JP2007250528A - 走査型電子顕微鏡装置およびそれを用いた撮像方法 - Google Patents
走査型電子顕微鏡装置およびそれを用いた撮像方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007250528A JP2007250528A JP2007029928A JP2007029928A JP2007250528A JP 2007250528 A JP2007250528 A JP 2007250528A JP 2007029928 A JP2007029928 A JP 2007029928A JP 2007029928 A JP2007029928 A JP 2007029928A JP 2007250528 A JP2007250528 A JP 2007250528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imaging
- point
- information
- image
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】(1)観察するための撮像ポイントの点数,座標,サイズ・形状,撮像シーケンス,撮像位置変更方法,撮像条件,撮像シーケンスの一部又は全てをCADデータから自動で算出するようにした。(2)撮像レシピ生成のための,入力情報,出力情報の組み合わせを任意に設定可能にした。(3)任意の撮像ポイントにおける撮像あるいは処理に対する成否判定を伴い、失敗したと判定された場合,撮像ポイントや撮像シーケンスを変更して撮像あるいは処理を成功させるリリーフ処理を行うようにした。
【選択図】図4
Description
EPを位置ずれなく,かつ高画質で撮像するため,アドレッシングポイント(以降,APと呼ぶ)あるいはオートフォーカスポイント(以降,AFと呼ぶ)あるいはオートスティグマポイント(以降,ASTと呼ぶ)あるいはオートブライトネス・コントラストポイント(以降,ABCCと呼ぶ)の一部又は全ての撮像ポイントを設定し,それぞれの撮像ポイントにおいて,アドレッシング,オートフォーカス調整,オートスティグマ調整,オートブライトネス・コントラスト調整を行っている。前記アドレッシングにおける撮像位置のずれ量は,事前に登録テンプレートとして登録された座標既知のAPにおけるSEM画像と,実際の撮像シーケンスにおいて観察されたSEM画像(実撮像テンプレート)とをマッチングし,前記マッチングの位置ずれ量として推定している。
(1)撮像レシピを高い自動化率で生成することが可能となる。入出力のパラメータの組み合わせは任意に設定することができ,入力情報として与えることが可能なパラメータの値あるいはデフォルト値あるいは設定可能範囲に基づき,所望の出力情報を得ることが可能となる。
(2)撮像レシピ生成時に予想できなかった現象や不具合により,作成した撮像レシピによる撮像あるいは処理が失敗した場合も,撮像テンプレートや撮像シーケンスを変更して前記撮像あるいは処理を成功させるようなリリーフ処理を行うことが可能となる。
(3)選択要素指標の算出においては,CADデータあるいはCAD画像とを前記選択要素指標に応じて,選択的に活用することにより,高精度な撮像レシピを短時間に生成できる。
(4)CADデータから線幅の密な分布情報(線幅マップ)を算出することにより,パターン形状の崩れが少ない適切な画像量子化幅を自動で決定することが可能となる。また,任意の選択要素指標値の算出における入力情報として,前記画像量子化幅により生成した適切なCAD画像を用いることにより,良好な前記選択要素指標値の算出精度が得られる。
(5)前記登録テンプレートとして前述のCADデータテンプレートあるいは変形CADデータテンプレートあるいはCAD画像テンプレートあるいは変形CAD画像テンプレートとを実撮像テンプレートと登録テンプレートとのマッチング方式に応じて選択的あるいは共に撮像レシピに登録することにより,マッチング処理の高速化ならびにマッチングの高精度化が図れる。
1.1 SEM構成要素
図1は本実施例において試料の二次電子像(Secondary Electron:SE像)あるいは反射電子像(Backscattered Electron:BSE像)を取得する走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)の構成概要のブロック図を示す。また,SE像とBSE像を総称してSEM画像と呼ぶ。また,ここで取得される画像は測定対象を垂直方向から観察したトップダウン画像,あるいは任意の傾斜角方向から観察したチルト画像の一部または全てを含む。
ーハを移動させるステージ117自体を傾斜させる方式(図1においてはチルト角118でステージが傾斜している),(3)電子光学系自体を機械的に傾斜させる方式等がある。
図3(a)に任意の評価ポイント(以降,EPと呼ぶ)を観察するための代表的な撮像シーケンスを示す。前記撮像シーケンスにおける撮像ポイント,撮像順序,撮像条件は撮像レシピにより指定する。
な距離に存在するパターンであり,かつABCC撮像時のFOVにEP撮像時のFOVは含まれない,(2)ABCCの撮像倍率はEPの撮像倍率と同程度である,(3)ABCCにおいて調整したパラメータを用いて測長ポイントにおいて撮像した画像のブライトネスやコントラストが良好であるために,ABCCは前記測長ポイントにおけるパターンに類似したパターンである等の条件を満たしていることが望ましい。本発明によれば,ABCC選択についても,APと同様,前述の条件をシステム内部で評価し,自動で良好なABCCの選択を行うことが可能となる。
2.1 入出力情報
前述の図3を用いた撮像レシピの説明においては,前記撮像レシピに登録すべき情報の一例として一組のEP,AP,AF,AST,ABCCを挙げた。図5に本発明におけるレシピ自動生成方法およびその装置における入出力情報の一覧を示す。同図において撮像レシピ自動生成エンジン501に伸びる矢印(537はその凡例)の端点に位置する情報502〜519は前記エンジン501の入力情報であることを示す。また,エンジン501と黒丸で結ばれたリンク(538はその凡例)の端点に位置する情報521〜536は,前記エンジン501の入力情報にも出力情報にもなりうることを示す。
次にエンジン501の入出力情報502〜519,521〜536の詳細について説明する。
