JP2007207899A - 半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007207899A JP2007207899A JP2006023149A JP2006023149A JP2007207899A JP 2007207899 A JP2007207899 A JP 2007207899A JP 2006023149 A JP2006023149 A JP 2006023149A JP 2006023149 A JP2006023149 A JP 2006023149A JP 2007207899 A JP2007207899 A JP 2007207899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- soldering
- solder
- pressure
- heating chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/008—Soldering within a furnace
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
- H01L24/92—Specific sequence of method steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85053—Bonding environment
- H01L2224/85095—Temperature settings
- H01L2224/85096—Transient conditions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01084—Polonium [Po]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
【課題】ボイドの発生を抑制する。
【解決手段】リフロー室20に還元性ガスを導入し、リフロー室20内の圧力を常圧よりも高い圧力(例えば、0.13MPa)とする。そして、リフロー室20において半田付け対象物を還元性ガスによって加圧した状態で加熱し、半田付けを行う。
【選択図】図3
【解決手段】リフロー室20に還元性ガスを導入し、リフロー室20内の圧力を常圧よりも高い圧力(例えば、0.13MPa)とする。そして、リフロー室20において半田付け対象物を還元性ガスによって加圧した状態で加熱し、半田付けを行う。
【選択図】図3
Description
本発明は、回路基板に半導体素子を半田付けする半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
従来、セラミックス基板の表面に配線層となる金属板を接合するとともに裏面に接合層となる金属板を接合し、表面側の金属板には半導体素子を接合する一方で、裏面側の金属板には半導体素子の発する熱を放熱する放熱装置(ヒートシンク)を接合し、モジュール化した半導体モジュールが知られている。この種の半導体モジュールでは、表面側の金属板に対して半導体素子を半田付けにより接合している。また、半導体素子の半田付けには、例えば、特許文献1に記載されるような半田付け装置などが用いられている。
ところで、半導体素子の半田付けでは、半田を溶融して凝固させるまでの過程において半田の中にボイドが発生する場合が多く、問題とされている。半田の中に多くのボイドが発生した場合には、電気や熱の抵抗が高くなることに加えて、1つのボイドがある程度以上の大きさになると半導体素子からの電気や熱が当該ボイドを迂回して金属板側に流れることになる。このため、半導体素子からの電気や熱は、ボイドがあると当該ボイドがない部位を迂回して金属板側(回路側)に到達することから、ボイド周縁部に位置する半導体素子の部位には局所的な高温領域(ホットスポット)が生じ、半導体素子の破壊に繋がる虞がある。
そこで、従来、ボイドの発生を抑制するための提案がなされている。特許文献1では、ボイドの発生を抑制するために、半田の溶融状態で雰囲気を真空引きすることが記載されている。また、特許文献2では、加熱時に容器内を真空引きして減圧し、真空に近い状態で半田を溶融し、半田付けを行うことを提案している。
特開2004−351480号公報
特開2005−271059号公報
しかしながら、本発明者の実験によれば、真空に近い状態で半田を溶融し、半田付けを行った場合や半田の溶融状態で真空引きし、半田付けを行った場合でもボイドが発生することを確認した。本発明者の実験結果は、図7に示しており、その詳細は後述する。したがって、特許文献1や特許文献2の半田付けの方法では、ボイドの発生を抑制し得るとは言い難い。
この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、ボイドの発生を抑制することができる半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
上記問題を解決するために、請求項1に記載の発明は、回路基板に半導体素子を半田付けする半田付け装置であって、半田付け対象物を加熱し、半田を溶融する加熱室と、前記加熱室へ投入する半田溶融前の半田付け対象物及び前記加熱室から取り出される半田溶融後の半田付け対象物を収容するワーク収容室と、前記加熱室と前記ワーク収容室との間で前記半田付け対象物を搬送する搬送手段と、前記加熱室に収容された前記半田付け対象物を加熱する加熱手段と、前記加熱室内に還元性ガスからなる雰囲気ガス又は還元性ガスを含む雰囲気ガスを導入する第1のガス導入手段とを備え、前記加熱室内の圧力を前記雰囲気ガスによって常圧よりも高い圧力とし、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において加圧状態で半田付けを行うことを要旨とする。
請求項10に記載の発明は、回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物を加熱し、溶融する加熱室と、当該加熱室へ投入する半田溶融前の半田付け対象物及び前記加熱室から取り出される半田溶融後の半田付け対象物を収容するワーク収容室との間で前記半田付け対象物を搬送手段により搬送し、前記回路基板と前記半導体素子とを半田付けする半田付け方法であって、前記加熱室内に還元性ガスからなる雰囲気ガス又は還元性ガスを含む還元性ガスを含む雰囲気ガスを導入して前記加熱室内の圧力を常圧よりも高い圧力とし、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において加圧状態で半田付けを行うことを要旨とする。
請求項11に記載の発明は、回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物を加熱し、溶融する加熱室と、当該加熱室へ投入する半田溶融前の半田付け対象物及び前記加熱室から取り出される半田溶融後の半田付け対象物を収容するワーク収容室との間で前記半田付け対象物を搬送手段により搬送し、前記回路基板と前記半導体素子とを半田付けした半導体装置の製造方法であって、前記加熱室内に還元性ガスからなる雰囲気ガス又は還元性ガスを含む還元性ガスを含む雰囲気ガスを導入して前記加熱室内の圧力を常圧よりも高い圧力とし、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において加圧状態で半田付けを行うことを要旨とする。
請求項1、請求項10及び請求項11に記載の発明によれば、半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域では、常圧よりも高い圧力による加圧状態で半田付けが行われる。このため、半田の溶融時には、当該半田の表面張力に打ち勝つ力が加えられ、ボイド発生の要因と考えられる表面張力の影響が抑えられる。したがって、ボイドの発生を抑制できる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の半田付け装置において、前記加熱室の圧力は、0.11MPa以上の圧力であることを要旨とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の半田付け装置において、前記加熱室の圧力は、0.13MPa以上の圧力であることを要旨とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の半田付け装置において、前記加熱室の圧力は、0.13MPa以上の圧力であることを要旨とする。
請求項2及び請求項3に記載の発明によれば、好適にボイドの発生を抑制できる。なお、加熱室内の圧力は、常圧(おおよそ0.1023MPa)に近いと、容器の耐久性の点で有利となる。
請求項4に記載の発明は、請求項1〜請求項3のうちいずれか一項に記載の半田付け装置において、前記ワーク収容室内に不活性ガス又は前記雰囲気ガスを導入する第2のガス導入手段と、前記加熱室と前記ワーク収容室とを連通状態及び非連通状態に仕切る仕切部材とを備え、前記半田付け対象物は、前記ワーク収容室の圧力を前記加熱室の圧力と同一圧力に調整した後に前記仕切部材を開放し、両室間を搬送させることを要旨とする。
請求項5に記載の発明は、請求項1〜請求項3のうちいずれか一項に記載の半田付け装置において、前記ワーク収容室は、前記加熱室の前後に配置される投入室と取出室からなり、前記投入室及び前記取出室の各室内に不活性ガス又は前記雰囲気ガスを導入する第2のガス導入手段と、前記加熱室と前記投入室及び前記加熱室と前記取出室を、各別に連通状態及び非連通状態に仕切る仕切部材とを備え、前記半田付け対象物は、前記投入室から前記加熱室への搬送時、前記投入室の圧力を前記加熱室の圧力と同一圧力に調整した後に前記仕切部材を開放し、両室間を搬送させることを要旨とする。
請求項6に記載の発明は、請求項1〜請求項3及び請求項5のうちいずれか一項に記載の半田付け装置において、前記ワーク収容室は、前記加熱室の前後に配置される投入室と取出室からなり、前記投入室及び前記取出室の各室内に不活性ガス又は前記雰囲気ガスを導入する第2のガス導入手段と、前記加熱室と前記投入室及び前記加熱室と前記取出室を、各別に連通状態及び非連通状態に仕切る仕切部材とを備え、前記半田付け対象物は、前記加熱室から前記取出室への搬送時、前記取出室の圧力を前記加熱室の圧力と同一圧力に調整した後に前記仕切部材を開放し、両室間を搬送させることを要旨とする。
請求項4〜請求項6の発明によれば、加熱室は、仕切部材により他室と仕切られることで密閉され、半田付け対象物の投入部位と取出部位とが大気に開放されていない構造となる。したがって、室内のガスと熱の損失を低減できる。また、仕切部材は、他室との圧力を加熱室の圧力と同一圧力に調整された後、開放されるので、加熱室の圧力を常時、加圧状態に保つことができる。その結果、加熱室の圧力は、加圧状態と減圧状態に変動することなく一定圧に保たれ、半田溶融域において加圧状態を確実に作り出すことができ、ボイドの発生を抑制できる。
