JP2007206425A - 厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】形状の良好な厚膜のレジストパターンを形成できる厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物であって、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）とを有する質量平均分子量２００００〜５００００の高分子化合物（Ａ１）を含有する樹脂成分（Ａ）と、一般式（Ｉ）：Ｒ^４”ＳＯ_３ ⁻［式中、Ｒ^４”は、炭素数４の直鎖または分岐状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表す］で表されるアニオン部を有するオニウム塩系酸発生剤を含有し、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、第３級脂肪族アミンを含有する含窒素有機化合物（Ｄ）とを含有するポジ型レジスト組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、支持体上に、厚膜レジスト膜を形成するために用いられる厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法に関する。

フォトリソグラフィー技術においては、例えば基板の上にレジスト組成物からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、所定のパターンが形成されたフォトマスクを介して、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。露光した部分が現像液に溶解する特性に変化するレジスト組成物をポジ型、露光した部分が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト組成物をネガ型という。

近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速に微細化が進んでいる。微細化の手段としては露光光の短波長化が一般的に行われており、具体的には、従来は、ｇ線、ｉ線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）が導入され、さらに、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）が導入され始めている。また、それより短波長のＦ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）や、ＥＵＶ（極紫外線）、電子線、Ｘ線などについても検討が行われている。
また、微細な寸法のパターンを再現するためには、高解像性を有するレジスト材料が必要である。かかるレジスト材料として、ベース樹脂と、露光により酸を発生する酸発生剤とを含有する化学増幅型のレジスト組成物が用いられている。たとえばポジ型の化学増幅型レジストは、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有しており、レジストパターン形成時に、露光により酸発生剤から酸が発生すると、露光部がアルカリ可溶性となる。
化学増幅型ポジ型レジスト組成物の樹脂成分としては、ポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）系樹脂の水酸基を酸解離性溶解抑制基で保護した樹脂や、（メタ）アクリル酸から誘導される構成単位を主鎖に有する樹脂（アクリル系樹脂）のカルボキシ基を酸解離性溶解抑制基で保護した樹脂などが一般的に用いられている。
酸解離性溶解抑制基としては、１−エトキシエチル基に代表される鎖状エーテル基やテトラヒドロピラニル基に代表される環状エーテル基等のいわゆるアセタール基；ｔｅｒｔ−ブチル基に代表される第３級アルキル基；ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基に代表される第３級アルコキシカルボニル基等が用いられている（例えば、特許文献１参照）。

半導体素子等の製造においてレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、通常、１００〜８００ｎｍ程度の薄膜であるが、レジスト組成物は、それよりも厚い膜厚、たとえば膜厚１μｍ以上の厚膜レジスト膜を形成するためにも使用されている。
たとえば、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）などを電子機器に搭載するために、基板などの支持体の上面に突起電極からなる接続端子を設ける多ピン薄膜実装方法においては、支持体から突出するバンプからなる接続端子や、支持体から突出するメタルポストと呼ばれる支柱と、その上に形成されたハンダボールとからなる接続端子などを形成するために厚膜レジスト膜が用いられている。具体例を挙げると、たとえば、支持体上に厚膜レジスト膜を形成し、所定のマスクパターンを介して露光し、現像して、バンプやメタルポストを形成する部分が選択的に除去（剥離）されたレジストパターンを形成し、この除去された部分（非レジスト部）に銅、金、ニッケル、ハンダなどの導体をメッキによって埋め込んだ後、その周囲のレジストパターンを除去することにより形成することができる。
かかる厚膜レジスト膜形成用途に用いられるレジスト組成物としては、たとえば、パンプ形成用や配線形成用として用いられるキノンジアジド基含有化合物を有するポジ型感光性樹脂組成物が開示されている（例えば特許文献２参照）。

上述のようにして形成されるレジストパターンは、当該レジストパターンをフレームとしたメッキ工程、レジストパターンをマスクとしたエッチング工程やハイエナジーインプランテーション工程等に利用できる。そのため、これらの工程が行われるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）の製造等に用いることができる。
ＭＥＭＳは、マイクロマシニング技術により支持体上に様々な微細構造体（センサ等の機能素子、配線、接続用端子等の導体構造体など）を集積化した高度な小型システムであり、たとえば、特許文献３には、ノボラック樹脂を含有するポジ型レジスト組成物等を用いて形成した特定の形状のレジストパターンを用いて磁気ヘッド等のマイクロデバイスを製造する方法が記載されている。
特開２００２−３４１５３８号公報 特開２００２−２５８４７９号公報 特開２００２−１１０５３６号公報

現在、微細化の要求はますます高まっている。たとえば、磁気記録媒体の記録密度向上のためには、上述したような磁気記録媒体へ打ち込む磁気面積の微細化を達成することが要求され、磁気面積の微細化のためには、微細なレジストパターンを形成し、これにより微細な磁性膜パターンを形成することが必要である。
しかし、特許文献２，３等に記載されるような従来用いられている非化学増幅型のポジ型レジスト組成物では、充分な微細加工ができず、微細なレジストパターン、たとえば４００ｎｍ以下の寸法のレジストパターンを形成することは困難である。
そこで、半導体素子等の製造等に用いられている化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いることが考えられる。しかし、上記のような従来の化学増幅型ポジ型レジスト組成物では、現像後に得られるレジストパターン側壁の垂直性が悪かったり、トップ形状が丸みを帯びたり、逆に裾引き形状になるなど、矩形性が低い。また、パターン倒れが生じたり、レジスト膜が膜減るなど、形状がよくないという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、形状の良好な厚膜のレジストパターンを形成できる厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、当該ポジ型レジスト組成物を用いた厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第一の態様は、膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物であって、
酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、含窒素有機化合物（Ｄ）とを含有し、
前記樹脂成分（Ａ）が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）とを有する質量平均分子量２００００〜５００００の高分子化合物（Ａ１）を含有し、
前記酸発生剤成分（Ｂ）が、一般式（Ｉ）：Ｒ^４”ＳＯ_３ ⁻［式中、Ｒ^４”は、炭素数４の直鎖または分岐状のアルキル基、または炭素数４の直鎖または分岐状のフッ素化アルキル基を表す］で表されるアニオン部を有するオニウム塩系酸発生剤を含有し、
前記含窒素有機化合物（Ｄ）が鎖状の第３級脂肪族アミンを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
本発明の第二の態様は、支持体上に、前記第一の態様のポジ型レジスト組成物からなる膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜が積層されていることを特徴とする厚膜レジスト積層体である。
本発明の第三の態様は、支持体上に、前記第一の態様のポジ型レジスト組成物を用いて膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜を形成する工程、前記厚膜レジスト膜を選択的に露光する工程、および前記厚膜レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。

なお、本明細書および特許請求の範囲において、「構成単位」とは、樹脂成分（高分子化合物）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「ヒドロキシスチレン」とは、狭義のヒドロキシスチレン、および狭義のヒドロキシスチレンのα位の水素原子がハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、ならびにそれらの誘導体を含む概念とする。「ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。なお、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位のα位（α位の炭素原子）」とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことである。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。「アクリル酸エステル」は、α位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸エステルのほか、α位に置換基（水素原子以外の原子または基）が結合しているものも含む概念とする。置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「露光」は放射線の照射全般を含む概念とし、電子線の照射も含まれる。

本発明によれば、形状の良好な厚膜のレジストパターンを形成できる厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、当該ポジ型レジスト組成物を用いた厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法を提供できる。

≪ポジ型レジスト組成物≫
本発明のポジ型レジスト組成物は、膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜形成用として用いられるものであり、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）（以下、（Ａ）成分という）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（以下、（Ｂ）成分という）と、含窒素有機化合物（Ｄ）（以下、（Ｄ）成分という）とを含む。
かかるポジ型レジスト組成物においては、露光により（Ｂ）成分から酸が発生すると、該酸が（Ａ）成分の酸解離性溶解抑制基を解離させ、アルカリ可溶性を増大させる。そのため、レジストパターンの形成において、支持体上に形成された当該ポジ型レジスト組成物からなるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部のアルカリ可溶性が増大し、アルカリ現像することができる。

＜（Ａ）成分＞
（Ａ）成分は、前記樹脂成分（Ａ）が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）とを有する質量平均分子量２００００〜５００００の高分子化合物（Ａ１）を含有する必要がある。

・高分子化合物（Ａ１）
構成単位（ａ１）は、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位である。構成単位（ａ１）と後述する構成単位（ａ２）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、特定範囲の質量平均分子量を有することにより、当該ポジ型レジスト組成物を用いて形成される厚膜レジスト膜に良好な形状のレジストパターンが形成できるものとなる。また、構成単位（ａ１）を有することによりドライエッチング耐性が向上する。
構成単位（ａ１）としては、たとえば、下記一般式（ａ１−１）で表される構成単位が例示できる。

［上記式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基、ハロゲン原子またはハロゲン化低級アルキル基を表し；Ｒ^６は炭素数１〜５の低級アルキル基を表し；ｐは１〜３の整数を表し；ｑは０〜２の整数を表す。］