評価ポイントの情報502として,評価ポイントEP[p]の座標503,(撮像領域の)サイズ・形状504,撮像条件505(プローブ電流,加速電圧,電子ビームのスキャン方向等)がある。ここで,配列番号pは,ウェーハ上に配置されたチップ上に設定した複数の評価ポイントのIDを示している(p=1〜Np,Np≧1)。評価ポイントの形状は,正方領域や長方形領域として与えるのが一般的であるが,その他の任意形状を撮像範囲として設定することができる。
また,前記線幅情報509や品種,工程,材質情報510を用いることにより,線幅や品種,工程,材質に起因するパターンの変形し易さ(例えば露光パラメータの変動に対する変形し易さ等)を撮像ポイントの選択要素指標値として加味することができ,なるべく変形しにくいパターンを含む撮像ポイントを選択する等の処理が可能となる。さらに前記線幅情報509は,後述するように,撮像レシピ自動生成エンジン501内において選択要素指標値を算出するための入力情報としてCAD画像を生成する際,CADデータから前記CAD画像を生成するための画像量子化幅(nm/pixel)の決定に有効である。
撮像ポイントの座標521として,AP,AF,AST,ABCCの座標がある(それぞれ522〜525)。これらの撮像ポイントは,複数の評価ポイントEP[p](p=1〜Np,Np≧1)毎に設定され,かつ複数個の任意処理用の撮像ポイントを設定可能である(例えば二箇所のAPでアドレッシングを行ってからEPを撮像する等)。これを,AP[p] [q],AF[p][q],AST[p][q],ABCC[p][q](q=1〜Nq,Nq≧1)と表記する。配列番号pは,ウェーハ上に配置されたチップ上に設定した複数の評価ポイントのIDを,配列番号qは,任意の計測点EP[p]の観察において経由する各処理用のテンプレートのIDを示している(配列番号qは,撮像ポイントAP,AF,AST,ABCCを一つのセットとして(撮像順および各撮像ポイントの撮像有無は任意),前記セッ
トのIDを示す)。ただし,後述するように,異なるEP間で任意の撮像テンプレートを共有することは可能である(例えば,EP[p1],EP[p2](p1≠p2)に対し,AP[p1][q1]とAP[p2][q2]が等しい等)。また,必要ないAP[p][q],AF[p][q]、AST[p][q]、ABCC[p][q]は任意に撮像シーケンスから削除することができる。
図6(b)は,同図(a)と比べ,特に撮像シーケンスの一部531A,撮像位置変更方法532,AP[p][q]のサイズ・形状527A,AF[p][q]のサイズ・形状528Aを入力情報とし,残りの撮像シーケンス531B,残りの撮像ポイントのサイズ・形状526Bを出力情報とする点が異なる。
534も出力する。
図7(a)〜(g)に,本発明により設定される低倍視野701a〜gにおける撮像ポイントの配置および撮像シーケンスの設定例を示す。各図において点線で囲まれた枠は撮像レシピに登録された各撮像ポイントの撮像範囲,実線の矢印はステージシフト,点線の矢印はビームシフト,前記実線および点線の矢印上の丸で囲まれた数字(1)〜(15)は撮像順番を示す。以下,図7(a)〜(g)について順に説明する。
入力情報である選択処理パラメータ512の一つである選択要素指標値の必要条件(しきい値)や設計パタ−ンと実パタ−ンとの形状乖離推定量513等を参考に与えることができる。
図7(d)は,異なる複数のEP間で撮像ポイントを共有する例である。本例はEP[1](705d)を観察するための撮像レシピと,EP[2](707d)を観察するための撮像レシピ間で可能なものを共有している。まず,AP[1][1](702d)でアドレッシングを行い(図中(1)で移動),次にABCC[1][1](703d)でオートブライトネス・コントラスト調整を行い(図中(2)で移動),次にAF[1][1](704d)でオートフォーカス調整を行い(図中(3)で移動),次にEP[1](705d)に移動し(図中(4)で移動),撮像を行う。次に,EP[2](707d)の撮像であるが,アドレッシングに関しては,AP[1][1](702d)で実施済みであり,かつ同座標からEP[2](707d)はビームシフトで移動可能な距離であるため,再度アドレッシングを行うことはしない。また,本例ではオートブライトネス・コントラスト調整に関してもABCC[1] [1](703d)にて実施した後,大きな変化はないものとし,省略している。ただし,本例ではオートフォーカス調整に関してはEP[2]撮像前にで再度実施する必要があるとして,AF[2][1](706d)にてオートフォーカス調整を行っている(図中(5)で移動)。
図7(f)は,撮像失敗時のリリーフ機能を示す例である。本例では,まずAP[p][1] [1](703f)でアドレッシングを行い(図中(1)で移動),次に,EP[p](704f)に移動し(図中(2)で移動),撮像を行うという撮像シーケンスが設定されている。
ここで,AP[p][1][1]の三番目の配列番号は撮像ポイントの候補番号を示している(AP[p][q][r]であれば,AP[p][q]に関するr番目の候補であることを示す)。しかし,実際にAP[p][1][1](703f)を撮像した際,例えば実撮像テンプレート709fに示すように,本来あるべきパターンが不良により形成されていなかった(同図中に破線で示した設計パターン702fに対して実際に形成されたパターンが708f)等の不具合によりアドレッシングが失敗する可能性がある。
の撮像あるいは処理において不具合が発生した場合も同様にリリーフすることが可能である。このように本実施例では撮像を成功させるために,ある任意の撮像ポイントにおける処理において成否判定を行い,前記成否判定において処理が失敗した場合に撮像ポイントや撮像シーケンスを切り替えることを特徴とする。これはAF,AST,ABCCにおいても同様に適用可能である。
処理を切り替える等の単純なリリーフ処理を行うこともできる。このようなリリーフ機能における処理内容はオペレータが設定することも,システムで自動設定することも,システムで自動設定された処理内容を基にオペレータが設定することも可能である。
