JP2007211292A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007211292A5 JP2007211292A5 JP2006032349A JP2006032349A JP2007211292A5 JP 2007211292 A5 JP2007211292 A5 JP 2007211292A5 JP 2006032349 A JP2006032349 A JP 2006032349A JP 2006032349 A JP2006032349 A JP 2006032349A JP 2007211292 A5 JP2007211292 A5 JP 2007211292A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge electrode
- thin film
- impedance
- electrode
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 14
- 210000004027 cells Anatomy 0.000 claims 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
Description
なお、p層シリコン薄膜、i層シリコン薄膜、及びn層シリコン薄膜をそれぞれ異なる製膜室6で形成しても良い。更には異なる薄膜製造装置で形成しても良い。また、必要に応じて各層の間に他の薄膜を形成しても良い。そのような他の膜や透明導電膜、裏面導電膜については、本発明の薄膜製造装置を用いなくても良い。また、特に記載していないが、太陽電池として直列集積構造するために、途中工程にYAGレーザーなどを用いた膜のエッチング工程を実施する。
Claims (10)
- 製膜室と、
前記製膜室内に設けられた放電電極と、
前記放電電極に対向するように接地されて設けられ、基板を保持可能な対向電極と、
前記放電電極の給電点に伝送線路を介して高周波電力を供給する高周波電源と、
前記伝送線路の途中に接続され、前記高周波電源と前記放電電極とのインピーダンスを整合する整合器と、
前記放電電極に電気的に接続され、前記放電電極のインピーダンスを調整する電極インピーダンス調整部と
を具備する薄膜製造装置。 - 請求項1に記載の薄膜製造装置において、
前記電極インピーダンス調整部は、インダクタンス素子及びキャパシタンス素子の少なくとも一つである薄膜製造装置。 - 請求項2に記載の薄膜製造装置において、
前記放電電極に対して前記対向電極と反対の側に設けられ、接地された防着板を更に具備し、
前記電極インピーダンス調整部は、一端を前記放電電極に、他端を前記防着板に電気的に接続されている薄膜製造装置。 - 請求項2に記載の薄膜製造装置において、
前記電極インピーダンス調整部は、一端が前記放電電極に電気的に接続され、他端が前記製膜室の外側で接地され、
前記インダクタンス素子及び前記キャパシタンス素子のうちの前記製膜室の外側にあるものはインピーダンスが可変である薄膜製造装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の薄膜製造装置において、
前記放電電極は、
互いに略平行に第1方向へ伸びる二本の横電極と、
前記二本の横電極の間に設けられ、互いに略平行に前記第1方向に略垂直な第2方向へ伸びる複数の縦電極と、
前記二本の横電極の間に設けられ、前記複数の縦電極のうちの少なくとも二本を電気的に接続する補助横電極と
を備える薄膜製造装置。 - 請求項5に記載の薄膜製造装置において、
前記補助横電極は、前記第1方向へ伸び、前記複数の縦電極を電気的に接続する薄膜製造装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の薄膜製造装置において、
前記高周波電力が供給される前記放電電極の給電点の位置は変更可能である薄膜製造装置。 - 薄膜製造装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
前記薄膜製造装置は、
製膜室と、
前記製膜室内に設けられた放電電極と、
前記放電電極に対向するように接地されて設けられ、基板を保持可能な対向電極と、
前記放電電極の給電点に伝送線路を介して高周波電力を供給する高周波電源と、
前記伝送線路の途中に接続され、前記高周波電源と前記放電電極とのインピーダンスを整合する整合器と、
前記放電電極に電気的に接続され、前記放電電極のインピーダンスを調整する電極インピーダンス調整部と
を備え、
前記太陽電池の製造方法は、
(a)前記対向電極に基板を保持する工程と、
(b)前記製膜室内に前記供給ガスを導入する工程と、
(c)前記供給ガスを導入しつつ、前記電極インピーダンス調整部によりインピーダンスが調整された前記放電電極と前記対向電極との間に、前記整合器により前記高周波電源と前記放電電極とのインピーダンスの整合をしながら前記高周波電力を印加して、前記供給ガスの前記プラズマを形成し、前記基板上に太陽電池用の薄膜を形成する工程と
を具備する太陽電池の製造方法。 - 請求項8に記載の太陽電池の製造方法において、
前記電極インピーダンス調整部は、一端が前記放電電極に電気的に接続され、他端が前記製膜室の外側で接地され、
前記インダクタンス素子及び前記キャパシタンス素子のうちの前記製膜室の外側にあるものはインピーダンスが可変であり、
前記(c)工程は、
(c1)前記インダクタンス素子、前記キャパシタンス素子及び前記スタブのうちのインピーダンスが可変なものを用いて、前記放電電極のインピーダンスを調整する工程を備える太陽電池の製造方法。 - 請求項8または9に記載の太陽電池の製造方法において、
(d)前記高周波電力が供給される前記放電電極の給電点の位置を変更する工程を更に具備する太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006032349A JP4884793B2 (ja) | 2006-02-09 | 2006-02-09 | 薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006032349A JP4884793B2 (ja) | 2006-02-09 | 2006-02-09 | 薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007211292A JP2007211292A (ja) | 2007-08-23 |
JP2007211292A5 true JP2007211292A5 (ja) | 2008-09-18 |
