JP2007258481A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トランジスタを覆うBPSG膜8を形成する。次に、BPSG膜8上にBPSG膜9を形成する。BPSG膜8中のB濃度は、BPSG膜9中のB濃度の5倍程度高いものとする。次いで、ゲート電極を境にしてBPSG8膜をソース拡散層41側の部分とドレイン拡散層42側の部分とに分離する。その後、BPSG膜8及び9にソース拡散層41まで到達するコンタクトホール21を形成する。続いて、コンタクトホール21に露出しているBPSG膜8を等方性エッチングにより除去することにより、ソース拡散層41とBPSG膜42との間に空洞部を形成する。そして、空洞部内にTiN等からなるバリアメタル膜12を形成する。
【選択図】図1I
Description
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成された不純物拡散層と、
前記不純物拡散層をソース拡散層又はドレイン拡散層とする複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に形成され、前記不純物拡散層に接するコンタクトプラグと、
前記不純物拡散層上に形成され、前記コンタクトプラグを構成する材料と同一の材料から構成された導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
前記導電膜は、TiN膜であることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記層間絶縁膜は、BPSG膜であることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置。
前記ソース拡散層及びドレイン拡散層上にシリサイド層が存在しないことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記複数のトランジスタは、フラッシュメモリのメモリセルを構成することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
半導体基板の表面に、ゲート電極、第1の不純物拡散層及び第2の不純物拡散層を備えたトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタを覆う第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極を境にして前記第1の絶縁膜を前記第1の不純物拡散層側の部分と前記第2の不純物拡散層側の部分とに分離する工程と、
前記第1及び第2の絶縁膜に前記第1の不純物拡散層まで到達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールに露出している第1の絶縁膜を除去することにより、前記第1の不純物拡散層と前記第2の絶縁膜との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に導電膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記トランジスタを形成する工程は、前記第1の不純物拡散層を共有する複数のトランジスタを形成する工程を有することを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1の絶縁膜を分離する工程は、熱処理により前記第1の絶縁膜をリフローする工程を有することを特徴とする付記6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1の絶縁膜として、第1のBPSG膜を形成し、
前記第2の絶縁膜として、前記第1のBPSG膜よりもB濃度が高い第2のBPSG膜を形成することを特徴とする付記6乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2のBPSG膜のB濃度は、前記第1のBPSG膜のB濃度の5倍以上であることを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
前記空洞部を形成する工程は、前記第1の絶縁膜に対して等方性エッチングを行う工程を有することを特徴とする付記6乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記導電膜をCVD法により形成することを特徴とする付記6乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記導電膜として、TiN膜を形成することを特徴とする付記6乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記導電膜を形成する工程は、前記コンタクトホールの側面にバリアメタル膜を形成する工程を有することを特徴とする付記6乃至13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記バリアメタル膜を形成する工程の後に、前記コンタクトホール内に導電材料を埋め込む工程と有することを特徴とする付記14に記載の半導体装置の製造方法。
半導体基板の表面に、ゲート絶縁膜、ゲート電極、第1の不純物拡散層及び第2の不純物拡散層を備えたトランジスタを形成する工程と、
前記第1の不純物拡散層上に前記第2の不純物拡散層から離間した第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記トランジスタ及び第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1及び第2の絶縁膜に前記第1の不純物拡散層まで到達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールに露出している第1の絶縁膜を除去することにより、前記第1の不純物拡散層と前記第2の絶縁膜との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に導電膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記トランジスタを形成する工程は、前記第1の不純物拡散層を共有する複数のトランジスタを形成する工程を有することを特徴とする付記16に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1の絶縁膜を形成する工程は、
全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極が露出するまで前記第1の絶縁膜を研磨することにより、前記ゲート電極を境にして前記第1の絶縁膜を前記第1の不純物拡散層側の部分と前記第2の不純物拡散層側の部分とに分離する工程と、
を有することを特徴とする付記16又は17に記載の半導体装置の製造方法。
前記空洞部を形成する工程は、前記第1の絶縁膜に対して等方性エッチングを行う工程を有することを特徴とする付記16乃至18のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記導電膜をCVD法により形成することを特徴とする付記16乃至19のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
2:素子分離絶縁膜
3:トンネル絶縁膜
4:フローティングゲート
5:絶縁膜
6:コントロールゲート
7:サイドウォール
8、9:BPSG膜
10:層間絶縁膜
12:バリアメタル膜
13:W膜
14:コンタクトプラグ
15:コンタクトパッド
16:層間絶縁膜
17:コンタクトプラグ
18:ビット線
19:コンタクトプラグ
20:配線
21、22:コンタクトホール
41:ソース拡散層
42:ドレイン拡散層
Claims (10)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成された不純物拡散層と、
前記不純物拡散層をソース拡散層又はドレイン拡散層とする複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に形成され、前記不純物拡散層に接するコンタクトプラグと、
前記不純物拡散層上に形成され、前記コンタクトプラグを構成する材料と同一の材料から構成された導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記導電膜は、TiN膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数のトランジスタは、フラッシュメモリのメモリセルを構成することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の表面に、ゲート電極、第1の不純物拡散層及び第2の不純物拡散層を備えたトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタを覆う第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極を境にして前記第1の絶縁膜を前記第1の不純物拡散層側の部分と前記第2の不純物拡散層側の部分とに分離する工程と、
前記第1及び第2の絶縁膜に前記第1の不純物拡散層まで到達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールに露出している第1の絶縁膜を除去することにより、前記第1の不純物拡散層と前記第2の絶縁膜との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に導電膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記トランジスタを形成する工程は、前記第1の不純物拡散層を共有する複数のトランジスタを形成する工程を有することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜を分離する工程は、熱処理により前記第1の絶縁膜をリフローする工程を有することを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜として、第1のBPSG膜を形成し、
前記第2の絶縁膜として、前記第1のBPSG膜よりもB濃度が低い第2のBPSG膜を形成することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1のBPSG膜のB濃度は、前記第2のBPSG膜のB濃度の5倍以上であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記空洞部を形成する工程は、前記第1の絶縁膜に対して等方性エッチングを行う工程を有することを特徴とする請求項4乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電膜をCVD法により形成することを特徴とする請求項4乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001127151A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
US2767126A (en) * | 1953-03-23 | 1956-10-16 | Gulf Research Development Co | Catalytic cracking process and apparatus |
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US4874503A (en) * | 1988-01-15 | 1989-10-17 | Mobil Oil Corporation | Multiple riser fluidized catalytic cracking process employing a mixed catalyst |
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US6156189A (en) * | 1998-04-28 | 2000-12-05 | Exxon Research And Engineering Company | Operating method for fluid catalytic cracking involving alternating feed injection |
US6340613B1 (en) * | 1998-11-12 | 2002-01-22 | Micron Technology, Inc. | Structural integrity enhancement of dielectric films |
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---|---|---|---|---|
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JP2004266082A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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