以上述べた撮像レシピ生成の全体の処理フローを図4にまとめる。まず,ステップ401において入出力情報の組み合わせを指定する。具体的には,前述した図5に示す入出力情報の任意の組み合わせが可能である。前記入出力情報の組み合わせは,オペレータが任意に設定することも,システム内部のデフォルトの組み合わせを用いることも可能であり,前記デフォルトの組み合わせは,検査対象となるウェーハの品種や工程ごとに用意することが可能である。次に前記指定した入力情報402を入力する。前記入力には少なくとも,評価ポイントEP[p](p=1〜Np,Np≧1)の座標403とCADデータ404を含む。その他の各種パラメータ405は,ステップ401で入力情報として指定した図5中の情報502〜536の一部である。前記評価ポイントの座標は,設計自動化ツール(Electronic Design Automation Tool:EDAツール)等を用いた回路設計における,パターン形成シミュレーション等から,検査を要する半導体パターン上の危険ポイントを検出し,前記検出された危険ポイントからオペレータがサンプリングする等して決定される。前記入力情報を基に撮像ポイント,撮像シーケンス等の計算を行う(ステップ406)。
次に,撮像レシピ自動生成エンジン501の実施例について述べる。
図9を用いて,撮像レシピ自動生成エンジン903(図5中の501)内において任意の撮像ポイントを評価,選択するための方法について,AP選択を例に述べる。処理の概要として,APの選択であれば,任意のAP内のパターンがアドレッシングを行うために良好なパターンであるか否かを評価する必要があり,例えば(1)AP内にアドレッシングに適したパターンの変化があるか(複雑さの指標。同指標の分布は911),(2)選択したAPの周囲に前記APに類似したパターンが存在せず,アドレッシング時にマッチングの失敗をおこさないか(特異性の指標。同指標の分布は912),(3)評価ポイントEPの近傍に位置しているか(距離の指標。同指標の分布は913)等の複数の観点から任意の撮像ポイント候補位置における各種指標値を算出し(以降,これらを選択要素指標値と呼ぶ),前記要素指標値に基づき撮像ポイント候補を評価し,適切な撮像ポイントを選択する。
以降,処理の詳細について具体的に述べる。まず,回路設計データとしてCADデータ901とEP902が入力される(それぞれ図4における404と403に対応する。各種パラメータの値あるいは範囲405に対応する入力情報は図9に図示していない)。前記CADデータ901は,ステップ904において画像データ905(以後,CAD画像と呼ぶ)に変換される(本処理の詳細は図12を用いて後述する)。
前述の選択処理に撮像ポイント選択の対象とならない禁止領域の設定を組み合わせることで選択の高精度化を図ることができる。以降,前記禁止領域について説明する。
前述のように,選択要素指標値は複数存在しうるが(図9では例として3つ示している),本発明では,前記選択要素指標値を算出するため,選択要素指標値毎に前記CADデータあるいはCAD画像を入力情報として選択的に用いることを特徴とする。すなわち,前記CADデータは座標データであるため座標精度は高いが,データは輪郭情報のみなので,二次元的なパターンの評価には不向きな点もある。一方,前記CAD画像は,画像量子化のため,形状精度はCADデータよりも低いが,二次元テンプレートのマッチング特性の評価には有効である。更に処理内容によって前記CADデータとCAD画像とで処理速度が異なる場合がある。このように設計データを表現するデータ形式(座標データや画像データ)には任意の処理に対する処理精度や処理速度の点で一長一短があるため,前記選択要素指標の算出においては,CADデータあるいはCAD画像等のデータ形式の異なる情報を選択要素指標値に応じて選択的に活用して前記選択要素指標値を算出することにより,適切な指標値の算出精度,ならびに適切な計算速度の両立を図ることができる。
評価ポイントあるいは選択された撮像ポイントのテンプレートを撮像レシピに登録する方法に関して図15(a)を用いて説明する。
(1)CADデータ1501から切り出した撮像ポイント1502に相当するCADデータ(座標データ)1503を登録テンプレートとして撮像レシピ1513に登録する。
(2)CADデータ1501から切り出した撮像ポイント1502に相当するCADデータ(座標データ)に任意の変形1504(例えば前述の図12(a)1202に示す変形)を加えた変形CADデータ1505を登録テンプレートとして撮像レシピ1513に登録する。
(3)CADデータ1501から切り出した撮像ポイント1502に相当するCADデータを画像変換1506(例えば前述の図12(b)に示す画像化)したCAD画像1507を登録テンプレートとして撮像レシピ1513に登録する。
(4)CADデータ1501から切り出した撮像ポイント1502に相当するCADデータを画像変換1506(例えば前述の図12(b)に示す画像化)したCAD画像1507に任意の変形・明度付加1508(例えば前述の図12(a)1204,1205に示す変形・明度付加)を施した変形CAD画像1509を登録テンプレートとして撮像レシピ1513に登録する。
(5)実際に任意の撮像ポイントを撮像して得られる前記撮像ポイントにおけるSEM画像1510を登録テンプレートとして撮像レシピ1513に登録する。
(6)実際に任意の撮像ポイントを撮像して得られる前記撮像ポイントにおけるSEM画像1510に対し任意の画像処理を施した処理SEM画像1512を登録テンプレートとして撮像レシピ1513に登録する。前記画像処理例としては,画像の平滑化処理,ノイズ除去処理,線分抽出処理等が挙げられる。前記線分抽出処理を行った場合,処理SEM画像1512は線分情報になる。
本発明における装置の構成の実施例を図16(a)(b)を用いて説明する。
