JP2007228420A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007228420A5 JP2007228420A5 JP2006049014A JP2006049014A JP2007228420A5 JP 2007228420 A5 JP2007228420 A5 JP 2007228420A5 JP 2006049014 A JP2006049014 A JP 2006049014A JP 2006049014 A JP2006049014 A JP 2006049014A JP 2007228420 A5 JP2007228420 A5 JP 2007228420A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- switch
- wiring
- line
- voltage supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001808 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- 第１の電圧を供給する第１の電圧配線と、
第２の電圧を供給する第２の電圧配線と、
第３の電圧を供給する第３の電圧配線と、
前記第１の電圧配線と前記第２の電圧配線との間に設けられた第１の電圧供給配線と、
前記第２の電圧配線と前記第１の電圧供給配線との間に接続され、入力される信号に応じて前記第２の電圧配線と前記第１の電圧供給配線との間に電流経路が形成される内部回路と、
前記第１の電圧配線と前記第１の電圧供給配線との間に接続され、入力される指示信号に応じて前記第１の電圧配線と前記第１の電圧供給配線との電気的な導通状態を制御することが可能な第１の電圧供給制御回路とを備え、
前記第１の電圧供給制御回路は、
前記第１の電圧供給配線と前記第１の電圧配線との間に設けられた第１のスイッチと、
前記指示信号に応じて前記第１のスイッチを制御する第１の論理回路とを含み、
前記第１の論理回路は、
前記第３の電圧配線と前記第１のスイッチの制御端との間に設けられ、前記第１のスイッチを導通状態とする指示信号に応じて、前記第３の電圧配線と前記第１のスイッチの制御端とを電気的に結合させる第２のスイッチと、
前記第１の電圧供給配線と前記第１のスイッチの制御端との間に設けられ、前記第１のスイッチに流れる電流量が導通状態に比べて少ない非導通状態とする指示信号に応じて、前記第１の電圧供給配線と前記第１のスイッチの制御端とを電気的に結合させる第３のスイッチとを含む、半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006049014A JP4911988B2 (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 半導体装置 |
| US11/708,458 US7436205B2 (en) | 2006-02-24 | 2007-02-21 | Semiconductor device reducing power consumption in standby mode |
| US12/230,694 US7667484B2 (en) | 2006-02-24 | 2008-09-03 | Semiconductor device reducing power consumption in standby mode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006049014A JP4911988B2 (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007228420A JP2007228420A (ja) | 2007-09-06 |
| JP2007228420A5 true JP2007228420A5 (ja) | 2009-03-26 |
| JP4911988B2 JP4911988B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=38478768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006049014A Expired - Fee Related JP4911988B2 (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7436205B2 (ja) |
| JP (1) | JP4911988B2 (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070183185A1 (en) * | 2006-01-11 | 2007-08-09 | The Regents Of The University Of California | Finfet-based sram with feedback |
| JP5034379B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2012-09-26 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体メモリおよびシステム |
| US7863971B1 (en) * | 2006-11-27 | 2011-01-04 | Cypress Semiconductor Corporation | Configurable power controller |
| US7760011B2 (en) * | 2007-08-10 | 2010-07-20 | Texas Instruments Incorporated | System and method for auto-power gating synthesis for active leakage reduction |
| JP2009060560A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-19 | Fujitsu Microelectronics Ltd | マスタスレーブ回路及びその制御方法 |
| US7698585B2 (en) | 2008-07-10 | 2010-04-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus, system, and method for reducing idle power in a power supply |
| KR100964920B1 (ko) | 2008-07-31 | 2010-06-23 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 파워게이팅 회로 및 방법 |
| WO2010026500A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-11 | Nxp B.V. | Static random access memory comprising a current source, and method to put memory cells of such a memory into sleep or write mode using said current source |
| DE102008053533A1 (de) * | 2008-10-28 | 2010-04-29 | Atmel Automotive Gmbh | Schaltung, Verfahren zur Steuerung und Verwendung einer Schaltung für einen Ruhemodus und einen Betriebsmodus |
| US7804329B2 (en) * | 2008-11-21 | 2010-09-28 | International Business Machines Corporation | Internal charge transfer for circuits |
| US9824008B2 (en) * | 2008-11-21 | 2017-11-21 | International Business Machines Corporation | Cache memory sharing in a multi-core processor (MCP) |
| US9122617B2 (en) * | 2008-11-21 | 2015-09-01 | International Business Machines Corporation | Pseudo cache memory in a multi-core processor (MCP) |
| US9886389B2 (en) * | 2008-11-21 | 2018-02-06 | International Business Machines Corporation | Cache memory bypass in a multi-core processor (MCP) |
| TWI401693B (zh) * | 2009-01-05 | 2013-07-11 | Nanya Technology Corp | 電壓提供電路、以及使用此電壓提供電路的訊號延遲系統 |
| US8406075B2 (en) * | 2009-04-03 | 2013-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Ultra-low leakage memory architecture |
| KR20110108125A (ko) * | 2010-03-26 | 2011-10-05 | 삼성전자주식회사 | 집적 회로 장치, 그리고 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템 |
| CN107947763B (zh) | 2010-08-06 | 2021-12-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体集成电路 |
| US8415972B2 (en) * | 2010-11-17 | 2013-04-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Variable-width power gating module |
