JP4957625B2

JP4957625B2 - 透明基板の成膜方法

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Publication number: JP4957625B2
Application number: JP2008098400A
Authority: JP
Inventors: 雄志松井; 謙一南; 幸史桶谷
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2008-04-04
Filing date: 2008-04-04
Publication date: 2012-06-20
Anticipated expiration: 2028-04-04
Also published as: JP2009249220A

Description

本発明は、透明基板の面上に成膜を行う際の透明基板の成膜方法、特に、太陽電池用透明導電性基板を作製するときの成膜方法に関する。

太陽電池には、光電変換層を１層のみとするシングル構造の他、より広範囲な太陽光スペクトルを利用するために、バンドギャップの異なる材料からなる複数の光電変換層を配置したタンデム構造がある。このようなタンデム構造の太陽電池には、下地を成す透明導電性基板が用いられている。透明導電性基板は、一般にガラス基板に、透明導電性酸化物膜等を成膜して構成されている。例えば、透明導電性酸化物膜として、フッ素をドープした酸化錫（ＳｎＯ₂）膜が用いられる。

下記特許文献１には、このような透明導電性基板及びその製造方法が記載されている。
これによると、基体上に、ＴｉＯ_２層、ＳｉＯ_２層およびＳｎＯ_２層が基体側からこの順に形成されており、ＳｎＯ_２層の厚さが、０．５〜０．９μｍであり、Ｃ光源ヘイズ率が２０〜６０％である太陽電池用透明導電性基板が記載され、さらに、これらの膜を、常圧ＣＶＤ法を用いて作製することが記載されている。
これによって、ヘイズ率が高く、基板全体として見た場合にヘイズ率のばらつきが少なく、かつ光透過性に優れたものを作製できるとされている。ヘイズ率を高くするのは、光の変換効率を高めるために、入射した光の散乱光を増加させ、光路長を長くするためである。

ＷＯ２００４／１０２６７７号公報

しかし、このようなガラス基板を用いた透明導電性基板を作製し、あるいは、太陽電池を作製するとき、透明導電性基板のハンドリング時に基板自体が破損することがないように慎重に取り扱うことが望まれている。しかし、慎重に取り扱っても、基板に大きなクラックが入ったり、場合によっては基板が破損する場合がある。このような透明導電性基板の低い破壊強度は大きな問題である。

そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、ガラス基板を用いた透明導電性基板等のように、透明基板に破損にいたるクラックが入ったり、破損が容易に生じないように、透明基板の破壊強度を向上させる透明基板の成膜方法を提供することを目的とする。

本発明は、少なくとも対向する２辺のエッジ部分が面取りされている透明基板の一方の面に成膜処理を行う際、前記透明基板として、前記エッジ部分がＲ面取りまたは糸面取りされているガラス基板を用い、形成される膜が、前記エッジ部分の面取り領域の、前記透明基板の他方の面と接続する接続位置まで延在するように、前記透明基板に対して、５００℃以上の温度条件下、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）成膜処理を行い、さらに、このＣＶＤ成膜処理は、５００℃以上の温度条件下、前記膜の原料ガスを、その両側から前記原料ガスと反応しないガスを、さらにその両側から酸化ガスを、それぞれ層流として、ガス流速０．１〜２．０ｍ／秒で前記透明基板に噴きつけて、ＴｉＯ ₂ 、ＳｎＯ ₂ 、及びＺｎＯから少なくとも１つ選ばれた導電性材料からなる膜を形成する処理であることを特徴とする透明基板の成膜方法を提供する。

なお、前記導電性材料からなる膜として、少なくとも膜厚が０．５〜０．９μｍのＳｎＯ ₂ 膜を形成することが好ましい。
また、前記ＣＶＤ成膜処理が、常圧ＣＶＤであることが好ましい。
さらに、前記ＣＶＤ成膜処理は、前記透明基板を所定方向に搬送しつつ、前記原料ガス、原料ガスと反応しないガスおよび酸化ガスを、前記透明基板の搬送方向と直交方向にスリット状のガス供給口から前記透明基板に吹き付けるものであることが好ましい。

本発明では、透明基板の一方の面に成膜処理を行うとき、透明基板の少なくとも対向する２辺のエッジ部分の面取りの領域に対して、５００℃以上の温度条件下、破壊の起点となる面取り領域を覆うように延在するＣＶＤ成膜処理を行うので、破壊強度の向上した透明基板を得ることができる。

