっき
膜形成作業に引き続いて、直ちに被処理物である電子部
品を処理溶液に投入する方法、または窒素雰囲気などの
非酸化雰囲気でめっき媒体等のめっき補助材との分離、
乾燥、保管などのプロセス処理を行う方法などがある。
ための手段としては、前記スズまたはスズ合金のめっき
膜形成作業に引き続いて、直ちに被処理物である電子部
品を処理溶液に投入する方法、または窒素雰囲気などの
非酸化雰囲気でめっき媒体等のめっき補助材との分離、
乾燥、保管などのプロセス処理を行う方法などがある。
【００１８】スズまたはスズ合金のめっき膜の表面にス
ズより貴な金属からなる膜を形成する方法としては、無
電解めっき法、電解めっき法または真空めっき法等、各
種公知の金属着膜プロセスを採用することにより形成す
ることができる。
ズより貴な金属からなる膜を形成する方法としては、無
電解めっき法、電解めっき法または真空めっき法等、各
種公知の金属着膜プロセスを採用することにより形成す
ることができる。
【００１９】上記各種プロセスの中でも、電子部品のよ
うに同時に多数の電子部品の処理を必要とする場合は、
貴金属イオンを含んだ溶液に被処理物を浸漬して表面の
スズ原子と貴金属イオンとを交換する置換めっき法が最
も効率的である。置換めっき法以外にも、通常の電解め
っき法によりスズより貴な金属からなる膜を形成できる
のは当然のことである。貴金属で表面処理する場合の貴
金属の膜厚は０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０
５μｍ以上あることが好ましい。膜厚が０．０１μｍ以
下であると、置換めっき法でも貴金属膜が連続膜となら
ないため、スズまたはスズ合金のめっき膜の保護効果が
なくなる。
うに同時に多数の電子部品の処理を必要とする場合は、
貴金属イオンを含んだ溶液に被処理物を浸漬して表面の
スズ原子と貴金属イオンとを交換する置換めっき法が最
も効率的である。置換めっき法以外にも、通常の電解め
っき法によりスズより貴な金属からなる膜を形成できる
のは当然のことである。貴金属で表面処理する場合の貴
金属の膜厚は０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０
５μｍ以上あることが好ましい。膜厚が０．０１μｍ以
下であると、置換めっき法でも貴金属膜が連続膜となら
ないため、スズまたはスズ合金のめっき膜の保護効果が
なくなる。
【００２０】また腐食が予期されるような特殊な環境下
での保存信頼性を確保する必要がある特殊な用途の場合
は電解めっき法で貴金属の膜厚を厚くすることが有効で
ある。ただし、一般的には、厚膜の貴金属の使用は材料
コストが上昇するため、好ましいものではない。
での保存信頼性を確保する必要がある特殊な用途の場合
は電解めっき法で貴金属の膜厚を厚くすることが有効で
ある。ただし、一般的には、厚膜の貴金属の使用は材料
コストが上昇するため、好ましいものではない。
【００２１】一方、価格的な観点からは、スズまたはス
ズ合金のめっき膜を形成した電子部品の端子の表面処理
方法としてインジウム、ビスマス、マンガン、鉄、コバ
ルト、亜鉛から選ばれた少なくとも１種の卑金属からな
る薄い膜で端子の表面処理をすることが好ましい。これ
らの卑金属の中ではインジウムとビスマスがスズより貴
であり、水溶液などで置換めっきすることができる。一
方、マンガン、鉄、コバルト、亜鉛の場合はスズより卑
であるため、置換めっきは不可能であり、電解めっきに
より表面処理することが必要である。
ズ合金のめっき膜を形成した電子部品の端子の表面処理
方法としてインジウム、ビスマス、マンガン、鉄、コバ
ルト、亜鉛から選ばれた少なくとも１種の卑金属からな
る薄い膜で端子の表面処理をすることが好ましい。これ
らの卑金属の中ではインジウムとビスマスがスズより貴
であり、水溶液などで置換めっきすることができる。一
方、マンガン、鉄、コバルト、亜鉛の場合はスズより卑
であるため、置換めっきは不可能であり、電解めっきに
より表面処理することが必要である。
【００２２】これらの卑金属を表面処理膜として使用す
る場合は、その膜厚は薄い方が好ましい。卑金属の膜厚
が厚い場合は酸化膜が厚くなり、通常のフラックス工程
では酸化膜の除去が困難となり、はんだ付け性が不良に
なる。このため、卑金属からなる膜の厚さは３μｍ以
下、好ましくは１μｍ以下である。ただし、フラックス
による酸化膜除去工程の時間を延長すれば、さらに厚い
膜でも使用可能となる。
る場合は、その膜厚は薄い方が好ましい。卑金属の膜厚
が厚い場合は酸化膜が厚くなり、通常のフラックス工程
では酸化膜の除去が困難となり、はんだ付け性が不良に
なる。このため、卑金属からなる膜の厚さは３μｍ以