請求項7に記載の発明は、請求項1〜請求項6のうちいずれか一項に記載の半田付け装置において、前記半田付け対象物は、前記加熱室において前記半田が溶融され、当該半田の凝固後に取り出されて搬送されることを要旨とする。
請求項8に記載の発明は、請求項1〜請求項7のうちいずれか一項に記載の半田付け装置において、前記加熱手段は、高周波誘導加熱により前記半田付け対象物を加熱する装置であることを要旨とする。
これによれば、半田付け装置において加熱室内の雰囲気温度に依存しない伝熱主体の加熱方式を採用できる。したがって、雰囲気温度が低く、熱損失を小さくすることができる。
請求項9に記載の発明は、請求項1〜請求項8のうちいずれか一項に記載の半田付け装置において、前記加熱室に導入された前記雰囲気ガスを室外に排出するガス排出手段と、前記加熱室内に導入される前記雰囲気ガスを前記ガス排出手段で排出しながら、前記加熱室内の圧力を一定圧に維持する圧力調整手段とを備えたことを要旨とする。
これによれば、加熱室内の圧力を一定圧に保ちつつ、室内でガスが流通される。このため、加熱室では、ガスを流しながら半田付けを行うことができる。したがって、還元作用によって発生する水や、半田付け対象物の搬送時に、当該半田付け対象物とともに搬入される可能性がある揮発成分などの有害な不純物を低減しながら半田付け装置を運転させることができる。
本発明によれば、ボイドの発生を抑制することができる。
(第1の実施形態)
以下、本発明を具体化した第1の実施形態を図1〜図7にしたがって説明する。
図1及び図2は、半導体装置としての半導体モジュール10を示している。半導体モジュール10は、回路基板11と、当該回路基板11に接合される半導体素子12と、放熱装置としてのヒートシンク13とから構成されている。回路基板11は、セラミックス基板14の両面に金属板15,16を接合して構成されている。セラミックス基板14は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素などにより形成されている。また、金属板15は、配線層として機能し、例えば、アルミニウム(純アルミニウム及びアルミニウム合金)や銅などで形成されている。半導体素子12は、金属板15に接合(半田付け)されている。図2の符号「H」は、半田層を示している。半導体素子12は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor )やダイオードからなり、回路基板11(金属板15)には複数(本実施形態では4つ)の半導体素子12が接合されている。また、金属板16は、セラミックス基板14とヒートシンク13とを接合する接合層として機能し、例えば、アルミニウムや銅などで形成されている。ヒートシンク13は、金属板16に接合されている。
以下、本発明を具体化した第1の実施形態を図1〜図7にしたがって説明する。
図1及び図2は、半導体装置としての半導体モジュール10を示している。半導体モジュール10は、回路基板11と、当該回路基板11に接合される半導体素子12と、放熱装置としてのヒートシンク13とから構成されている。回路基板11は、セラミックス基板14の両面に金属板15,16を接合して構成されている。セラミックス基板14は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素などにより形成されている。また、金属板15は、配線層として機能し、例えば、アルミニウム(純アルミニウム及びアルミニウム合金)や銅などで形成されている。半導体素子12は、金属板15に接合(半田付け)されている。図2の符号「H」は、半田層を示している。半導体素子12は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor )やダイオードからなり、回路基板11(金属板15)には複数(本実施形態では4つ)の半導体素子12が接合されている。また、金属板16は、セラミックス基板14とヒートシンク13とを接合する接合層として機能し、例えば、アルミニウムや銅などで形成されている。ヒートシンク13は、金属板16に接合されている。
図3は、半田付けに用いる半田付け装置としてのリフロー装置HKの構成を概略的に示している。リフロー装置HKは、回路基板11に半導体素子12を半田付けするための装置として構成されている。
リフロー装置HKは、加熱室としてのリフロー室20と、ワーク収容室を構成する投入室21及び取出室22とを備えている。リフロー室20は、半田溶融前の半田付け対象物を受け入れ、当該半田付け対象物を加熱し、半田を溶融する部位として機能する。また、本実施形態においてリフロー室20は、半田溶融後の半田付け対象物を冷却し、半田を凝固させる部位としても機能する。本実施形態の半田付け対象物は、回路基板11とヒートシンク13を接合した接合物に半導体素子12を積層し、当該接合物と半導体素子12との間に半田(半田シート17)を介在させてなるものである。図3中、半田付け対象物は網掛けで図示している。
投入室21は、リフロー室20に投入する半田溶融前の半田付け対象物を収容する部位として機能する。一方、取出室22は、リフロー室20から取り出した半田溶融凝固後の半田付け対象物を収容する部位として機能する。そして、投入室21は、リフロー室20における半田付け対象物の投入側に接続されているとともに、取出室22は、リフロー室20における半田付け対象物の取り出し側に接続されている。本実施形態のリフロー装置HKは、投入室21に半田付け対象物を収容し、当該半田付け対象物を各室20〜22内に配設した搬送機構(コンベアなど)でリフロー室20に搬送し、当該リフロー室20において加熱及び冷却の各処理を経た後に搬送機構で取出室22に搬送する構成となっている。したがって、リフロー室20における半田付け対象物の投入側に接続される投入室21は、リフロー装置HKのワーク搬送方向(図3に示す矢印方向)の上流側(前側)に接続されているとともに、リフロー室20における半田付け対象物の取り出し側に接続される取出室22は、前記ワーク搬送方向の下流側(後側)に接続されていることとなる。
リフロー室20と投入室21は、仕切部材としての投入側扉23を介して接続されている。また、リフロー室20と取出室22は、仕切部材としての取出側扉24を介して接続されている。投入側扉23と取出側扉24は、図3(b)に示す矢印方向(紙面上、上下方向)を開閉方向として動作可能に装着されている。リフロー室20は、投入側扉23の開放によりリフロー室20の入口が開放されて投入室21と連通状態となり、投入室21内にある半田溶融前の半田付け対象物を投入可能な状態となる。その一方で、リフロー室20は、投入側扉23の閉鎖によりリフロー室20の入口が閉鎖されて投入室21と非連通状態となり、投入室21内にある前記半田付け対象物を投入不能な状態となる。また、リフロー室20は、取出側扉24の開放によりリフロー室20の出口が開放されて取出室22と連通状態となり、リフロー室20内にある半田溶融凝固後の半田付け対象物を取り出し可能な状態となる。その一方で、リフロー室20は、取出側扉24の閉鎖によりリフロー室20の出口が閉鎖されて取出室22と非連通状態となり、リフロー室20内にある前記半田付け対象物を取り出し不能な状態となる。リフロー室20は、投入側扉23と取出側扉24の両方を閉鎖することにより、室内に密閉空間が形成される密閉可能な構造とされている。
投入室21には、入口側扉25が設けられている。入口側扉25は、投入室21へ半田付け対象物を投入する入口に設けられている。また、取出室22には、出口側扉26が設けられている。出口側扉26は、取出室22から半田付け対象物を取り出す出口に設けられている。入口側扉25と出口側扉26は、図3(b)に示す矢印方向(紙面上、上下方向)を開閉方向として動作可能に装着されている。投入室21は、入口側扉25の開放により入口が開放され、半田溶融前の半田付け対象物を投入可能な状態となる。投入室21は、投入側扉23と入口側扉25の両方を閉鎖することにより、室内に密閉空間が形成される密閉可能な構造とされている。また、取出室22は、出口側扉26の開放により出口が開放され、半田溶融凝固後の半田付け対象物を取り出し可能な状態となる。取出室22は、取出側扉24と出口側扉26の両方を閉鎖することにより、室内に密閉空間が形成される密閉可能な構造とされている。
以下、リフロー室20、投入室21及び取出室22の構成をさらに詳しく記載する。
リフロー室20には、投入室21から投入された半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア27が配設されている。リフロー室20は、複数個の半田付け対象物を搬送方向に沿って一列に収容可能な大きさで形成されており、コンベア27は、複数個の半田付け対象物を一列に整列した状態で搬送し得るように配設されている。
リフロー室20には、投入室21から投入された半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア27が配設されている。リフロー室20は、複数個の半田付け対象物を搬送方向に沿って一列に収容可能な大きさで形成されており、コンベア27は、複数個の半田付け対象物を一列に整列した状態で搬送し得るように配設されている。
リフロー室20には、加熱手段としての高周波加熱コイル28が配設されている。高周波加熱コイル28は、図3(b)に示すように、コンベア27上を搬送される半田付け対象物の上方に位置するように配設されている。高周波加熱コイル28は、半田付け対象物から離間して配置される。また、高周波加熱コイル28は、リフロー室20の室外に配設された高周波発生装置29に電気的に接続されている。本実施形態では、高周波加熱コイル28と高周波発生装置29により、高周波誘導加熱により半田付け対象物を加熱する装置である加熱手段を構成している。
リフロー室20には、室内に還元性ガス(本実施形態では水素(H2))を供給する第1のガス導入手段としての還元性ガス供給部30が接続されている。還元性ガス供給部30は、配管30aと、当該配管30aの開閉バルブ30bと、圧力調整手段を構成する減圧弁30cと、還元性ガス供給源(例えば、水素を充填した水素タンク)30dとを備えている。減圧弁30cは、開閉バルブ30bを介して導入した還元性ガス供給源30dからの水素ガスの圧力を一定圧にし、リフロー室20内に供給するようになっている。また、リフロー室20には、室内を真空引きするための真空部31が接続されている。真空部31は、配管31aと、当該配管31aの開閉バルブ31bと、真空ポンプ31cとを備えている。また、リフロー室20には、室内に導入した還元性ガスを室外に排出するガス排出手段としてのガス排出部32が接続されている。ガス排出部32は、配管32aと、当該配管32aの開閉バルブ32bと、圧力調整手段を構成する絞り弁32cとを備えている。リフロー室20内のガスは、絞り弁32cにて排出量が調整され、外部に排出される。