図16(a)において1601はマスクパターン設計装置,1602はマスク描画装置,1603はマスクパターンの露光・現像装置,1604はエッチング装置,1605および1607はSEM装置,1606および1608はそれぞれ前記SEM装置を制御するSEM制御装置,1609はEDA(Electronic Design Automation)ツールサーバ,1610はデータベースサーバ,1611はデータベースを保存するストレージ,1612は画像処理・撮像レシピ作成演算装置,1613は撮像レシピサーバ,1614は生成したパターン形状の評価ツールサーバ(例えば評価パターンのSEM画像データと設計データとの形状比較等を行う)であり,これらはネットワークを介して情報の送受信が可能である。データベースサーバ1610にはストレージ1611が取り付けられており,図5に示した任意の入力・出力情報のデフォルト値や設定値や算出値等を,品種,製造工程,日時,撮像あるいは処理の成否結果とリンクさせて保存し,また参照することが可能である。また,同図においては例として二台のSEM装置1605,1607がネットワークに接続されているが,本発明においては,任意の複数台のSEM装置において撮像レシピをデータベースサーバ1611あるいは撮像レシピサーバ1613により共有することが可能であり,一回の撮像レシピ作成によって前記複数台のSEM装置を稼動させることができる。また複数台のSEM装置でデータベースを共有することにより,過去の前記撮像あるいは処理の成否結果の蓄積も早く,これを参照することにより良好な撮像レシピ生成の一助となる。
本発明における入力・出力情報の設定あるいは結果の表示を行うGUIについて実施例を図11に示す。図11中のウィンドウ1701に示すように以下に説明する各種情報を一画面中にあるいは分割してモニタ等に表示することができる。また,図11中の*はシステムに入力された,あるいは出力された任意の数値(あるいは文字列)や数値の範囲,あるいは数値や数値の範囲の配列であることを示す。
入力情報の設定に関して説明する。
像ポイントのサイズ・形状,移動方法(ビームシフト,ステージシフト),撮像条件が含まれ,これらの値を任意の組み合わせで指定できる。値を指定する情報はそれぞれ右に配置された対応する項目1743にその値(文字列等も含む)と,ボックス1751に「IN(入力情報のID)」と指定する。ここで,項目1743に値の範囲を指定し,前記範囲内で撮像レシピ自動生成エンジンにおいて適切な値を出力させることも可能である。例えば,AP[1][1]のサイズは3〜10umの範囲内で設定するよう指定し,前記エンジンが適切な値としてサイズ5umを出力する等の処理である。この場合,項目1743にはその値の範囲を指定し,ボックス1751に「IN−OUT(入力兼出力情報のID)」と指定する。また,前述したEP[p]のウィンドウ1759と同様に,撮像レシピに登録するAP[1] [1]用の登録テンプレートのデータ形式をウィンドウ1760において指定することができる。
→AP[1][2]→AST[1][2]→AF[1][2]→AP[1][2]→EP[1]と出力している。また,同撮像シーケンスの評価値あるいは優先順位をボックス1771に表示することができる。前記評価値は前記撮像シーケンスによりEP[1]の撮像が成功する度合いを定量化したもので,例えば前記撮像シーケンスに含まれる撮像ポイントにおける選択指標値(図9中の929)に基づいて算出される。
r番目の撮像シーケンスにおける撮像ポイントは,例えばAP[p][q][r]のように表記される(図では三番目のパラメータ表記は省略)。また,前述の説明では特にEP[1]について述べたが,各評価ポイントEP[p](p=1〜Np)について同様の処理が可能である。
Claims (19)
- パターンが形成された試料上の評価ポイントの座標を入力し、
前記試料上で前記評価ポイントを含む領域に形成されたパターンの設計レイアウト情報をCADデータから取得し、
処理パラメータ,ユーザ要求仕様,履歴情報,アドレッシングあるいはオートフォーカスあるいはオートブライトネス・コントラスト用の撮像ポイントの枚数,座標,サイズ,形状,撮像順序,電子ビーム垂直入射座標,撮像条件の一部又は全ての撮像パラメータを,入力情報として選択し、
アドレッシングあるいはオートフォーカスあるいはオートブライトネス・コントラスト用の撮像ポイントの枚数,座標,サイズ,形状,撮像順序,電子ビーム垂直入射座標,撮像条件,撮像ポイントあるいは撮像順序の評価値あるいは優先順位の一部又は全ての撮像パラメータを,出力情報として選択し、
前記入力した評価ポイントの座標情報と前記取得した設計レイアウト情報と前記選択した入力情報の値あるいは範囲を用いて前記選択された出力情報を算出し、
該入力情報および該出力情報の撮像パラメータを共に記憶し、
前記評価ポイントあるいは撮像ポイントにおけるパターンを登録テンプレートとして記憶し、
該記憶した撮像パラメータおよび登録テンプレートに基づいて試料上に形成されたパターンを順次撮像する
ことを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた試料の撮像方法。 - 前記撮像順序は、アドレッシングポイントとオートフォーカスポイント、オートスティグマポイント、オートブライトネス・コントラストポイントのうちの少なくとも一つと評価ポイントとを含むことを特徴とする請求項1記載の走査型電子顕微鏡を用いた試料の撮像方法。
- 前記試料上の評価ポイントの座標を入力するステップにおいて,複数の評価ポイントの座標を入力し、前記撮像パラメータを算出するステップにおいてアドレッシングあるいはオートフォーカスあるいはオートスティグマあるいはオートブライトネス・コントラスト用の撮像ポイントの一部又は全てを,該複数の評価ポイント間で共有することを特徴とする請求項1記載の走査型電子顕微鏡を用いた試料の撮像方法。
- 前記出力情報を算出するステップにおいて,任意の複数の評価ポイントにおける撮像領域ならびに前記撮像領域の周辺近傍領域,あるいはビームシフト稼動範囲外の領域,あるいは選択要素指標値が規定の閾値に満たない領域を,アドレッシングポイントあるいはオートフォーカスポイントあるいはオートスティグマポイントあるいはオートブライトネス・コントラストポイント選択の禁止領域として設定することを特徴とする請求項1記載の走査型電子顕微鏡を用いた試料の撮像方法。
- 前記出力情報を算出するステップにおいて,任意の撮像ポイントを評価する際,前記撮像ポイントの撮像サイズの周辺から,撮像位置ずれ量の推定値分だけ除外した領域内に含まれるパターンを評価することを特徴とする請求項1記載の走査型電子顕微鏡を用いた試料の撮像方法。
- 前記撮像ポイントにおけるパターンを登録テンプレートとして記憶するステップにおいて,前記登録テンプレートは,前記評価ポイントあるいは撮像ポイントにおけるパターンの設計レイアウト情報,あるいは設計レイアウト情報を画像化した画像情報,あるいは前記設計レイアウト情報に任意の処理を加えた変形された設計レイアウト情報,あるいは前記画像情報に任意の処理を加えた変形した画像情報,あるいは前記評価ポイントあるいは撮像ポイントにおいて実際に撮像したSEM画像,あるいは前記SEM画像に任意の処理を加えた変形SEM画像を任意の組み合わせで記憶することを特徴とする請求項1記載の走査型電子顕微鏡を用いた試料の撮像方法。
