JP2007258440A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007258440A5
JP2007258440A5 JP2006080846A JP2006080846A JP2007258440A5 JP 2007258440 A5 JP2007258440 A5 JP 2007258440A5 JP 2006080846 A JP2006080846 A JP 2006080846A JP 2006080846 A JP2006080846 A JP 2006080846A JP 2007258440 A5 JP2007258440 A5 JP 2007258440A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
processing method
plasma processing
etching
reaction gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006080846A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007258440A (ja
JP4782596B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006080846A priority Critical patent/JP4782596B2/ja
Priority claimed from JP2006080846A external-priority patent/JP4782596B2/ja
Publication of JP2007258440A publication Critical patent/JP2007258440A/ja
Publication of JP2007258440A5 publication Critical patent/JP2007258440A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4782596B2 publication Critical patent/JP4782596B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2006080846A 2006-03-23 2006-03-23 プラズマ処理方法 Active JP4782596B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006080846A JP4782596B2 (ja) 2006-03-23 2006-03-23 プラズマ処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006080846A JP4782596B2 (ja) 2006-03-23 2006-03-23 プラズマ処理方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010287570A Division JP5259691B2 (ja) 2010-12-24 2010-12-24 プラズマ処理方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007258440A JP2007258440A (ja) 2007-10-04
JP2007258440A5 true JP2007258440A5 (enExample) 2009-02-26
JP4782596B2 JP4782596B2 (ja) 2011-09-28

Family

ID=38632378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006080846A Active JP4782596B2 (ja) 2006-03-23 2006-03-23 プラズマ処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4782596B2 (enExample)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060541A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Korea Electronics Telecommun Ｇｓｔカルコゲニドパターンを備える相変化メモリ素子の製造方法
JP2010287615A (ja) 2009-06-09 2010-12-24 Tokyo Electron Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法および記憶媒体
JP2015183260A (ja) * 2014-03-25 2015-10-22 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、基板処理装置およびプログラム
JP5913463B2 (ja) * 2014-07-16 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法
US11355703B2 (en) * 2020-06-16 2022-06-07 International Business Machines Corporation Phase change device with interfacing first and second semiconductor layers
CN115498105A (zh) * 2022-10-17 2022-12-20 北京北方华创微电子装备有限公司 阻变存储器的制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3052321B2 (ja) * 1989-02-23 2000-06-12 セイコーエプソン株式会社 化合物半導体のエッチング方法
JPH02299227A (ja) * 1989-05-15 1990-12-11 Seiko Epson Corp 化合物半導体のエッチング方法
JPH0336725A (ja) * 1989-07-04 1991-02-18 Seiko Epson Corp 化合物半導体のエッチング方法
JP2004146500A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜の加工方法
US20050040136A1 (en) * 2003-07-21 2005-02-24 Yao-Sheng Lee Method for making memory elements

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102410536B1 (ko) 원자 층 식각 공정
JP2008235904A5 (enExample)
JP2012502504A5 (enExample)
JP2009533546A5 (enExample)
JP2010232674A (ja) シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積
JP2008527738A5 (enExample)
WO2011051251A1 (en) Etching process for producing a tft matrix
TW201410914A (zh) 透明導電薄膜處理腔室的原位清潔
JP2007258440A5 (enExample)
JP2008538161A5 (enExample)
TW202208659A (zh) 沉積含硼之矽鍺層的方法
KR20120104214A (ko) 증착물 제거 방법
JP4774006B2 (ja) エッチング方法
TWI724689B (zh) 附著物之去除方法及成膜方法
JP5128017B1 (ja) ＣｄＴｅ／ＣｄＳ型薄膜太陽電池に使用するＣｄＴｅ薄膜の活性化方法
JP6630027B1 (ja) 多結晶シリコンの洗浄方法、製造方法および洗浄装置
JP4320389B2 (ja) Ｃｖｄチャンバーのクリーニング方法およびそれに用いるクリーニングガス
TWI732848B (zh) 半導體製造裝置的洗滌方法
JP4782596B2 (ja) プラズマ処理方法
CN108369910A (zh) 一种在石墨烯表面形成栅介质层及制备晶体管的方法
CN103094476A (zh) 相变合金材料的无损刻蚀方法
JP2020119920A (ja) 基板処理装置の洗浄方法、および基板処理装置
TWI807227B (zh) 附著物除去方法及成膜方法
KR20210139395A (ko) 금속 제거 방법, 드라이 에칭 방법, 및 반도체 소자의 제조 방법
KR20180011138A (ko) 에칭 및 챔버 세정을 위한 공정 및 이를 위한 가스