下、好ましくは１μｍ以下である。ただし、フラックス
による酸化膜除去工程の時間を延長すれば、さらに厚い
膜でも使用可能となる。
【００２３】一方、貴金属で表面処理する場合と同様
に、卑金属の膜厚が薄すぎるとスズまたはスズ合金のめ
っき膜に対する保護効果がなくなるため、最低の膜厚と
して０．１μｍ、好ましくは０．５μｍは必要である。
に、卑金属の膜厚が薄すぎるとスズまたはスズ合金のめ
っき膜に対する保護効果がなくなるため、最低の膜厚と
して０．１μｍ、好ましくは０．５μｍは必要である。
【００２４】（実施の形態２）長期にわたって保存され
たスズまたはスズの合金のめっき膜を形成した電子部品
の端子のはんだ付けを容易にするための他の手段として
は、前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した後、
このめっき膜の表面を空気に触れることなく酸化防止機
能を有する有機化合物で処理することが効果的である。
たスズまたはスズの合金のめっき膜を形成した電子部品
の端子のはんだ付けを容易にするための他の手段として
は、前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した後、
このめっき膜の表面を空気に触れることなく酸化防止機
能を有する有機化合物で処理することが効果的である。
【００２５】酸化防止機能を有する有機化合物の一つと
してベンゾトリアゾール、トリアジンチオールなどに代
表されるトリアジン誘導体がある。これらの有機化合物
は単分子膜で金属の表面に吸着して酸化防止機能を発揮
することが知られ、銅の表面処理剤として使用されてい
る。トリアジン誘導体はスズまたはスズ合金のめっき膜
を形成した電子部品の端子の表面処理にも使用すること
ができる。単分子膜で金属の表面に吸着したトリアジン
誘導体は電子部品の端子のはんだ付け性を阻害すること
もなく、スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した電子
部品の端子の表面処理に好都合である。
してベンゾトリアゾール、トリアジンチオールなどに代
表されるトリアジン誘導体がある。これらの有機化合物
は単分子膜で金属の表面に吸着して酸化防止機能を発揮
することが知られ、銅の表面処理剤として使用されてい
る。トリアジン誘導体はスズまたはスズ合金のめっき膜
を形成した電子部品の端子の表面処理にも使用すること
ができる。単分子膜で金属の表面に吸着したトリアジン
誘導体は電子部品の端子のはんだ付け性を阻害すること
もなく、スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した電子
部品の端子の表面処理に好都合である。
【００２６】電子部品の端子の表面処理方法としては、
トリアジン誘導体を水、アルコールなどの溶剤に溶解し
た溶液に電子部品全体をディップし、溶液を濾過、遠心
分離などの手段で分離した後、乾燥することにより、ス
ズまたはスズ合金のめっき膜を形成した電子部品の端子
の表面を処理することができる。
トリアジン誘導体を水、アルコールなどの溶剤に溶解し
た溶液に電子部品全体をディップし、溶液を濾過、遠心
分離などの手段で分離した後、乾燥することにより、ス
ズまたはスズ合金のめっき膜を形成した電子部品の端子
の表面を処理することができる。
【００２７】トリアジン誘導体と同様の作用を有する有
機化合物としては、高級飽和脂肪酸またはそのエステル
がある。これらの有機化合物もトリアジン誘導体の場合
と同様にスズまたはスズ合金のめっき膜の表面に吸着す
るもので、この有機化合物を炭化水素系やエステル系溶
剤等に溶解した溶液に電子部品全体をディップし、溶液
を濾過、遠心分離などの手段で分離した後、乾燥するこ
とによりスズまたはスズ合金のめっき膜を形成した電子
部品の端子表面を処理することができる。
機化合物としては、高級飽和脂肪酸またはそのエステル
がある。これらの有機化合物もトリアジン誘導体の場合
と同様にスズまたはスズ合金のめっき膜の表面に吸着す
るもので、この有機化合物を炭化水素系やエステル系溶
剤等に溶解した溶液に電子部品全体をディップし、溶液
を濾過、遠心分離などの手段で分離した後、乾燥するこ
とによりスズまたはスズ合金のめっき膜を形成した電子
部品の端子表面を処理することができる。
【００２８】高級飽和脂肪酸またはそのエステルによる
表面処理の特徴は、スズまたはスズ合金のめっき膜を形
成した電子部品の端子の表面に高級飽和脂肪酸またはそ
のエステルの単分子膜が形成されるだけでなく、電子部
品の表面全体に高級飽和脂肪酸またはそのエステルの薄
い膜が形成されることである。高級飽和脂肪酸またはそ
のエステルははんだ付け時の熱で溶解するため、たとえ