一般式（ａ１−１）中、Ｒは水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子またはハロゲン化低級アルキル基を表す。
Ｒの低級アルキル基は、炭素数１〜５のアルキル基であり、直鎖または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。工業的にはメチル基が好ましい。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
ハロゲン化低級アルキル基は、上述した炭素数１〜５の低級アルキル基の一部または全部の水素原子がハロゲン原子で置換されたものである。本発明においては水素原子が全部ハロゲン化されていることが好ましい。ハロゲン化低級アルキル基としては、直鎖または分岐鎖状のハロゲン化低級アルキル基が好ましく、特に、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等のフッ素化低級アルキル基がより好ましく、トリフルオロメチル基（−ＣＦ_３）が最も好ましい。
Ｒとしては、水素原子またはメチル基が好ましく、水素原子がより好ましい。

Ｒ^６の炭素数１〜５の低級アルキル基としては、Ｒの低級アルキル基と同様のものが挙げられる。
ｑは０〜２の整数である。これらのうち、ｑは０または１であることが好ましく、特に工業上０であることが好ましい。
Ｒ^６の置換位置は、ｑが１である場合には、ｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよく、さらに、ｑが２の場合には、任意の置換位置を組み合わせることができる。
ｐは１〜３の整数であり、好ましくは１である。
水酸基の置換位置は、ｐが１である場合、ｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよいが、容易に入手可能で低価格であることからｐ−位が好ましい。さらに、ｐが２または３の場合には、任意の置換位置を組み合わせることができる。

構成単位（ａ１）は１種または２種以上を混合して用いることができる。
高分子化合物（Ａ１）中、構成単位（ａ１）の割合は、高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位に対し、１０〜９５モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％がより好ましく、３０〜８０モル％がさらに好ましく、６０〜７０モル％が特に好ましい。該範囲内であると、適度なアルカリ溶解性が得られるとともに、他の構成単位とのバランスが良好である。

構成単位（ａ２）は、酸解離性溶解抑制基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
構成単位（ａ２）としては、たとえば、下記一般式（ａ２−１）で表される構成単位が例示できる。

［式中、Ｒは上記と同様であり、Ｒ^１は酸解離性溶解抑制基又は酸解離性溶解抑制基を有する有機基を表す。］

ここで、「酸解離性溶解抑制基」とは、上述したように、露光により（Ｂ）成分から酸が発生した際に、該酸により解離し、露光後に（Ａ）成分から脱離する基を意味する。
また、「酸解離性溶解抑制基を有する有機基」とは、酸解離性溶解抑制基と、酸で解離しない基又は原子（すなわち酸により解離せず、酸解離性溶解抑制基が解離した後も（Ａ）成分に結合したままの基または原子）とから構成される基を意味する。
以下、酸解離性溶解抑制基と、酸解離性溶解抑制基を有する有機基とを総称して「酸解離性溶解抑制基含有基」ということがある。

酸解離性溶解抑制基としては、特に限定されず、例えばＫｒＦエキシマレーザー用、ＡｒＦエキシマレーザー用等のレジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。具体的には、下記酸解離性溶解抑制基（Ｉ）及び（ＩＩ）、ならびに酸解離性溶解抑制基含有基（ＩＶ）に例示する鎖状第３級アルコキシカルボニル基、鎖状第３級アルコキシカルボニルアルキル基等が挙げられる。
酸解離性溶解抑制基を有する有機基としては、特に限定されず、例えばＫｒＦエキシマレーザー用、ＡｒＦエキシマレーザー用等のレジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。具体的には、上記で挙げた酸解離性溶解抑制基を有する有機基等が挙げられ、たとえば酸解離性溶解抑制基（ＩＩ）を有する有機基として、下記酸解離性溶解抑制基を有する有機基（ＩＩＩ）等が挙げられる。

・酸解離性溶解抑制基（Ｉ）
酸解離性溶解抑制基（Ｉ）は、鎖状または環状の第３級アルキル基である。
鎖状の第３級アルキル基の炭素数は４〜１０が好ましく、４〜８がより好ましい。鎖状第３級アルキル基として、より具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基等が挙げられる。
環状の第３級アルキル基は、環上に第３級炭素原子を含む単環または多環式の１価の飽和炭化水素基である。環状の第３級アルキル基の炭素数は４〜１２が好ましく、５〜１０がより好ましい。環状第３級アルキル基として、より具体的には、１−メチルシクロペンチル基、１−エチルシクロペンチル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−エチルシクロヘキシル基、２−メチル−２−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基等が挙げられる。
酸解離性溶解抑制基（Ｉ）としては、本発明の効果に優れる点で、鎖状の第３級アルキル基が好ましく、特にｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。

・酸解離性溶解抑制基（ＩＩ）
酸解離性溶解抑制基（ＩＩ）は、下記一般式（ＩＩ）で表される基である。

［式中、Ｘは脂肪族環式基、芳香族環式炭化水素基または低級アルキル基を表し、Ｒ^２は水素原子または低級アルキル基を表し、もしくはＸおよびＲ^２がそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキレン基であってＸの末端とＲ^２の末端とが結合していてもよく、Ｒ^３は低級アルキル基または水素原子を表す。］

式（ＩＩ）中、Ｘは脂肪族環式基、芳香族環式炭化水素基または低級アルキル基を表す。
ここで、本明細書および特許請求の範囲における「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを意味し、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
Ｘにおける脂肪族環式基は１価の脂肪族環式基である。脂肪族環式基は、例えば、従来のＡｒＦレジストにおいて多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。脂肪族環式基の具体例としては、例えば、炭素数５〜７の脂肪族単環式基、炭素数１０〜１６の脂肪族多環式基が挙げられる。炭素数５〜７の脂肪族単環式基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が例示でき、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサンなどから１個の水素原子を除いた基などが挙げられる。炭素数１０〜１６の脂肪族多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから１個の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの中でもアダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロドデカニル基が工業上好ましく、特にアダマンチル基が好ましい。
Ｘの芳香族環式炭化水素基としては、炭素数１０〜１６の芳香族多環式基が挙げられる。具体的には、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレンなどから１個の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、１−ピレニル基等が挙げられ、２−ナフチル基が工業上特に好ましい。
Ｘの低級アルキル基としては、上記式（ａ１−１）のＲの低級アルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基がより好ましく、エチル基が最も好ましい。

式（ＩＩ）中、Ｒ^２の低級アルキル基としては、上記式（ａ１−１）のＲの低級アルキル基と同様のものが挙げられる。工業的にはメチル基又はエチル基が好ましく、特にメチル基が好ましい。
Ｒ^３は低級アルキル基または水素原子を表す。Ｒ^３の低級アルキル基としては、Ｒ^２の低級アルキル基と同様のものが挙げられる。Ｒ^３は、工業的には水素原子であることが好ましい。

また、式（ＩＩ）においては、ＸおよびＲ^２がそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキレン基であって、Ｘの末端とＲ^２の末端とが結合していてもよい。
この場合、式（ＩＩ）においては、Ｒ^２と、Ｘと、Ｘが結合した酸素原子と、該酸素原子およびＲ^２が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、４〜７員環が好ましく、４〜６員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。

酸解離性溶解抑制基（ＩＩ）としては、本発明の効果に優れることから、Ｒ^３が水素原子であり、且つＲ^２が水素原子または低級アルキル基であることが好ましい。
具体例としては、たとえばＸが低級アルキル基である基、すなわち１−アルコキシアルキル基としては、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−ｉｓｏ−プロポキシエチル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｉｓｏ−プロポキシメチル基、ｎ−ブトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基等が挙げられる。
また、Ｘが脂肪族環式基である基としては、１−シクロヘキシルオキシエチル基、１−（２−アダマンチル）オキシメチル基、下記式（ＩＩ−ａ）で表される１−（１−アダマンチル）オキシエチル基等が挙げられる。
Ｘが芳香族環式炭化水素基である基としては、下記式（ＩＩ−ｂ）で表される１−（２−ナフチル）オキシエチル基等が挙げられる。
これらの中でも特に、１−エトキシエチル基が好ましい。

・酸解離性溶解抑制基を有する有機基（ＩＩＩ）
酸解離性溶解抑制基を有する有機基（ＩＩＩ）は、下記一般式（ＩＩＩ）で表される基である。かかる構造を有する有機基（ＩＩＩ）においては、露光により（Ｂ）成分から酸が発生すると、該酸により、Ｙに結合した酸素原子と、Ｒ^４およびＲ^５が結合した炭素原子との間の結合が切れて、−Ｃ（Ｒ^４）（Ｒ^５）−ＯＸ’が解離する。

［式中、Ｘ’は脂肪族環式基、芳香族環式炭化水素基または低級アルキル基を表し、Ｒ^４は水素原子または低級アルキル基を表し、もしくはＸ’およびＲ^４がそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキレン基であってＸ’の末端とＲ^４の末端とが結合していてもよく、Ｒ^５は低級アルキル基または水素原子を表し、Ｙは脂肪族環式基を表す。］

