JPS60231344A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPS60231344A
JPS60231344A JP59086263A JP8626384A JPS60231344A JP S60231344 A JPS60231344 A JP S60231344A JP 59086263 A JP59086263 A JP 59086263A JP 8626384 A JP8626384 A JP 8626384A JP S60231344 A JPS60231344 A JP S60231344A
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JP
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semiconductor device
resin
lead
outer lead
metal layer
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Takashi Uchida
喬 内田
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するも
のであり、更に詳細には、従来の樹脂封１ト型半導体装
置よりも耐湿性が高く、かつリード半田付は性のよい樹
脂封止型半導体装置の製造方法に関覆るものである。
［発明の技術的背珀１ 樹脂封止型半導体装置は、他の封止形式の半導体装置よ
りも低コストで製造できるため現在では半導体装置の主
流となっているが、仙の気密封１ト型の半導体装置にく
らべて耐湿性の而で劣っているという欠点があった。　
それ故、この欠点を是正するために従来、封止樹脂の改
良や組立技術の改良及び半導体チップに対するパッシベ
ーションの改善などが図られでおり、その結宋、現在の
樹脂封止型半導体装置の耐湿性は他の封止形式の半導体
装置にくらべて著しく見劣りすることがない程に改善さ
れている。　しかしながら、現在の樹脂封止型半導体装
置には以下のごとき問題点があるため、気密封止型の半
導体装『ｑにくらべてまだ劣っており、また、耐湿性以
外の点においても改善すべき問題点を有している。
［背景技術の問題点］ 現右の樹脂」ζ１．ＬＩ−型半導体装置には次のような
問題点があった。
（ｉ＞　樹脂Ｊ・ｌ止を半導体装置ではＪ：＜知られＣ
いるＪζうにリードが樹脂モールド部の中を通って外部
に引き出され′（いる。　それ故、樹脂モールド部の成
型後の冷却過程において樹脂どリードの収縮率の相ｙシ
により該リードと樹脂との相互の接着が剥がれて樹脂モ
ールド部の中に微細な空隙もしくは亀裂が生じると、こ
の亀裂もしくは空隙はリードに沿つ゛Ｃ樹脂モールド部
の表面にまで達するため、人気中の水分がこの空隙もし
くは亀裂に沿って樹脂モールド部の中に侵入して該半導
体装置の絶縁ｔ’ｌを低下さ−けたり、あるいは該半導
体装置の電極前ＦＡ　Ｔ”あるＡ１を腐食させる等の事
態を牛じやすい。
（ｉｉ）　＠近では電子装置の自動組立化が進展し、こ
れに伴なって半導体装置もはんだ付けが容易に（ｊえる
ようにアウターリードにはんだ付は容易なＳＯもしくし
５ｎ−Ｐｂ合金の電気めっきが施されているが、めっき
浴中に存在する有機物添加剤の影響によってめっき層の
中に多甲の有機物が吸着されるため、３１１ｒｎｌｎＨ
程でめっき層中のイ１（履物が熱分解し、逆にはんだ付
着性の低下を１７１＜どいつ結果どなっていｌζ、。
［発明σ月−］的］ この発明の目的は、前記のごどさ現τξの軽減を図り、
従来の半導体装置Ｊ、りも耐湿性が高く、［１つはんだ
付は性のよい、改良された樹脂１（４１型゛１２導体装
置の製造り法を提供することである。
［発明の概要］ この発明により改１〕された樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、アウターリードの整形及びめっきを終了した
半導体装置をめっき金属の溶融温度よりも高い温度に保
持した撥水性及び゛上気絶縁性に優れる油状物質の加熱
浴中に浸漬して該めっぎ金属を溶融するとともに封止樹
脂モールド部表面の亀裂等に該油状物質を浸透且つ充填
させた後、アウターリード表面の該油状物質を洗浄する
ことにより該油状物質の薄層をアウターリード表面に形
成させるとともに樹脂モールド部内のインナーリード周
囲の空隙等に浸透した該油状物質は残存さｌることを特
徴とり−る。
［発明の実施例］ 以下に図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
本発明の実施に先立って先ず、以下のごとき公知の方法
て・樹脂封１Ｆ型半導体装置を製作する。
すなわノラ、鉄製もしくは銅製のリードフレームのチッ
プ取付はベッド上に公知の方法で半導体チップをダイボ
ンディングにより固定した後、該半導体チップ上の電極
パッドと該リードフレームのリードとの間にボンディン
グワイヤを公知のワイヤボンディング方法で接続し、更
に該リードの内周縁側の部分と該チップ取付はベッドと
にわたって該リードフレームの−Ｌ下両面側から樹脂を
トランスファモールドプレスによって成形することによ
り樹脂モールド部を形成する。　次にリードフレームの
不要部分を切断するとともにリードフレームを各樹脂モ
ールド部毎に分割することにより、樹脂モールド部とア
ウターリードとを右する樹脂５− 封１型半導体装向が得られる。　この樹脂Ｊ４止型半導
体装置のアウターリードを下向きに直角に屈曲整形した
後、該アウターリードにめつぎｎテ１処理を施し、更に
Ｓｎまたは５ｎ−Ｐｂ合金を電気めっきする。　（以上
が従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法であり、本発