高級飽和脂肪酸またはそのエステルの膜が厚く形成され
ても電子部品の端子のはんだ付けに際して障害になるこ
とはない。
表面処理の特徴は、スズまたはスズ合金のめっき膜を形
成した電子部品の端子の表面に高級飽和脂肪酸またはそ
のエステルの単分子膜が形成されるだけでなく、電子部
品の表面全体に高級飽和脂肪酸またはそのエステルの薄
い膜が形成されることである。高級飽和脂肪酸またはそ
のエステルははんだ付け時の熱で溶解するため、たとえ
高級飽和脂肪酸またはそのエステルの膜が厚く形成され
ても電子部品の端子のはんだ付けに際して障害になるこ
とはない。
【００２９】むしろ、高級飽和脂肪酸ははんだ付けの温
度で金属表面の酸化物と反応して金属表面の酸化物を高
級飽和脂肪酸の内部に溶解し、新鮮な金属表面を露出さ
せる機能があるため、その使用ははんだ付けには好適で
ある。さらに、高級飽和脂肪酸またはそのエステルは高
絶縁性でかつ水分の吸収性が小さいため、電子部品の表
面に残存しても当該電子部品を使用した機器の保存、使
用に際して水分吸着による表面絶縁性の低下や電極間の
イオンマイグレーションを防ぐ効果も有するものであ
る。
度で金属表面の酸化物と反応して金属表面の酸化物を高
級飽和脂肪酸の内部に溶解し、新鮮な金属表面を露出さ
せる機能があるため、その使用ははんだ付けには好適で
ある。さらに、高級飽和脂肪酸またはそのエステルは高
絶縁性でかつ水分の吸収性が小さいため、電子部品の表
面に残存しても当該電子部品を使用した機器の保存、使
用に際して水分吸着による表面絶縁性の低下や電極間の
イオンマイグレーションを防ぐ効果も有するものであ
る。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明の電子部品の端子の
表面処理方法は、電子部品の端子の表面にスズまたはス
ズ合金のめっき膜を形成し、この形成に引き続いて直ち
に、あるいは前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成
した後、非酸化雰囲気中で処理または保管し、その後、
前記スズまたはスズ合金のめっき膜の表面にスズより貴
な金属からなる膜を形成したもので、この表面処理方法
によれば、スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した
後、非酸化雰囲気中で処理または保管し、その後、前記
スズまたはスズ合金のめっき膜の表面にスズより貴な金
属からなる膜を形成しているため、このスズより貴な金
属からなる膜の存在により、スズまたはスズ合金のめっ
き膜の表面の酸化を防止することができ、かつスズより
貴な金属からなる膜の表面には通常の保存状態では酸化
膜が形成されないため、電子部品の端子のはんだ付け性
が劣化することはなく、安定したはんだ付けが行えると
いう効果を有するものである。
表面処理方法は、電子部品の端子の表面にスズまたはス
ズ合金のめっき膜を形成し、この形成に引き続いて直ち
に、あるいは前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成
した後、非酸化雰囲気中で処理または保管し、その後、
前記スズまたはスズ合金のめっき膜の表面にスズより貴
な金属からなる膜を形成したもので、この表面処理方法
によれば、スズまたはスズ合金のめっき膜を形成した
後、非酸化雰囲気中で処理または保管し、その後、前記
スズまたはスズ合金のめっき膜の表面にスズより貴な金
属からなる膜を形成しているため、このスズより貴な金
属からなる膜の存在により、スズまたはスズ合金のめっ
き膜の表面の酸化を防止することができ、かつスズより
貴な金属からなる膜の表面には通常の保存状態では酸化
膜が形成されないため、電子部品の端子のはんだ付け性
が劣化することはなく、安定したはんだ付けが行えると
いう効果を有するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｄ Ｆターム(参考） 4K024 AA01 AA03 AA04 AA05 AB02 BA01 BB12 BB13 BC10 DA10 GA14 4K044 AA01 AB10 BA01 BA04 BA06 BA08 BA10 BA21 BB03 BB04 BB05 BC08 CA15 CA18 CA53 5E319 AC01 BB01 CD26 GG03 5F067 AA13 DC12 DC17 DC18
Claims (3)
- 【請求項１】 電子部品の端子の表面にスズまたはスズ
合金のめっき膜を形成し、この形成に引き続いて直ち
に、あるいは前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成