式（ＩＩＩ）中、Ｘ’、Ｒ^４、Ｒ^５としては、それぞれ、上記式（ＩＩ）中のＸ、Ｒ^２、Ｒ^３と同様のものが挙げられる。
Ｙの脂肪族環式基としては、上記Ｘにおける脂肪族環式基からさらに水素原子を１つ除いた基が挙げられる。

・酸解離性溶解抑制基含有基（ＩＶ）
酸解離性溶解抑制基含有基（ＩＶ）は、上記酸解離性溶解抑制基（Ｉ）〜（ＩＩ）および酸解離性溶解抑制基を有する有機基（ＩＩＩ）（以下、これらをまとめて「酸解離性溶解抑制基等（Ｉ）〜（ＩＩＩ）」ということがある。）に分類されない酸解離性溶解抑制基含有基である。
酸解離性溶解抑制基含有基（ＩＶ）としては、従来公知の酸解離性溶解抑制基含有基のうち、上記酸解離性溶解抑制基等（Ｉ）〜（ＩＩＩ）に分類されない任意の酸解離性溶解抑制基含有基が使用できる。
具体的には、たとえば酸解離性溶解抑制基等（Ｉ）〜（ＩＩＩ）に分類されない酸解離性溶解抑制基としては、鎖状第３級アルコキシカルボニル基、鎖状第３級アルコキシカルボニルアルキル基等が挙げられる。
鎖状第３級アルコキシカルボニル基の炭素数は４〜１０が好ましく、４〜８がより好ましい。鎖状第３級アルコキシカルボニル基として、具体的には、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミルオキシカルボニル基等が挙げられる。
鎖状第３級アルコキシカルボニルアルキル基の炭素数は４〜１０が好ましく、４〜８がより好ましい。鎖状第３級アルコキシカルボニルアルキル基として、具体的には、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−アミルオキシカルボニルメチル基等が挙げられる。

構成単位（ａ２）における酸解離性溶解抑制基含有基としては、本発明の効果に優れることから、酸解離性溶解抑制基等（Ｉ）〜（ＩＩＩ）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、特に、酸解離性溶解抑制基（Ｉ）を含むことが好ましい。

構成単位（ａ２）は１種または２種以上を混合して用いることができる。
高分子化合物（Ａ１）中、構成単位（ａ２）の割合は、高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位に対し、１〜８０モル％であることが好ましく、１〜６０モル％がより好ましく、１〜５０モル％がさらに好ましく、１〜４０モル％が特に好ましく、２〜３５モル％が最も好ましい。下限値以上とすることによりレジスト組成物とした際にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスが良好である。

［他の構成単位］
高分子化合物（Ａ１）は、前記構成単位（ａ１）および（ａ２）に加えて、さらに、前記構成単位（ａ１）および（ａ２）以外の他の構成単位を含有してもよい。他の構成単位として具体的には、たとえば下記構成単位（ａ３）〜（ａ５）等が挙げられる。

・構成単位（ａ３）
構成単位（ａ３）は、スチレンから誘導される構成単位である。本発明において、高分子化合物（Ａ１）は、構成単位（ａ３）を有することが好ましい。構成単位（ａ３）を含有させ、その含有量を調整することにより、高分子化合物（Ａ１）のアルカリ現像液に対する溶解性を調整でき、それによって、厚膜レジスト膜のアルカリ溶解性をコントロールでき、形状をさらに向上させることができる。
ここで、「スチレン」とは、狭義のスチレン、および狭義のスチレンのα位の水素原子がハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、ならびにそれらの誘導体を含む概念とする。「スチレンから誘導される構成単位」とは、スチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。スチレンは、フェニル基の水素原子が低級アルキル基等の置換基で置換されていても良い。
構成単位（ａ３）としては、下記一般式（ａ３−１）で表される構成単位が例示できる。

［式中、Ｒは上記と同様であり、Ｒ^７は炭素数１〜５の低級アルキル基を表し、ｒは０〜３の整数を表す。］

式（ａ３−１）中、ＲおよびＲ^７としては、それぞれ、上記式（ａ１−１）中のＲおよびＲ^６と同様のものが挙げられる。
ｒは、０〜３の整数である。これらのうち、ｒは０または１であることが好ましく、特に工業上０であることが好ましい。
Ｒ^７の置換位置は、ｒが１〜３である場合にはｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよく、ｒが２または３の場合には任意の置換位置を組み合わせることができる。

構成単位（ａ３）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
高分子化合物（Ａ１）が構成単位（ａ３）を有する場合、構成単位（ａ３）の割合は、高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位に対し、１〜２０モル％が好ましく、３〜１５モル％がより好ましく、５〜１５モル％が特に好ましい。この範囲内であると、構成単位（ａ３）を有することによる効果が高く、他の構成単位とのバランスも良好である。

・構成単位（ａ４）
構成単位（ａ４）は、前記構成単位（ａ１）における水酸基の水素原子が酸解離性溶解抑制基含有基で置換されてなる構成単位である。かかる構成単位（ａ４）を有することにより、エッチング耐性および解像性が向上する。
構成単位（ａ４）における酸解離性溶解抑制基含有基としては、前記構成単位（ａ２）において挙げたものと同様のものが挙げられる。なかでも、酸解離性溶解抑制基等（Ｉ）〜（ＩＩＩ）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが本発明の効果に優れるため好ましく、特に酸解離性溶解抑制基（Ｉ）または（ＩＩ）を含むことが好ましい。

構成単位（ａ４）は１種または２種以上を混合して用いることができる。
高分子化合物（Ａ１）が構成単位（ａ４）を有する場合、高分子化合物（Ａ１）中、構成単位（ａ４）の割合は、高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位に対し、５〜５０モル％であることが好ましく、５〜４５モル％がより好ましく、１０〜４０モル％がさらに好ましく、１５〜４０モル％が特に好ましい。下限値以上とすることにより構成単位（ａ４）を配合することによる本発明の効果が高く、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスが良好である。

・構成単位（ａ５）
構成単位（ａ５）は、アルコール性水酸基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。かかる構成単位（ａ５）を有することにより、本発明の効果がさらに向上する。
好ましい構成単位（ａ５）としては、アルコール性水酸基を有する鎖状または環状アルキル基を有する構成単位が例示できる。すなわち、構成単位（ａ５）は、アルコール性水酸基含有鎖状または環状アルキル基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位であることが好ましい。
構成単位（ａ５）が、アルコール性水酸基含有環状アルキル基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（以下、単に「水酸基含有環状アルキル基を有する構成単位」ということがある。）を有すると、解像性が高まるとともにエッチング耐性も向上する。
また、構成単位（ａ５）が、アルコール性水酸基含有鎖状アルキル基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（以下、単に「水酸基含有鎖状アルキル基を有する構成単位」ということがある。）を有すると、（Ａ）成分全体の親水性が高まり、現像液との親和性が高まって解像性が向上する。

「水酸基含有環状アルキル基を有する構成単位」
水酸基含有環状アルキル基を有する構成単位としては、例えば、アクリル酸エステルのエステル基［−Ｃ（Ｏ）Ｏ−］に水酸基含有環状アルキル基が結合している構成単位等が挙げられる。ここで、「水酸基含有環状アルキル基」とは、環状アルキル基に水酸基が結合している基である。
水酸基は例えば１〜３個結合していることが好ましく、さらに好ましくは１個である。
環状アルキル基は、単環でも多環でもよいが、多環式基であることが好ましい。また、環状アルキル基の炭素数は５〜１５であることが好ましい。
環状アルキル基の具体例としては以下のものが挙げられる。
単環式の環状アルキル基としては、シクロアルカンから１個〜４個の水素原子を除いた基等が挙げられる。より具体的には、単環式の環状アルキル基としては、シクロペンタン、シクロヘキサンから１個〜４個の水素原子を除いた基が挙げられ、これらのなかでもシクロヘキシル基が好ましい。
多環式の環状アルキル基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから１個〜４個の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個〜４個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
なお、この様な環状アルキル基は、例えばＡｒＦエキシマレーザープロセス用のホトレジスト組成物用樹脂において、酸解離性溶解抑制基を構成するものとして多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。これらの中でもシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロドデカニル基が工業上入手しやすく、好ましい。
これら例示した単環式基、多環式基の中でも、シクロヘキシル基、アダマンチル基が好ましく、特にアダマンチル基が好ましい。
水酸基含有環状アルキル基を有する構成単位の具体例として、たとえば下記一般式（ａ５−１）で表される構成単位（ａ５−１）が好ましい。

［式中、Ｒは上記と同様であり、ｓは１〜３の整数である。］

式（ａ５−１）中、Ｒとしては、上記式（ａ１−１）におけるＲと同様のものが挙げられる。
ｓは１〜３の整数であり、１が最も好ましい。
水酸基の結合位置は、特に限定しないが、アダマンチル基の３位の位置に水酸基が結合していることが好ましい。

