JP2007243197A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 基板内に第１方向及び第２方向にそれぞれ延びる行及び列に配列される光電変換素子のアレイと、
   第１接合分離領域それぞれは共通行内で互いに隣接する光電変換素子の側部を分離し、第２接合分離領域それぞれは共通列内で互いに隣接する光電変換素子の側部を分離する前記基板内に位置する複数の第１接合分離領域及び第２接合分離領域と、
   絶縁分離領域それぞれは互いに隣接する光電変換素子のコーナー部を分離する前記基板内に備わる複数の絶縁分離領域と、を備えることを特徴とするイメージセンサー。
2. 前記光電変換素子は第１方向に第１ピッチを持ち、第２方向に第２ピッチを持つが、前記第１ピッチは、共通行内の前記光電変換素子で実質的に同一であり、前記第２ピッチは、共通列内の前記光電変換素子で実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
3. 前記光電変換素子上に形成されたマイクロレンズのアレイをさらに備えるが、前記マイクロレンズは行及び列に配列され、前記マイクロレンズそれぞれは、対応する光電変換素子に整列された焦点を持ち、前記マイクロレンズの焦点は、第１方向に第１ピッチを持つように配列され、第２方向に第２ピッチを持つように配列され、前記第１ピッチ及び前記第２ピッチは、前記光電変換素子の第１ピッチと実質的に同一であることを特徴とする請求項１または２に記載のイメージセンサー。
4. 前記光電変換素子は、前記基板内に形成された光電活性領域を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
5. 前記基板はエピタキシャル層を備え、前記光電変換素子は前記エピタキシャル層内に形成された光電活性領域を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
6. 前記第１方向及び前記第２方向は、互いに垂直となる水平方向と垂直方向とを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
7. 行及び列のうち少なくとも一つの内に互いに隣接する少なくとも二つの光電変換素子は、共通光電活性領域を共有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
8. 前記隣接する光電変換素子それぞれは光電活性領域を備えるが、前記光電活性領域は、その上下左右部分に位置する接合分離領域及びそのコーナー部で前記接合分離領域の間に位置する絶縁分離領域により分離され、前記絶縁分離領域のうち一つは二つの絶縁分離領域セグメントに分割されて、前記絶縁分離領域セグメントの間を通じて前記光電活性領域は隣接する他の光電素子に連結され、前記絶縁分離領域セグメントのうち一つは第１接合分離領域に隣接し、前記絶縁分離領域セグメントのうち残りの一つは第２接合分離領域に隣接し、前記共通光電活性領域の連結部分は、前記絶縁分離領域セグメントの間に延びることを特徴とする請求項７に記載のイメージセンサー。
9. 前記活性領域上に少なくとも二つの伝送素子をさらに備えるが、前記伝送素子は、少なくとも二つの隣接する前記光電変換素子の共通活性領域を第１及び第２光電変換素子の第１及び第２光電活性領域に分割することを特徴とする請求項８に記載のイメージセンサー。
10. 共通行または共通列内の互いに隣接する二つの光電変換素子それぞれは、対応する伝送素子を持ち、共通リセット素子、選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
11. 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域部分を取り囲み、前記選択素子及び前記ドライブ素子は、前記光電変換素子のうち一つのコーナー部に位置する共通孤立活性領域に形成されることを特徴とする請求項１０に記載のイメージセンサー。
12. 共通行または共通列内の隣接する二つの光電変換素子それぞれは、対応する伝送素子及びリセット素子を備え、共通選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
13. 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記選択素子及び前記ドライブ素子は、前記光電変換素子のうち一つのコーナー部に位置する共通孤立活性領域に形成されることを特徴とする請求項１２に記載のイメージセンサー。
14. 共通行または共通列内の隣接する４つの光電変換素子それぞれは、対応する伝送素子を備え、共通リセット素子、選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
15. 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記選択素子及び前記ドライブ素子は、前記光電変換素子のうち一つのコーナー部に位置する相異なる孤立活性領域に形成されることを特徴とする請求項１４に記載のイメージセンサー。
16. 共通行または共通列内の隣接する４つの光電変換素子それぞれは、対応する伝送素子及びリセット素子を備え、共通選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
17. 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記選択素子及び前記ドライブ素子は、前記光電変換素子のコーナー部に位置する相異なる孤立活性領域に形成されることを特徴とする請求項１６に記載のイメージセンサー。
18. 共通行または共通列内の隣接する４つの光電変換素子それぞれは、対応する伝送素子を備え、共通リセット素子、選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
19. 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記選択素子及び前記ドライブ素子は共通の第１孤立活性領域に形成され、リセット素子は、第１孤立活性領域とは分離された第２孤立活性領域に形成され、前記第１及び第２孤立活性領域は、対応する光電変換素子のコーナー部に位置することを特徴とする請求項１８に記載のイメージセンサー。
20. 隣接する二つの行または列内の隣接する４つの光電変換素子それぞれは対応する伝送素子を備え、共通リセット素子、選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
21. 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記リセット素子、選択素子及び前記ドライブ素子は、前記光電変換素子のコーナー部に位置する相異なる孤立活性領域に形成されることを特徴とする請求項２０に記載のイメージセンサー。
22. 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記選択素子、前記ドライブ素子及び前記リセット素子のうち２つは共通の第１孤立活性領域に形成され、前記選択素子、前記ドライブ素子及び前記リセット素子のうち残りの一つは、前記第１孤立活性領域とは分離された第２孤立活性領域に形成され、前記第１及び第２孤立活性領域は、対応する光電変換素子のコーナー部に位置することを特徴とする請求項２０に記載のイメージセンサー。