リフロー室20は、還元性ガス供給部30、真空部31及びガス排出部32が接続されることにより、室内の圧力を調整可能な構成とされており、圧力調整によって加圧されたり、減圧されたりする。本実施形態においてリフロー室20の圧力は、リフロー装置HKの作動中、常時、常圧(本明細書では、おおよそ0.1023MPa)よりも高い一定圧(本実施形態では0.13MPa)に保たれている。また、リフロー室20では、還元性ガス供給部30の減圧弁30cとガス排出部32の絞り弁32cの作用により、室内の圧力を一定値に保ちつつ、ガスを室内と室外で流通させるようになっている。
還元性ガス供給部30は、高周波加熱コイル28と取出室22の間に位置するように接続されている。その一方で、ガス排出部32は、高周波加熱コイル28と投入室21の間に位置するように接続されている。還元性ガス供給部30は、高周波加熱コイル28によって加熱された半田溶融後の半田付け対象物の搬送経路上に還元性ガスを供給するように接続されており、リフロー室20に導入した還元性ガスで前記半田付け対象物に冷却作用をもたらしている。
次に、投入室21について説明する。
投入室21には、半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア34が配設されている。投入室21は、一個の半田付け対象物を収容可能な大きさで形成されている。
投入室21には、半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア34が配設されている。投入室21は、一個の半田付け対象物を収容可能な大きさで形成されている。
投入室21には、室内に不活性ガス(本実施形態では窒素(N2))を供給する第2のガス導入手段としての不活性ガス供給部35が接続されている。不活性ガス供給部35は、配管35aと、当該配管35aの開閉バルブ35bと、不活性ガス供給源(例えば、窒素を充填した窒素タンク)35cとを備えている。また、投入室21には、室内を真空引きするための真空部36が接続されている。真空部36は、配管36aと、当該配管36aの開閉バルブ36bと、真空ポンプ36cとを備えている。また、投入室21には、室内に導入した不活性ガスを室外に排出するガス排出部37が接続されている。ガス排出部37は、配管37aと、当該配管37aの開閉バルブ37bを備えている。
次に、取出室22について説明する。
取出室22には、半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア38が配設されている。取出室22は、一個の半田付け対象物を収容可能な大きさで形成されている。
取出室22には、半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア38が配設されている。取出室22は、一個の半田付け対象物を収容可能な大きさで形成されている。
取出室22には、室内に不活性ガス(本実施形態では窒素(N2))を供給する第2のガス導入手段としての不活性ガス供給部39が接続されている。不活性ガス供給部39は、配管39aと、当該配管39aの開閉バルブ39bと、不活性ガス供給源(例えば、窒素を充填した窒素タンク)39cとを備えている。また、取出室22には、室内を真空引きするための真空部40が接続されている。真空部40は、配管40aと、当該配管40aの開閉バルブ40bと、真空ポンプ40cとを備えている。また、取出室22には、室内に導入した不活性ガスを室外に排出するガス排出部41が接続されている。ガス排出部41は、配管41aと、当該配管41aの開閉バルブ41bを備えている。
投入室21には、当該投入室21に隣接して配置されたワーク供給ライン42から半田付け対象物が供給されるようになっている。図4には、ワーク供給ライン42から投入室21に供給される半田付け対象物を示している。ワーク供給ライン42では、回路基板11とヒートシンク13の接合物(図3(a)には「基板」と図示する)に半導体素子12や半田シート17の位置決め用の治具43が載置され、次いで半田シート17と、半導体素子12と、錘44とが順次積層される。
図5は、治具43(図5(a))と押圧体としての錘44(図5(b))を示している。治具43は、回路基板11を構成するセラミックス基板14と同一の大きさをなす平板状に形成されている。治具43は、例えば、グラファイトやセラミックスなどの材料で形成されている。治具43には、回路基板11における半導体素子12の接合部位に対応する部位に位置決め用の貫通孔45が形成されている。貫通孔45は、半導体素子12のサイズに応じた大きさで形成されている。そして、本実施形態においては、回路基板11上に複数個(4つ)の半導体素子12が接合されるので、治具43には複数個(4つ)の貫通孔45が形成されている。
錘44は、当該錘44を通る磁束の変化により電流が発生し、自身の電気抵抗によって発熱する材料を用いて形成されている。本実施形態の錘44は、ステンレスで形成されている。錘44は、図4に示すように、半田付け時において半導体素子12の直上において当該半導体素子12の上面(非接合面)に接するように配置されるとともに、半導体素子12を回路基板11側に押圧するために使用される。本実施形態の錘44は、削り出しによって作製された一体化部品とされている。そして、錘44の押圧面44aは、治具43の各貫通孔45に嵌挿可能で、かつ4つの半導体素子12の非接合面に接して押圧可能に形成されている。錘44の押圧面44aが、半導体素子12の非接合面に接する面となる。図5(a)には錘44を二点鎖線で示し、当該錘44を治具43に設置した状態を示している。
取出室22に搬送された半田溶融凝固後の半田付け対象物は、当該取出室22に隣接して配置されたワーク排出ライン46に排出されるようになっている。ワーク排出ライン46では、錘44と治具43が順次取り外され、半田溶融凝固後の半田付け対象物が製品(半導体モジュール10)として搬送される。ワーク排出ライン46で取り外された治具43と錘44は、ワーク供給ライン42に再び戻される。
次に、本実施形態のリフロー装置HKを用いて半導体素子12の半田付けを行う方法について説明する。本実施形態のリフロー装置HKは、図示しない制御装置を備えており、各室20,21,22のガス雰囲気調整、各扉23〜26の開閉、及び搬送機構(コンベア27,34,38)の動作を制御する。
リフロー装置HKは、起動時、投入側扉23、取出側扉24、入口側扉25及び出口側扉26の全ての扉が閉鎖されている。そして、リフロー装置HKは、起動後、まず、真空部31によりリフロー室20を真空引きする。次に、還元性ガス供給部30によりリフロー室20内に還元性ガスを供給し、当該リフロー室20内を還元性ガス雰囲気に置換する。このとき、リフロー室20は、室内の圧力が常圧(本明細書では0.1023MPa)よりも高い圧力(本実施形態では0.13MPa)となるように雰囲気調整を行う。リフロー室20は、還元性ガス供給部30による還元性ガスの供給とガス排出部32によるガスの排出により、室内でガスを流通させながら一定圧(0.13MPa)とし、加圧状態を維持する。そして、リフロー室20の圧力が0.13MPaに達したならば、半田付けを開始する。
本実施形態のリフロー装置HKでは、入口側扉25と出口側扉26を閉鎖した状態で投入側扉23と取出側扉24を同時に開放し、投入室21からリフロー室20へ半田溶融前の半田付け対象物を搬送するとともにリフロー室20から取出室22へ半田溶融凝固後の半田付け対象物を搬送する。投入側扉23と取出側扉24を開放させる場合、投入室21と取出室22は、リフロー室20内の圧力と同一圧力(0.13MPa)となるようにガス置換を行う。投入室21では、真空部36を操作して室内を真空引きするとともに、不活性ガス供給部35を操作して室内に不活性ガスを供給する。また、取出室22では、真空部40を操作して室内を真空引きするとともに、不活性ガス供給部39を操作して室内に不活性ガスを供給する。投入室21と取出室22は、真空引きと不活性ガスの供給を数回繰り返した後、室内を不活性ガス雰囲気に置換する。そして、投入室21と取出室22の各圧力がリフロー室20の圧力と同一圧力になったならば投入側扉23と取出側扉24を開放し、半田付け対象物を搬送する。半田付け対象物の搬送後は、投入側扉23と取出側扉24を閉鎖する。本実施形態においてリフロー室20は、常時、加圧状態に維持されており、半田付け対象物の供給時及び取り出し時も加圧状態とされる。
また、リフロー装置HKでは、投入側扉23と取出側扉24を閉鎖した状態で入口側扉25と出口側扉26を同時に開放し、ワーク供給ライン42から投入室21へ半田溶融前の半田付け対象物を搬送するとともに取出室22からワーク排出ライン46へ半田溶融凝固後の半田付け対象物を搬送する。入口側扉25と出口側扉26を開放させる場合、投入室21と取出室22は、室内の圧力を常圧に戻す。投入室21では、ガス排出部37を操作して室内のガスを大気開放する。また、取出室22では、ガス排出部41を操作して室内のガスを大気開放する。そして、投入室21と取出室22の各圧力が常圧に戻ったならば入口側扉25と出口側扉26を開放し、半田付け対象物を搬送する。半田付け対象物の搬送後は、入口側扉25と出口側扉26を閉鎖する。
リフロー装置HKでは、リフロー室20に供給した半田溶融前の半田付け対象物を高周波誘導加熱により加熱し、半田を溶融する。その後、半田が溶融凝固したならば、投入側扉23と取出側扉24を開放してリフロー室20へ半田付け対象物を供給するとともにリフロー室20から半田付け対象物を取り出し、次の半田付け対象物を高周波加熱コイル28の直下に移動させる。そして、投入側扉23と取出側扉24を閉鎖した後、続いて、入口側扉25と出口側扉26を開放し、投入室21へ次の半田付け対象物を供給するとともに、取出室22に収容した半田付け対象物をワーク排出ライン46に供給する。
リフロー室20では、高周波発生装置29を作動させることにより高周波加熱コイル28に高周波電流を流す。これにより、高周波加熱コイル28の直下に半田付け対象物が移動すると、錘44には高周波の磁束が発生するとともに渦電流が発生する。その結果、高周波加熱コイル28の磁束内に置かれた錘44は、電磁誘導作用によって発熱し、その熱が錘44の押圧面44aから半導体素子12に伝わる。そして、回路基板11の各接合部位は、錘44に生じた熱が当該錘44の押圧面44aを介して集中的(局所的)に伝わり、加熱される。この結果、半田シート17は、半導体素子12を介して伝わる熱が溶融温度以上の温度になることにより溶融する。また、半導体素子12は、錘44によって回路基板11側に押圧されているので、溶融した半田の表面張力で動かされることはない。そして、半田付け対象物は、半田が完全に溶融したならば高周波加熱コイル28の直下からリフロー装置HKの搬送方向下流側に移動し、コンベア27上を取出室22へ向けて搬送される間に冷却されて溶融した半田が凝固する。