「水酸基含有鎖状アルキル基を有する構成単位」
水酸基含有鎖状アルキル基を有する構成単位としては、例えば、アクリル酸エステルのエステル基［−Ｃ（Ｏ）Ｏ−］に鎖状のヒドロキシアルキル基が結合している構成単位等が挙げられる。ここで、「鎖状のヒドロキシアルキル基」とは、鎖状（直鎖または分岐鎖状）のアルキル基における水素原子の一部または全部が水酸基で置換されてなる基を意味する。
水酸基含有鎖状アルキル基を有する構成単位としては、特に、下記一般式（ａ５−２）で表される構成単位（ａ５−２）が好ましい。

［式中、Ｒは上記と同様であり、Ｒ^８は鎖状のヒドロキシアルキル基である。］

式（ａ５−２）中のＲは、上記一般式（ａ４−１）のＲと同様である。
Ｒ^８のヒドロキシアルキル基は、好ましくは炭素数が１０以下の低級ヒドロキシアルキル基であり、より好ましくは炭素数２〜８の低級ヒドロキシアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数２〜４の直鎖状の低級ヒドロキシアルキル基である。
ヒドロキシアルキル基における水酸基の数、結合位置は特に限定するものではないが、通常は水酸基の数は１つであり、また、結合位置はアルキル基の末端が好ましい。

構成単位（ａ５）は１種または２種以上を混合して用いることができる。
高分子化合物（Ａ１）が構成単位（ａ５）を有する場合、高分子化合物（Ａ１）中、構成単位（ａ５）の割合は、高分子化合物（Ａ１）の全構成単位の合計に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜４５モル％がより好ましく、１０〜４０モル％がさらに好ましく、１５〜４０モル％が特に好ましい。上記範囲の下限値以上であることにより構成単位（ａ４）を含有することによる効果が高く、上限値以下であることにより他の構成単位とのバランスが良好である。

高分子化合物（Ａ１）は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位（ａ１）〜（ａ５）以外の他の構成単位（ａ６）を含んでいてもよい。
構成単位（ａ６）は、上述の構成単位（ａ１）〜（ａ５）に分類されない他の構成単位であれば特に限定するものではなく、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦポジエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。

本発明において、高分子化合物（Ａ１）は、少なくとも構成単位（ａ１）および（ａ２）を含む共重合体であることが好ましい。
かかる共重合体としては、構成単位（ａ１）および（ａ２）からなる共重合体であってもよく、また、構成単位（ａ１）および（ａ２）と、構成単位（ａ３）、（ａ４）、（ａ５）のうちの少なくとも１つとを有する共重合体であってもよい。本発明の効果に優れることから、構成単位（ａ１）および（ａ２）からなる２元共重合体（Ａ１−２）；構成単位（ａ１）、（ａ２）および（ａ３）からなる３元共重合体（Ａ１−３）；構成単位（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）および（ａ４）からなる４元共重合体（Ａ１−４−１）；構成単位（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）および（ａ５）からなる４元共重合体（Ａ１−４−２）等が好ましく、特に、３元共重合体（Ａ１−３）が好ましい。

３元共重合体（Ａ１−３）中、構成単位（ａ１）の割合は、３元共重合体（Ａ１−３）を構成する全構成単位に対して、１０〜９５モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％がより好ましく、３０〜８０モル％がさらに好ましく、６０〜７０モル％が特に好ましい。構成単位（ａ２）の割合は、１〜８０モル％が好ましく、１〜６０モル％がより好ましく、１〜５０モル％が特に好ましく、２〜３５モル％が最も好ましい。構成単位（ａ３）の割合は、１〜２０モル％であることが好ましく、３〜１５モル％がより好ましく、５〜１５モル％が特に好ましい。

高分子化合物（Ａ１）としては、特に、下記一般式（Ａ−１１）に示す３つの構成単位を含む共重合体が好ましい。

［式中、Ｒは上記と同様であり、Ｒ^９は炭素数４〜１２の第３級アルキル基である。］

高分子化合物（Ａ１）は、各構成単位を誘導するモノマーを常法、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。その一例としては、例えば、ヒドロキシスチレンの水酸基をアセチル基等の保護基で保護したモノマーと、構成単位（ａ２）に相当するモノマーとを調製し、これらのモノマーを常法により共重合させた後、加水分解により、前記保護基を水素原子で置換して構成単位（ａ１）とすることによって製造できる。

高分子化合物（Ａ１）は、質量平均分子量（Ｍｗ；ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算、以下同様。）が２００００〜５００００の範囲内である。
質量平均分子量が２００００以上であることにより本発明の効果が得られ、たとえばレジストパターン形状の矩形性の向上、膜減りの低減等の効果が得られる。また、当該ポジ型レジスト組成物を用いて得られる厚膜レジスト膜の耐熱性の向上、エッチング耐性の向上等の効果も得られる。
質量平均分子量が５００００以下であることにより、レジスト溶剤に対する溶解性を充分に確保できる。そのため、ディフェクトの発生も抑制できる。ディフェクトとは、例えばＫＬＡテンコール社の表面欠陥観察装置（商品名「ＫＬＡ」）により、現像後のレジストパターンを真上から観察した際に検知される不具合全般のことである。この不具合とは、例えば現像後のスカム、泡、ゴミ、レジストパターン間のブリッジ、色むら、析出物等である。ディフェクトの改善は、高解像性のレジストパターンが要求されるようになるにつれて重要となる。
Ｍｗは、２００００〜４００００が好ましく、２００００〜３００００がより好ましい。
また、高分子化合物（Ａ１）の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ（数平均分子量））が小さいほど（単分散に近いほど）、解像性に優れ、好ましい。分散度は１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましく、１．０〜２．５が最も好ましい。

高分子化合物（Ａ１）は、１種単独であってもよく、２種以上を併用してもよい。
（Ａ）成分中、高分子化合物（Ａ１）の割合は、本発明の効果のためには、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは８０〜１００質量％であり、最も好ましくは１００質量％である。

本発明においては、（Ａ）成分として、本発明の効果を損なわない範囲で、高分子化合物（Ａ１）に加えて、ＰＨＳ系樹脂、アクリル系樹脂等の、一般に化学増幅型ポジ型レジスト用樹脂として用いられている樹脂を含有してもよい。

本発明のポジ型レジスト組成物において、（Ａ）成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚に応じて調整すればよい。

＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分は、一般式（Ｉ）：Ｒ^４”ＳＯ_３ ⁻［式中、Ｒ^４”は、炭素数４の直鎖または分岐状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表す］で表されるアニオン部を有するオニウム塩系酸発生剤（以下、（Ｂ１）成分ということがある。）を含有する。これにより、レジストパターン形状が向上する。かかる効果が得られる理由としては、定かではないが、（Ｂ）成分から発生した酸が、Ｒ^４”の炭素数が３以下、たとえばＲ^４”の炭素数が１であるものに比べて、レジスト膜中を拡散しにくいためではないかと推測される。また、Ｒ^４”の炭素数が５以上のものに比べて、環境等に対する影響が少なく、安全性に優れている。

Ｒ^４”のアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、特に、直鎖状アルキル基（すなわちｎ−ブチル基）が好ましい。
Ｒ^４”のフッ素化アルキル基は、前記アルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基である。該フッ化アルキル基のフッ素化率（フッ素原子で全く置換されていない状態のアルキル基の全水素原子の個数に対する、当該フッ素化アルキル基中のフッ素原子の個数の割合）は、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは５０〜１００％であり、特に、アルキル基の水素原子の全部がフッ素で置換されたパーフルオロアルキル基（すなわちノナフルオロブチル基）が、酸の強度が強くなるので好ましい。
Ｒ^４”としては、直鎖状のアルキル基またはフッ素化アルキル基が好ましく、直鎖状のフッ素化アルキル基がより好ましく、特にノナフルオロ−ｎ−ブチル基が好ましい。

（Ｂ１）成分としては、上記一般式（Ｉ）で表されるアニオン部を有するものであれば特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用のオニウム塩系酸発生剤として提案されているものを使用することができる。
好ましい（Ｂ１）成分としては、例えば下記一般式（ｂ−０）で表される酸発生剤（ｂ−０）が挙げられる。

［式中、Ｒ^５１は、上記Ｒ^４”と同様であり；Ｒ^５２は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖状のハロゲン化アルキル基、または直鎖若しくは分岐鎖状のアルコキシ基であり；Ｒ^５３は置換基を有していてもよいアリール基であり；ｕ”は１〜３の整数である。］

Ｒ^５２は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖状のハロゲン化アルキル基、または直鎖若しくは分岐鎖状のアルコキシ基である。
Ｒ^５２において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、フッ素原子が好ましい。
Ｒ^５２において、アルキル基は、直鎖または分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは１〜５、特に１〜４、さらには１〜３であることが望ましい。
Ｒ^５２において、ハロゲン化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。ここでのアルキル基は、前記Ｒ^５２における「アルキル基」と同様のものが挙げられる。置換するハロゲン原子としては上記「ハロゲン原子」について説明したものと同様のものが挙げられる。ハロゲン化アルキル基において、水素原子の全個数の５０〜１００％がハロゲン原子で置換されていることが望ましく、全て置換されていることがより好ましい。
Ｒ^５２において、アルコキシ基としては、直鎖状または分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは１〜５、特に１〜４、さらには１〜３であることが望ましい。
Ｒ^５２としては、これらの中でも水素原子が好ましい。