明の半導体装置は更に以下のごとき本発明の実施するこ
とによって完成する。） 第２図は以下のごとき公知の■稈を終了した状態の従来
の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
同図において、１は半導体チップ、２は半導体チップ１
を固着しくあるチップ取付【ノベッド、３はインナーリ
ード、４はアウターリード、５はボンディングワイ〜ｔ
、６４：ｔ：樹脂モールド部、７はアウターリード４の
表面に被るされため−）き金属層である。
第２図のごとぎ従来の樹脂封止型半導体装置においては
前記したように、樹脂モールド部６の成形後に該樹脂モ
ールド部６内にインノーリード３に沿って微細の亀裂６
ａが生じていることが多い。
６− 本発明のＰＡ脂封止型半導体装置は第２図の半導体駅間
に対して更に以下のごどぎ本発明の方法を実施りろこと
によって製造される。
本発明の方法では先ず、第２図のごとき半導体駅間を撥
水性及び電気絶縁性並びに耐蝕性に富む油状物質の加熱
浴〈たとえば、２３０℃に加熱したシリ」−ンＡイル浴
）中に数秒間浸漬覆ることにより該油状物質（シリコー
ンオイル）を樹脂モールド部６の表面の亀裂６８等に浸
透させると同時にアウターリード４の表面のめっき金ｍ
層７を溶融さＵろことにより該めっき金属層内の有機物
の分解と析出を促進さぼる。
次に該加熱浴中から該半導体装置を引き上げた後、数分
間放冷し、更に適当な有機溶剤（たとえば１−リフ［］
−］ル］−ヂ１ノンの冷浴で洗浄し−（アウターリード
４の表面のシリコーンオイルの薄膜の厚さを調整覆る。
　この渋好操作により、めっき金属層７の表面のシリコ
ーンオイルの薄膜の厚さを調整するどどもに該めっき金
属層７の表面の析出有機物等を除去づる。
以上のごとき本発明の方法を実施りると、第１図のごと
き本発明の半導体駅間が得られる。
（第１図において、第２図と同−Ｆｌ　＞づで表ボされ
ている部分は第１図の半導体駅間と同じ部分を示す。） 本発明の樹脂封止型半導体装置では樹脂モールド部６内
の亀裂６ａ　（第２図）等に前記油状物質（たとえばシ
リコーンオイル）が充１眞８されており、またアウター
リード４の表面のめつき金属層７上にも該物質の極く薄
い被ＰＩ’Ａが残留【ノー（いる。
［発明の効果１ 前記のごとき構造の本発明の樹脂月１１型２１′ｉ９’
体装置と従来の樹脂封止Ｗす半り体製『１とに対しく同
一条件で高温高湿試験（温度６０℃、と后！１良τ）０
％）を実施して結果を比較したところ、本発明の半導体
装置は従来の半導体装置に対して　２　＝−３（０も高
い耐湿性を有していることがわかった。
なお、電気特性測定時のリード接触抵抗も油状物質薄膜
の存在にもかかわかず何の影響もｌ＞かった。
また、バーンインプロセスを経た後においても、従来品
よりはｌυだ付着性の低下が少く、従って、従来品Ｊ、
りもはんだ付けが容易であるとともに撥水性オイルの残
存によりはんだ付着性の劣化が少なく高い信頼性を維持
することがわかった。
以上のように、本発明によれば、従来の樹脂封止型半導
体装置よりも耐湿性及び信頼性が高く、且つ、はんだ付
けが容易で自動組立てに適した樹脂封止型半導体装置の
製造方法が提供される。
なお、前記実施例では、樹脂モールド部の空隙等に浸透
させる油状物質としてシリコーンオイルを用いたが、こ
れ以外の油状物質を用いてもよいことは当然である。　
また、加熱浴の温度をめっき金属との相対的関係によっ
て自由に選択できることは当然である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にＪ：る樹脂封止型半導体装置の断面図
、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である
。 １・・・半導体チップ、　２・・・チップ取付はベッド
、９− ３・・・インナーリード、４・・・アウターリード、５
・・・ボンディングワイヤ、　６・・・樹脂モールド部
、６ａ・・・亀裂もしくは空隙、　７・・・めっき金属
層、８・・・被膜。 １０−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １　アウターリードの表面にＳ「１若しくは３ｎ−Ｐｂ
    合金の電気めっき層を施した樹脂封止型半導体装置を該
    めっき金属の溶融温度よりも高い温度に保った撥水性及
    び電気絶縁性に優れる油状物質の加熱浴中に浸漬するこ
    とにより、該めっき金属を溶融させるとともに封止樹脂
    モールド部表面に関口する亀裂等に該油状物質を浸透さ
    せる工程と、該加熱浴中がら該半導体装置を引ぎ上げた
    後に溶剤で洗浄することにより該アウターリードの表面
    に付着した該油状物質の厚さを調整する工程とを含む樹
    脂封止型半導体装置の製造方法。
JP59086263A 1984-05-01 1984-05-01 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPS60231344A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258490A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd リード、リードの製造方法、パッケージ部品、パッケージ部品の製造方法、半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258490A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd リード、リードの製造方法、パッケージ部品、パッケージ部品の製造方法、半導体装置

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