次に、本実施形態のリフロー装置HKを用いて半田付けを行った場合の結果を図6に示す実験例を用いて説明する。
図6は、本実施形態のリフロー装置HKを用いて半田付けを行う場合の圧力と温度の関係を示したグラフと、半田付け後の半導体素子12の裏面側(接合面側)を示したX線写真である。また、図6のグラフは、1つの半田付け対象物を投入室21からリフロー室20へ搬送し、そのリフロー室20で加熱・冷却を行った後、取出室22へ至るまでの圧力と温度を示している。なお、図6の実験例は、図7に示す比較例1,2による実験結果として半導体モジュール10を構成する半導体素子12のうち、特にトランジスタの接合面に多くのボイドが発生したことから、基板上に4つのトランジスタを半田付けして行ったものである。
図6は、本実施形態のリフロー装置HKを用いて半田付けを行う場合の圧力と温度の関係を示したグラフと、半田付け後の半導体素子12の裏面側(接合面側)を示したX線写真である。また、図6のグラフは、1つの半田付け対象物を投入室21からリフロー室20へ搬送し、そのリフロー室20で加熱・冷却を行った後、取出室22へ至るまでの圧力と温度を示している。なお、図6の実験例は、図7に示す比較例1,2による実験結果として半導体モジュール10を構成する半導体素子12のうち、特にトランジスタの接合面に多くのボイドが発生したことから、基板上に4つのトランジスタを半田付けして行ったものである。
実験例で用いた半導体モジュール10の各寸法は、以下のとおりである。
セラミックス基板14は、窒化アルミニウムからなり、30mm×30mmの四角形で、厚み0.635mmである。金属板15,16は、純アルミニウム(例えば、工業用純アルミニウムである1000系アルミニウム)からなり、27mm×27mmの四角形で、厚み0.4mmである。半導体素子12は、厚み0.35mmである。半田シート17は、Sn(錫)−Cu(銅)−Ni(ニッケル)−P(リン)系の鉛フリー半田からなり、厚み0.1mm〜0.2mmである。
セラミックス基板14は、窒化アルミニウムからなり、30mm×30mmの四角形で、厚み0.635mmである。金属板15,16は、純アルミニウム(例えば、工業用純アルミニウムである1000系アルミニウム)からなり、27mm×27mmの四角形で、厚み0.4mmである。半導体素子12は、厚み0.35mmである。半田シート17は、Sn(錫)−Cu(銅)−Ni(ニッケル)−P(リン)系の鉛フリー半田からなり、厚み0.1mm〜0.2mmである。
図6の実験例では、リフロー室20内の圧力を常圧以下(真空状態)に下げることなく、加圧状態(0.13MPa)を維持し、半田付けを行っている。その結果、図6に掲載したX線写真で示す接合面を得た。X線写真では、最も色が濃くなっている部分が半田層Hである。このX線写真によれば、何れの半田層Hにも、不濡れ及びボイドを全く確認できなかった。
次に、加熱時及び冷却時、又は冷却時にリフロー室20内の圧力を常圧以下として半田付けを行った場合の比較例1及び比較例2を図7(a),(b)にしたがって説明する。
図7(a)に示す比較例1は、加熱前にリフロー室20内を還元性ガス雰囲気に置換し(0.13MPa)、加熱時(温度が半田の溶融温度に達する前に)にリフロー室20内を常圧以下に減圧した場合の例である。比較例1では、加熱時及び冷却時の何れも、リフロー室20内の圧力を常圧以下としている。この場合のX線写真は、図7(a)のグラフの横に掲載している。このX線写真によれば、何れの半田層Hにもボイドが発生し、そのボイドが広範囲に亘って発生していることが分かる。つまりボイドは、真空でも発生することが確認された。このことは、ボイドの中にガスが殆ど存在しないことを強く示唆している。
図7(a)に示す比較例1は、加熱前にリフロー室20内を還元性ガス雰囲気に置換し(0.13MPa)、加熱時(温度が半田の溶融温度に達する前に)にリフロー室20内を常圧以下に減圧した場合の例である。比較例1では、加熱時及び冷却時の何れも、リフロー室20内の圧力を常圧以下としている。この場合のX線写真は、図7(a)のグラフの横に掲載している。このX線写真によれば、何れの半田層Hにもボイドが発生し、そのボイドが広範囲に亘って発生していることが分かる。つまりボイドは、真空でも発生することが確認された。このことは、ボイドの中にガスが殆ど存在しないことを強く示唆している。
図7(b)に示す比較例2は、加熱前にリフロー室20内を還元性ガス雰囲気に置換し(0.13MPa)、加熱時は0.13MPaを維持する一方で、冷却時はリフロー室20内を常圧以下に減圧した場合の例である。この場合のX線写真は、図7(b)のグラフの横に掲載している。このX線写真によれば、ボイドの発生量は比較例1に比して改善されているが、依然として何れの半田層Hにもボイドが発生していることが分かる。また、一部の半田層Hには、不濡れも発生している。
実験例と、比較例1及び比較例2を比較すると、実験例ではボイドの発生に関して改善されていることが一目瞭然である。この実験例では、半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域(溶融開始から凝固まで)でリフロー室20内の圧力を、常圧を超える圧力とし、加圧している。この加圧によってボイドの発生を抑制させている。
以下、これらの実験結果を踏まえ、ボイドの発生要因について考察する。
溶融した半田の表面張力は、溶融直後の低温ほど大きく、高温になるほど低下する。また、半田と接合部材(半導体素子12と金属板15)の表面は、酸化物などによって低温では濡れ性が悪い状態である。半田が濡れる界面は、半田、接合部材、雰囲気ガス(本実施形態では還元性ガス)の3種類の物質が交差している。そして、この3種類の物質が交差する線上では、接合部材と雰囲気ガスの間に働く固体−気体間の表面張力と、溶融した半田と雰囲気ガスの間に働く液体−気体間の表面張力と、接合部材と溶融した半田の間に働く固体−液体間の界面張力が、交差する線からそれぞれの界面方向に向かって働く。
溶融した半田の表面張力は、溶融直後の低温ほど大きく、高温になるほど低下する。また、半田と接合部材(半導体素子12と金属板15)の表面は、酸化物などによって低温では濡れ性が悪い状態である。半田が濡れる界面は、半田、接合部材、雰囲気ガス(本実施形態では還元性ガス)の3種類の物質が交差している。そして、この3種類の物質が交差する線上では、接合部材と雰囲気ガスの間に働く固体−気体間の表面張力と、溶融した半田と雰囲気ガスの間に働く液体−気体間の表面張力と、接合部材と溶融した半田の間に働く固体−液体間の界面張力が、交差する線からそれぞれの界面方向に向かって働く。
半田の溶融直後の状態は、半田と雰囲気ガスの間に働く表面張力が大きく、半田と接合部材の間の界面力は負の状態の場合が多い。このような時には、半田は拡がらずに寧ろ接合面積を縮小して球になろうとする。この傾向を抑えて半田が縮小しないようにするためには、本実施形態のように錘44を載せて押圧し、半田付けを行うことが有効となる。これは、例えば柔軟なボールを板で挟んで錘を載せればボールが潰れることから理解できる。しかし、球になろうとする傾向を雰囲気の圧力によって防止することはできない。この点は、例えば水で満たしたボールをガスで加圧しても球形のまま変形しないが、錘を載せれば潰れることで理解できる。
本明細書の背景技術にも記載したが、従来のボイドの発生対策としては、リフロー室20内の圧力を常圧以下(真空)とし、その状態で加熱することである。これは、ボイドの発生原因を雰囲気ガス(あるいは残留ガスや半田などから発生するガス)によるものとし、ガス抜きした真空下ではボイドの発生が抑えられるという考えに基づいている。しかし、本発明者の実験によれば、図7(a)に示すように、常圧以下(真空)で半田付けをした場合であってもボイドは発生することを確認した。また、10mm角前後の面積を持つパワートランジスタなどの半導体素子を、半田シートを挟んで回路基板と接合する場合、ボイドは点在し、多くは100〜200μmの半田厚さを貫通した円筒型で接合部両面に繋がっていることを確認した。加熱前に半導体素子12と回路基板11との間に存在していた半田が加熱によってボイド部分で消滅しているのは、その部分の半田が何らかの力でボイド周辺部に押し退けられたことを意味している。
これらの確認結果から本発明者は、ボイドの中身が低圧状態(真空に近い状態)であり、ボイドを発生させる力は表面張力であると考えた。表面張力は、換言すれば、表面積を最小にしようとする力である。そして、本発明者は、直径1mmの不濡れ部分が接合せずに密着に近い状態で存在する場合(不濡れ部分の表面積(0.025×πmm2))よりも、直径1mm、高さ100μmの円筒(ボイド円筒面の表面積(1×π×0.1mm2))で存在する方が、安定していることを発見した。このため、ボイドの中身が真空に近い状態であれば、その表面張力に打ち勝つ圧力で加圧すればボイドは消滅すると考えられる。この理論に基づき加圧状態で半田付けを行ったところ(図6)、ボイドを計測できないボイドゼロの状態が実現できた。
また、ボイドの状態は、ガスの有無によって決まるのではなく表面張力により決まるとすれば、材質、表面状態、温度、半田の厚さなどの要因が支配する筈であり、同一条件で半田の厚さを100μmと150μmで実験したところ、150μmの方が良い結果を得られた。2枚の板を隙間を空けて液体につけると良く濡れば液面が上昇し、隙間が狭いと液面は高くなり、隙間が広いと液面は低くなる。濡れが悪くてはじけば液面は押し込まれ、隙間が狭いと低い位置まで押し込まれ、隙間が広ければあまり押し込まれない。このようなことから、半田の厚みが100μmよりも150μmの方が圧力によってボイドを抑制し易いことが成り立つ。また、本発明者の考えによれば、ボイドの発生はリフロー室20内の圧力を高めるほど効果があると言える。
したがって、本実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
(1)半田溶融域において、リフロー室20内の圧力を常圧よりも高い圧力に加圧し、半田付けを行うようにした。このため、半田溶融域では、当該半田の表面張力に打ち勝つ力が加えられ、ボイド発生の要因と考えられる表面張力の影響が抑えられる。したがって、ボイドの発生を抑制できる。
(1)半田溶融域において、リフロー室20内の圧力を常圧よりも高い圧力に加圧し、半田付けを行うようにした。このため、半田溶融域では、当該半田の表面張力に打ち勝つ力が加えられ、ボイド発生の要因と考えられる表面張力の影響が抑えられる。したがって、ボイドの発生を抑制できる。
(2)リフロー室20と、当該リフロー室20に接続される投入室21及び取出室22との間に投入側扉23及び取出側扉24を設けた。このため、リフロー室20は、半田付け対象物の投入部位と取出部位とが大気に開放されていない構造となる。したがって、室内のガスと熱の損失を低減できる。