Ｒ^５３は置換基を有していてもよいアリール基であり、置換基を除いた基本環（母体環）の構造としては、ナフチル基、フェニル基、アントラセニル基などが挙げられ、本発明の効果やＡｒＦエキシマレーザーなどの露光光の吸収の観点から、フェニル基が望ましい。
置換基としては、水酸基、低級アルキル基（直鎖または分岐鎖状であり、その好ましい炭素数は５以下であり、特にメチル基が好ましい）などを挙げることができる。
Ｒ^５３のアリール基としては、置換基を有しないものがより好ましい。
ｕ”は１〜３の整数であり、２または３であることが好ましく、特に３であることが望ましい。

酸発生剤（ｂ−０）の好ましいものとしては、以下の様なものを挙げることができる。

上記る酸発生剤（ｂ−０）の他の（Ｂ１）成分として、好ましいものとしては、例えば下記一般式（ｂ−１）で表される酸発生剤（ｂ−１）、下記一般式（ｂ−２）で表される酸発生剤（ｂ−２）が挙げられる。

［式中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”，Ｒ^５”〜Ｒ^６”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し；Ｒ^４”は上記と同様であり；Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち少なくとも１つはアリール基を表し、Ｒ^５”〜Ｒ^６”のうち少なくとも１つはアリール基を表す。］

式（ｂ−１）中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち、少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち、２以上がアリール基であることが好ましく、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のすべてがアリール基であることが最も好ましい。
Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数６〜２０のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数６〜１０のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数１〜５であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。
これらの中で、Ｒ^１”〜Ｒ^３”は、それぞれ、フェニル基またはナフチル基であることが最も好ましい。

式（ｂ−２）中、Ｒ^５”〜Ｒ^６”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。Ｒ^５”〜Ｒ^６”のうち、少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒ^５”〜Ｒ^６”のうち、２以上がアリール基であることが好ましく、Ｒ^５”〜Ｒ^６”のすべてがアリール基であることが最も好ましい。
Ｒ^５”〜Ｒ^６”のアリール基としては、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^５”〜Ｒ^６”のアルキル基としては、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、Ｒ^５”〜Ｒ^６”はすべてフェニル基であることが最も好ましい。

酸発生剤（ｂ−１）の具体例としては、トリフェニルスルホニウムのノナフルオロブタンスルホネート、トリ（４−メチルフェニル）スルホニウムのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル（４−ヒドロキシナフチル）スルホニウムのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルモノメチルスルホニウムのノナフルオロブタンスルホネート、（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムのノナフルオロブタンスルホネート、（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムのノナフルオロブタンスルホネート、トリ（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニルスルホニウムのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル（１−（４−メトキシ）ナフチル）スルホニウムのノナフルオロブタンスルホネート、ジ（１−ナフチル）フェニルスルホニウムのノナフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部がｎ−ブタンスルホネートに置換されたオニウム塩も用いることができる。
酸発生剤（ｂ−２）の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのノナフルオロブタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムのノナフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部がｎ−ブタンスルホネートに置換されたオニウム塩も用いることができる。

（Ｂ１）成分としては、これらの酸発生剤を１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｂ）成分中、（Ｂ１）成分の割合は、本発明の効果のためには、好ましくは１０〜１００質量％、より好ましくは５０〜１００質量％であり、最も好ましくは１００質量％である。

本発明においては、（Ｂ）成分として、本発明の効果を損なわない範囲で、（Ｂ１）成分以外の酸発生剤（以下、（Ｂ２）成分という。）を含有してもよい。
（Ｂ２）成分としては、（Ｂ１）成分に相当しないものであれば特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤（ただし（Ｂ１）成分を除く。）、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。

（Ｂ１）成分以外のオニウム塩系酸発生剤としては、例えば、上記一般式（Ｉ）におけるＲ^４”が、直鎖、分岐鎖若しくは環状のアルキル基（ただし炭素数４の直鎖または分岐鎖状のアルキル基は除く。）、または直鎖、分岐鎖若しくは環状のフッ素化アルキル基（ただし炭素数４の直鎖または分岐鎖状のフッ素化アルキル基は除く。）であるアニオン部を有するオニウム塩系酸発生剤が挙げられる。
前記直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基またはフッ素化アルキル基は、炭素数１〜３，５〜１０であることが好ましく、炭素数１〜３，５〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜３であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基は、炭素数４〜１２であることが好ましく、炭素数５〜１０であることがさらに好ましく、炭素数６〜１０であることが最も好ましい。
前記フッ素化アルキル基のフッ素化率は、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは５０〜１００％であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。
かかる酸発生剤の好ましいものとしては、上記一般式（ｂ−０）におけるＲ^５１や、上記一般式（ｂ−１）または（ｂ−２）におけるＲ^４”が上記アルキル基またはフッ素化アルキル基であるものが例示でき、具体的には以下の様なものを挙げることができる。

ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはそのヘプタフルオロプロパンスルホネート、トリ（４−メチルフェニル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはそのヘプタフルオロプロパンスルホネート、ジメチル（４−ヒドロキシナフチル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはそのヘプタフルオロプロパンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはそのヘプタフルオロプロパンスルホネート、ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはそのヘプタフルオロプロパンスルホネート、（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはそのヘプタフルオロプロパンスルホネート、（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはそのヘプタフルオロプロパンスルホネート、トリ（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはそのヘプタフルオロプロパンスルホネート、ジフェニル（１−（４−メトキシ）ナフチル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはそのヘプタフルオロプロパンスルホネート、ジ（１−ナフチル）フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはそのヘプタフルオロプロパンスルホネートなどが挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部がメタンスルホネート、ｎ−プロパンスルホネート、ｎ−オクタンスルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。

また、前記一般式（ｂ−１）又は（ｂ−２）において、アニオン部を下記一般式（ｂ−３）又は（ｂ−４）で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる（カチオン部は（ｂ−１）又は（ｂ−２）と同様）。

［式中、Ｘ”は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数２〜６のアルキレン基を表し；Ｙ”、Ｚ”は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１０のアルキル基を表す。］

Ｘ”は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は２〜６であり、好ましくは炭素数３〜５、最も好ましくは炭素数３である。
Ｙ”、Ｚ”は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は１〜１０であり、好ましくは炭素数１〜７、より好ましくは炭素数１〜３である。
Ｘ”のアルキレン基の炭素数またはＹ”、Ｚ”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、Ｘ”のアルキレン基またはＹ”、Ｚ”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また２００ｎｍ以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは７０〜１００％、さらに好ましくは９０〜１００％であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。

本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式（Ｂ−１）で表される基を少なくとも１つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。

（式（Ｂ−１）中、Ｒ^３１、Ｒ^３２はそれぞれ独立に有機基を表す。）

Ｒ^３１、Ｒ^３２の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子（たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）等）を有していてもよい。
Ｒ^３１の有機基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数１〜６の直鎖、分岐または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数１〜２０が好ましく、炭素数１〜１０がより好ましく、炭素数１〜８がさらに好ましく、炭素数１〜６が特に好ましく、炭素数１〜４が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基（以下、ハロゲン化アルキル基ということがある）が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数４〜２０が好ましく、炭素数４〜１０がより好ましく、炭素数６〜１０が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
Ｒ^３１としては、特に、置換基を有さない炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１〜４のフッ素化アルキル基が好ましい。

Ｒ^３２の有機基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。Ｒ^３２のアルキル基、アリール基としては、前記Ｒ^３１で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^３２としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数１〜８のアルキル基、または炭素数１〜８のフッ素化アルキル基が好ましい。

オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式（Ｂ−２）または（Ｂ−３）で表される化合物が挙げられる。

［式（Ｂ−２）中、Ｒ^３３は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ^３４はアリール基である。Ｒ^３５は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。］

［式（Ｂ−３）中、Ｒ^３６はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ^３７は２または３価の芳香族炭化水素基である。Ｒ^３８は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。ｐ’’は２または３である。］

前記一般式（Ｂ−２）において、Ｒ^３３の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８がより好ましく、炭素数１〜６が最も好ましい。
Ｒ^３３としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
Ｒ^３３におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が５０％以上フッ素化されていることが好ましく、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上フッ素化されていることが好ましい。

Ｒ^３４のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントラセル（ａｎｔｈｒａｃｙｌ）基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を１つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
Ｒ^３４のアリール基は、炭素数１〜１０のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜８であることが好ましく、炭素数１〜４がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^３５の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８がより好ましく、炭素数１〜６が最も好ましい。
Ｒ^３５としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましく、部分的にフッ素化されたアルキル基が最も好ましい。
Ｒ^３５におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が５０％以上フッ素化されていることが好ましく、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため好ましい。最も好ましくは、水素原子が１００％フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。