以下、添付の図面に示す実施形態に基づいて、本発明の透明基板の成膜方法を詳細に説明する。
図１は、本発明の透明基板の成膜方法で得られる太陽電池用の透明導電性基板の概略の構成を示す図である。

図１に示す透明導電性基板１０は、ガラス基板１２と導電層１４とを有する。導電層１４は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により成膜した薄膜層である。導電層１４は、例えば、ＴiＯ₂膜あるいはＳｎＯ₂膜、ＺｎＯ膜等の導電性膜で構成される。このような透明導電性基板１０は、太陽電池用の基板として用いられ、導電層１４の側に、導電層１４に隣接して厚さ数ミクロンの薄膜シリコン層が積層される。
透明導電性基板１０のガラス基板１２は、厚さが０．２〜６．０ｍｍであり、導電層１４の厚さは、膜の構成及び積層される膜の成分によって異なる。

導電層１４の構成は、種々の構成が例示されるが、下記の構成が好適に用いられる。
すなわち、太陽電池用の透明導電性基板としての導電層１４の構成は、ガラス基板１２に、ＴｉＯ_２膜、ＳｉＯ_２膜およびＳｎＯ_２膜がガラス基板１２の側からこの順に形成されたものが挙げられる。この場合、導電性を有し、透明導電性基板のＣ光源ヘイズ率が２０〜６０％と高く、基板全体として見た場合にヘイズ率のばらつきが少なく、かつ光透過性に優れたものとして導電層１４は機能する。
以下、ＴｉＯ_２膜、ＳｉＯ_２膜およびＳｎＯ_２膜が積層された導電層１４について具体的に説明する。

ＴｉＯ_２膜は、実質的にＴｉＯ_２のみからなる層であり、層中に含有される成分中ＴｉＯ_２の割合が９０ｍｏｌ％以上、好ましくは９５ｍｏｌ％以上であり、９８ｍｏｌ％以上であることが特に好ましい。なお、ＴｉＯ_２膜は、ガラス基板１２よりも４００〜１２００ｎｍの波長領域の光屈折率が高い。ＴｉＯ_２膜は、膜厚が５ｎｍ以上２２ｎｍ未満であることが好ましく、１０〜２０ｎｍであることがより好ましい。ＴｉＯ_２膜の膜厚が５ｎｍ以上２２ｎｍ未満であると、透明導電性基板全体として見た場合のＣ光源ヘイズ率のばらつきが少なく、かつ光透過率、特に４００〜１２００ｎｍの波長領域の光透過率が高い。

ＴｉＯ_２膜は、ガラス基板１２および積層されるＳｉＯ_２膜との界面、特にガラス基板１２との界面が実質的に平坦であることが好ましい。ＴｉＯ_２膜の界面が実質的に平坦であれば、透明導電性基板１０を基板全体として見た場合のＣ光源ヘイズ率のばらつきを少なくできる。ＴｉＯ_２膜は、その上にＳｉＯ_２膜を形成する前の表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定した際の算術平均粗さ（Ｒ_ａ）が１ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．６ｎｍ以下である。
なお、ＴｉＯ_２膜の代わりとして酸化錫層（ＳｎＯ_２層）を形成することも可能である。通常、酸化錫層は、塩化物（ＳｎＣｌ_４）または塩素含有有機錫（Ｓｎ（ＯＣ_３Ｈ_７）Ｃｌ_３など）を原料として、常圧ＣＶＤ法により成膜される。成膜中において、原料中の塩素とガラス中のＮａなどのアルカリ成分とが反応しＮａＣｌなどの塩が副生成物として形成されることが多い。このような副生成物の生成により、平坦度の高いＳｎＯ_２膜を直接ガラス基板１２上に成膜することは困難であるため好ましくない。

ＳｉＯ_２膜は、ガラス基体１２およびＳｎＯ_２膜よりも４００〜１２００ｎｍの波長領域の光屈折率が低いＳｉＯ_２よりなる膜である。ＳｉＯ_２膜は、実質的にＳｉＯ_２のみからなる層であり、層中に含有される成分中ＳｉＯ_２の割合が９０ｍｏｌ％以上、好ましくは９５ｍｏｌ％以上であり、９８ｍｏｌ％以上であることが特に好ましい。
ＳｉＯ_２膜は、膜厚が１０〜５０ｎｍであることが好ましい。ＳｉＯ_２膜の膜厚が１０〜５０ｎｍであると、太陽電池用の透明導電性基板１０のＣ光源ヘイズ率が高く、基板全体として見た場合のＣ光源ヘイズ率のばらつきが少ない。ＳｉＯ_２膜の膜厚は、２０〜４０ｎｍであることがより好ましく、２０〜３５ｎｍであることがさらに好ましい。