(3)リフロー室20と投入室21、及びリフロー室20と取出室22を連通状態とする場合には、投入室21と取出室22の各室の圧力をリフロー室20の圧力と同一圧力とし、投入側扉23及び取出側扉24を開放するようにした。このため、投入側扉23及び取出側扉24の開閉をスムーズに行うことができる。また、投入室21及び取出室22の圧力をリフロー室20の圧力に合わせることで、リフロー室20の圧力を常時、加圧状態に保つことができる。その結果、リフロー室20内の圧力は、加圧状態と減圧状態に変動することなく一定圧に保たれ、半田溶融域(溶融から凝固まで)において加圧状態を確実に作り出すことができ、ボイドの発生を抑制できる。
(4)投入室21の入口側扉25及び取出室22の出口側扉26を開閉させる場合には、投入室21及び取出室22の圧力を常圧に戻すようにした。このため、入口側扉25及び出口側扉26の開閉をスムーズに行うことができる。
(5)リフロー室20に高周波加熱コイル28を設け、高周波誘導加熱により半田付け対象物を加熱するようにした。このため、リフロー装置HKにおいてリフロー室20内の雰囲気温度に依存しない伝熱主体の加熱方式を採用できる。したがって、雰囲気温度が低く、熱損失を小さくすることができる。
(6)リフロー室20に、減圧弁30cを配設した還元性ガス供給部30と絞り弁32cを配設したガス排出部32を接続し、リフロー室20内の圧力を一定圧に保ちつつ、ガスを流通させるようにした。このため、リフロー室20では、ガスを流しながら半田付けを行うことができる。したがって、還元作用によって発生する水や、半田付け対象物の搬送時に、当該半田付け対象物ともに搬入される可能性がある揮発成分などの有害な不純物を低減しながらリフロー装置HKを運転させることができる。
(7)高周波加熱コイル28を錘44から離間して配置し、錘44を発熱させる。このため、複数の半導体素子12を回路基板11に半田付けする場合であっても、錘44毎に高周波加熱コイル28を設けることなく複数箇所の接合部位を加熱することができる。また、溶融した半田の冷却時においては、高周波加熱コイル28を、錘44及び回路基板11とは別に取り扱うことが可能となるので、当該高周波加熱コイル28を用いて他の半田付け対象物の半田付けを行うこともできる。また、半導体素子12を押圧する錘44を発熱させて回路基板11の接合部位を加熱することで、当該接合部位に対して集中的に熱を伝えることができる。したがって、回路基板11全体やリフロー室20全体を加熱する場合に比べて効率的な加熱を実現できる。
(8)半導体素子12の直上に配置される錘44の上方に高周波加熱コイル28を配置した。このため、回路基板11における複数の接合部位に対して平面的に熱を伝えることができ、均等に加熱することができる。この結果、各接合部位に配置した半田の溶融の開始と終了を近似(ほぼ同時)させることができ、半田付け作業の効率化を図ることができる。
(9)錘44に、各半導体素子12の非接合面に接触可能な押圧面44aを形成した。すなわち、錘44を一つの集合体として構成した。このため、一つの錘44によって押圧される押圧面積を広げることが可能となり、溶融した半田の表面張力による影響を受け難く、安定した状態で半田付け作業を行うことができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明を具体化した第2の実施形態を図8にしたがって説明する。なお、以下に説明する実施形態では、既に説明した実施形態と同一構成について同一の符号を付すなどして、その重複する説明は省略又は簡略する。
次に、本発明を具体化した第2の実施形態を図8にしたがって説明する。なお、以下に説明する実施形態では、既に説明した実施形態と同一構成について同一の符号を付すなどして、その重複する説明は省略又は簡略する。
図8は、本実施形態のリフロー装置HKを示している。本実施形態のリフロー装置HKは、複数個(本実施形態では3個)の半田付け対象物をトレイTに平置き状態で搭載して搬送し、複数個の半田付け対象物を同時に加熱し、半田を溶融可能な装置として構成されている。図8中、半田付け対象物は、網掛けで図示している。
本実施形態のリフロー装置HKは、加熱室としてのリフロー室50と、ワーク収容室を構成する投入室51及び取出室52とを備えている。各室50〜52は、第1の実施形態のリフロー装置HKが備えるリフロー室20、投入室21及び取出室22の各室と同様に機能し、投入室51は搬送方向(図8に示す矢印方向)の上流側に位置するようにリフロー室50に接続されているとともに、取出室52は前記搬送方向の下流側に位置するようにリフロー室50に接続されている。各室50〜52の配置は、第1の実施形態のリフロー装置HKが備えるリフロー室20、投入室21及び取出室22の各室と同様の配置である。そして、リフロー室50と投入室51は、仕切部材としての投入側扉53を介して接続されているとともに、リフロー室50と取出室52は、仕切部材としての取出側扉54を介して接続されている。また、投入室51には、入口側扉55が設けられているとともに、取出室52には、出口側扉56が設けられている。各扉53〜56の構造及び機能は、第1の実施形態のリフロー装置HKが備える投入側扉23、取出側扉24、入口側扉25及び出口側扉26と同じである。
本実施形態のリフロー室50は、加熱エリア50aと冷却エリア50bとに室内空間が二分されている。加熱エリア50aは、投入室51側に配置されているとともに、冷却エリア50bは、取出室52側に配置されている。加熱エリア50aと冷却エリア50bは、リフロー室50に設けられた仕切扉57で仕切られている。仕切扉57は、図8(b)に示す矢印方向を開閉方向として動作可能に装着されている。仕切扉57は、加熱エリア50aからの熱を遮断する機能を有しており、シャッター状の部材でも良いし、シート状の部材でも良い。
加熱エリア50aには、投入室51から投入された半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア58が配設されている。また、加熱エリア50aには、高周波加熱コイル59が配設されている。高周波加熱コイル59は、図8(b)に示すように、コンベア58上を搬送される半田付け対象物の上方に位置するように配設されている。本実施形態の高周波加熱コイル59は、複数個の半田付け対象物を同時に加熱し得るように、複数個の半田付け対象物を覆う大きさで、渦巻き状(角形の渦巻き状)に形成されている。高周波加熱コイル59は、半田付け対象物から離間して配置される。そして、高周波加熱コイル59は、リフロー室50の室外に配設された高周波発生装置29に電気的に接続されている。本実施形態では、高周波加熱コイル59と高周波発生装置29により、加熱手段を構成している。また、加熱エリア50aには、還元性ガス供給部30とガス排出部32が接続されている。また、加熱エリア50aには、断熱材Dが配設されている。
リフロー室50の冷却エリア50bには、加熱エリア50aから搬送された半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア60が配設されている。また、冷却エリア50bには、室内に不活性ガス(本実施形態では窒素(N2))を供給する不活性ガス供給部61が接続されている。不活性ガス供給部61は、配管61aと、当該配管61aの開閉バルブ61bと、不活性ガス供給源(例えば、窒素を充填した窒素タンク)61cとを備えている。また、冷却エリア50bには、室内に導入した不活性ガスを室外に排出するガス排出部62が接続されている。ガス排出部62は、配管62aと、当該配管62aの開閉バルブ62bを備えている。
投入室51には、半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア63が配設されている。また、投入室51には、不活性ガス供給部35と、真空部36と、ガス排出部37が接続されている。取出室52には、半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア64が配設されている。また、取出室52には、不活性ガス供給部39と、真空部40と、ガス排出部41が接続されている。
投入室51には、当該投入室51に隣接して配置されたワーク供給ライン65から半田付け対象物が供給されるようになっている。ワーク供給ライン65は、回路基板11とヒートシンク13の接合物を複数個搭載したトレイTの載置部66と、当該載置部66からトレイTを受入れ、トレイTに搭載された前記接合物に治具43と、半田シート17と、半導体素子12と、錘44とを順次積層するマウンタ67とを備えている。本実施形態において半田付け対象物は、ワーク供給ライン65にて第1の実施形態と同様に図4に示すように準備され、投入室51へ供給される。
取出室52に収容された半田溶融凝固後の半田付け対象物は、当該取出室52に隣接して配置されたワーク排出ライン68に排出されるようになっている。ワーク排出ライン68では、錘44と治具43が順次取り外され、半田溶融凝固後の半田付け対象物が製品(半導体モジュール10)として搬送される。
次に、本実施形態のリフロー装置HKを用いて半導体素子12の半田付けを行う方法について説明する。本実施形態のリフロー装置HKは、図示しない制御装置を備えており、各室50,51,52のガス雰囲気調整、各扉53〜57の開閉、及び搬送機構(コンベア58,60,63,64)の動作を制御する。
本実施形態のリフロー装置HKは、半田付けを行う場合、第1の実施形態のリフロー装置HKと基本的に同様の動作を行う。すなわち、本実施形態のリフロー装置HKにおいてもリフロー室50は、ガスの供給により、室内の圧力が常圧よりも高い圧力(本実施形態では0.13MPa)となるように雰囲気調整され、加圧状態で半田付けを行う。そして、半田付け対象物は、ワーク供給ライン65から投入室51に供給された後、当該投入室51からリフロー室50の加熱エリア50a、リフロー室50の冷却エリア50b及び取出室52の順に搬送され、当該取出室52からワーク排出ライン68に排出される。
リフロー装置HKでは、入口側扉55と出口側扉56を閉鎖した状態で投入側扉53、取出側扉54及び仕切扉57を同時に開放し、投入室51からリフロー室50へ半田溶融前の半田付け対象物を搬送するとともにリフロー室50から取出室52へ半田溶融凝固後の半田付け対象物を搬送する。具体的には、投入室51内の半田付け対象物がリフロー室50の加熱エリア50aに搬送されるとともに、加熱エリア50a内の半田付け対象物がリフロー室50の冷却エリア50bに搬送され、さらに冷却エリア50b内の半田付け対象物が取出室52に搬送される。そして、リフロー室50、投入室51及び取出室52における半田付け対象物の搬送時、投入室51及び取出室52内の圧力は、リフロー室50内の圧力と同一圧力とされる。
また、リフロー装置HKでは、投入側扉53、取出側扉54及び仕切扉57を閉鎖した状態で入口側扉55と出口側扉56を同時に開放し、ワーク供給ライン65から投入室51へ半田溶融前の半田付け対象物を搬送するとともに取出室52からワーク排出ライン68へ半田溶融凝固後の半田付け対象物を搬送する。このとき、投入室51と取出室52は、室内の圧力を常圧に戻した状態で半田付け対象物が搬送される。