| JP5512498B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-06-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP2012216590A (ja) | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
| JP5890234B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法 |
| WO2013111757A1 (en) | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2013157800A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路、およびその半導体集積回路の動作方法 |
| US9299395B2 (en) * | 2012-03-26 | 2016-03-29 | Intel Corporation | Methods and systems to selectively boost an operating voltage of, and controls to an 8T bit-cell array and/or other logic blocks |
| US9207750B2 (en) | 2012-12-14 | 2015-12-08 | Intel Corporation | Apparatus and method for reducing leakage power of a circuit |
| US8890602B2 (en) * | 2013-01-16 | 2014-11-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Well-biasing circuit for integrated circuit |
| US9007122B2 (en) * | 2013-06-05 | 2015-04-14 | Via Technologies, Inc. | Digital power gating with state retention |
| US9450580B2 (en) | 2013-06-05 | 2016-09-20 | Via Technologies, Inc. | Digital power gating with programmable control parameter |
| US8963627B2 (en) * | 2013-06-05 | 2015-02-24 | Via Technologies, Inc. | Digital power gating with controlled resume |
| US9000834B2 (en) | 2013-06-05 | 2015-04-07 | Via Technologies, Inc. | Digital power gating with global voltage shift |
| JP2015032651A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | マイクロン テクノロジー， インク． | 半導体装置 |
| US9094011B2 (en) * | 2013-11-27 | 2015-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Power gate switch architecture |
| JP6392082B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-09-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
| US9653131B1 (en) | 2016-02-12 | 2017-05-16 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for voltage level control |
| CN105514196B (zh) * | 2016-02-18 | 2017-04-05 | 苏州佳亿达电器有限公司 | 集成mos场效应管逆变器的太阳能电池板的制造方法 |
| CN105577110B (zh) * | 2016-02-18 | 2017-09-15 | 南通欧贝黎新能源电力股份有限公司 | 集成结型场效应管逆变器的太阳能电池板 |
| CN105577109B (zh) * | 2016-02-18 | 2017-09-05 | 南通欧贝黎新能源电力股份有限公司 | 集成结型场效应管逆变器的太阳能电池板的制造方法 |
| JP6618587B2 (ja) * | 2018-08-21 | 2019-12-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP2020174323A (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP2021163917A (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| CN113098467B (zh) * | 2021-03-01 | 2023-05-26 | 电子科技大学 | 一种降低泄漏功率的多阈值cmos电路 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2931776B2 (ja) | 1995-08-21 | 1999-08-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
| JP3341805B2 (ja) | 1996-05-28 | 2002-11-05 | 日本電信電話株式会社 | 論理回路 |
| US6285213B1 (en) * | 1997-11-19 | 2001-09-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device |
| KR100269643B1 (ko) * | 1997-11-27 | 2000-10-16 | 김영환 | 전력소비 억제회로 |
| JP3123516B2 (ja) * | 1998-08-14 | 2001-01-15 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
| JP2002305434A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Sharp Corp | 半導体集積回路 |
| JP2003110022A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
| JP3928937B2 (ja) * | 2002-05-24 | 2007-06-13 | シャープ株式会社 | 半導体集積回路 |
| JP4052923B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2008-02-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
| JP2005236654A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体ｍｏｓ集積回路 |
| US7164616B2 (en) * | 2004-12-20 | 2007-01-16 | Intel Corporation | Memory array leakage reduction circuit and method |
-
2006
- 2006-02-24 JP JP2006049014A patent/JP4911988B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-21 US US11/708,458 patent/US7436205B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-03 US US12/230,694 patent/US7667484B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007228420A5 (ja) | ||
| TWI505576B (zh) | Electronic device and electrical connector combination | |
| JP2008306799A5 (ja) | ||
| WO2008063963A3 (en) | Wall-mountable smart dual load control device | |
| JP2009515405A5 (ja) | ||
| TW200739580A (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
| JP2008181494A5 (ja) | ||
| JP2007505556A5 (ja) | ||
| MX2010000230A (es) | Dispositivo de clavija de contacto. | |
| JP2009192507A5 (ja) | ||
| JP2011501295A5 (ja) | ||
| JP2010009208A5 (ja) | ||
| JP2008518406A5 (ja) | ||
| JP2011511613A5 (ja) | ||
| JP2011059709A5 (ja) | ||
| JP5020625B2 (ja) | インタフェース回路 | |
| ATE480414T1 (de) | Elektrisches anhängeranschlussgerät | |
| TW201423354A (zh) | Usb電源提供電路 | |
| JP2020198499A5 (ja) | ||
| TW200735717A (en) | Load control circuit | |
| WO2006076219A3 (en) | A transient suppression circuit | |
| JP2010067900A5 (ja) | ||
| JP2008148378A5 (ja) | ||
| JP2012222813A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2019047301A5 (ja) |