前記一般式（Ｂ−３）において、Ｒ^３６の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒ^３３の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^３７の２または３価の芳香族炭化水素基としては、上記Ｒ^３４のアリール基からさらに１または２個の水素原子を除いた基が挙げられる。
Ｒ^３８の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒ^３５の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
ｐ’’は好ましくは２である。

オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（ｐ−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−ニトロ−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−クロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，４−ジクロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，６−ジクロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（２−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−チエン−２−イルアセトニトリル、α−（４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−［（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル］アセトニトリル、α−［（ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル］アセトニトリル、α−（トシルオキシイミノ）−４−チエニルシアニド、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロオクテニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−シクロヘキシルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−エチルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−プロピルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−シクロペンチルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−シクロヘキシルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（ｎ−ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（ｎ−ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メチルフェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平９−２０８５５４号公報（段落［００１２］〜［００１４］の［化１８］〜［化１９］）に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、ＷＯ２００４／０７４２４２Ａ２（６５〜８５頁目のＥｘａｍｐｌｅ１〜４０）に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。

上記例示化合物の中でも、下記の４つの化合物が好ましい。

ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平１１−０３５５５１号公報、特開平１１−０３５５５２号公報、特開平１１−０３５５７３号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類としては、例えば、特開平１１−３２２７０７号公報に開示されている、１，３−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン、１，４−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタン、１，６−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１，１０−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカン、１，２−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）エタン、１，３−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン、１，６−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１，１０−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカンなどを挙げることができる。

（Ｂ２）成分としては、これらの酸発生剤を１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明のポジ型レジスト組成物中の（Ｂ）成分の含有量は、本発明の効果に優れることから、（Ａ）成分１００質量部に対し、０．１〜１０質量部の範囲内であることが好ましく、０．１〜５質量部がより好ましく、０．３〜３質量部がさらに好ましい。上記範囲とすることで良好な形状のレジストパターンを形成できる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。

＜（Ｄ）成分＞
本発明のポジ型レジスト組成物は、さらに（Ｄ）成分を含有し、（Ｄ）成分として、鎖状の第３級脂肪族アミンを含有する必要がある。これにより、レジストパターン形状が向上し、たとえば側壁の垂直性が高く、矩形性に優れたレジストパターンが得られる。かかる効果が得られる理由としては、定かではないが、第３級脂肪族アミンはレジスト膜中で均一に分散し、（Ｂ）から発生した酸の拡散を効果的に抑制できるためではないかと推測される。また、第３級脂肪族アミン等の（Ｄ）成分を含有することにより、レジスト組成物の引き置き経時安定性等も向上する。

鎖状の第３級脂肪族アミンとしては、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良く、たとえばアンモニアＮＨ_３の３つの水素原子のすべてが炭素数１２以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換されたアミン（トリアルキルアミンまたはトリ（アルキルアルコール）アミン）が挙げられる。
トリアルキルアミンの具体例としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デカニルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン等が挙げられる。
トリ（アルキルアルコール）アミンの具体例としては、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、トリ−ｎ−オクタノールアミン等が挙げられる。

鎖状の第３級脂肪族アミンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（Ｄ）成分中、鎖状の第３級脂肪族アミンの割合は、本発明の効果のためには、好ましくは１０〜１００質量％、より好ましくは５０〜１００質量％であり、最も好ましくは１００質量％である。

本発明においては、（Ｄ）成分として、本発明の効果を損なわない範囲で、第３級脂肪族アミン以外の含窒素有機化合物を含有してもよい。
第３級脂肪族アミン以外の含窒素有機化合物としては、特に制限はなく、公知のものから任意に用いれば良い。具体的には、環式アミン、第３級脂肪族アミン以外の脂肪族アミン等が挙げられる。

ここで、本発明において、本発明において、「脂肪族アミン」とは、アンモニアＮＨ_３の３つの水素原子のうち、少なくとも１つが１価の脂肪族基で置換された構造を有し、かつ分子内に環構造を有さない鎖状のアミンを意味する。該脂肪族基は炭素数が１〜１２であることが好ましい。
「環式アミン」は、分子内に環構造を有するアミンを意味し、脂肪族であっても芳香族であってもよいものとする。

環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの（脂肪族単環式アミン）であっても多環式のもの（脂肪族多環式アミン）であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が６〜１０のものが好ましく、具体的には、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。
第３級脂肪族アミン以外の脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアＮＨ_３の水素原子の１つを、炭素数１２以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン（モノアルキルアミンまたはモノ（アルキルアルコール）アミン）；アンモニアＮＨ_３の水素原子の２つを、炭素数１２以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン（ジアルキルアミンまたはジ（アルキルアルコール）アミン）等が挙げられる。
モノアルキルアミンの具体例としては、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等が挙げられる。
ジアルキルアミンの具体例としては、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等が挙げられる。
ジ（アルキルアルコール）アミンの具体例としては、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−オクタノールアミン等が挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

ポジ型レジスト組成物中、（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、通常、０．０１〜５．０質量部の範囲で用いられ、特に、本発明の効果に優れることから、０．０１〜０．３質量部の範囲内であることが好ましく、０．０１〜０．２質量部がより好ましい。

＜任意成分＞
本発明のポジ型レジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の化合物（Ｅ）（以下、（Ｅ）成分という）を含有させることができる。
有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸およびその誘導体としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１５のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ−ｎ−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−ｎ−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。

（Ｅ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（Ｅ）成分としては、有機カルボン酸が好ましく、特にサリチル酸が好ましい。
ポジ型レジスト組成物中、（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、通常、０．０１〜５．０質量部の範囲で用いられ、特に、本発明の効果に優れることから、０．０１〜０．３質量部の範囲内であることが好ましく、０．０１〜０．１５質量部がより好ましい。

本発明のポジ型レジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加・含有させることができる。

本発明においては、特に、溶解抑制剤を含有させることが、本発明の効果がさらに向上するため好ましい。溶解抑制剤を用いることで、露光部と未露光部の溶解性の差（溶解コントラスト）が向上して、解像性やレジストパターン形状が良好となる。
溶解抑制剤としては、特に限定されず、従来、例えばＫｒＦエキシマレーザー用、ＡｒＦエキシマレーザー用等のレジスト組成物用の溶解抑制剤として提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。

溶解抑制剤として、具体的には、たとえば、２以上のフェノール性水酸基を有する多価フェノール化合物におけるフェノール性水酸基の水素原子の一部または全部が酸解離性溶解抑制基で置換されている化合物（フェノール性水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護されている化合物）が挙げられる。
酸解離性溶解抑制基としては、上記構成単位（ａ２）で挙げたものと同様のものが挙げられる。
フェノール性水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護されていない状態の多価フェノール化合物としては、たとえば、下記一般式（ｆ−１）で表される化合物が挙げられる。

［式（ｆ−１）中、Ｒ^２１〜Ｒ^２６はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ｄ、ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｈは０または１以上の整数であり、かつｄ＋ｇ＋ｈが５以下であり；ｅは１以上の整数であり、ｉ、ｊはそれぞれ独立に０または１以上の整数であり、かつｅ＋ｉ＋ｊが４以下であり；ｆ、ｋはそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｌは０または１以上の整数であり、かつｆ＋ｋ＋ｌが５以下であり；ｍは１〜２０の整数である］

Ｒ^２１〜Ｒ^２６におけるアルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、炭素数１〜５の直鎖状または分岐状低級アルキル基、または炭素数５〜６の環状アルキル基が好ましい。
Ｒ^２１〜Ｒ^２６における芳香族炭化水素基は、炭素数６〜１５であることが好ましく、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、フェネチル基、ナフチル基などが挙げられる。
該アルキル基または芳香族炭化水素基は、その構造中に、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでもよい。
これらの中でもＲ^２１〜Ｒ^２６が全て低級アルキル基であることが好ましい。

ｄ、ｇはそれぞれ独立に１以上、好ましくは１〜２の整数であり、ｈは０または１以上、好ましくは２を超えない整数であり、かつｄ＋ｇ＋ｈが５以下である。
ｅ、ｉはそれぞれ独立に１以上、好ましくは１〜２の整数であり、ｊは０または１以上、好ましくは２を超えない整数であり、かつｅ＋ｉ＋ｊが４以下である。
ｆ、ｋはそれぞれ独立に１以上、好ましくは１〜２の整数であり、ｌは０または１以上、好ましくは２を超えない整数であり、かつｆ＋ｋ＋ｌが５以下である。
ｍは１〜２０、好ましくは２〜１０の整数である。

また、溶解抑制剤としては、架橋性ポリビニルエーテル化合物が挙げられる。
架橋性ポリビニルエーテル化合物は、ビニルオキシ基（ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｏ−）の酸素原子が炭素原子に結合したビニルエーテル基を２以上有する化合物である。かかる化合物を含有することにより、レジストパターンの矩形性がさらに向上する。
架橋性ポリビニルエーテル化合物は、前記（Ａ）成分に対して架橋剤として作用することによって上記効果を発揮すると推測される。すなわち架橋性ポリビニルエーテル化合物は、プレベーク時の加熱により（Ａ）成分との架橋反応が進行し、基板全面にアルカリ不溶化レジスト層を形成する。その後、露光時に（Ｂ）成分から発生した酸の作用により該架橋が分解され、露光部はアルカリ可溶性へ変化し、未露光部はアルカリ不溶のまま変化しないため、溶解コントラストが向上すると推測される。