リフロー室50の加熱エリア50aでは、高周波発生装置29を作動させて高周波加熱コイル59に高周波電流を流すことにより、半田溶融前の半田付け対象物を高周波誘導加熱により加熱し、半田を溶融する。そして、半田付け対象物は、半田が完全に溶融したならば冷却エリア50bに搬送され、当該冷却エリア50bで冷却されて溶融した半田が凝固する。
本実施形態のリフロー装置HKは、加圧状態で半田付けを行うため、第1の実施形態のリフロー装置HKで半田付けを行った場合と同様にボイドの発生を抑制し得る。
したがって、本実施形態によれば、第1の実施形態の効果(1)〜(9)と同様の効果に加えて以下に示す効果を得ることができる。
したがって、本実施形態によれば、第1の実施形態の効果(1)〜(9)と同様の効果に加えて以下に示す効果を得ることができる。
(10)リフロー室50を加熱エリア50aと冷却エリア50bに二分し、加熱エリア50aと冷却エリア50bとの間に熱を遮断する機能を有する仕切扉57を設けた。このため、冷却エリア50bは、加熱エリア50aからの伝熱が抑制され、半田付け対象物の冷却効果を高めることができる。
(11)1つのトレイTに複数個の半田付け対象物を搭載し、複数個の半田付け対象物を同時に加熱して半田付けを行うようにした。このため、半導体モジュール10の生産効率を向上させることができる。
(第3の実施形態)
次に、本発明を具体化した第3の実施形態を図9にしたがって説明する。
図9は、本実施形態のリフロー装置HKを示している。本実施形態のリフロー装置HKは、複数個(本実施形態では3個)の半田付け対象物を多段式トレイRに多段積み状態(本実施形態では3段)で搭載して搬送し、複数個の半田付け対象物を同時に加熱し、半田を溶融可能な装置として構成されている。また、本実施形態のリフロー装置HKでは、加熱方式として加熱室内の雰囲気温度を半田の溶融温度以上とし、加熱するように構成されている。図9中、半田付け対象物は、網掛けで図示している。
次に、本発明を具体化した第3の実施形態を図9にしたがって説明する。
図9は、本実施形態のリフロー装置HKを示している。本実施形態のリフロー装置HKは、複数個(本実施形態では3個)の半田付け対象物を多段式トレイRに多段積み状態(本実施形態では3段)で搭載して搬送し、複数個の半田付け対象物を同時に加熱し、半田を溶融可能な装置として構成されている。また、本実施形態のリフロー装置HKでは、加熱方式として加熱室内の雰囲気温度を半田の溶融温度以上とし、加熱するように構成されている。図9中、半田付け対象物は、網掛けで図示している。
本実施形態のリフロー装置HKは、加熱室としてのリフロー室70と、ワーク収容室を構成する投入室71及び取出室72とを備えている。各室70〜72は、第1の実施形態のリフロー装置HKが備えるリフロー室20、投入室21及び取出室22の各室と同様に機能し、投入室71は搬送方向(図9に示す矢印方向)の上流側に位置するようにリフロー室70に接続されているとともに、取出室72は前記搬送方向の下流側に位置するようにリフロー室70に接続されている。各室70〜72の配置は、第1の実施形態のリフロー装置HKが備えるリフロー室20、投入室21及び取出室22の各室と同様の配置である。そして、リフロー室70と投入室71は、仕切部材としての投入側扉73を介して接続されているとともに、リフロー室70と取出室72は、仕切部材としての取出側扉74を介して接続されている。また、投入室71には、入口側扉75が設けられているとともに、取出室72には、出口側扉76が設けられている。各扉73〜76の構造及び機能は、第1の実施形態のリフロー装置HKが備える投入側扉23、取出側扉24、入口側扉25及び出口側扉26と同じである。
本実施形態のリフロー室70は、加熱エリア70aと冷却エリア70bとに室内空間が二分されている。加熱エリア70aは、投入室71側に配置されているとともに、冷却エリア70bは、取出室72側に配置されている。加熱エリア70aと冷却エリア70bは、リフロー室70に設けられた巻取り式の仕切カーテン77で仕切られている。仕切カーテン77は、加熱エリア70aからの熱を遮断する機能を有しており、シート状の部材である。仕切カーテン77により、リフロー室70は、加熱エリア70aと冷却エリア70bとの間の雰囲気ガスの移動が制限され、高温室(加熱エリア70a)と低温室(冷却エリア70b)とに仕切られている。なお、仕切カーテン77に代えて、第2の実施形態のような開閉可能な仕切扉としても良い。
加熱エリア70aには、投入室71から投入された半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア78が配設されている。また、加熱エリア70aには、リフロー室70内の雰囲気温度を調整するための高温のガスを供給するガス供給装置79が接続されている。リフロー室70(加熱エリア70a)内は、ガス供給装置79の制御により、所定の温度に、かつ常圧よりも高い圧力(本実施形態では0.13MPa)に保たれている。本実施形態では、ガス供給装置79が加熱手段として機能する。また、リフロー室70の冷却エリア70bには、加熱エリア70aから投入された半田付け対象物を搬送する搬送手段としてのコンベア80が配設されている。
投入室71には、半田付け対象物を搬送する搬送手段としての移送機(例えば、ロボットなど)81が配設されている。また、投入室71には、不活性ガス供給部35と、真空部36と、ガス排出部37が接続されている。取出室72には、半田付け対象物を搬送する搬送手段としての移送機(例えば、ロボットなど)82が配設されている。また、取出室72には、不活性ガス供給部39と、真空部40と、ガス排出部41が接続されている。
投入室71には、当該投入室71に隣接して配置されたワーク供給ライン83から半田付け対象物が供給されるようになっている。ワーク供給ライン83は、回路基板11とヒートシンク13の接合物に治具43と、半田シート17と、半導体素子12と、錘44とを順次積層するマウンタ84と、多段式トレイRに複数個の半田付け対象物を多段積みする移送機(例えば、ロボットなど)85とを備えている。本実施形態において半田付け対象物は、ワーク供給ライン83にて第1の実施形態と同様に図4に示すように準備され、投入室71へ供給される。
取出室72に収容された半田溶融凝固後の半田付け対象物は、当該取出室72に隣接して配置されたワーク排出ライン86に排出されるようになっている。ワーク排出ライン86は、多段式トレイRから半田付け対象物を取り出し、図示しない搬送コンベアに移送する移送機(例えば、ロボットなど)87を備えている。また、ワーク排出ライン86で半田付け対象物が取り出された多段式トレイRは、コンベアなどの搬送機構を有するトレイ回収ライン88により、ワーク供給ライン83に戻されるようになっている。
次に、本実施形態のリフロー装置HKを用いて半導体素子12の半田付けを行う方法について説明する。本実施形態のリフロー装置HKは、図示しない制御装置を備えており、各室70,71,72のガス雰囲気調整、各扉73〜77の開閉、及び搬送機構(コンベア78,80や、移送機81,82など)の動作を制御する。
本実施形態のリフロー装置HKは、半田付けを行う場合、第1,第2の実施形態のリフロー装置HKと加熱方式は異なるが、装置としての基本的な動作は同じである。すなわち、本実施形態のリフロー装置HKにおいてもリフロー室70は、ガスの供給により、室内の圧力が常圧よりも高い圧力(本実施形態では0.13MPa)となるように雰囲気調整され、加圧状態で半田付けを行う。そして、半田付け対象物は、ワーク供給ライン83から投入室71に供給された後、当該投入室71からリフロー室70の加熱エリア70a、リフロー室70の冷却エリア70b及び取出室72の順に搬送され、当該取出室72からワーク排出ライン86に排出される。
リフロー装置HKでは、入口側扉75と出口側扉76を閉鎖した状態で投入側扉73、取出側扉74及び仕切カーテン77を同時に開放し、投入室71からリフロー室70へ半田溶融前の半田付け対象物を搬送するとともにリフロー室70から取出室72へ半田溶融凝固後の半田付け対象物を搬送する。具体的には、投入室71内の半田付け対象物がリフロー室70の加熱エリア70aに搬送されるとともに、加熱エリア70a内の半田付け対象物がリフロー室70の冷却エリア70bに搬送され、さらに冷却エリア70b内の半田付け対象物が取出室72に搬送される。そして、リフロー室70、投入室71及び取出室72における半田付け対象物の搬送時、投入室71及び取出室72内の圧力は、リフロー室70内の圧力と同一圧力とされる。
また、リフロー装置HKでは、投入側扉73、取出側扉74及び仕切カーテン77を閉鎖した状態で入口側扉75と出口側扉76を同時に開放し、ワーク供給ライン83から投入室71へ半田溶融前の半田付け対象物を搬送するとともに取出室72からワーク排出ライン86へ半田溶融凝固後の半田付け対象物を搬送する。このとき、投入室71と取出室72は、室内の圧力を常圧に戻した状態で半田付け対象物が搬送される。
リフロー室70の加熱エリア70aでは、室内が雰囲気ガスによって高温とされ、その熱により半田溶融前の半田付け対象物を加熱し、半田を溶融する。そして、半田付け対象物は、半田が完全に溶融したならば冷却エリア70bに搬送され、当該冷却エリア70bで冷却されて溶融した半田が凝固する。
本実施形態のリフロー装置HKは、加圧状態で半田付けを行うため、第1,第2の実施形態のリフロー装置HKで半田付けを行った場合と同様にボイドの発生を抑制し得る。
したがって、本実施形態によれば、第1の実施形態の効果(1)〜(4),(9)、及び第2の実施形態の効果(10),(11)と同様の効果を得ることができる。
したがって、本実施形態によれば、第1の実施形態の効果(1)〜(4),(9)、及び第2の実施形態の効果(10),(11)と同様の効果を得ることができる。
なお、各実施形態は以下のように変更してもよい。
○ 各実施形態において、リフロー室20,50,70に対して1つのワーク収容室を接続し、当該ワーク収容室からリフロー室20,50,70へ半田溶融前の半田付け対象物を投入し、リフロー室20,50,70からワーク収容室へ半田溶融凝固後の半田付け対象物を取り出すようにしても良い。なお、リフロー室20,50,70から半田付け対象物を取り出す場合には、半田溶融後、凝固前に取り出してワーク収容室に搬送しても良く、この場合、ワーク収容室はリフロー室20,50,70と同一圧力(加圧状態)に調整し、半田溶融域における加圧状態を維持させる。
○ 各実施形態において、リフロー室20,50,70に対して1つのワーク収容室を接続し、当該ワーク収容室からリフロー室20,50,70へ半田溶融前の半田付け対象物を投入し、リフロー室20,50,70からワーク収容室へ半田溶融凝固後の半田付け対象物を取り出すようにしても良い。なお、リフロー室20,50,70から半田付け対象物を取り出す場合には、半田溶融後、凝固前に取り出してワーク収容室に搬送しても良く、この場合、ワーク収容室はリフロー室20,50,70と同一圧力(加圧状態)に調整し、半田溶融域における加圧状態を維持させる。
