JP2007234126A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007234126A5 JP2007234126A5 JP2006054614A JP2006054614A JP2007234126A5 JP 2007234126 A5 JP2007234126 A5 JP 2007234126A5 JP 2006054614 A JP2006054614 A JP 2006054614A JP 2006054614 A JP2006054614 A JP 2006054614A JP 2007234126 A5 JP2007234126 A5 JP 2007234126A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- memory cell
- memory device
- semiconductor memory
- supply voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 66
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims 12
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (33)
- フリップフロップを有するメモリセルと、
上記メモリセルに低電圧側のセル電源電圧を供給するメモリセル電源回路とを有する半導体記憶装置であって、
上記メモリセル電源回路は、
少なくとも互いに異なる2つのセル電源電圧を供給するように構成され、
データの読み出しサイクルにおいてセル電源電圧を供給する場合、および書き込みサイクルにおいてセル電源電圧を供給するメモリセルにデータが書き込まれない場合に、所定の第1の電源電圧を供給する一方、
書き込みサイクルにおいてセル電源電圧を供給するメモリセルにデータが書き込まれる場合に、上記第1の電源電圧よりも高い第2の電源電圧を供給することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
上記第1の電源電圧は、書き込みディスエーブル制御信号、またはカラム非選択指示信号に応じて出力される一方、
上記第2の電源電圧は、書き込みイネーブル制御信号、およびカラム選択指示信号に応じて出力されるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
上記メモリセル電源回路は、所定の電圧を分圧することによって、上記第2の電源電圧を出力するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3の半導体記憶装置であって、
上記メモリセル電源回路は、
所定の駆動能力を有し、上記第1の電源電圧を出力する第1のトランジスタと、
上記第1のトランジスタとによって分圧された電圧を上記第2の電源電圧として出力する第2のトランジスタとを有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3の半導体記憶装置であって、
上記分圧の分圧比が、上記フリップフロップを構成するドライブトランジスタの閾値電圧に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3の半導体記憶装置であって、
上記分圧の分圧比が、上記メモリセルが有するアクセストランジスタ、および上記フリップフロップを構成するロードトランジスタのうちの少なくとも一方の閾値電圧に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
上記メモリセル電源回路は、ソースフォロワ回路で構成され、少なくともそのソースフォロワを構成するトランジスタの極性は、上記メモリセルを構成するドライブトランジスタと同極性のトランジスタで構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
上記第2の電源電圧が、上記メモリセルを構成するドライブトランジスタのソース端子に供給されるとともに、上記ドライブトランジスタの基板に、上記第2の電源電圧より低い電圧が供給されるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
さらに、降圧回路を有し、降圧された電圧を上記第1の電源電圧として供給するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3の半導体記憶装置であって、
上記分圧の分圧比が、当該半導体記憶装置の温度に応じた電圧になるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3の半導体記憶装置であって、
メモリセルのサイズが互いに異なる複数組のメモリセル組が設けられ、
各メモリセル組に上記第2の電源電圧を供給するメモリセル電源回路の上記分圧の分圧比が、上記メモリセルのサイズに応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3の半導体記憶装置であって、
動作電源電圧が互いに異なる複数組のメモリセル組が設けられ、
各メモリセル組に上記第2の電源電圧を供給するメモリセル電源回路の上記分圧の分圧比が、上記動作電源電圧に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3の半導体記憶装置であって、
構成するトランジスタの閾値電圧が互いに異なる複数組のメモリセル組が設けられ、
各メモリセル組に上記第2の電源電圧を供給するメモリセル電源回路の上記分圧の分圧比が、上記トランジスタの閾値電圧に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
上記メモリセル電源回路における第2の電源電圧を供給する場合の駆動能力が、当該半導体記憶装置の使用温度に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
ビット線に接続されるメモリセルの数が互いに異なる複数組のメモリセル組が設けられ、
各メモリセル組に上記第2の電源電圧を供給する場合の上記メモリセル電源回路の駆動能力が、上記ビット線に接続されるメモリセルの数、またはビット線の長さの少なくとも一方に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
要求される書き込み速度が互いに異なる複数組のメモリセル組が設けられ、
各メモリセル組に上記第2の電源電圧を供給する場合の上記メモリセル電源回路の駆動能力が、上記要求される書き込み速度に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
メモリセルのサイズが互いに異なる複数組のメモリセル組が設けられ、
各メモリセル組に上記第2の電源電圧を供給する場合の上記メモリセル電源回路の駆動能力が、上記メモリセルのサイズに応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
動作電源電圧が互いに異なる複数組のメモリセル組が設けられ、
各メモリセル組に上記第2の電源電圧を供給する場合の上記メモリセル電源回路の駆動能力が、上記動作電源電圧に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
構成するトランジスタの閾値電圧が互いに異なる複数組のメモリセル組が設けられ、
各メモリセル組に上記第2の電源電圧を供給する場合の上記メモリセル電源回路の駆動能力が、上記トランジスタの閾値電圧に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
上記メモリセル電源回路における第1の電源電圧を供給する場合の駆動能力が、当該半導体記憶装置の使用温度に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
ビット線に接続されるメモリセルの数が互いに異なる複数組のメモリセル組が設けられ、
各メモリセル組に上記第1の電源電圧を供給する場合の上記メモリセル電源回路の駆動能力が、上記ビット線に接続されるメモリセルの数、またはビット線の長さの少なくとも一方に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
構成するトランジスタの閾値電圧が互いに異なる複数組のメモリセル組が設けられ、
各メモリセル組に上記第1の電源電圧を供給する場合の上記メモリセル電源回路の駆動能力が、上記トランジスタの閾値電圧に応じて設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1、および請求項20から請求項22のうちの何れか1項の半導体記憶装置であって、
上記メモリセル電源回路は、所定の制御信号に応じて、上記第1の電源電圧を供給する場合の上記メモリセル電源回路の駆動能力を切り替え得るように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
冗長救済機能を有し、
冗長救済が行われる場合に、冗長救済されるメモリセルに対応したメモリセル電源回路による電源電圧の供給が停止されるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