した後、非酸化雰囲気中で処理または保管し、その後、
前記スズまたはスズ合金のめっき膜の表面にスズより貴
な金属からなる膜を形成したことを特徴とする電子部品
の端子の表面処理方法。 - 【請求項２】 電子部品の端子の表面にスズまたはスズ
合金のめっき膜を形成し、この形成に引き続いて直ち
に、あるいは前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成
した後、非酸化雰囲気中で処理または保管し、その後、
前記スズまたはスズ合金のめっき膜の表面に電解めっき
または無電解めっきによりインジウム、ビスマス、マン
ガン、鉄、コバルト、亜鉛から選ばれた少なくとも１種
の卑金属からなる膜を形成したことを特徴とする電子部
品の端子の表面処理方法。 - 【請求項３】 電子部品の端子の表面にスズまたはスズ
合金のめっき膜を形成し、この形成に引き続いて直ち
に、あるいは前記スズまたはスズ合金のめっき膜を形成
した後、このめっき膜の表面を空気に触れることなく酸
化防止機能を有する有機化合物で処理するようにしたこ
とを特徴とする電子部品の端子の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10359699A JP2000299554A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | 電子部品の端子の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10359699A JP2000299554A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | 電子部品の端子の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299554A true JP2000299554A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=14358158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10359699A Pending JP2000299554A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | 電子部品の端子の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000299554A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095428A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2007258490A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リード、リードの製造方法、パッケージ部品、パッケージ部品の製造方法、半導体装置 |
| EP2992553A4 (en) * | 2013-05-03 | 2017-03-08 | Honeywell International Inc. | Lead frame construct for lead-free solder connections |
-
1999
- 1999-04-12 JP JP10359699A patent/JP2000299554A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095428A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2007258490A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リード、リードの製造方法、パッケージ部品、パッケージ部品の製造方法、半導体装置 |
| EP2992553A4 (en) * | 2013-05-03 | 2017-03-08 | Honeywell International Inc. | Lead frame construct for lead-free solder connections |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080219 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20080416 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080520 |