○ また、第2,第3の実施形態において、半田凝固前に半田付け対象物をリフロー室50,70から取り出して取出室52,72へ搬送させる場合には、仕切扉57や仕切カーテン77及び冷却エリア50b,70bを省略しても良い。この場合、取出室52,72には、室内がリフロー室50,70と同一圧力に調整された上で半田溶融状態の半田付け対象物が搬送される。そして、搬送された半田付け対象物は、取出室52,72で半田凝固まで待機し、半田が凝固したならば取出室52,72の減圧とガス置換が行われ、その後にワーク排出ライン68,86へ搬送される。この構成によれば、リフロー装置HKの構成が簡略化される。
○ 各実施形態では、リフロー室20,50,70の圧力を0.13MPaとしているが、0.13MPaよりも高い圧力まで加圧しても良い。
○ 各実施形態では、リフロー室20,50,70の圧力を0.13MPaとしているが、材質や表面処理の状況によっては0.11MPa以上、0.13MPa以下の範囲の圧力としても良い。ボイドを抑制するために必要な圧力は、濡れ性と表面張力などによって変更可能である。
○ 各実施形態では、リフロー室20,50,70の圧力を0.13MPaとしているが、材質や表面処理の状況によっては0.11MPa以上、0.13MPa以下の範囲の圧力としても良い。ボイドを抑制するために必要な圧力は、濡れ性と表面張力などによって変更可能である。
○ 各実施形態において、リフロー室20,50,70の圧力を監視し、当該監視によって得られた圧力値に基づき雰囲気ガスを導入し、室内の圧力を一定に保つようにしても良い。
○ 各実施形態において、リフロー室20,50,70内が還元性ガス雰囲気(水素100%)とされているが、還元性ガスを含むガス雰囲気としても良い。例えば、3%の水素(還元性ガス)を窒素(不活性ガス)に混合したガス雰囲気としても良い。
○ 還元性ガスは、水素を含むガスに限らず、ホルムアルデヒドを含むなど他の組成のガスであっても良い。
○ 各実施形態において、投入室21,51,71及び取出室22,52,72に導入するガスを還元性ガスにしても良い。
○ 各実施形態において、投入室21,51,71及び取出室22,52,72に導入するガスを還元性ガスにしても良い。
○ 各実施形態において、例えば、リフロー室20,50,70内にヒータなどを設けて加熱しても良いし、ヒートシンク13に熱媒体を流通させて当該ヒートシンク13から半田シート17に熱を伝えるように加熱しても良い。また、第1,第2の実施形態では、高周波誘導加熱により錘44からの伝熱によって半田を加熱しているが、高周波加熱コイル28,59により半田を直接加熱しても良い。また、半田周辺のワーク部位を加熱し、伝熱により半田を加熱しても良い。
○ 半田付け対象物は、ヒートシンク13を接合していない状態の回路基板11でも良い。この場合、リフロー室20,50,70には、回路基板11と半導体素子12からなる半導体装置が収容されて半田付けされることとなる。また、リフロー室20,50,70に搬送し、一度に加熱する半田付け対象物の数は変更しても良い。また、半導体モジュールを複数の回路基板11で構成しても良い。
○ 錘44は、削り出しによる一体化部品に代えて、複数の分割体を接合し、一つの集合体として構成しても良い。例えば、錘44は、半導体素子12毎に設置可能な分割体として構成しても良い。具体的に言えば、各実施形態の場合には、回路基板11に4つの半導体素子12が接合されるので、4つの錘44を各半導体素子12の直上に配置して加圧しても良い。
○ 半田シート17の成分は、実施形態に限定されず、変更しても良い。すなわち、ボイドの発生を抑制するためには、半田の溶融時(溶けている間)に加圧すれば良く、使用する半田シート17の成分は限定されない。
○ 第1,第2の実施形態では、リフロー室20,50内へのガスの入口側となる還元性ガス供給部30に減圧弁30cを設ける一方で、室外への出口側となるガス排出部32に絞り弁32cを設けているが、弁体の配設態様を変更しても良い。例えば、還元性ガス供給部30とガス排出部32の何れにも減圧弁を設けても良いし、何れにも絞り弁を設けても良い。なお、何れにも絞り弁を設ける場合には、室内へのガス導入量と室外へのガス排出量を同一に設定し、室内の圧力を一定圧に保つようにする。また、実施形態とは逆に、還元性ガス供給部30に絞り弁を設ける一方で、ガス排出部32に減圧弁を設けても良い。上記の各配置態様によれば、リフロー室20,50内の圧力を一定に保つことが可能である。
○ 第3の実施形態において、図10に示すように、投入室71と取出室72の各移送機81,82に代えて、搬送手段としてコンベア90,91を設けても良い。
○ 第1の実施形態において、リフロー室20に還元性ガス供給部30とガス排出部32のみを設けても良い。真空部31は、リフロー装置HKの起動時、リフロー室20内を還元性ガス雰囲気にする上で当該還元性ガス雰囲気を真空部31がない場合よりも早く作り出すことができることから、リフロー室20に接続した方が好ましい。
○ 第1の実施形態において、リフロー室20に還元性ガス供給部30とガス排出部32のみを設けても良い。真空部31は、リフロー装置HKの起動時、リフロー室20内を還元性ガス雰囲気にする上で当該還元性ガス雰囲気を真空部31がない場合よりも早く作り出すことができることから、リフロー室20に接続した方が好ましい。
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想を以下に追記する。
(イ)前記加熱室の圧力は、0.11MPa〜0.13MPaの範囲の圧力であることを特徴とする請求項1に記載の半田付け装置。
(イ)前記加熱室の圧力は、0.11MPa〜0.13MPaの範囲の圧力であることを特徴とする請求項1に記載の半田付け装置。
HK…リフロー装置、11…回路基板、12…半導体素子、20,50,70…リフロー室、21,51,71…投入室、22,52,72…取出室、28,59…高周波加熱コイル、29…高周波発生装置、30…還元性ガス供給部、23,53,73…投入側扉、24,54,74…取出側扉、30c…減圧弁、32c…絞り弁、35,39…不活性ガス供給部。
Claims (11)
- 回路基板に半導体素子を半田付けする半田付け装置であって、
半田付け対象物を加熱し、半田を溶融する加熱室と、
前記加熱室へ投入する半田溶融前の半田付け対象物及び前記加熱室から取り出される半田溶融後の半田付け対象物を収容するワーク収容室と、
前記加熱室と前記ワーク収容室との間で前記半田付け対象物を搬送する搬送手段と、
前記加熱室に収容された前記半田付け対象物を加熱する加熱手段と、
前記加熱室内に還元性ガスからなる雰囲気ガス又は還元性ガスを含む雰囲気ガスを導入する第1のガス導入手段とを備え、
前記加熱室内の圧力を前記雰囲気ガスによって常圧よりも高い圧力とし、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において加圧状態で半田付けを行うことを特徴とする半田付け装置。 - 前記加熱室の圧力は、0.11MPa以上の圧力であることを特徴とする請求項1に記載の半田付け装置。
- 前記加熱室の圧力は、0.13MPa以上の圧力であることを特徴とする請求項1に記載の半田付け装置。
- 前記ワーク収容室内に不活性ガス又は前記雰囲気ガスを導入する第2のガス導入手段と、
前記加熱室と前記ワーク収容室とを連通状態及び非連通状態に仕切る仕切部材とを備え、
前記半田付け対象物は、前記ワーク収容室の圧力を前記加熱室の圧力と同一圧力に調整した後に前記仕切部材を開放し、両室間を搬送させることを特徴とする請求項1〜請求項3のうちいずれか一項に記載の半田付け装置。 - 前記ワーク収容室は、前記加熱室の前後に配置される投入室と取出室からなり、
前記投入室及び前記取出室の各室内に不活性ガス又は前記雰囲気ガスを導入する第2のガス導入手段と、
前記加熱室と前記投入室及び前記加熱室と前記取出室を、各別に連通状態及び非連通状態に仕切る仕切部材とを備え、
前記半田付け対象物は、前記投入室から前記加熱室への搬送時、前記投入室の圧力を前記加熱室の圧力と同一圧力に調整した後に前記仕切部材を開放し、両室間を搬送させることを特徴とする請求項1〜請求項3のうちいずれか一項に記載の半田付け装置。 - 前記ワーク収容室は、前記加熱室の前後に配置される投入室と取出室からなり、
前記投入室及び前記取出室の各室内に不活性ガス又は前記雰囲気ガスを導入する第2のガス導入手段と、
前記加熱室と前記投入室及び前記加熱室と前記取出室を、各別に連通状態及び非連通状態に仕切る仕切部材とを備え、
前記半田付け対象物は、前記加熱室から前記取出室への搬送時、前記取出室の圧力を前記加熱室の圧力と同一圧力に調整した後に前記仕切部材を開放し、両室間を搬送させることを特徴とする請求項1〜請求項3及び請求項5のうちいずれか一項に記載の半田付け装置。 - 前記半田付け対象物は、前記加熱室において前記半田が溶融され、当該半田の凝固後に取り出されて搬送されることを特徴とする請求項1〜請求項6のうちいずれか一項に記載の半田付け装置。
- 前記加熱手段は、高周波誘導加熱により前記半田付け対象物を加熱する装置であることを特徴とする請求項1〜請求項7のうちいずれか一項に記載の半田付け装置。
- 前記加熱室に導入された前記雰囲気ガスを室外に排出するガス排出手段と、
前記加熱室内に導入される前記雰囲気ガスを前記ガス排出手段で排出しながら、前記加熱室内の圧力を一定圧に維持する圧力調整手段とを備えたことを特徴とする請求項1〜請求項8のうちいずれか一項に記載の半田付け装置。 - 回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物を加熱し、溶融する加熱室と、当該加熱室へ投入する半田溶融前の半田付け対象物及び前記加熱室から取り出される半田溶融後の半田付け対象物を収容するワーク収容室との間で前記半田付け対象物を搬送手段により搬送し、前記回路基板と前記半導体素子とを半田付けする半田付け方法であって、
前記加熱室内に還元性ガスからなる雰囲気ガス又は還元性ガスを含む還元性ガスを含む雰囲気ガスを導入して前記加熱室内の圧力を常圧よりも高い圧力とし、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において加圧状態で半田付けを行うことを特徴とする半田付け方法。 - 回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物を加熱し、溶融する加熱室と、当該加熱室へ投入する半田溶融前の半田付け対象物及び前記加熱室から取り出される半田溶融後の半田付け対象物を収容するワーク収容室との間で前記半田付け対象物を搬送手段により搬送し、前記回路基板と前記半導体素子とを半田付けした半導体装置の製造方法であって、