冗長救済機能を有し、
冗長救済が行われない場合に、使用されない冗長救済メモリセルに対応したメモリセル電源回路による電源電圧の供給が停止されるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置を複数備えたことを特徴とする半導体集積回路。
- フリップフロップを有するメモリセルと、
上記メモリセルに高電圧側のセル電源電圧を供給するメモリセル電源回路とを有する半導体記憶装置であって、
上記メモリセル電源回路は、
少なくとも互いに異なる2つのセル電源電圧を供給するように構成され、
データの読み出しサイクルにおいてセル電源電圧を供給する場合、および書き込みサイクルにおいてセル電源電圧を供給するメモリセルにデータが書き込まれない場合に、所定の第1の電源電圧を供給する一方、
書き込みサイクルにおいてセル電源電圧を供給するメモリセルにデータが書き込まれる場合に、上記第1の電源電圧よりも低い第2の電源電圧を供給するとともに、
さらに、
上記メモリセルのリーク電流を補償するリーク補償回路と、
上記メモリセルの周辺回路に電源電圧を供給する周辺回路電源とを備え、
上記メモリセル電源回路は、さらに、上記周辺回路への電源電圧の供給が遮断される場合に、上記第1の電源電圧を供給し、
上記リーク補償回路は、上記周辺回路への電源電圧の供給が遮断される場合には、常に動作するように構成されたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
さらに、
上記メモリセルのリーク電流を補償するリーク補償回路と、
上記メモリセルの周辺回路に電源電圧を供給する周辺回路電源とを備え、
上記メモリセル電源回路は、さらに、上記周辺回路への電源電圧の供給が遮断される場合に、上記第1の電源電圧を供給し、
上記リーク補償回路は、上記周辺回路への電源電圧の供給が遮断される場合には、常に動作するように構成されたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項27および請求項28のうち何れか1項の半導体記憶装置であって、
上記周辺回路への電源電圧の供給が遮断される場合に、上記メモリセルが有するアクセストランジスタがオフするように制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項29の半導体記憶装置であって、
上記アクセストランジスタを制御するワード線と接地との間に接続されたワード線接地トランジスタを備え、上記周辺回路への電源電圧の供給が遮断される場合に上記ワード線接地トランジスタがオンすることによってアクセストランジスタがオフするように制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項27および請求項28のうち何れか1項の半導体記憶装置であって、
上記周辺回路への電源電圧の供給が遮断される場合に、上記メモリセル電源回路およびリーク補償回路の少なくとも一方によって、上記メモリセルに記憶データを保持させ得る電源電圧が供給されるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項31の半導体記憶装置であって、
上記メモリセルに記憶データを保持させ得る電源電圧が、ダイオード型にゲートが接続されたトランジスタと、上記周辺回路への電源電圧の供給を制御する制御信号によって制御されるトランジスタとが直列接続されて生成されるように構成されたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項32の半導体記憶装置であって、
上記ダイオード型にゲートが接続されたトランジスタは、上記メモリセルを構成するトランジスタと同じ濃度の不純物注入がなされて形成されたことを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006054614A JP4865360B2 (ja) | 2006-03-01 | 2006-03-01 | 半導体記憶装置 |
US11/650,482 US7577014B2 (en) | 2006-03-01 | 2007-01-08 | Semiconductor memory device |
CN2007100070235A CN101030447B (zh) | 2006-03-01 | 2007-02-07 | 半导体存储器件 |
US12/503,523 US7817460B2 (en) | 2006-03-01 | 2009-07-15 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006054614A JP4865360B2 (ja) | 2006-03-01 | 2006-03-01 | 半導体記憶装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007234126A JP2007234126A (ja) | 2007-09-13 |
JP2007234126A5 true JP2007234126A5 (ja) | 2009-03-19 |
JP4865360B2 JP4865360B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=38471292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006054614A Active JP4865360B2 (ja) | 2006-03-01 | 2006-03-01 | 半導体記憶装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7577014B2 (ja) |
JP (1) | JP4865360B2 (ja) |
CN (1) | CN101030447B (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009064482A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
US7760576B2 (en) * | 2007-11-08 | 2010-07-20 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods for low power, high yield memory |
JP2009123258A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Panasonic Corp | 半導体記憶装置 |
JP5200506B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2013-06-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | メモリ装置 |
JP4579965B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置 |
US7733687B2 (en) * | 2008-02-20 | 2010-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | WAK devices in SRAM cells for improving VCCMIN |
KR20090097712A (ko) * | 2008-03-12 | 2009-09-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 컬럼 선택 신호 전위 조절 회로 및 이를 이용한 반도체메모리 장치 |
US7911826B1 (en) * | 2008-03-27 | 2011-03-22 | Altera Corporation | Integrated circuits with clearable memory elements |
CN101552035B (zh) * | 2008-04-02 | 2012-04-04 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 存储器系统 |
US8120951B2 (en) * | 2008-05-22 | 2012-02-21 | Micron Technology, Inc. | Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods |
CN101727954B (zh) * | 2008-10-24 | 2012-08-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 存储器装置及其提供电压供给的方法 |
US7876600B2 (en) * | 2008-11-17 | 2011-01-25 | AiceStar Technology (Suzhou) Corporation | SRAM and method of controlling the SRAM |