架橋性ポリビニルエーテル化合物として、具体的には、特開平６−１４８８８９号公報、特開平６−２３０５７４号公報等に多数列挙されており、これらの中から任意に選択して使用することができる。特に、熱架橋性と酸による分解性に起因するレジストプロファイル形状、及び露光部と未露光部のコントラストの特性を考慮すると、下記一般式（ｆ−２）で表されるアルコールの水酸基の一部又は全部を、その水素原子をビニル基で置換することにより、エーテル化した化合物が好ましい。
Ｒｂ−（ＯＨ）_ｂ …（ｆ−２）
式中、Ｒｂは、直鎖基、分岐基又は環基のアルカンからｂ個の水素原子を除いた基であり、置換基を有していてもよい。また、アルカン中には酸素結合（エーテル結合）が存在していてもよい。
ｂは２、３または４の整数を示す。
具体的には、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，３−ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４−シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどが挙げられる。これらの中では、架橋性ジビニルエーテル化合物がより好ましい。

架橋性ポリビニルエーテル化合物としては、下記一般式（ｆ−３）で示すものも好ましい。
ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｏ−Ｒ^２７−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ_２ …（ｆ−３）
式（ｆ−３）において、Ｒ^２７は、炭素数１〜１０の分岐鎖状、直鎖状のアルキレン基、または前記一般式（ｆ−４）で表される基である。
Ｒ^２７は、置換基を有していてもよく、また、主鎖に酸素結合（エーテル結合）を含んでいても良い。

一般式（ｆ−４）中、Ｒ^２８は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１０の分岐鎖状、直鎖状のアルキレン基であり、当該アルキレン基は、主鎖に酸素結合（エーテル結合）を含んでいても良い。
ｃは、それぞれ独立に、０または１である。

Ｒ^２７としては、−Ｃ_４Ｈ_８−、−Ｃ_２Ｈ_４ＯＣ_２Ｈ_４−、−Ｃ_２Ｈ_４ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣ_２Ｈ_４−、及び一般式（ｆ−４）で表される基等が好ましく、中でも一般式（ｆ−４）で表される基が好ましく、特に一般式（ｆ−４）におけるＲ^２８が炭素数が１のアルキレン基（メチレン基）で、ｃが１のもの（シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル［以下、ＣＨＤＶＥと略記する］）が好ましい。

本発明のポジ型レジスト組成物は、材料を有機溶剤（以下、（Ｓ）成分ということがある）に溶解させて製造することができる。
（Ｓ）成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを１種または２種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−アミルケトン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；
エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類及びその誘導体；
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体；
ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；
アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、アミルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ＥＬが好ましい。
また、ＰＧＭＥＡと極性溶剤とを混合した混合溶媒は好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２であり、最も好ましくは５：５〜８：２である。
また、（Ｓ）成分として、その他には、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ及びＥＬの中から選ばれる少なくとも１種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは７０：３０〜９５：５とされる。
（Ｓ）成分の使用量は特に限定しないが、基板等の支持体に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはポジ型レジスト組成物中の固形分濃度が２〜５０質量％、好ましくは１０〜４０質量％、特に好ましくは１５〜４０質量％の範囲内となる様に用いられる。

＜厚膜レジスト膜＞
本発明のポジ型レジスト組成物は、支持体上に、膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜を形成するために用いられるものであり、膜厚１５μｍ以下の厚膜レジスト膜であれば、形状の良好なレジストパターンを形成できる。また、膜厚１μｍ以上の厚膜レジスト膜に形成されるレジストパターンは、後述するＭＥＭＳの製造等の種々の用途に利用できる。
本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成される厚膜レジスト膜の膜厚は、好ましくは２〜１０μｍであり、より好ましくは３〜８μｍである。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、後述する本発明の厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法に好適に用いられる。

≪厚膜レジスト積層体≫
本発明の厚膜レジスト積層体は、支持体上に、上記本発明のポジ型レジスト組成物からなる膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜が積層されているものである。
支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたものなどを例示することができる。該基板としては、例えば、シリコン、窒化シリコン、チタン、タンタル、パラジウム、チタンタングステン、銅、クロム、鉄、アルミニウム、金、ニッケルなどの金属製の基板やガラス基板などが挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、ハンダ、クロム、アルミニウム、ニッケル、金などが用いられる。
また、支持体としては、上記のような基板の表面（基板とポジ型レジスト組成物の塗布層との間）に、有機系または無機系の反射防止膜が設けられているものを用いることもできる。
本発明のポジ型レジスト組成物は、厚膜レジスト膜が形成される支持体表面の材質が、上記に挙げた材質であっても、例えばパターンと支持体との界面における裾引き現象などが生じにくく、形状の垂直性に優れたレジストパターンが得られる。

厚膜レジスト積層体の製造は、上記本発明のポジ型レジスト組成物を用いる以外は従来公知の方法を用いて行うことができ、例えば、ポジ型レジスト組成物の溶液を、支持体上に、所望の厚膜となるよう塗布して塗膜を形成し、加熱処理（プレベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））処理）して塗膜中の有機溶剤を除去することによって製造できる。
ポジ型レジスト組成物の溶液を支持体上へ塗布する方法としては、特に制限はなく、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法などの方法を採用することができる。
本発明のポジ型レジスト組成物を支持体上に塗布した後のプレベーク処理の条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚などによって異なるが、通常は、６０〜１５０℃（好ましくは７０〜１４０℃）で、０．５〜６０分間（好ましくは１〜５０分間）程度である。
厚膜レジスト積層体における厚膜レジスト膜の膜厚は上述したとおりである。

≪レジストパターン形成方法≫
支持体上に、上記本発明のポジ型レジスト組成物を用いて膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜を形成する工程、前記厚膜レジスト膜を選択的に露光する工程、および前記厚膜レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含む。

本発明のレジストパターン形成方法は例えば以下の様にして行うことができる。
まず、支持体上に厚膜レジスト膜を形成する。本工程は、上記厚膜レジスト積層体の製造方法に示したのと同様の方法で行うことができる。
つぎに、形成した厚膜レジスト膜を選択的に露光（例えばＫｒＦ露光装置などにより、ＫｒＦエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して選択的に露光）した後、ＰＥＢ（露光後加熱）を施す。ＰＥＢ処理の条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚などによって異なるが、通常は、６０〜１５０℃（好ましくは７０〜１４０℃）で、０．５〜６０分間（好ましくは１〜５０分間）程度である。
つぎに、ＰＥＢ処理後の厚膜レジスト積層体を、アルカリ現像液、例えば０．１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理する。
このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。

露光に用いる波長は、特に限定されず、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、ＥＢ（電子線）、Ｘ線、軟Ｘ線等の放射線を用いて行うことができる。本発明にかかるポジ型レジスト組成物は、特に、ＫｒＦエキシマレーザーに対して有効である。

本発明によれば、１〜１５μｍの範囲内の膜厚の厚膜レジスト膜に形状の良好なレジストパターンを形成できる。
そのため、上記のようにして得られたレジストパターンは、矩形性に優れたものであり、メッキを行う際のフレーム、エッチングを行う際のマスク等として有用である。そのため、本発明のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法は、種々の用途に利用できる。
かかる用途の１つとして、たとえば、メッキ工程やエッチング工程が行われるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）の製造等が挙げられる。
ＭＥＭＳは、上述したように、マイクロマシニング技術により、基板上に様々な微細構造体（センサ等の機能素子、配線、接続用端子等の導体構造体など）を集積化した高度な小型システムである。
ＭＥＭＳとして、具体的には、磁気記録媒体の磁気ヘッド、垂直磁気ヘッド、ＭＲＡＭ［（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）：磁気抵抗効果をもつＧＭＲ（ｇｉａｎｔ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）膜やＴＭＲ（ｔｕｎｎｅｌ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）膜を記憶素子に用いた不揮発性メモリ。］、ＣＣＤ（電荷結合素子（ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ））、マイクロレンズ等が例示できる。

また、ＭＥＭＳの製造等においては、その後工程で、例えば後述するイオンミリング等の種々のエッチングが行われるため、その際に負荷される熱に対する耐熱性等も求められる。
上述したような従来の化学増幅型のポジ型レジスト組成物を用いた場合、高温、たとえば１３０℃で加熱した際に、レジストパターンが熱ダレを起こすなど形状が悪化する問題がある。これに対し、本発明において用いられる高分子化合物（Ａ１）は、Ｍｗが高いことから耐熱性に優れており、特に、高分子化合物（Ａ１）が構成単位（ａ３）を含むと更に耐熱性が向上する。そのため、本発明により形成されるレジストパターンは、耐熱性にも優れており、上記のようなプロセスに有用である。