- パターンが形成された試料上の評価ポイントの座標を入力し,
前記試料上で前記評価ポイントを含む領域に形成されたパターンの設計レイアウト情報をCADデータから取得し、
該取得した設計レイアウト情報に対応する画像データを作成し、
選択要素指標毎に前記取得した設計レイアウト情報と前記作成した画像データとを選択的に用いて,複数の選択要素指標を算出し,
前記複数の選択要素指標を組み合わせて構成された総合選択指標を算出し,
前記総合選択指標に基づいて前記評価ポイントを撮像するための前記出力情報を算出する
ことを特徴とする走査型電子顕微鏡を用いた試料の撮像方法。 - 前記撮像パラメータを算出するステップにおいて、前記評価ポイントを撮像するために,アドレッシングあるいはオートフォーカスあるいはオートスティグマあるいはオートブライトネス・コントラスト用の撮像ポイントの枚数,座標,サイズ,形状,撮像順序,電子ビーム垂直入射座標,撮像条件,撮像条件あるいは撮像条件の評価値あるいは優先順位の一部又は全ての撮像パラメータのセットを複数候補算出することを特徴とする請求項7記載の走査型電子顕微鏡を用いた試料の撮像方法。
- 前記試料上に形成されたパターンを順次撮像するステップにおいて、撮像すべきパターンの撮像の成否を判定し、撮像あるいは処理に失敗したときには撮像ポイントあるいは撮像順序を変えて再度撮像することを特徴とする請求項7記載の走査型電子顕微鏡を用いた試料の撮像方法。
- 前記撮像ポイントあるいは撮像順序を変えて再度撮像する場合において、撮像あるは処理の失敗原因を分類し,前記失敗原因に基づき,撮像ポイントあるいは撮像順序を変更することを特徴とする請求項9記載の走査型電子顕微鏡を用いた試料の撮像方法。
- 表面にパターンが形成された試料上の評価ポイントの座標情報を入力する入力手段と、
該入力手段から入力された前記座標情報に基づいて試料上で前記評価ポイントを含む領域に形成されたパターンの設計レイアウト情報をCADデータから取得するレイアウト情報取得手段と、
処理パラメータ,ユーザ要求仕様,履歴情報,アドレッシングあるいはオートフォーカスあるいはオートブライトネス・コントラスト用の撮像ポイントの枚数,座標,サイズ,形状,撮像順序,電子ビーム垂直入射座標,撮像条件の一部又は全ての撮像パラメータを,入力情報として選択する手段と、
アドレッシングあるいはオートフォーカスあるいはオートブライトネス・コントラスト用の撮像ポイントの枚数,座標,サイズ,形状,撮像順序,電子ビーム垂直入射座標,撮像条件,撮像ポイントあるいは撮像順序の評価値あるいは優先順位の一部又は全ての撮像パラメータを,出力情報として選択する手段と、
前記入力手段から入力した評価ポイントの座標情報と,前記レイアウト情報取得手段で取得した設計レイアウト情報と,前記選択した入力情報の値あるいは範囲を用いて,前記選択された出力情報を算出する手段と、
該入力情報および該出力情報の撮像パラメータを共に記憶する記憶手段と、
前記評価ポイントあるいは撮像ポイントにおけるパターンを登録テンプレートとして記憶する手段と、
該記憶手段に記憶した撮像パラメータおよび登録テンプレートに基づいて試料上に形成されたパターンを順次撮像して前記試料のSEM像を得る撮像手段と
を備えたことを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。 - 前記撮像順序は、アドレッシングポイントとオートフォーカスポイント、オートスティグマポイント、オートブライトネス・コントラストポイントのうちの少なくとも一つと評価ポイントとを含むことを特徴とする請求項11記載の走査型電子顕微鏡装置。
- 前記出力情報を算出する手段は,任意の撮像ポイントを評価する際,前記撮像ポイントの撮像サイズの周辺から,撮像位置ずれ量の推定値分だけ除外した領域内に含まれるパターンを評価するユニットを備えることを特徴とする請求項11記載の走査型電子顕微鏡装置。
- 前記評価ポイントあるいは撮像ポイントにおけるパターンを登録テンプレートとして記憶する手段において、前記登録テンプレートは、前記評価ポイントあるいは撮像ポイントにおけるパターンの設計レイアウト情報、あるいは設計レイアウト情報を画像化した画像情報、あるいは前記設計レイアウト情報に任意の処理を加えた変形された設計レイアウト情報、あるいは前記画像情報に任意の処理を加えた変形した画像情報、あるいは前記評価ポイントあるいは撮像ポイントにおいて実際に撮像したSEM画像、あるいは前記SEM画像に任意の処理を加えた変形SEM画像を任意の組み合わせて記憶することを特徴とする請求項11記載の走査型電子顕微鏡装置。
- 表面にパターンが形成された試料上の評価ポイントの座標情報を入力する入力手段と、
該入力手段から入力された前記座標情報に基づいて試料上で前記評価ポイントを含む領域に形成されたパターンの設計レイアウト情報をCADデータから取得するレイアウト情報取得手段と、
該レイアウト情報取得手段で取得した設計レイアウト情報に対応する画像データを作成するCAD画像作成手段と、
選択要素指標毎に前記レイアウト情報取得手段で取得した設計レイアウト情報と前記画像作成手段で作成した画像データとを選択的に用いて複数の選択要素指標を算出する手段と、
前記複数の選択要素指標を組み合わせて構成された総合選択指標を算出する手段と、
前記総合選択指標に基づき,前記評価ポイントを撮像するための前記出力情報を算出する手段と
を備えたことを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。 - 前記撮像パラメータを算出手段は、前記評価ポイントを撮像するためにアドレッシングあるいはオートフォーカスあるいはオートスティグマあるいはオートブライトネス・コントラスト用の撮像ポイントの枚数,座標,サイズ,形状,撮像順序,電子ビーム垂直入射座標,撮像条件,撮像条件あるいは撮像条件の評価値あるいは優先順位の一部又は全ての撮像パラメータのセットを複数候補算出することを特徴とする請求項15記載の走査型電子顕微鏡装置。
- 前記画像処理手段は、前記撮像手段による撮像すべきパターンの撮像の成否を判定し、撮像あるいは処理に失敗したときには撮像ポイントあるいは撮像順序を変えて再度撮像することを特徴とする請求項15記載の走査型電子顕微鏡装置。