ＳｉＯ_２膜についても、ＴｉＯ_２膜およびＳｎＯ_２膜との界面が実質的に平坦であることが好ましい。ＳｉＯ_２膜の界面が実質的に平坦であれば、積層されるＳｎＯ_２膜の結晶が面内均一に成長し、結果的に太陽電池用の透明導電性基板１０を基板全体として見た場合のＣ光源ヘイズ率のばらつきを抑制することができる。ＳｉＯ_２膜は、その上にＳｎＯ_２膜を形成する前の表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定した際の算術平均粗さ（Ｒ_ａ）が１ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．６ｎｍ以下である。
なお、ガラス基板１２がソーダライムシリケートガラスなどのナトリウムを含有するガラス製、または低アルカリ含有ガラス製の場合、ＳｉＯ_２膜は、ガラス基板１２からＳｎＯ_２膜へのアルカリ成分の拡散を最小限にするためのアルカリバリヤ層としても作用する。

太陽電池用の透明導電性基板１０では、ガラス基板１２とＳｎＯ_２膜の間に、４００〜１２００ｎｍの波長領域の光屈折率が、ガラス基板１２よりも高いＴｉＯ_２膜と、ＳｎＯ_２膜よりも光屈折率が低いＳｉＯ_２膜と、がこの順で形成されているため、ガラス基板１２とＳｎＯ_２膜との光屈折率の差異による影響、具体的には光屈折率の差異による入射光の反射損失が軽減され、光透過率、特に４００〜１２００ｎｍの波長領域の光透過率が高い。
ＳｎＯ_２膜は、膜厚が０．５〜０．９μｍである。ＳｎＯ_２膜の膜厚は、０．６〜０．８μｍであることが好ましい。ＳｎＯ_２膜の膜厚が０．６〜０．８μｍであると、太陽電池用の透明導電性膜１のＣ光源ヘイズ率が特に高く、基板１全体として見た場合のＣ光源ヘイズ率のばらつきが特に少なく、光透過率、特に４００〜１２００ｎｍの波長領域の光透過率が特に高く、かつＳｎＯ_２層５の導電性が特に優れている。なお、ここでいうＳｎＯ_２膜の層厚は、後述する表面の凹凸を含んだ値である。

ＳｎＯ_２膜は、その表面全体にわたって凹凸が均一に形成されていることが好ましい。この凹凸は、高低差（凸部と凹部の高低差）が０．２〜０．５μｍであることが好ましく、より好ましくは０．２〜０．３μｍである。また、上記凸部間のピッチ（隣接する凸部の頂点と頂点の距離）は０．３〜０．７５μｍであることが好ましく、より好ましくは０．３〜０．４５μｍである。
ＳｎＯ_２膜の表面に凹凸が形成されていれば、光散乱により透明導電性基板１０のヘイズ率が高められる。また、この凹凸がそのＳｎＯ_２膜の表面全体にわたって均一に形成されていれば、基板全体として見た場合にヘイズ率のばらつきが少ない。
ＳｎＯ_２膜は、導電層１４の導電機能を担う層であり、主としてＳｎＯ_２からなり、導電性を発現するための物質がドープされている。ここで、ＳｎＯ_２膜は、膜中に含有されるＳｎＯ_２の割合が９０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、より好ましくは９５ｍｏｌ％以上である。ドープされる物質としては、フッ素またはアンチモンを使用することができ、これらの中でもフッ素が好ましい。より具体的には、ＳｎＯ_２膜は、ＳｎＯ_２１ｍｏｌに対してフッ素が０．０１〜４ｍｏｌ％ドープされていることが好ましい。