また、本発明のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法は、形状の良好な厚膜のレジストパターンを形成できることから、イオンインプランテーションプロセス用としても有用である。
半導体素子や液晶表示素子、ＭＥＭＳ等の製造においては、支持体表面に不純物拡散層を形成することが行われている。不純物拡散層の形成は、通常、不純物を導入と拡散の二段階で行われており、導入の方法の１つとして、リンやホウ素などの不純物を真空中でイオン化し、高電界で加速して支持体表面に打ち込むイオンインプランテーション（以下、インプランテーションという）プロセスがある。
レジストパターンは、インプランテーションにより支持体表面に選択的に不純物イオンを打ち込む際のマスクとして利用される。そのため、当該インプランテーションプロセスに用いられるレジストパターンには、支持体の所望の箇所にイオンを注入するために、形状特性に優れることが求められる。特に、通常のインプランテーション工程よりも高いエネルギーで行うハイエナジーインプランテーションプロセスにおいて用いられるレジストパターンには、当該プロセスに対する耐性のために、厚膜化が求められる。
しかし、上述したように、従来の化学増幅型レジスト組成物を用いて形成される厚膜レジスト膜にレジストパターンを形成した場合、レジストパターンの形状が悪いという問題がある。
これに対し、本発明は、形状の良好な厚膜のレジストパターンを形成できるため、インプランテーションプロセス用、特にハイエナジーインプランテーションプロセス用として有用である。

以下に、本発明を用いたＭＥＭＳの製造プロセスの一例を図１を用いて説明する。
図１（ａ）〜図１（ｃ）は、磁気ヘッドのライト部（書き込み用ヘッド部）製造の各工程を示す模式図（側断面図）である。
図１に示すように、磁気記録媒体の磁気ヘッドのライト部製造工程では、微細なトレンチ型レジストパターンを形成し、該レジストパターンをフレームとしてメッキを行うことによって微細な磁性膜パターンを形成する手法が用いられている。
より具体的には、まず図１（ａ）に示すように、基板上に所望の積層構造が形成された基材（図示略）上面にメッキシード層１１を形成し、その上に上記した従来のリソグラフィーにより、断面がほぼ矩形状の、スリット状のレジストパターン１２を得る。
次に、図１（ｂ）に示すように、得られたレジストパターン１２で囲まれたトレンチ部（凹部）内にメッキを施して磁性膜１３’を形成する。
その後、図１（ｃ）に示すように、レジストパターン１２を除去することによって、断面が矩形の磁性膜パターン１３が得られる。

以下、本発明を実施例及び比較例により具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
以下の実施例および比較例で用いた材料を以下に示す。
［（Ａ）成分］
・（Ａ）−１：下記一般式（１）において、ｘ^１：ｙ^１：ｚ^１＝６６．５：８．５：２５（モル比）である共重合体。Ｍｗ＝２２，０００。Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１。
・（Ａ）−２：下記一般式（１）において、ｘ^１：ｙ^１：ｚ^１＝６０：１５：２５（モル比）である共重合体。Ｍｗ＝１２，０００。Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１。
・（Ａ）−３：下記一般式（３）においてｘ^３：ｙ^３＝７５：２５（モル比）である共重合体。Ｍｗ＝１１，０００。Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５。
・（Ａ）−４：下記一般式（４）においてｘ^４：ｙ^４＝６２：３８（モル比）である共重合体。Ｍｗ＝１８，０００。Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５。

［（Ｂ）成分］
・（Ｂ）−１〜（Ｂ）−６：それぞれ、下記化学式で表される化合物。

［（Ｄ）成分］
・（Ｄ）−１：トリエチルアミン。
・（Ｄ）−２：トリエタノールアミン。
・（Ｄ）−３：トリイソプロパノールアミン。
・（Ｄ）−４：ヘキサメチレンテトラミン。
［（Ｅ）成分］
・（Ｅ）−１：サリチル酸。
［その他の成分］
・ＤＩ−２２：下記に示す化合物。
・ＣＨＤＶＥ：下記に示す化合物。

［実施例１〜８，比較例１〜８］
表１〜５に示す各成分と、（Ｓ）成分としてＰＧＭＥとＰＧＭＥＡの混合溶剤（質量費８：２）とを混合、溶解して固形分濃度２８質量％のポジ型レジスト組成物を調製した。
表１〜５中、［ ］内に示す配合量の単位は質量部である。

［レジストパターン形状の評価］
表面にヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施したＳｉ基板上に、上記で得られたポジ型レジスト組成物を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、表１〜５に示すＰＡＢ温度で１５０秒間プレベーク処理して乾燥させることにより膜厚５０００ｎｍのレジスト膜を形成した。
ついで、ＫｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ２０３Ｂ（Ｎｉｋｏｎ社製、ＮＡ（開口数）＝０．５５，σ＝０．４９）により、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）をマスク（バイナリー）を介して選択的に照射した。
そして、表１〜５に示すＰＥＢ温度で１５０秒間ＰＥＢ処理し、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１２０秒間現像し、その後３０秒間、純水を用いて水リンスした。振り切り乾燥を行った後、１００℃で６０秒間加熱して乾燥させてレジストパターンを形成した。

このようにしてレジストパターンを形成した基板を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した。
その結果、実施例１〜８は、すべて、ライン幅７５０ｎｍ、ピッチ１５００ｎｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンが解像していた。

また、（Ａ）成分の種類を変えた実施例１と比較例１〜３とを比較すると、高分子化合物（Ａ１）に相当する（Ａ）−１を用いた実施例１は、パターン側壁の垂直性が高く、矩形性の高い断面形状のＬ／Ｓパターンが形成された。
一方、（Ａ）−１と同じ構成単位を有しているものの、分子量が２００００未満の（Ａ）−２を用いた比較例１は、トップ部分が丸みを帯びた形状であり、パターン側壁が若干テーパー形状となっており、また、膜減りが生じていた。
（Ａ）−３を用いた比較例２は、断面形状は裾引き形状となっており、また、トップ部分が丸みを帯びていた。
（Ａ）−４を用いた比較例３の断面形状は裾引き形状となっており、また、トップ部分が丸みを帯び、パターン中程が細くなっていた。

（Ｂ）成分の種類を変えた実施例１〜３と比較例４〜６とを比較すると、アニオン部がノナフルオロブタンスルホネートイオン（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_３ ⁻）である（Ｂ）−１，（Ｂ）−３，（Ｂ）−５を用いた実施例１，２，３は、いずれも、側壁の垂直性が高く、矩形性が高かった。
一方、アニオン部がトリフルオロメタンスルホネートイオン（ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻）である（Ｂ）−２，（Ｂ）−４，（Ｂ）−６を用いた比較例４，５，６は、いずれも、断面形状が裾引き形状となっており、パターン上部が非常に細くなっていた。

（Ｄ）成分の種類を変えた実施例１，４，５と比較例７とを比較すると、鎖状の第３級脂肪族アミンを用いた実施例１，４，５は、パターン側壁の垂直性が高く、矩形性の高い断面形状であった。これらの中では、使用した第３級脂肪族アミンの分子量が小さいほど形状が良好であった。
一方、環状アミンを用いた比較例７は、トップ部分が丸みを帯びていた。

さらに、実施例１，６，７を比較すると、いずれも良好な形状であったが、ＤＩ−２２を添加した実施例６、およびＣＨＤＶＥを添加した実施例７が、実施例１よりも良好な形状であり、特に実施例７の形状が、非常に矩形性の高い良好なものであった。
また、実施例１，８を比較すると、（Ｂ）成分、（Ｄ）成分および（Ｅ）成分の配合量が実施例１の半分である実施例８の方が、より矩形性が高く良好な形状であった。

レジストパターンをフレームとして、メッキ法により磁性膜パターンを形成する工程を説明するための模式図である。

符号の説明

１１…メッキシード層、１２…レジストパターン、１３’…磁性膜、１３…磁性膜パターン

Claims (4)

1. 膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物であって、
   酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、含窒素有機化合物（Ｄ）とを含有し、
   前記樹脂成分（Ａ）が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）とを有する質量平均分子量２００００〜５００００の高分子化合物（Ａ１）を含有し、
   前記酸発生剤成分（Ｂ）が、一般式（Ｉ）：Ｒ^４”ＳＯ_３ ⁻［式中、Ｒ^４”は、炭素数４の直鎖または分岐状のアルキル基、または炭素数４の直鎖または分岐状のフッ素化アルキル基を表す］で表されるアニオン部を有するオニウム塩系酸発生剤を含有し、
   前記含窒素有機化合物（Ｄ）が鎖状の第３級脂肪族アミンを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
2. 前記樹脂成分（Ａ）が、さらに、スチレンから誘導される構成単位（ａ３）を有する請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
3. 支持体上に、請求項１または２記載のポジ型レジスト組成物からなる膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜が積層されていることを特徴とする厚膜レジスト積層体。
4. 支持体上に、請求項１または２記載のポジ型レジスト組成物を用いて膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜を形成する工程、前記厚膜レジスト膜を選択的に露光する工程、および前記厚膜レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
   
   

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