JP2007242919A - 光透過性電磁波シールド材の製造方法、光透過性電磁波シールド材、およびディスプレイ用フィルタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板に易接着処理を施す工程、
シランカップリング剤とアゾール系化合物との混合物または反応生成物、および、貴金属化合物を含む無電解めっき前処理剤を、前記透明基板の易接着処理を施した面に塗布、乾燥させ、前記透明基板上に前処理層を形成する工程、
前記前処理層上にドット状のめっき保護層を形成する工程、および、
前記めっき保護層が形成されずに露出した前記前処理層上に、無電解めっきすることによりメッシュ状の金属導電層を形成する工程、
を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法。
【選択図】図1
Description
透明基板に易接着処理を施す工程、
シランカップリング剤とアゾール系化合物との混合物または反応生成物、および、貴金属化合物を含む無電解めっき前処理剤を、前記透明基板の易接着処理を施した面に塗布、乾燥させ、前記透明基板上に前処理層を形成する工程、
前記前処理層上にドット状のめっき保護層を形成する工程、および
前記めっき保護層が形成されずに露出した前記前処理層上に、無電解めっきすることによりメッシュ状の金属導電層を形成する工程、
を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法により上記課題を解決する。
易接着処理層の接着性、製膜性を向上させることが可能となる。
透明基板に易接着処理を施す工程、
所定の無電解めっき前処理剤を用いて、前記透明基板の易接着処理を施した面に前処理層を形成する工程、
前記前処理層上にドット状のめっき保護層を形成する工程、および、
露出している前記前処理層上に、無電解めっきすることにより金属導電層を形成する工程、を含む。
)℃/分で昇温しながら、歪み1%、周波数1Hzの条件で温度分散を測定し、これにより得られる損失正接(tanδ)の最大値をガラス転移温度とする。
PETフィルム(厚さ250μm)上に、DCマグネトロンスパッタ装置を用いて、SiO2膜(厚さ50nm)を成膜した。この際、ターゲットにはSiターゲットを用い、成膜時の真空度を0.5Paとし、導入ガスとしてO2を用い、基板温度を25℃として成膜を行った。
亜塩素酸ナトリウム: 10質量%
水酸化ナトリウム: 4質量%
黒化処理条件
浴温: 約60℃
時間: 5分間
ポリエステル樹脂(東洋モートン株式会社製 AD−335A、Tg:10℃)および脂環族イソシアネート(東洋モートン株式会社製 CAT−10L)を質量比で100:0.5含み、固形分濃度が10質量%のポリエステル系2液硬化型樹脂組成物を、PETフィルム(厚さ250μm)にロールコート法を用いて塗布し、160℃、5分間、乾燥させることにより、易接着処理層(厚さ0.5μm)を形成した。
PETフィルム(厚さ250μm)の片面だけ空気雰囲気下、フィルムと電極の間隔を1mmとし、処理速度60m/分、消費電力20〜160W/m2/分でコロナ処理した。
12 易接着処理層、
13 前処理層、
14 めっき保護層、
15 金属導電層、
16 黒化処理層、
21 透明基板、
22 水溶性インキ、
23 銅の薄膜、
24 金属導電層、
25 銅の薄膜。
Claims (31)
- 透明基板に易接着処理を施す工程、
シランカップリング剤とアゾール系化合物との混合物または反応生成物、および、貴金属化合物を含む無電解めっき前処理剤を、前記透明基板の易接着処理を施した面に塗布、乾燥させ、前記透明基板上に前処理層を形成する工程、
前記前処理層上にドット状のめっき保護層を形成する工程、および
前記めっき保護層が形成されずに露出した前記前処理層上に、無電解めっきすることによりメッシュ状の金属導電層を形成する工程、
を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法。 - 前記易接着処理が、Si、Ti、Sn、Al、およびZnよりなる群から選択される少なくとも一種の金属の酸化物を含む易接着処理層を前記透明基板上に形成することにより行われる請求項1に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記易接着処理層を、気相成膜法により形成する請求項2に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記気相成膜法が、物理蒸着法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学気相成長法、またはプラズマ化学気相成長法である請求項3に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記気相成膜法が、真空蒸着法、または、スパッタリング法である請求項3または4に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記易接着処理が、合成樹脂を含む溶液を前記透明基板上に塗布、乾燥させて、易接着処理層を形成することにより行われる請求項1に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記合成樹脂は、ガラス転移温度が−20〜50℃である請求項6に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記合成樹脂は、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、および酢酸ビニル樹脂よりなる群から選択される少なくとも1種である請求項6または7に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記合成樹脂を含む溶液は、イソシアネート基を2つ以上有する多官能イソシアネート化合物をさらに含む請求項6〜8のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記易接着処理層の厚さが、0.05〜5μmである請求項6〜9のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記易接着処理が、前記透明基板をコロナ処理またはプラズマ処理することにより行われる請求項1に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記シランカップリング剤が、エポキシ基含有シラン化合物である請求項1〜11のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記シランカップリング剤が、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランである請求項1〜12のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記アゾール系化合物が、イミダゾールである請求項1〜13のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記貴金属化合物が、パラジウム、銀、白金、および金よりなる群から選択される少なくとも一種の金属原子を含む化合物である請求項1〜14のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記透明基板上に前記前処理層を形成する工程において、前記乾燥が80〜160℃で行われる請求項1〜15のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記めっき保護層が、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、およびスチレン樹脂よりなる群から選択される少なくとも1種を含む請求項1〜16のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記金属導電層が、銀、銅、またはアルミニウムを含む請求項1〜17のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記金属導電層を黒化処理し、前記金属導電層の表面の少なくとも一部に黒化処理層を形成する工程をさらに有する請求項1〜18のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記黒化処理が、前記金属導電層を酸化処理または硫化処理することによって行われる請求項19に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 請求項1〜20のいずれかに記載の製造方法によって製造された光透過性電磁波シールド材。
- 易接着処理されてなる透明基板、前記透明基板の易接着処理を施した面に設けられた前処理層、前記前処理層上に設けられたドット状のめっき保護層、および前記めっき保護層が設けられずに露出した前記前処理層上に設けられたメッシュ状の金属導電層を有し、
前記前処理層が、シランカップリング剤とアゾール系化合物との混合物または反応性生物、および、貴金属化合物を含む無電解めっき前処理剤の塗布層である光透過性電磁波シールド材。 - 前記易接着処理されてなる透明基板が、Si、Ti、Sn、Al、およびZnよりなる群から選択される少なくとも一種の金属の酸化物を含む易接着処理層が形成された透明基板である請求項22に記載の光透過性電磁波シールド材。
- 前記易接着処理されてなる透明基板が、合成樹脂を含む易接着処理層が形成された透明基板である請求項22に記載の光透過性電磁波シールド材。
- 前記合成樹脂は、ガラス転移温度が−20〜50℃である請求項24に記載の光透過性電磁波シールド材。
- 前記合成樹脂は、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、および酢酸ビニル樹脂よりなる群から選択される少なくとも1種である請求項24または25に記載の光透過性電磁波シールド材。
- 前記易接着処理層は、イソシアネート基を2つ以上有する多官能イソシアネート化合物をさらに含む請求項24〜26のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材。
- 前記易接着処理されてなる透明基板が、コロナ処理またはプラズマ処理された透明基板である請求項22に記載の光透過性電磁波シールド材。
- 全光線透過率が、75%以上である請求項21〜28のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材。
- 前記金属導電層の表面の少なくとも一部に黒化処理層を有する請求項21〜29のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材。
- 請求項21〜30のいずれかに記載の光透過性電磁波シールド材を含むディスプレイ用フィルタ。
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