ＳｎＯ_２膜は、導電性を発現するための物質がドープされていることにより、導電電子密度が向上されている。ＳｎＯ_２膜は、導電電子密度が５×１０^１９〜４×１０^２０ｃｍ^−３の範囲であることが好ましく、１×１０^２０〜２×１０^２０ｃｍ^−３の範囲であることがより好ましい。ＳｎＯ_２膜の導電密度が上記の範囲であれば、ＳｎＯ_２膜での光吸収量が少なく、高透明である。また、活性水素種に対して高い耐久性があるので、薄膜シリコン系の太陽電池を形成する際に一般に用いられる水素プラズマ照射を実施しても透明性が損なわれない。導電性に関して、ＳｎＯ_２膜は、シート抵抗が８〜２０Ω／□であることが好ましく、８〜１２Ω／□であることがより好ましい。

なお、このような構成を有する導電層１４を機能膜として備える透明導電性基板１０のＣ光源ヘイズ率（ＪＩＳＫ７１０５−１９８１年）は１０〜６０％である。好ましくは、Ｃ光源ヘイズ率は１０〜４０％である。Ｃ光源ヘイズ率が１０〜６０％であると、基板全体で見た場合のＣ光源ヘイズ率のばらつきを少なくする上で好ましい。さらに、基板全体について見た場合にＣ光源ヘイズ率のばらつきが少ない。具体的には、Ｃ光源ヘイズ率を基板の長手方向に１０ｍｍ間隔で１０点測定した際に、測定されたヘイズ率の最大値と、最小値との差が１０％以下である。前記の差は５％以下、特に３％以下、さらには２％以下であることが好ましい。さらに、導電膜１４により、光透過率、特に４００〜１２００ｎｍの波長領域の光透過率に優れている。
このように導電層１４は構成され、透明導電性基板１０の機能膜として機能する。

図１（ｂ）は、このような機能を有する導電膜１４を備えた透明導電性基板１０の端部を含む断面形状を模式的に示している。
透明導電性基板１０は、矩形状のガラス基板１２に、対向する平面１６，１８のうちの平面１８が導電膜１４で覆われて構成された基板であり、ガラス基板１２の四方を囲むエッジ部分には、面取り２０が施されている。面取り２０は、ガラス基板１２の側面を所定の曲率を有する曲面に加工した部分であり、公知のガラス研磨機を用いて加工される。
このような四方の側面が面取りされたガラス基板１２の面取り２０の部分を、面取り２０と成膜されない平面１６とが接続する位置まで、導電膜１４が延長されている。導電膜１４が面取り２０を覆うよう延長させて設けるのは、透明導電性基板１０をハンドリングする際、ガラス基板１２が容易に破損することを防止するためである。なお、本発明においては、導電層１４が上述のように複数の膜で構成されている場合、いずれか１つの膜が、面取り２０と平面１６との接続部分２２まで延在しているとよい。

本発明においては、面取り２０は所定の曲率の曲面で構成したＲ面取りに制限されず、図１（ｃ）に示すようにガラス基板１２の角部を直線的に切り落とした糸面取りであってもよい。糸面取りも専用の研磨機を用いて加工される。

面取り２０は、所定のサイズに切り出された後のガラス基板２０に対して施される。面取りは、研磨によって形成されるので、ガラス基板１２の面取り２０の表面には、無数の細かなキズやクラックが存在する。この細かなキズやクラックは、ガラス基板１２の機械的破壊強度を低下し破損の原因となり易い。実際、太陽電池用の透明導電性基板の表面に薄膜シリコン層を積層するため、透明導電性基板を半導体製造装置にセッティングし、またこの装置から取り出すとき、透明導電性基板１０を破損する場合もある。

本発明は、このガラス基板１２の破損を防止するために、上述した機能膜である導体層１４が成膜される平面１８と対向する他方の平面１６と接続されるエッジ部分の面取り２０の接続位置２２（図１（ｂ），（ｃ）参照）まで延在する。
このように接続位置２２まで導体層１４を延在させることにより、面取り２０の表面に生じるキズやクラック、すなわちハンドリングの際に作用する応力によって破壊の起点となる部分を無くすことができる。

図２に示すように、面取り２０の表面に微小のクラック２４ａ〜２４ｃが存在するが、このとき、曲げモーメントＭが作用すると曲げの中立軸に対して外側に位置するクラック２４ａは、引張り応力Ｎが作用し、クラック２４ａを拡げようとする。このためクラック２４ａは拡大し、ガラス基板１２には亀裂が進展して破壊に至る。
本発明では、上述したように、導体層１４が成膜される平面１８と対向する他方の平面１６の接続位置２２まで延在することにより、クラック２４ａの他、クラック２４ｂ，２４ｃの凹部の一部もしくは全部を塞ぐので、クラック２４ａ〜２４ｃが破壊の起点となることは無い。
実際、従来のように、面取りの部分に導電層を被覆しない透明導電性基板の場合、破壊の起点は、面取り部分、特に、中立軸よりも外側に位置することが確認されている。