前記加熱室内に還元性ガスからなる雰囲気ガス又は還元性ガスを含む還元性ガスを含む雰囲気ガスを導入して前記加熱室内の圧力を常圧よりも高い圧力とし、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において加圧状態で半田付けを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006023149A JP2007207899A (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法 |
PCT/JP2006/326075 WO2007088695A1 (ja) | 2006-01-31 | 2006-12-27 | 半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006023149A JP2007207899A (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007207899A true JP2007207899A (ja) | 2007-08-16 |
Family
ID=38327279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006023149A Pending JP2007207899A (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007207899A (ja) |
WO (1) | WO2007088695A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219158A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Denso Corp | リフローはんだ付方法 |
JP2012066257A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Athlete Fa Kk | リフロー半田付け装置 |
DE102014106631A1 (de) | 2013-05-10 | 2014-11-13 | Seho Systemtechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Lötverbindungen |
JP2015009262A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | 三菱電機株式会社 | リフロー装置 |
JP2015015403A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | リフロー装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007005345B4 (de) * | 2007-02-02 | 2014-06-18 | Seho Systemtechnik Gmbh | Verfahren zum Reflow-Löten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE202011107022U1 (de) * | 2011-10-21 | 2012-04-05 | Asscon Systemtechnik-Elektronik Gmbh | Vorrichtung zum Löten |
JP2016129205A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE102019211212A1 (de) | 2019-07-29 | 2021-02-04 | Rehm Thermal Systems Gmbh | Mechatronischer Vorhang für eine Prozesskammer zur Durchführung thermischer Prozesse in der Fertigung elektronischer Baugruppen |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06112644A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Fujitsu Ltd | プリント配線基板のはんだ付け方法 |
JPH07171677A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Sony Corp | ハンダ付け装置 |
JP3809806B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2006-08-16 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2005205418A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Denso Corp | 接合構造体の製造方法 |
-
2006
- 2006-01-31 JP JP2006023149A patent/JP2007207899A/ja active Pending
- 2006-12-27 WO PCT/JP2006/326075 patent/WO2007088695A1/ja active Application Filing
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219158A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Denso Corp | リフローはんだ付方法 |
DE102010015841B4 (de) | 2009-03-13 | 2022-09-15 | Denso Corporation | Reflow-Lötverfahren |
JP2012066257A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Athlete Fa Kk | リフロー半田付け装置 |
DE102014106631A1 (de) | 2013-05-10 | 2014-11-13 | Seho Systemtechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Lötverbindungen |
DE102014106631B4 (de) | 2013-05-10 | 2021-12-02 | Seho Systemtechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Lötverbindungen |
JP2015009262A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | 三菱電機株式会社 | リフロー装置 |
JP2015015403A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | リフロー装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007088695A1 (ja) | 2007-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007207899A (ja) | 半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法 | |
WO2007077877A1 (ja) | 半田付け方法、半田付け装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP5424201B2 (ja) | 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法 | |
JP4640170B2 (ja) | 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置 | |
US10843300B2 (en) | Method for producing soldered product | |
EP1350588B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP2008182120A (ja) | 半田付け方法、半田付け装置、及び半導体装置の製造方法 | |
US20130200136A1 (en) | Reflow soldering device and reflow soldering method | |
EP1954110A1 (en) | Soldering apparatus and soldering method | |
JP5233764B2 (ja) | リフローはんだ付方法 | |
CN110678288B (zh) | 用于产生焊接连接部的方法 | |
EP1968107A1 (en) | Soldering method and semiconductor module manufacturing method | |
JP2009253157A (ja) | 半田付け方法及び半導体装置の製造方法 | |
US20040129758A1 (en) | Die bonding apparatus | |
US20090275174A1 (en) | Soldering Container and Production Method of Semiconductor Device | |
US11998999B2 (en) | Soldering or sintering system with plurality of modules and temperature control | |
JP2010161207A (ja) | 半田付け方法および半田付け装置 | |
JP2014157858A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6815678B1 (ja) | 電子部品のシンタリング装置および方法 | |
WO2015129034A1 (ja) | 粘性流体付着装置 | |
JP4888097B2 (ja) | 半田付け方法及び電子機器の製造方法 | |
KR20000026672A (ko) | Ti/al6061 스퍼터링 타겟 조립체 접합방법 및 접합장치 | |
JP2008288150A (ja) | 半田付け方法、半田付け装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JPH10322009A (ja) | はんだ付け装置 |