- 表面にパターンが形成された試料上の評価ポイントの座標情報を入力する入力手段と、
該入力手段から入力された前記座標情報に対応するCADデータを表示する表示手段と、
前記入力手段から入力した前記評価ポイントを評価する画像を取得するために撮像するパターンを複数選択して前記表示手段に表示するパターン選択手段と、
処理パラメータ,ユーザ要求仕様,履歴情報,アドレッシングあるいはオートフォーカスあるいはオートブライトネス・コントラスト用の撮像ポイントの枚数,座標,サイズ,形状,撮像順序,電子ビーム垂直入射座標,撮像条件の一部又は全ての撮像パラメータを入力情報として選択する手段と、
該入力手段で選択された入力情報に値あるいは範囲を入力する手段と、
前記入力情報を表示する表示手段と、
該評価パターン選択手段で選択した複数のパターンを撮像するため算出したアドレッシングあるいはオートフォーカスあるいはオートブライトネス・コントラスト用の撮像ポイントの枚数,座標,サイズ,形状,撮像順序,電子ビーム垂直入射座標,撮像条件,撮像ポイントあるいは撮像順序の評価値あるいは優先順位の一部又は全ての撮像パラメータを,出力情報として選択する手段と、
前記選択された出力情報の算出結果の表示手段,
該撮像順序決定手段で決定した撮像パラメータに基づいて試料上に形成されたパターンを順次撮像して前記試料のSEM像を得る撮像手段と、
該撮像手段で撮像して得た画像を処理する画像処理手段と
を備えたことを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。 - 前記パターン選択手段で選択したパターンを前記表示手段に表示されたCADデータに重ねて表示することを特徴とする請求項18記載の走査型電子顕微鏡装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007029928A JP5204979B2 (ja) | 2006-02-17 | 2007-02-09 | 撮像レシピの生成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006040125 | 2006-02-17 | ||
JP2006040125 | 2006-02-17 | ||
JP2007029928A JP5204979B2 (ja) | 2006-02-17 | 2007-02-09 | 撮像レシピの生成方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012109073A Division JP5433725B2 (ja) | 2006-02-17 | 2012-05-11 | 撮像方法及び撮像装置 |
JP2012270904A Division JP5433775B2 (ja) | 2006-02-17 | 2012-12-12 | 撮像方法及び撮像装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007250528A true JP2007250528A (ja) | 2007-09-27 |
JP2007250528A5 JP2007250528A5 (ja) | 2010-03-25 |
JP5204979B2 JP5204979B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=38594564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007029928A Active JP5204979B2 (ja) | 2006-02-17 | 2007-02-09 | 撮像レシピの生成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5204979B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007212288A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Toshiba Corp | パターン検査方法、パターン検査装置およびプログラム |
JP2009243993A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡を用いた回路パターンの寸法計測装置およびその方法 |
WO2010029708A1 (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成方法およびその装置 |
WO2010073478A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置による画像取得条件決定方法 |
WO2010137586A1 (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-02 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡装置、及び評価ポイント生成方法、並びにプログラム |
JP2011077299A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査荷電粒子顕微鏡を用いたパターン形状評価装置およびその方法 |
JP2012104264A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡および該装置の制御方法 |
JP2012114202A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像撮像装置および画像撮像方法 |
WO2012117997A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、及び画像処理を行うためのコンピュータープログラム |
WO2013187343A1 (ja) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | オーバーレイ誤差測定装置、及びコンピュータープログラム |