このような透明導電性基板１０の導電層１４の膜は、以下の方法で成膜される。
図３は、透明導電性基板１０の成膜を行う装置３０の概略構成図である。

装置３０は、減圧することなく、常圧（大気圧）の雰囲気下で行うＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法で成膜を行う常圧ＣＶＤ装置である。ガラス炉から取り出され所定のサイズに切断され、さらに研磨機で面取り２０の施されたガラス基板１２に対して導電層１４の膜が成膜される。導体層１４が複数の膜で構成される場合、膜毎に異なる装置３０を用いて成膜される。
装置３０は、搬送ベルト３２が図中Ｘ方向に進行することにより、ガラス基板１２を搬送し、この搬送中のガラス基板１２に対して、インジェクタ３４を用いて原料ガス等を吹き付けることにより、ガラス基板１２に成膜処理を連続的に行う装置である。

インジェクタ３４は、Ｘ方向に対して直交方向（紙面垂直方向）にスリット状のガス供給口３６ａ，３６ｂ，３６ｃを有し、さらに、各供給口から供給されたガスを排気する排気口３８を有する。
これらの供給口３６ａ〜３６ｃのスリット幅は、ガラス基板１２の搬送方向と直交する方向の幅に対して同等あるいはそれよりも広くなっている。これにより、ガラス基板１２の幅方向端にある面取り２０の部分まで成膜することができる。

供給口３６ａ〜３６ｃ及び排気口３８は、供給口３６ａを中心としてＸ方向において対称性を有するように供給口３６ｂ、３６ｃ及び排気口３８が設けられている。
供給口３６ａは、成膜する膜の主成分となる原料ガスを供給する部分で、例えば、ＳｎＯ_２膜を成膜する場合、四塩化錫のガスとキャリアーガスとしての窒素ガスが供給される。
供給口３６ｂは、原料ガスと反応しないガス、例えば窒素ガスを供給する部分である。
供給口３６ｃは、窒素ガス等をキャリアーガスとして水蒸気ガス等の酸化ガスを供給する部分である。供給口３６ｂから原料ガスと反応しないガスを供給するのは、供給口３６ａと供給口３６ｂからそれぞれ供給される四塩化錫と水蒸気が、供給口３６ａと供給口３６ｂの先端で反応し、反応性生物の膜が堆積することによって発生する目詰まりを防止するためである。
ＣＶＤ反応後の余分なガスは排気口３８から排気するようになっている。

インジェクタ３４から供給されるガスは５００℃以上に加熱されたガラス基板１２の表面に供給される。５００℃以上の温度条件は、常圧ＣＶＤ法において、効率よく均一に膜を形成する上で有効であり、しかも、上述したように、膜が面取り２０を覆う効果の他に、ガラス基板１２を高温に加熱してガラス基板１２の破壊強度を高めることにより、透明導電性基板１０全体の破壊強度を向上することができる。なお、温度条件は、ガラス基板Ｇの軟化温度以下、例えば６４０℃以下であることが好ましい。
供給口３６ａ〜３６ｃから供給される各ガスは、ガスの流速を０．１（ｍ／秒）〜２．０(ｍ／秒)、好ましくは０．２（ｍ／秒）〜１．０(ｍ／秒)、に調整することにより、層流としてガラス基板１２に噴きつけることができる。これにより、原料ガスが面取り２０の周りに均一に回り込み、更に酸化ガスも面取り２０の周りに均一に回り込み、均一な膜が面取り２０の部分を覆うように形成される。特に、搬送方向上流側、下流側に位置するガラス基板１２のエッジ部分の面取り２０の部分まで均一な膜を形成する点で有効である。
ガスが乱流となっている場合、原料ガスと酸化ガスがガラス基板１２に到達する前に混在するので、面取り２０の部分では均一な膜が形成できない。

