JP5200506B2 - メモリ装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1の実施形態によるスタティック型メモリ装置の構成例を示す回路図であり、図2は図1のメモリ装置の動作を示すフローチャートである。図1のメモリ装置は、図7のメモリ装置に対して、第1のメモリセル電源電圧生成回路111及び第2のメモリセル電源電圧生成回路112を追加したものである。以下、図1のメモリ装置が図7のメモリ装置と異なる点を説明する。
図3は本発明の第2の実施形態によるスタティック型メモリ装置の構成例を示す回路図であり、図4は図3のメモリ装置の動作を示すフローチャートである。図3のメモリ装置は、図7のメモリ装置に対して、第1のメモリセル電源電圧生成回路111及び第2のメモリセル電源電圧生成回路311を追加したものである。以下、図3のメモリ装置が図7のメモリ装置と異なる点を説明する。
データを記憶するメモリセルと、
前記メモリセルと電源線との間に設けられたメモリセル電源ノードと、
前記メモリセル電源ノードに接続され、書き込み動作期間の少なくとも一部において、前記メモリセル電源ノードに、前記電源線の電位よりも低い第1の電位を供給する第1のメモリセル電源電圧生成回路と、
前記メモリセル電源ノードに接続され、前記書き込み動作期間の少なくとも一部において、前記メモリセル電源ノードに前記電源線の電位よりも低い第2の電位を供給する第2のメモリセル電源電圧生成回路と
を有することを特徴とするメモリ装置。
(付記2)
前記第1のメモリセル電源電圧生成回路の電流供給能力は、前記第2のメモリセル電源電圧生成回路の電流供給能力よりも高いことを特徴とする付記1に記載のメモリ装置。
(付記3)
前記書き込み動作期間において前記メモリセル電源ノードに前記第1の電位が供給される第1の期間は、前記第2の電位が供給される第2の期間よりも短いことを特徴とする付記1又は2に記載のメモリ装置。
(付記4)
さらに、前記書き込み動作期間の少なくとも一部において、前記メモリセル電源ノードを前記電源線から切り離すための第1のスイッチを有することを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載のメモリ装置。
(付記5)
前記第1及び第2のメモリセル電源電圧生成回路は、書き込み動作期間内の異なるタイミングで前記メモリセル電源ノードに前記第1の電位及び前記第2の電位を供給することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載のメモリ装置。
(付記6)
前記第1のメモリセル電源電圧生成回路は、書き込み動作期間のうちの第1のタイミングで前記第1の電位の供給を止め、
前記第2のメモリセル電源電圧生成回路は、前記書き込み動作期間のうちの、前記第1のタイミングより遅い第2のタイミングで前記第2の電位の供給を止めることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載のメモリ装置。
(付記7)
前記第1及び第2のメモリセル電源電圧生成回路は、それぞれ抵抗分割による電位を生成するための複数の抵抗を有することを特徴とする付記1乃至6のいずれか1項に記載のメモリ装置。
(付記8)
前記複数の抵抗は、複数のトランジスタで構成されることを特徴とする付記7に記載のメモリ装置。
(付記9)
前記第1のメモリセル電源電圧生成回路は、抵抗分割による電位を生成するための複数の抵抗を有し、
前記第2のメモリセル電源電圧生成回路は、容量分割による電位を生成するための容量を有することを特徴とする付記1乃至6のいずれか1項に記載のメモリ装置。
(付記10)
さらに、前記メモリセルに接続され、前記メモリセルを選択するためのワード線と、
前記メモリセルに接続され、前記メモリセルに書き込みデータを供給するためのビット線と、
前記ビット線に書き込みデータを出力するためのライトアンプとを有し、
前記メモリセルは、複数のインバータのループ回路を有することを特徴とする付記1乃至9のいずれか1項に記載のメモリ装置。
(付記11)
前記第1のメモリセル電源電圧生成回路内の複数のトランジスタは、前記第2のメモリセル電源電圧生成回路内の複数のトランジスタに対して、サイズが大きいことを特徴とする付記8記載のメモリ装置。
(付記12)
前記複数の抵抗は、複数のトランジスタで構成されることを特徴とする付記9に記載のメモリ装置。
102 コントロール回路
103 メモリセル
104 ライトアンプ
105〜107 トランジスタ
111 第1のメモリセル電源電圧生成回路
112 第2のメモリセル電源電圧生成回路
Claims (8)
- データを記憶するメモリセルと、
前記メモリセルと電源線との間に設けられたメモリセル電源ノードと、
前記メモリセル電源ノードに接続され、書き込み動作期間の少なくとも一部において、前記メモリセル電源ノードに、前記電源線の電位よりも低い第1の電位を供給する第1のメモリセル電源電圧生成回路と、
前記メモリセル電源ノードに接続され、前記書き込み動作期間の少なくとも一部において、前記メモリセル電源ノードに前記電源線の電位よりも低い第2の電位を供給する第2のメモリセル電源電圧生成回路とを有し、
前記第1のメモリセル電源電圧生成回路の電流供給能力は、前記第2のメモリセル電源電圧生成回路の電流供給能力よりも高く、
前記書き込み動作期間において前記メモリセル電源ノードに前記第1の電位が供給される第1の期間は、前記第2の電位が供給される第2の期間よりも短いことを特徴とするメモリ装置。 - さらに、前記書き込み動作期間の少なくとも一部において、前記メモリセル電源ノードを前記電源線から切り離すための第1のスイッチを有することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記第1及び第2のメモリセル電源電圧生成回路は、書き込み動作期間内の異なるタイミングで前記メモリセル電源ノードに前記第1の電位及び前記第2の電位を供給することを特徴とする請求項1又は2に記載のメモリ装置。
- 前記第1のメモリセル電源電圧生成回路は、書き込み動作期間のうちの第1のタイミングで前記第1の電位の供給を止め、
前記第2のメモリセル電源電圧生成回路は、前記書き込み動作期間のうちの、前記第1のタイミングより遅い第2のタイミングで前記第2の電位の供給を止めることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のメモリ装置。 - 前記第1及び第2のメモリセル電源電圧生成回路は、それぞれ抵抗分割による電位を生成するための複数の抵抗を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメモリ装置。
- 前記複数の抵抗は、複数のトランジスタで構成されることを特徴とする請求項5に記載のメモリ装置。
- 前記第1のメモリセル電源電圧生成回路は、抵抗分割による電位を生成するための複数の抵抗を有し、
前記第2のメモリセル電源電圧生成回路は、容量分割による電位を生成するための容量を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメモリ装置。 - さらに、前記メモリセルに接続され、前記メモリセルを選択するためのワード線と、
前記メモリセルに接続され、前記メモリセルに書き込みデータを供給するためのビット線と、
前記ビット線に書き込みデータを出力するためのライトアンプとを有し、
前記メモリセルは、複数のインバータのループ回路を有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のメモリ装置。
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