JP4857367B2 (ja) * | 2009-07-06 | 2012-01-18 | 株式会社沖データ | 駆動回路及び画像形成装置 |
US8259486B2 (en) * | 2009-08-03 | 2012-09-04 | Stmicroelectronics International N.V. | Self-timed write boost for SRAM cell with self mode control |
CN101699561B (zh) * | 2009-11-06 | 2012-09-05 | 东南大学 | 用于亚阈值存储单元阵列的位线漏电流补偿电路 |
US9858986B2 (en) * | 2010-08-02 | 2018-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit with low power SRAM |
JP5777991B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2015-09-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2013084385A1 (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-13 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置 |
US8724374B1 (en) * | 2012-10-18 | 2014-05-13 | Stmicroelectronics International N.V. | Data-dependent pullup transistor supply and body bias voltage application for a static random access memory (SRAM) cell |
US9263122B2 (en) * | 2013-10-21 | 2016-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Data-controlled auxiliary branches for SRAM cell |
CN104795029B (zh) * | 2014-01-16 | 2017-06-06 | 矽创电子股份有限公司 | 栅极驱动器及其电路缓冲器 |
US9305633B2 (en) | 2014-04-17 | 2016-04-05 | Stmicroelectronics International N.V. | SRAM cell and cell layout method |
US9916874B2 (en) | 2014-08-15 | 2018-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory architecture having first and second voltages |
US9251875B1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-02-02 | Qualcomm Incorporated | Register file circuit and method for improving the minimum operating supply voltage |
US9984730B2 (en) * | 2015-02-23 | 2018-05-29 | Qualcomm Incorporated | Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods |
US9741452B2 (en) | 2015-02-23 | 2017-08-22 | Qualcomm Incorporated | Read-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) read port(s), and related memory systems and methods |
US10037400B2 (en) * | 2016-06-02 | 2018-07-31 | Marvell World Trade Ltd. | Integrated circuit manufacturing process for aligning threshold voltages of transistors |
US9817601B1 (en) * | 2016-07-07 | 2017-11-14 | Nxp Usa, Inc. | Method and apparatus for determining feasibility of memory operating condition change using different back bias voltages |
JP6220935B2 (ja) * | 2016-08-12 | 2017-10-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US10033388B1 (en) * | 2017-03-21 | 2018-07-24 | Xilinx, Inc. | Circuit for and method of enabling the selection of a circuit |
JP2018142397A (ja) * | 2018-06-20 | 2018-09-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN114121096B (zh) * | 2020-08-27 | 2024-03-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器的调节方法、调节系统以及半导体器件 |
CN114121072B (zh) | 2020-08-27 | 2023-12-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器的调节方法、调节系统以及半导体器件 |
CN114121058B (zh) | 2020-08-27 | 2023-08-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器的调节方法、调节系统以及半导体器件 |
CN114121073B (zh) | 2020-08-27 | 2023-09-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器的调节方法、调节系统以及半导体器件 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5564686A (en) | 1978-11-08 | 1980-05-15 | Nec Corp | Memory unit |
US5159571A (en) * | 1987-12-29 | 1992-10-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory with a circuit for testing characteristics of flip-flops including selectively applied power supply voltages |
JP2837682B2 (ja) * | 1989-01-13 | 1998-12-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
US5301147A (en) * | 1993-01-08 | 1994-04-05 | Aptix Corporation | Static random access memory cell with single logic-high voltage level bit-line and address-line drivers |
US5396469A (en) * | 1994-03-31 | 1995-03-07 | Hewlett-Packard Company | SRAM memory requiring reduced voltage swing during write |
US5490105A (en) * | 1994-09-27 | 1996-02-06 | Regents Of The University Of Michigan | High speed current mirror memory cell architecture |
US5544097A (en) * | 1995-03-31 | 1996-08-06 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | SRAM memory cell with reduced internal cell voltage |
JP4198201B2 (ja) | 1995-06-02 | 2008-12-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