このように成膜された透明導電性基板１０に対して、図４に示すような曲げ試験を行って、破壊強度のレベルを検査した。
用意したサンプルは、面取り２０が施されているソーダライムシリケートガラス基板（長さ１１００ｍｍ×幅３６０ｍｍ）と、導電層１４が、平面１６と面取り２０との接続位置２２まで形成された透明導電性基板１０（長さ１１００ｍｍ×幅３６０ｍｍ）である。透明導電性基板１０は、温度５３５℃の雰囲気で、ＳｎＯ₂膜を上述の装置３０を用いて成膜した。供給されるガスの流速は、略０．５（ｍ／秒）とし、ガラス基板１２の搬送速度は、１ｍ／分とし、成膜されたＳｎＯ₂膜の厚さは０．８μｍであった。

このようなサンプルを、図４に示す曲げ試験方法により破壊検査を行い、破壊強度の値を調べた。
図４に示すように、円柱部材４０でサンプルの両側を設置して支持し、寸法Ｌ₁離れて平行に配置された円柱部材４２を介してサンプルに荷重Ｐを上方から下方に向けて均等に掛けた。図中、寸法Ｌ₁は２００ｍｍであり、寸法Ｌ₂は３６０ｍｍであり、寸法Ｌ₃は１０００ｍｍである。
こうして、ソーダライムシリケートガラス基板のサンプルＡ（比較例）の破壊時の荷重Ｐと、本発明品である透明導電性基板１０のサンプルＢ（実施例）の破壊時の荷重Ｐとの数値を調べ、平均値を求めた（サンプル数Ｎ＝２０）。
サンプルＡ（比較例）の破壊時の荷重Ｐの平均値を基準１００としたとき、サンプルＢ（実施例）の破壊時の荷重Ｐの平均値は略１６０に上昇した。サンプルＢ（実施例）は、平面１６，平面１８を図４中の下側に配しても略同様の値を示した。これは、導電層１４の膜が接続位置２２まで延長したことにより得られた効果である。実際、サンプルＡ（比較例）では、Ｎ＝２０のすべてのサンプルにおいて破壊の起点が、面取部分２２の中の中立軸よりも外側の領域に位置することが確認できた。
以上より、本発明の成膜方法により得られる透明基板の成膜方法は、破壊強度を向上する点で有効である。

以上、本発明の透明基板の成膜方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

（ａ）〜（ｃ）は、本発明の透明基板の成膜方法によって得られる透明基板の例を説明する図である。面取りされた透明基板の破壊の様子を説明する図である。本発明の透明基板の成膜方法に用いる成膜装置を説明する図である。本発明の成膜方法によって得られる透明基板の破壊強度の試験を説明する図である。

符号の説明

１０透明導電性基板
１２ガラス基板
１４導電層
１６，１８平面
２０面取り
２２接続部分
３０装置
３２搬送ベルト
３４インジェクタ
３６ａ，３６ｂ，３６ｃ供給口
３８排気口
４０，４２円柱部材

Claims

少なくとも対向する２辺のエッジ部分が面取りされている透明基板の一方の面に成膜処理を行う際、
前記透明基板として、前記エッジ部分がＲ面取りまたは糸面取りされているガラス基板を用い、
形成される膜が、前記エッジ部分の面取り領域の、前記透明基板の他方の面と接続する接続位置まで延在するように、前記透明基板に対して、５００℃以上の温度条件下、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）成膜処理を行い、
さらに、このＣＶＤ成膜処理は、５００℃以上の温度条件下、前記膜の原料ガスを、その両側から前記原料ガスと反応しないガスを、さらにその両側から酸化ガスを、それぞれ層流として、ガス流速０．１〜２．０ｍ／秒で前記透明基板に噴きつけて、ＴｉＯ ₂ 、ＳｎＯ ₂ 、及びＺｎＯから少なくとも１つ選ばれた導電性材料からなる膜を形成する処理であることを特徴とする透明基板の成膜方法。
前記導電性材料からなる膜として、少なくとも膜厚が０．５〜０．９μｍのＳｎＯ ₂ 膜を形成する請求項１に記載の透明基板の成膜方法。
前記ＣＶＤ成膜処理が、常圧ＣＶＤである請求項１または２に記載の透明基板の成膜方法。
前記ＣＶＤ成膜処理は、前記透明基板を所定方向に搬送しつつ、前記原料ガス、原料ガスと反応しないガスおよび酸化ガスを、前記透明基板の搬送方向と直交方向にスリット状のガス供給口から前記透明基板に吹き付けるものである請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明基板の成膜方法。