JP4884793B2 JP4884793B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=38489993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006032349A Expired - Fee Related JP4884793B2 (ja) | 2006-02-09 | 2006-02-09 | 薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4884793B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4981387B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-07-18 | 三菱重工業株式会社 | 薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 |
JP4957625B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2012-06-20 | 旭硝子株式会社 | 透明基板の成膜方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04157164A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-29 | Canon Inc | プラズマ処理装置 |
JPH09272979A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-21 | Citizen Watch Co Ltd | プラズマ成膜装置およびそのクリーニング方法 |
JP3068604B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2000-07-24 | 三菱重工業株式会社 | プラズマcvd装置 |
JP3332857B2 (ja) * | 1998-04-15 | 2002-10-07 | 三菱重工業株式会社 | 高周波プラズマ発生装置及び給電方法 |
JP2000234173A (ja) * | 1998-12-15 | 2000-08-29 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理ユニット構造体 |
JP2002105643A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマcvd装置用電極接続具 |
JP3697185B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2005-09-21 | 三菱重工業株式会社 | 真空プラズマ処理装置 |
JP3872741B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2007-01-24 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ化学蒸着装置 |
-
2006
- 2006-02-09 JP JP2006032349A patent/JP4884793B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI449121B (zh) | 調節基板溫度之基板支撐件及其應用 | |
KR101057208B1 (ko) | 실리콘계 박막 광전 변환 장치, 그 제조 방법 및 그 제조장치 | |
JP2011023655A (ja) | 窒化シリコン薄膜成膜方法および窒化シリコン薄膜成膜装置 | |
WO2007148569A1 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および光電変換素子 | |
JP2008004814A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW201106807A (en) | Plasma deposition source and method for depositing thin films | |
KR102157824B1 (ko) | 저-손상 및 고-스루풋 플라즈마 프로세싱을 위한 대면적 vhf pecvd 챔버 | |
WO2010050034A1 (ja) | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 | |
JP2007211292A5 (ja) | ||
JP5144393B2 (ja) | プラズマcvd成膜方法およびプラズマcvd装置 | |
JP5053595B2 (ja) | Dlc膜の形成方法及びdlc膜の製造装置 | |
WO2012010867A1 (en) | Method for manufacturing a barrier coating | |
JP5748858B2 (ja) | プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜方法 | |
JP2008004813A (ja) | シリコン系薄膜光電変換素子の製造方法、製造装置およびシリコン系薄膜光電変換素子 | |
JP4884793B2 (ja) | 薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 | |
JP4279218B2 (ja) | 給電装置およびこれを備えたプラズマ処理装置並びにプラズマ処理方法 | |
WO2011001747A1 (ja) | 太陽電池の製造方法及び製造装置 | |
JP4875527B2 (ja) | プラズマ発生装置およびこれを用いた薄膜形成装置 | |
KR20190047785A (ko) | 저차원 물질을 위한 표면처리 방법 | |
JP4592576B2 (ja) | 放電電極、薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 | |
JP2007227522A (ja) | 光電変換装置の製造装置および光電変換装置の製造方法 | |
US20120021561A1 (en) | Plasma processing apparatus and method for manufacturing solar cell using same | |
JP2008004815A (ja) | プラズマ処理方法およびその方法を用いて製造された光電変換素子 | |
JP2009054844A (ja) | 真空処理装置、薄膜の製造方法、及び光電変換装置の製造方法 | |
JP4981387B2 (ja) | 薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 |