TW299448B (ja) * | 1995-07-20 | 1997-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
US6034886A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-07 | Stmicroelectronics, Inc. | Shadow memory for a SRAM and method |
US6205049B1 (en) * | 1999-08-26 | 2001-03-20 | Integrated Device Technology, Inc. | Five-transistor SRAM cell |
JP3486590B2 (ja) * | 1999-12-03 | 2004-01-13 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成装置 |
JP3589168B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2004-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
US6678202B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-01-13 | Texas Instruments Incorporated | Reduced standby power memory array and method |
JP2003059273A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP4162076B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2008-10-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
KR100460459B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2004-12-08 | 삼성전자주식회사 | 향상된 테스트 모드를 갖는 반도체 메모리 장치 |
JP4286634B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2009-07-01 | パナソニック株式会社 | メモリ故障救済回路 |
JP2005078741A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
US6990035B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-01-24 | Texas Instruments Incorporated | Circuit and method for reducing SRAM standby power |
US7177176B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-02-13 | Intel Corporation | Six-transistor (6T) static random access memory (SRAM) with dynamically variable p-channel metal oxide semiconductor (PMOS) strength |
JP2006209877A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
DE102006029973B4 (de) | 2005-06-30 | 2016-07-28 | Denso Corporation | Ejektorkreislaufsystem |
JP4917767B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2012-04-18 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置 |
US7394714B2 (en) * | 2006-09-07 | 2008-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Circuit implementation of a dynamic power supply for SRAM core array |
US7440313B2 (en) * | 2006-11-17 | 2008-10-21 | Freescale Semiconductor, Inc. | Two-port SRAM having improved write operation |
-
2006
- 2006-03-01 JP JP2006054614A patent/JP4865360B2/ja active Active
-
2007
- 2007-01-08 US US11/650,482 patent/US7577014B2/en active Active
- 2007-02-07 CN CN2007100070235A patent/CN101030447B/zh active Active
-
2009
- 2009-07-15 US US12/503,523 patent/US7817460B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007234126A5 (ja) | ||
EP2118717A4 (en) | MEMORY DEVICE WITH DIVIDED POWER SWITCH AND CORRESPONDING METHOD | |
US9196338B2 (en) | Magnetoresistive memory device with reduced leakage and high speed operation in an SoC | |
US7630229B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US9317087B2 (en) | Memory column drowsy control | |
TW200707436A (en) | Semiconductor memory device | |
US8164938B2 (en) | Semiconductor memory device | |
WO2007134281A3 (en) | Two levels of voltage regulation supplied for logic and data programming voltage of a memory device | |
RU2010129834A (ru) | Устройство магниторезистивной оперативной памяти с совместно используемой линией истока | |
US8059480B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP2008103028A5 (ja) | ||
US9026808B2 (en) | Memory with word level power gating | |
US10373675B2 (en) | Semiconductor storage device | |
US8559245B2 (en) | Internal voltage generating circuit having selectively driven drivers in semiconductor memory apparatus | |
JP2016157504A5 (ja) | ||
US20190051354A1 (en) | Semiconductor circuit, method of driving semiconductor circuit, and electronic apparatus | |
CN109119109A (zh) | 存储器器件和存储器器件的操作方法 | |
TWI475565B (zh) | 靜態隨機存取記憶體的控制電路及其操作方法 | |
JP5745668B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010287287A5 (ja) | ||
Matsuzaki et al. | 16.9 A 128kb 4b/cell nonvolatile memory with crystalline In-Ga-Zn oxide FET using V t, cancel write method | |
CN107086052A (zh) | 闪速存储器 | |
JP6201646B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20230223064A1 (en) | Semiconductor storage | |
JP4872976B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置 |