JP2007225421A - 磁気センサ、その製造方法、回転検出装置及び位置検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
磁気センサは、基板上に磁気抵抗素子11〜14を薄膜形成し比較増幅機能を有する電気回路を備えた半導体基板67と、半導体基板67を実装するリードフレーム60と、半導体基板67と接続されるリードフレーム61及び62とをパッケージ66内に収容する。リードフレーム60は、屈曲加工により半導体取付面がパッケージ表面に対して傾斜のある構造を有し、半導体基板67は該取付面に取り付けられる。
【選択図】図1
Description
ρ=ρ0−Δρ・sin2θ・・・(1)
ρ :磁気抵抗体53の変化後の抵抗値
ρ0:磁気抵抗体53の初期値
Δρ:磁気抵抗体53の抵抗値の変化量
図1は、本実施形態の磁気センサ概略構成を示す図で、(a)が上面図、(b)が側面図を表している。半導体基板67には4つの磁気抵抗素子11〜14が薄膜形成され、該基板はワイヤボンディング63によりリードフレーム60と接続されてリードフレーム60上に実装されている。また、半導体基板67を実装しないリードフレーム61及び62は、ワイヤボンディング64及び65により該基板と接続されている。
図2は、本実施形態の磁気センサ概略構成を示す図で、(a)が上面図、(b)が側面図を表している。実施形態1と異なる点は、リードフレーム70のフレーム部に直交する傾斜軸78を軸として、パッケージ面76(c)あるいはパッケージ面76(d)に対して傾斜を持たせている点で、半導体基板上の各磁気抵抗素子の傾きが異なる。実施形態1では、磁気抵抗素子11及び磁気抵抗素子14が上方に、磁気抵抗素子12及び磁気抵抗素子13が下方に位置するように傾斜が設けられているが、本実施形態においては、磁気抵抗素子11及び磁気抵抗素子12が下方に、磁気抵抗素子13及び磁気抵抗素子14が上方に位置するように傾きを有している。また、これに伴ってリードフレームの形状が実施形態1と相違するが、その他の構成は同じである。
11〜14 磁気抵抗素子
15,18 接続点
16,17 中点
20 IC回路波形処理部
21 コンパレータ
22 帰還抵抗
31 電源端子
32 出力端子
33 GND端子
40〜42,60〜62,70〜72 リードフレーム
43〜45,63〜65,73〜75 ワイヤボンディング
46,66,76 パッケージ
46(a)〜46(f),66(a)〜66(f),76(a)〜76(f) パッケージ面
47,67,77 半導体基板
50 挿入角
51 電流の向き
52,58 印加磁界
53 磁気抵抗体
54,56 傾き
55,57 水平方向の磁界成分
68,78 傾斜軸
69 曲げ角度
79 V溝角度
Claims (10)
- 異方性磁気抵抗効果を有し格子状で連続する折返し形状の磁気抵抗素子を薄膜形成した磁気抵抗素子部と、コンパレータ回路と帰還抵抗とからなり比較増幅機能を有するIC回路波形処理部とを基板上に備え、前記磁気抵抗素子部と前記IC回路波形処理部とが接続された半導体基板と、
前記半導体基板を実装したリードフレームとがパッケージ内に収容され、印加した磁界を検知し電気的に出力変換することで磁気検出を行う磁気センサであって、
前記磁気抵抗素子部は、縦方向及び横方向の格子状の前記磁気抵抗素子がホイートストンブリッジで構成され、
前記半導体基板は、前記パッケージの表面に対して角度を有して配置された前記リードフレーム上に取り付けられたことを特徴とする磁気センサ。 - 1つのホイートストンブリッジで構成された前記磁気抵抗素子部を有する1つの前記半導体基板がリードフレームに搭載されたことを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記リードフレームは、前記半導体基板の取付部分であるステージ部と前記ステージ部を一方向から支持するフレーム部とから構成され、前記フレーム部を屈曲させることにより、前記パッケージの表面に対する前記ステージ部の基板取付面の角度を調整することを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気センサ。
- 前記リードフレームは、前記フレーム部の屈曲部分にV字型の溝を設けたことを特徴とする請求項3に記載の磁気センサ。
- 前記半導体基板は、前記フレーム部と平行する軸に対して角度を有して配置された前記リードフレームの前記ステージ部に取り付けられたことを特徴とする請求項3又は4に記載の磁気センサ。
- 前記半導体基板は、前記フレーム部と直交する軸に対して角度を有して配置された前記リードフレームの前記ステージ部に取り付けられたことを特徴とする請求項3又は4に記載の磁気センサ。
- 異方性磁気抵抗効果を有し格子状で連続する折返し形状の磁気抵抗素子を薄膜形成した磁気抵抗素子部と、コンパレータ回路と帰還抵抗とからなり比較増幅機能を有するIC回路波形処理部とを基板上に備え、前記磁気抵抗素子部と前記IC回路波形処理部とが接続された半導体基板と、
前記半導体基板の取付部分であるステージ部と前記ステージ部を一方向から支持するフレーム部とから構成され前記半導体基板を実装したリードフレームとがパッケージ内に収容され、印加した磁界を検知し電気的に出力変換することで磁気検出を行う磁気センサの製造方法であって、
前記フレーム部を屈曲させ、前記パッケージの表面に対する前記ステージ部の基板取付面の角度を調整して前記リードフレームを加工する加工工程と、
前記加工工程により加工されたリードフレームの前記ステージ部の基板取付面に前記半導体基板を取り付ける取付工程とを有することを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 前記加工工程は、屈曲後の前記基板取付面の角度が所望の角度となる角度のV字型の溝を前記フレーム部の屈曲部分に設け、前記屈曲部分を屈曲させることを特徴とする請求項7に記載の磁気センサの製造方法。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の磁気センサを搭載したことを特徴とする回転検出装置。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の磁気センサを搭載したことを特徴とする位置検出装置。
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