US8885950B2 (en) | 2009-10-22 | 2014-11-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern matching method and pattern matching apparatus |
US9343264B2 (en) | 2009-07-17 | 2016-05-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope device and pattern dimension measuring method using same |
JP2016126823A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ビーム条件設定装置、及び荷電粒子線装置 |
JPWO2021199235A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001035893A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査装置 |
JP2003197138A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Toshiba Corp | 荷電ビーム装置、パターン測定方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004031709A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Seiko Instruments Inc | ウエハレス測長レシピ生成装置 |
-
2007
- 2007-02-09 JP JP2007029928A patent/JP5204979B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001035893A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査装置 |
JP2003197138A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Toshiba Corp | 荷電ビーム装置、パターン測定方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004031709A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Seiko Instruments Inc | ウエハレス測長レシピ生成装置 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007212288A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Toshiba Corp | パターン検査方法、パターン検査装置およびプログラム |
JP2009243993A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡を用いた回路パターンの寸法計測装置およびその方法 |
US7888638B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-02-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for measuring dimension of circuit pattern formed on substrate by using scanning electron microscope |
US8283630B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-10-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for measuring dimension of circuit pattern formed on substrate by using scanning electron microscope |
WO2010029708A1 (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成方法およびその装置 |
US8767038B2 (en) | 2008-09-11 | 2014-07-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and device for synthesizing panorama image using scanning charged-particle microscope |
US8258472B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-09-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle radiation device and image capturing condition determining method using charged particle radiation device |
WO2010073478A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置による画像取得条件決定方法 |
JP2010153277A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置による画像取得条件決定方法 |
JP2010276382A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡装置、及び評価ポイント生成方法、並びにプログラム |
US8742375B2 (en) | 2009-05-26 | 2014-06-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope device, evaluation point generating method, and program |
WO2010137586A1 (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-02 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡装置、及び評価ポイント生成方法、並びにプログラム |
US9343264B2 (en) | 2009-07-17 | 2016-05-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope device and pattern dimension measuring method using same |
JP2011077299A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査荷電粒子顕微鏡を用いたパターン形状評価装置およびその方法 |
US8885950B2 (en) | 2009-10-22 | 2014-11-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern matching method and pattern matching apparatus |
JP2012104264A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡および該装置の制御方法 |
JP2012114202A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像撮像装置および画像撮像方法 |
US9057873B2 (en) | 2010-11-24 | 2015-06-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Global alignment using multiple alignment pattern candidates |
JP2012177632A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像処理装置、及び画像処理を行うためのコンピュータープログラム |
WO2012117997A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、及び画像処理を行うためのコンピュータープログラム |
WO2013187343A1 (ja) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | オーバーレイ誤差測定装置、及びコンピュータープログラム |
JP2014001927A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Hitachi High-Technologies Corp | オーバーレイ誤差測定装置、及びコンピュータープログラム |
US9696150B2 (en) | 2012-06-15 | 2017-07-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Overlay error measuring device and computer program |
JP2016126823A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ビーム条件設定装置、及び荷電粒子線装置 |
JPWO2021199235A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | ||
JP7262914B2 (ja) | 2020-03-31 | 2023-04-24 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5204979B2 (ja) | 2013-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5433775B2 (ja) | 撮像方法及び撮像装置 | |
JP5204979B2 (ja) | 撮像レシピの生成方法 | |
JP4365854B2 (ja) | Sem装置又はsemシステム及びその撮像レシピ及び計測レシピ生成方法 | |
JP5030906B2 (ja) | 走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成方法およびその装置 | |
KR101623135B1 (ko) | 패턴 평가 장치 및 패턴 평가 방법 | |
US9343264B2 (en) | Scanning electron microscope device and pattern dimension measuring method using same | |
JP5525421B2 (ja) | 画像撮像装置および画像撮像方法 | |
JP2006093251A (ja) | 寸法計測方法及びその装置 | |
JP5315040B2 (ja) | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置による画像取得条件決定方法 | |
US20110042568A1 (en) | Method for adjusting imaging magnification and charged particle beam apparatus | |
JP5241697B2 (ja) | アライメントデータ作成システム及び方法 | |
JP4926208B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡装置、及び評価ポイント生成方法、並びにプログラム | |
JP6001945B2 (ja) | パターン計測装置及び方法 | |
JP2009170720A (ja) | レイアウトパターン検査装置およびレイアウトパターンの検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100208 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5204979 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |