JP2007201204A - 多層配線基板の製造方法及び製造装置並びに多層配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】工数が少なく効率よく短時間で製造することができると共に、生産コストを安価に抑えることができる多層配線基板の製造方法等を提供すること。
【解決手段】スルーホールが設けられた配線基板を用いる多層配線基板の製造方法であって、スルーホールを有する第１の配線基板のスルーホールごとに、球状導電体をそれぞれスルーホール上面と下面とにマウントする第１のステップと、球状導電体をスルーホールに圧入する第２のステップと、球状導電体を圧入した第１の配線基板の上面および下面に、電極を有する第２の配線基板をそれぞれ絶縁部材を介して重ね合わせることにより球状導電体と電極とを対向させる第３のステップと、重ね合わせた第１の配線基板と第２の配線基板とをプレス処理することにより球状導電体と電極を接合する第４のステップとを有する。
【選択図】図７

Description

本発明は、多層配線基板の製造方法及び製造装置並びに多層配線基板に関し、例えば両面配線基板を用いて構成される多層配線基板の製造方法及び製造装置並びに多層配線基板に関する。

近年、電子機器の軽薄短小化、高機能化が急速に進んできており、それに伴い、電子部品の高密度実装化が要求されている。

そして、この電子部品の高密度実装化のために、４層配線基板や８層配線基板などの各種の多層配線基板が広く用いられるようになってきている。

このような多層配線基板における層間を電気的に接続する方法として、スルーホールめっき法、ビアめっき法、バンプ法、インプラント法などが知られている。

スルーホールめっき法は、導体層及び絶縁層を積層した積層板にドリルによって貫通孔を形成し、この貫通孔の内周面に導電部材によるめっき処理を施すことによって、導体層間を電気的に接続する方法である。

また、ビアめっき法は、導体層及び絶縁層を積層した積層板の絶縁層側を導体面が露出するところまで孔を開け、この孔を含めた絶縁層全体に導電部材によるめっき処理を施し、これによって導体層間を電気的に接続する方法である。

また、バンプ法は、導体層に対してエッチング処理、めっき処理、印刷処理等を施すことによりバンプを形成し、このバンプ上に導体層をプレス処理等により積層して導体層間を電気的に接続する方法である。

また、インプラント法は、両面基板に金型で貫通孔を開け、この貫通孔に金型にて導体部材を埋め込んで導体層間を電気的に接続する方法である。

さらに、ベース基材に形成した貫通孔に金属粒子及びその凝集体からなる導電性樹脂を充填して導体層間を電気的に接続する方法も提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００１−１４４３９８号公報

しかし、上述した従来技術による方法では、工程数が多いことから、リードタイムが長くなるのみならず、歩留まりも悪くなってしまう。

しかも、製造設備が大がかりとなってしまうことから設備費用も高額となり、また、めっき液などの材料が必要となるために材料費も高額である。したがって、従来技術による方法では製造コストが高くなってしまう。

本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、工数が少なく効率よく短時間で製造することができると共に、生産コストを安価に抑えることができる多層配線基板の製造方法及び製造装置並びに多層配線基板を提供することを目的とする。

そこで、請求項１に記載の発明は、スルーホールが設けられた配線基板を用いる多層配線基板の製造方法であって、スルーホールを有する第１の配線基板の前記スルーホールごとに、球状導電体をそれぞれ前記スルーホール上面と下面とにマウントする第１のステップと、前記球状導電体を前記スルーホールに圧入する第２のステップと、前記球状導電体を圧入した前記第１の配線基板の上面および下面に、電極を有する第２の配線基板をそれぞれ絶縁部材を介して重ね合わせることにより前記球状導電体と前記電極とを対向させる第３のステップと、前記重ね合わせた前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とをプレス処理することにより前記球状導電体と前記電極を接合する第４のステップとを有することを特徴とする。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明であって、前記第２のステップは、前記スルーホール上面および下面から突出する突出部を前記球状導電体により形成するように、前記球状導電体を前記スルーホールに圧入することを特徴とする。

また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明であって、前記第２の配線基板に形成されたスルーホール上に球状導電体をマウントすることにより、前記第２の配線基板における前記電極を形成するステップを有することを特徴とする。

また、請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の発明であって、前記球状導電体の大きさが、前記スルーホールの孔径の１１０〜１３０％であることを特徴とする。

また、請求項５に記載の発明は、スルーホールが設けられた配線基板を用いる多層配線基板の製造装置であって、前記配線基板を水平状態に載置する載置手段と、スルーホールを有する第１の配線基板の前記スルーホールごとに、前記スルーホールの孔径よりも大きい球状導電体をそれぞれ前記スルーホール上面と下面とにマウントするマウント手段と、前記マウントした球状導電体を前記スルーホールに圧入するプレス手段と、前記第１の配線基板上又は電極を有する第２の配線基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成手段と、前記第１の配線基板上又は前記第２の配線基板上に形成した絶縁膜上を介して、前記第１の配線基板の上面と下面に前記第２の配線基板を重ねることにより前記球状導電体と前記電極とを対向させて熱プレスを行う熱プレス手段とを備えたことを特徴とする。

また、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明であって、前記プレス手段は、前記スルーホールの上面および下面から突出する突出部を前記球状導電体により形成するように、前記球状導電体を前記スルーホールに圧入することを特徴とする。

また、請求項７に記載の発明は、スルーホールが設けられた第１の配線基板のスルーホールに２つの球状導電体が狭持されると共に、前記第１の配線基板に電極を有する第２の配線基板が絶縁部材を介して積層されることにより前記球状導電体と前記電極とが対向配置されて接続されることにより前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とが電気的に接続されたことを特徴とする。

また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明であって、前記第１の配線基板は、その両面に配線パターンが形成されると共に、スルーホールの内周面の導電性被膜はめっき処理により形成されることを特徴とする。

また、請求項９に記載の発明は、請求項７又は請求項８に記載の発明であって、前記第２の配線基板における前記電極は、前記第２の配線基板に形成されたスルーホールに球状導電体が狭持されることにより形成されることを特徴とする。

また、請求項９に記載の発明は、請求項７から９のいずれか１項に記載の発明であって、前記配線基板間の距離は、５〜５００μｍであることを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、スルーホールが設けられた配線基板を用いる多層配線基板の製造方法であって、スルーホールを有する第１の配線基板の前記スルーホールごとに、球状導電体をそれぞれ前記スルーホール上面と下面とにマウントする第１のステップと、前記球状導電体を前記スルーホールに圧入する第２のステップと、前記球状導電体を圧入した前記第１の配線基板の上面および下面に、電極を有する第２の配線基板をそれぞれ絶縁部材を介して重ね合わせることにより前記球状導電体と前記電極とを対向させる第３のステップと、前記重ね合わせた前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とをプレス処理することにより前記球状導電体と前記電極を接合する第４のステップとを有するので、複数の配線基板を用いてそれらの配線基板間の層間接続を球状導電体によって行なうことができ、工数が少なく効率よく短時間で製造することができると共に、生産コストを安価に抑えることができる。

また、請求項２に記載の発明によれば、前記第２のステップは、前記スルーホール上面および下面から突出する突出部を前記球状導電体により形成するように、前記球状導電体を前記スルーホールに圧入するので、球状導電体と他の配線基板の電極との接合を確実なものとすることが容易となる。

また、請求項３に記載の発明によれば、第２の配線基板に形成されたスルーホール上に球状導電体をマウントすることにより、第２の配線基板における前記電極を形成するステップを有するので、第２の配線基板のスルーホールから球状導電体の一部を電極として突出させることができ、したがって、第１の配線基板のスルーホールに圧入された球状導電球との接合をより確実なものとする。

また、請求項４に記載の発明によれば、前記球状導電体の大きさが、前記スルーホールの孔径の１１０〜１３０％であるので、層間接続の信頼性を維持することができる。

また、請求項５に記載の発明によれば、スルーホールが設けられた配線基板を用いる多層配線基板の製造装置であって、前記配線基板を水平状態に載置する載置手段と、スルーホールを有する第１の配線基板の前記スルーホールごとに、前記スルーホールの孔径よりも大きい球状導電体をそれぞれ前記スルーホール上面と下面とにマウントするマウント手段と、前記マウントした球状導電体を前記スルーホールに圧入するプレス手段と、前記第１の配線基板上又は電極を有する第２の配線基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成手段と、前記第１の配線基板上又は前記第２の配線基板上に形成した絶縁膜上を介して、前記第１の配線基板の上面と下面に前記第２の配線基板を重ねることにより前記球状導電体と前記電極とを対向させて熱プレスを行う熱プレス手段とを備えたので、多層配線基板の製造工程をより少なく効率よく短時間で製造することができると共に、生産コストを安価に抑えることができる。

また、請求項６に記載の発明によれば、前記プレス手段は、前記スルーホールの上面および下面から突出する突出部を前記球状導電体により形成するように、前記球状導電体を前記スルーホールに圧入するので、球状導電体と他の配線基板の電極との接合を確実なものとすることが容易となる。

また、請求項７に記載の発明によれば、スルーホールが設けられた第１の配線基板の前記スルーホールに２つの球状導電体が狭持されると共に、前記第１の配線基板に電極を有する第２の配線基板が絶縁部材を介して積層されることにより前記球状導電体と前記電極とが対向配置されて接続されることにより前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とが電気的に接続されるので、複数の配線基板間の層間接続を導電体と電極との接合により行うことにより、工数が少なく効率よく短時間で製造することができると共に、生産コストを安価に抑えた多層配線基板を提供することができる。

また、請求項８に記載の発明によれば、第１の配線基板は、その両面に配線パターンが形成されるので、この第１基配線板と第２配線基板とを用いて４層以上の配線基板を提供することができる。

また、請求項９に記載の発明によれば、前記第２の配線基板における前記電極は、前記第２の配線基板に形成されたスルーホールに球状導電体が狭持されることにより形成されるので、第２の配線基板のスルーホールから球状導電体の一部を電極として突出させることができ、したがって、第１の配線基板のスルーホールに圧入された球状導電球との接合をより確実なものとする。

また、請求項１０に記載の発明によれば、前記配線基板間の距離は、５〜５００μｍであるので、配線パターンの短絡の発生を抑えることができ、或いは高密度多層化を実現することができる。

本実施形態における多層配線基板の製造方法及び製造装置は、少なくとも１つの第１の配線基板のスルーホールに球状導電体を圧入し、この配線基板と電極を有する第２の配線基板とを、絶縁部材を介して球状導電体と電極とが対向するように積み重ね、その後プレス処理することにより、多層配線基板を製造する。すなわち、スルーホールが設けられた第１の配線基板のスルーホールごとに、球状導電体をそれぞれ前記スルーホール上面（上側の開口部）および下面（下側の開口部）にマウントし、これらの球状導電体をスルーホールに圧入した後、球状導電体を圧入した配線基板の上面および下面に、電極を有する第２の配線基板をそれぞれ絶縁部材を介して重ね合わせることにより球状導電体と電極とを対向させ、その後プレス処理することにより球状導電体と電極とを接合するものである。

そして、このような多層配線基板の製造を実現するための製造装置においては、配線基板を水平状態に載置する載置手段と、スルーホールを有する第１の配線基板のスルーホールごとに、このスルーホールの孔径よりも大きい球状導電体をそれぞれスルーホール上面と下面とにマウントするマウント手段と、マウントした球状導電体をスルーホールに圧入するプレス手段と、第１の配線基板上又は電極を有する第２の配線基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成手段と、第１の配線基板上又は第２の配線基板上に形成した絶縁膜上を介して、第１の配線基板と第２の配線基板とを重ねることにより球状導電体と電極とを対向させて熱プレスを行う熱プレス手段とを備えている。

このように多層配線基板を製造するにあたり、複数の配線基板を用い、しかもそれらの配線基板間の層間接続を球状導電体で行なうことにより、工数が少なく効率よく短時間で製造することができるため、生産コストを安価に抑えることができる。

ここで、第１の配線基板としては、基板両面にそれぞれ配線パターンが形成され、これらの配線パターンがスルーホールで接続される両面配線基板を用いることができ、第２の配線基板としては基板片面に配線パターン及び電極が形成された片面配線基板や第１の配線基板と同様に両面配線基板を用いることができる。

また、球状導電体としては、銅（Ｃｕ）ボールなどのほか、ビジニルベンゼン系樹脂からなる球状樹脂の表面に例えばＳｎ／Ａｇ系ハンダめっきを施した球状導電体を用いるようにしてもよい。

また、スルーホールから突出する突出部を球状導電体により形成するように、球状導電体をスルーホールに圧入して、配線基板のプレス処理をすれば、球状導電体の突出部がプレス処理により接合する面が大きくなり、球状導電体と電極との接合を確実なものとすることが容易となる。すなわち、球状導電体を突起状ランド、いわゆるバンプとして形成することにより、電極との接合度を向上させるのである。

さらに、球状導電体の大きさをスルーホールの孔径の１００％より大きく１５０％より小さい大きさとするのが好適であり、これにより層間接続の信頼性を維持することができる。すなわち、球状導電体の直径がスルーホールの孔径に対して１００％以下の場合には、この球状導電体をスルーホールにプレス等で圧入したとき、スルーホール内の充填が不十分となり、さらに、球状導電体同士の塑性変形量も小さくなるため、金属結合が完全なものとならない可能性がある。また、第１の配線基板からの突起部（突起状ランド）、いわゆるバンプの高さを高くコントロールすることができなくなる。一方で、球状導電体の直径がスルーホールの孔径に対して１５０％より大きい場合には、球状導電体が大きすぎて、スルーホール内に入る部分が少なくなり、スルーホール上面から圧入される球状導電体とスルーホール下面から圧入される球状導電体との間に隙間を発生させてしまうことになり、球状導電体同士の接合が不完全となってしまう。また、バンプの高さを低くコントロールすることができず、基板間の層間の厚みも大きくなってしまい、層間絶縁材が多量必要になってくると共に、積層された配線基板のトータルでの厚みも大きくなってしまい、高密度実装仕様の要求に答えられなくなってしまう。しかも、球状導電体とスルーホールの内壁との摩擦が大きくなり、プレス等の押圧力によりスルーホールが変形してしまう恐れもでてくる。

また、球状導電体の大きさをスルーホールの孔径の１１０〜１３０％とするのがさらに好適である。すなわち、このように球状導電体の大きさをスルーホールの孔径の１１０〜１３０％とすることによって、球状導電体とスルーホール内周面の銅被膜との金属接合の状態を良好にすることができ、しかも、スルーホール上面から圧入される球状導電体とスルーホール下面から圧入される球状導電体との間の金属接合の状態も良好にすることができる。

また、本実施形態における多層配線基板は、スルーホールが設けられた第１の配線基板の前記スルーホールに２つの球状導電体が狭持されると共に、第１の配線基板に電極を有する第２の配線基板が絶縁部材を介して積層されることにより球状導電体と電極とが対向配置され、球状導電体と電極とが接続されることにより第１の配線基板と前記第２の配線基板とが電気的に接続される。

このように複数の配線基板間の層間接続を球状導電体と電極との接合により行うことにより、工数が少なく効率よく短時間で製造することができると共に、生産コストを安価に抑えた多層配線基板を提供することができる。

また、第２の配線基板における電極は、第２の配線基板に形成されたスルーホールに球状導電体が狭持されることにより形成される。したがって、第２の配線基板のスルーホールから球状導電体の一部を電極として突出させることができる。その結果、第１の配線基板のスルーホールに圧入された球状導電球との接合をより確実なものとすることができ、第１の配線基板と第２の配線基板とで形成される多層配線基板の品質を向上させることができる。すなわち、球状導電体を突起状ランド、いわゆるバンプとして形成することにより、第１の配線基板の球状導電体との接合度を向上させるのである。

また、第１の配線基板は、その両面に配線パターンが形成されると共に、スルーホールの内周面の導電性被膜はめっき処理により形成される。したがって、第１の配線基板の上面パターンと下面パターンとをスルーホールで電気的に接続して第１の配線基板を両面配線基板とすることができ、第２の配線基板をこの第１の配線基板に対向させてプレスすることによって、容易に４層以上の多層配線基板の製造を行うことができる。

また、配線基板間の距離は、５〜５００μｍとすることが好適である。このようにすることにより、配線パターンの短絡の発生を抑えることができ、或いは高密度多層化を実現することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。図１は本発明の実施形態における両面配線基板の製造工程を示す説明図、図２は本発明の実施形態における４層配線基板の製造工程を示す説明図、図３は図２におけるプレス装置の概略構成図、図４は図２における熱プレス装置の概略構成図である。

本実施形態に係る多層配線基板は、第１の配線基板（本実施形態においては両面配線基板１０とする）に形成されたスルーホール上面及び下面からそれぞれ球状導電体を圧入後、第１の配線基板上に絶縁部材を介在させて第２の配線基板を重ね合わせ、その後熱プレス等の処理を行うことによって製造されるものであり、まず最初に、このように多層配線基板の製造に用いられる両面配線基板について説明する。

（両面配線基板の説明）
両面配線基板１０は、図１（ｄ）に示すように、ガラスエポキシ樹脂からなる板状基材２の所定位置に、複数のスルーホール４が形成され、各スルーホール４は、その内周面から両面基板の表裏面にかけて導電性被膜として銅被膜５，５が形成されており、両面配線基板１０の表側面と裏側面とに形成された配線パターン６，７とは、開口部４’に円筒状の銅被膜５を形成したスルーホール４を介して導通されて接続されている。

ここで、両面配線基板１０の製造工程を図１（ａ）〜（ｄ）を用いて具体的に説明する。

まず、図１（ａ）に示すように、厚さ６０μｍのガラスエポキシ樹脂からなる板状基材２の両面に厚さ１２μｍの銅箔３，３を設けた両面配線基板用基材１を用意する。なお、ガラスエポキシ樹脂からなる板状基材に代えて、ガラスフッ素樹脂、ポリイミド、セムスリー、アルミナなどから構成される板状基材を用いるようにしてもよい。また、銅箔に代えてその他の金属箔、たとえば銀箔などを用いるようにしてもよい。

次に、図１（ｂ）に示すように、ＮＣドリルなどを用いて、板状基材２の所定位置に１５０μｍ径の複数の貫通孔たる開口部４’を形成する。

開口部４’を形成した後、酸、アルカリ洗浄等の前処理を行い、次に、導電化処理としてカーボン処理を行う。その後、図１（ｃ）に示すように、その開口部４’の内周面全体に電解銅めっき処理を施し、これにより内周面に厚さ１０μｍの銅被膜５を有する孔径１３０μｍのスルーホール４を形成する。

そして、図１（ｄ）に示すように、パターンニングレジストを塗布して露光、現像、エッチングという周知の工程を経て基板両面に配線パターン６，７を形成し、両面配線基板１０を得る。

また、両面配線基板１０として、スルーホール４を開口部４’の内周面に円筒状の銅被膜５を形成したスルーホールとして説明したが、開口部４’の内周面に銅被膜５を設けないスルーホール４を有する両面配線基板１０としてもよい。

（両面配線基板を用いた４層配線基板の製造装置の説明）
次に、上述の両面配線基板１０を用いて、例えば図７（ｄ）に示す４層配線基板を製造するための本実施形態における多層配線基板製造装置（以下、「製造装置３０」とする。）について説明する。

製造装置３０は、図２に示すように、両面配線基板１０のスルーホール４の上面（配線パターン６側）および下面（配線パターン７側）に、それぞれこのスルーホール４の孔径よりも大きい２つの後述する球状導電体９ａ，９ｂをマウントするマウント手段としてのボールマウンタ４０と、前述のボールマウンタ４０によってマウントした球状導電体９ａ，９ｂをスルーホール４の上面及び下面からそれぞれ圧入し、球状導電体９ａ，９ｂをスルーホール４に狭持させるプレス手段としてのプレス装置５０と、球状導電体９ａ，９ｂをスルーホール４に狭持させた両面配線基板１０上或いは後述の第２の配線基板１２ａ，１２ｂ上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成手段としてのラミネータ７０と、両面配線基板１０の上面および下面に電極１３ａを有する第２の配線基板１２ａと電極１３ｂを有する第２の配線基板１２ｂとを、球状導電体９ａと電極１３ａとの位置合わせをし、球状導電体９ｂと電極１３ｂとの位置合わせをして積み重ねることにより球状導電体９ａ，９ｂと電極１３ａ，１３ｂを対向させた後、ホットプレスで熱圧着して多層配線基板を完成させる熱プレス手段としての熱プレス装置８０とから構成される。

ボールマウンタ４０は、例えば球状導電体９ａ，９ｂを吸引可能なノズル（図示せず）を具備し、個別に又は多数の球状導電体９ａ，９ｂを両面配線基板１０の片面ごと或いは両面に略同時にマウント可能としたものであり、周知の半田ボールマウンタと同様の構成のものを用いることができる。

プレス装置５０は、図３に示すように、両面配線基板１０を水平状態に載置する載置手段としてのプレス台５１と、前述のボールマウンタ４０によってマウントした球状導電体９ａ，９ｂを、弾性部材を用いてスルーホール４に圧入し、球状導電体９ａ，９ｂをスルーホール４に狭持させるプレス部５２とを有している。

プレス台５１は、ベース５４上にＳＵＳ製の水平載置板５３を設けて両面配線基板１０や第２の配線基板１２ａ，１２ｂ等を水平に載置可能としている。そして、水平載置板５３の上方には弾性部材５３ａを設けている。

また、プレス部５２は、ＳＵＳ製の水平押圧板５６を介して弾性部材５７を下面に設けたプレス体５５を、連結杆５８を介して上下昇降自在に配設したものであり、プレス台５１に載置された両面配線基板１０を所定の荷重で押圧することができる。なお、５９は動力伝達ケース、６０は操作盤である。

ラミネータ７０は、絶縁膜として用いるフィルム状熱硬化性エポキシ樹脂の絶縁シートである絶縁部材１１を両面配線基板１０或いは第２の配線基板１２ａ，１２ｂ上に載置可能としている。なお、絶縁シートとして、フィルム状熱可塑性ポリイミド樹脂の絶縁シートを使用してもよく、耐熱性及び加工性の面で１５０〜３００℃のガラス転移点のものを使用することが望ましい。また、フィルム状の絶縁シートに代えて、熱硬化性エポキシ樹脂や熱可塑性ポリイミド樹脂を主成分とした液状の絶縁性接着剤を絶縁膜として使用することも好適である。

熱プレス装置８０は、図４に示すように、両面配線基板１０及び第２の配線基板１２ａ，１２ｂを水平状態に載置する載置手段としての熱プレス台７１と、球状導電体９ａ，９ｂをスルーホール４に狭持させた両面配線基板１０の上面に電極１３ａを有する第２の配線基板１２ａを、下面（配線パターン７側）に電極１３ｂを有する第２の配線基板１２ｂを、球状導電体９ａと電極１３ａとが、そして球状導電体９ｂと電極１３ｂとが対向するように位置合わせして、積み重ねる積み重ね手段（図示せず）と、積み重ね後の両面配線基板１０を熱プレス台７１とによりホットプレス（熱プレスともいう）する熱プレス部７５とを有している。

熱プレス台７１は、ベース７４上にヒータ（図示せず）によって加熱されるＳＵＳ製の水平載置板７３を設けて絶縁膜が形成された両面配線基板１０及び第２の配線基板１２ａ，１２ｂを水平に載置可能としており、積み重ね手段によって第２の配線基板１２ａ、両面配線基板１０，第２の配線基板１２ｂの順に上記の如く上方に積み重ねることができるようになっている。

また、熱プレス部７５は、ＳＵＳ製の水平押圧板７６を介して下面に設けられ、ヒータ（図示せず）によって加熱される熱プレス体７７を、連結杆７８を介して上下昇降自在に配設したものであり、熱プレス台７１に載置された両面配線基板１０を所定の荷重で押圧すると共に加熱することができる。なお、７９は動力伝達ケース、７２は操作盤である。

（４層配線基板についての説明）
上記製造装置３０を用いた本実施形態に係る多層配線基板である４層配線基板２０について、図５（ａ）〜（ｄ）、図６、図７（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。

まず、上述したスルーホール４が形成された両面配線基板１０を用意する。ここで、両面配線基板１０には多数のスルーホール４が形成されているが、説明の便宜上、多数のスルーホール４のうち１つのスルーホール４を例に挙げ説明する。

次に、ボールマウンタ４０によって、図５（ａ）に示すように、両面配線基板１０のスルーホール４上面に球状導電体９ａをマウントする。なお、このマウントは、球状導電体９ａがスルーホール４の上端面開口縁部に仮固定される程度の圧力で行われる。

このように球状導電体９ａを両面配線基板１０のスルーホール４上面にマウントした後、両面配線基板１０の上下を反転させ、図５（ｂ）に示すように、両面配線基板１０のスルーホール４下面に球状導電体９ｂをマウントする。なお、このマウントは、上記と同様に球状導電体９ｂがスルーホール４の下端面開口縁部に仮固定される程度の圧力で行われる。

ここで、球状導電体９ａ，９ｂの直径は１５０μｍであり、一方でスルーホール４の孔径は１３０μｍであるため、球状導電体９ａ，９ｂはスルーホール４を通過することはない。

また、球状導電体９ａ，９ｂの種類は特に限定されることはないが、長期間の導通性に対する信頼性を確保する観点から、たとえば、銅（Ｃｕ）等の金属からなる球状体を用いることが好適である。また、ビジニルベンゼン系樹脂からなる球状樹脂の表面に例えばＳｎ／Ａｇ系ハンダめっきを施した球状導電体９ａ，９ｂを用いるようにしてもよい。なお、球状とは、完全な球体をいうのではなく、本実施形態における多層配線基板を製造することができるような形状であれば、円錐形や三角錐に近い導電体も球状導電体に含まれる。

次に、球状導電体９ａ，９ｂがマウントされた両面配線基板１０をプレス装置５０のプレス台５１に載置する。図５（ｃ）に示すように、プレス台５１の水平載置板５３上には弾性部材５３ａが設けられており、プレス体５５の下面には弾性部材５７が設けられている。そして、弾性部材５７を下面に設けたプレス体５５を降下させて両面配線基板１０を所定の荷重で押圧する。これにより、両面配線基板１０にマウントされた球状導電体９ａ，９ｂは、図５（ｄ）に示すように、スルーホール４に圧入され、球状導電体９ａ，９ｂはスルーホール４に狭持される。

ここで、球状導電体９ａ，９ｂは弾性部材５３ａ，５７を介してプレスされるため、その上部は完全に平らに変形されることはなく、ある程度の球形を保つとともに両面配線基板１０上面及び下面からそれぞれ所定量上方及び下方に突出する突出部としての上部球状凸部９１ａ，９１ｂが形成される。また、上記プレスによりスルーホール４上面から圧入される球状導電体９ａとスルーホール下面から圧入される球状導電体９ｂとが互いに押圧することになり、略平らに変形された変形部９２ａ，９２ｂが形成され、球状導電体９ａと球状導電体９ｂとが金属接合される。さらに、スルーホール４内部の隙間を埋める状態となる。なお、弾性部材５３ａ，５７を用いることに代えて、水平載置板５３及びプレス体５５を凹状にすることによって上部球状凸部９１ａ，９１ｂを形成するようにしてもよい。また、両面配線基板１０として、スルーホール４を開口部４’の内周面に円筒状の銅被膜５を形成したスルーホールとして説明したが、図６に示すように、開口部４’の内周面に銅被膜５を設けないスルーホール４を有する両面配線基板１０としてもよい。

次に、片面に配線パターン１４が形成され、球状導電体９ａ，９ｂと電気的接続するための電極１３ａ，１３ｂをそれぞれ有する第２の配線基板１２ａ，１２ｂを用意する。なお、配線パターン１４上にレジストを設けず配線パターン１４の一部を露出させた部位を電極１３ａ，１３ｂとすることもできる。そして、この第２の配線基板１２ａをラミネータ７０の所定位置に取り付け、ラミネータ７０によって、図７（ａ）に示すように、この第２の配線基板１２ａ上に絶縁部材１１である４５μｍのフィルム状熱硬化樹脂を載置して第２の配線基板１２ａの配線パターン１４側の面を被い、１５０℃で加熱してロールラミネートする。また、第２の配線基板１２ａと同様に、第２の配線基板１２ｂ上にフィルム状熱硬化樹脂である絶縁部材１１を載置して、第２の配線基板１２ｂの配線パターン１４側の面を被い、ラミネータ７０によってロールラミネートする（図７（ｂ）参照）。

続いて、熱プレス装置８０の熱プレス台７１に、積み重ね手段によって、上記の如く絶縁部材１１でラミネートした第２の配線基板１２ａを電極１３ａが上方となるように載置し、この第２の配線基板１２ａ上に、球状導電体９ａ，９ｂをスルーホール４に狭持させた両面配線基板１０の上面を球状導電体９ａと電極１３ａとが対向するように位置合わせをして積み重ねる。そして、両面配線基板１０の下面に上記の如く絶縁部材１１でラミネートした第２の配線基板１２ｂの配線パターン１４側を対向させ、球状導電体９ｂと電極１３ｂとが対向するように位置合わせをして積み重ねる。すなわち、図７（ｃ）に示すように、両面配線基板１０にマウントされた球状導電体９ａ，９ｂの上部球状凸部９１ａ，９１ｂがそれぞれ電極１３ａ，１３ｂに対向するように積層用の第２の配線基板１２ａ，１２ｂを積み重ねる。この積み重ねの際には、両面配線基板１０，第２の配線基板１２ａ，１２ｂにそれぞれ設けられたアライメントマーク（図示せず）を用いて位置合せを行い、これにより接続すべき球状導電体９ａ，９ｂと電極１３ａ，１３ｂ間の位置合わせが可能となる。

そして、熱プレスによって、重ね合わせられた両面配線基板１０，第２の配線基板１２ａ，１２ｂを１５０℃で加熱しながら１ｋｇ／ｃｍ^２で５分間押圧して熱プレスを行い、さらに、１７０℃で加熱しながら１ｋｇ／ｃｍ^２で５分間の熱プレスを行う。その後、熱オーブン装置（図示せず）によって、１７０℃で６０分間アフターキュアを行うことにより、図７（ｄ）に示すように、球状導電体９ａと電極１３ａ、球状導電体９ｂと電極１３ｂとを接合することにより、両面配線基板１０と、第２の配線基板１２ａ，１２ｂとの間における層間接続を行う。このようにして、１つの両面配線基板１０と２つの第２の配線基板１２ａ，１２ｂとによって４層配線基板２０を製造することができる。なお、絶縁部材１１は１３０℃で軟化して面配線基板と第２の配線基板１２ａ，１２ｂとの間を接合し、１６０℃で硬化する。

ここで、熱プレス装置８０の熱プレス部７５の押圧力によって、両面配線基板１０にそれぞれ狭持された球状導電体９ａ，９ｂの上部球状凸部９１ａ，９１ｂ同士がその突出形状により絶縁部材１１を突き抜けて電極１３ａ，１３ｂと接合（接続）され、電気的に接続される。

以上のように、本実施形態によれば、両面配線基板１０のスルーホール４上にそれぞれ球状導電体９ａ，９ｂをマウントすると共に圧入してスルーホール４に球状導電体９ａ，９ｂを狭持し、第２の配線基板１２ａ，１２ｂ上を絶縁部材１１で被った後、第２の配線基板１２ａ、両面配線基板１０、第２の配線基板１２ｂを順に位置合わせして重ね合わせ、熱プレスで加熱圧接するという簡易かつ少ない工程で配線基板の４層化が可能となるため、短時間かつ安価な４層配線基板を製造することが可能となる。しかも、このように工程が少ないために、歩留まりを向上させることができる。

また、リジット基板（硬質素材に配線パターンを形成した基板）のように基板厚が厚いために、スルーホールの孔径が両面配線基板の厚みと略同等以下にならざるを得ないような場合であっても、球状導電体を２つ用いることにより、層間の電気的接続を行うことができる。

さらに、スルーホール４の間隙を球状導電体９ａ，９ｂによってほぼ埋め込むことができるため、信頼性を向上させることができる。すなわち、スルーホール４に間隙が発生すると、その後の加工工程で水分や薬品等が残留し易く、それにより部品等に影響を与える可能性があるが、本実施形態の多層配線基板はその間隙が球状導電体９ａ，９ｂによってほぼ埋め込むことができるため、そのような影響を抑制することができる。

なお、本実施形態においては、第２の配線基板１２ａ，１２ｂ上に絶縁部材１１をラミネートするようにしたが、両面配線基板１０の両面に絶縁部材１１をラミネートするようにしてもよい。

（６層配線基板についての説明）
次に、上記製造装置３０を用いて、本実施形態に係る多層配線基板である６層配線基板２１について、図５（ａ）〜（ｄ）、図８（ａ）〜（ｆ）を参照しながら説明する。図８は、６層配線基板２１を製造する工程を示す説明図である。

まず、上述したスルーホール４が形成された２枚の第２の配線基板である両面配線基板１５ａ，１５ｂ（図５（ｄ）における両面配線基板１０と同様の両面配線基板。）を用意する。ここで、両面配線基板１５ａ，１５ｂには多数のスルーホール４が形成されているが、説明の便宜上、多数のスルーホール４のうち１つのスルーホール４を例に挙げ説明する。

次に、ボールマウンタ４０によって、図８（ａ）に示すように、両面配線基板１５ａ，１５ｂのスルーホール４にそれぞれ球状導電体９ｃ，９ｄをマウントする。なお、このマウントは、球状導電体９ｃ，９ｄがそれぞれスルーホール４の端面開口縁部に仮固定される程度の圧力で行われる。

ここで、球状導電体９ｃ，９ｄの直径は、スルーホール４の孔径の１００％より大きく、２００％以下のもののうち、絶縁部材１１の厚みとの関係で、後述する球状導電体９ａ，９ｂとの金属接合が良好になり、かつ積み重ねた配線基板間の厚みが大きくならないものを選択する。また、球状導電体９ｃ，９ｄの種類は特に限定されることはないが、球状導電体９ａ，９ｂと同様のものを用いるのが望ましい。なお、球状とは、完全な球体をいうのではなく、本実施形態における多層配線基板を製造することができるような形状であれば、円錐形や三角錐に近い導電体も球状導電体に含まれる。

次に、球状導電体９ｃがマウントされた両面配線基板１５ａをプレス装置５０のプレス台５１に載置し、図８（ｂ）に示すように、弾性部材５７を下面に設けたプレス体５５を降下させて両面配線基板１５ａを所定の荷重で押圧する。また、同様に、球状導電体９ｄがマウントされた両面配線基板１５ｂをプレス装置５０のプレス台５１に載置し、図８（ｂ）に示すように、弾性部材５７を下面に設けたプレス体５５を降下させて両面配線基板１５ｂを所定の荷重で押圧する。これにより、両面配線基板１５ａ，１５ｂにそれぞれマウントされた球状導電体９ｃ，９ｄは、図８（ｃ）に示すように、スルーホール４に圧入され、球状導電体９ｃ，９ｄはそれぞれスルーホール４に狭持される。なお、球状導電体９ｃ，９ｄをプレスする際には、水平載置板５３には弾性部材５３ａを設けない。

ここで、球状導電体９ｃ，９ｄは弾性部材５７を介してプレスされるため、その上部は完全に平らに変形されることはなく、ある程度の球形を保つとともに両面配線基板１５ａ，１５ｂ上面から所定量上方に突出する突出部としての上部球状凸部９１ｃ，９１ｄが形成される。一方、球状導電体９ｃ，９ｄの下部は、水平なプレス台に押圧されるために、略平らに変形された変形部９２ｃ，９２ｄが形成され、スルーホール４の下部の隙間を埋める状態となる。なお、この弾性部材５７はプレス体５５ではなく、プレス台５１に設けるようにしても良い。また、弾性部材５７ではなく、プレス体５５を凹状にすることによって上部球状凸部９１ｃ，９１ｄを形成するようにしてもよい。

次に、上記の如くプレスされた両面配線基板１５ａをラミネータ７０の所定位置に取り付け、ラミネータ７０によって、図８（ｄ）に示すように、この両面配線基板１５ａ上に絶縁部材１１を載置して両面配線基板１５ａで被い、１５０℃で加熱してロールラミネートする。また、同様にして、上記の如くプレスされた両面配線基板１５ｂをラミネータ７０の所定位置に取り付け、ラミネータ７０によって、図８（ｄ）に示すように、この両面配線基板１５ｂ上に絶縁部材１１を載置して両面配線基板１５ｂで被い、１５０℃で加熱してロールラミネートする（図８（ｅ）参照）。

さらに、上述したスルーホール４が形成された両面配線基板１０を用意し、上述した図５（ａ）〜（ｄ）の手順にて、図５（ｄ）に示すように、球状導電体９ａ，９ｂを、スルーホール４の上面及び下面にそれぞれ圧入した両面配線基板１０を作製する。

続いて、熱プレス装置８０の熱プレス台７１に、上記の如くロールラミネートした両面配線基板１５ａを球状凸部９１ｃが上方になるように載置し、この両面配線基板１５ａ上に球状導電体９ａ，９ｂをスルーホール４に狭持した両面配線基板１０を載置し、さらにこの両面配線基板１０上に、上記の如くロールラミネートした両面配線基板１５ｂを上部球状凸部９１ｄが下方となるように積み重ね手段によって積み重ねる。すなわち、図８（ｆ）に示すように、両面配線基板１０に圧入された球状導電体９ａの上部球状凸部９１ａが両面配線基板１５ａに圧入された球状導電体９ｃと対向し、両面配線基板１０に圧入された球状導電体９ｂの上部球状凸部９１ｂが両面配線基板１５ｂに圧入された球状導電体９ｄと対向するように積み重ねる。この積み重ねの際には、両面配線基板１０及び両面配線基板１５ａ，１５ｂにそれぞれ設けられたアライメントマーク（図示せず）を用いて位置合せを行い、これにより接続すべき球状導電体９ａ〜９ｄの位置合わせが可能となる。

そして、熱プレスによって、重ね合わせられた両面配線基板１０及び両面配線基板１５ａ，１５ｂを１５０℃で加熱しながら１ｋｇ／ｃｍ^２で５分間押圧して熱プレスを行い、さらに、１７０℃で加熱しながら１ｋｇ／ｃｍ^２で５分間の熱プレスを行う。その後、熱オーブン装置（図示せず）によって、１７０℃で６０分間アフターキュアを行うことにより、図８（ｇ）に示すように、球状導電体９ａと９ｃ，９ｂと９ｄを接合し、両面配線基板１０及び両面配線基板１５ａ，１５ｂにおける層間接続を行う。このようにして、１つの両面配線基板１０と２つの両面配線基板１５ａ，１５ｂによって６層配線基板２１を製造することができる。なお、絶縁部材１１は１３０℃で軟化して両面配線基板１０及び両面配線基板１５ａ，１５ｂ間を接合し、１６０℃で硬化する。

ここで、熱プレス装置８０の熱プレス部７５の押圧力によって、両面配線基板１０に狭持された球状導電体９ａ，９ｂの上部球状凸部９１ａ，９１ｂ、及び両面配線基板１５ａ，１５ｂに狭持された球状導電体９ｃ，９ｄの上部球状凸部９１ｃ，９１ｄがその突出形状により絶縁部材１１を突き抜けて接合（接続）され、これにより両面配線基板１０及び両面配線基板１５ａ，１５ｂが電気的に接続される。しかも、両面配線基板１０及び両面配線基板１５ａ，１５ｂのスルーホール４の間隙を球状導電体９ａ〜９ｄによってほぼ埋め込むことができる。

以上のように、本実施形態によれば、スルーホール４を有する第１の配線基板である両面配線基板１０のスルーホール４ごとに、球状導電体９をそれぞれスルーホール４の上面と下面とにマウントした後、これらの球状導電体９をスルーホール４に圧入し、さらに球状導電体９を圧入した両面配線基板１０の上面および下面に、電極である球状導電体９ｃ，９ｄを有する第２の配線基板である両面配線基板１５ｃ，１５ｄをそれぞれ絶縁部材１１を介して両面配線基板１０の上面及び下面にそれぞれ重ね合わせることにより球状導電体９ａ，９ｂと電極である球状導電体９ｃ，９ｄとを対向させ、このように重ね合わせた両面配線基板１０と両面配線基板１５ａ，１５ｂとを熱プレスで加熱圧接するという簡易かつ少ない工程で配線基板の６層化が可能となるため、短時間でかつ安価な６層配線基板を製造することが可能となる。しかも、このように工程が少ないために、歩留まりを向上させることができる。

また、リジット基板（硬質素材に配線パターンを形成した基板）のように基板厚が厚いために、スルーホールの孔径が両面配線基板の厚みと略同等以下にならざるを得ないような場合であっても、球状導電体を２つ用いることにより、層間の電気的接続を行うことができる。

さらに、スルーホール４の間隙を球状導電体９ａ〜９ｄによってほぼ埋め込むことができるため、信頼性を向上させることができる。すなわち、スルーホール４に間隙が発生すると、その後の加工工程で水分や薬品等が残留し易く、それにより部品等に影響を与える可能性があるが、本実施形態の多層配線基板はその間隙が球状導電体９ａ〜９ｄによってほぼ埋め込むことができるため、そのような影響を抑制することができる。

なお、両面配線基板１５ｂに代えて、図９（ａ）に示すように、フレキシブル両面配線基板１５ｃを第２の配線基板として用いるようにしてもよい。この場合、両面配線基板１５ｂに代えて用いるフレキシブル両面配線基板１５ｃには球状導電体９ｄをマウント及び圧入しない。このようにフレキシブル両面配線基板１５ｃを用いて、熱プレスすることにより、図９（ｂ）に示すように、６層配線基板の薄型化が可能となる。さらに、図１０（ａ）に示すように、両面配線基板１５ａに代えて、フレキシブル両面配線基板１５ｄを第２の配線基板として用いるようにしてもよい。この場合、両面配線基板１５ａに代えて用いるフレキシブル両面配線基板１５ｄには球状導電体９ｃをマウント及び圧入しない。このように両面配線基板１５ａ，１５ｂに代えて、フレキシブル両面配線基板１５ｃ，１５ｄを用いて、熱プレスすることにより、図１０（ｂ）に示すように、さらなる６層配線基板の薄型化が可能となる。しかも、フレキシブル基板の可撓性を利用して配線の自由度を高めることができる。

ここで、本実施形態におけるスルーホール４の大きさと球状導電体９ａ，９ｂとの大きさの関係について説明する。

球状導電体９ａ，９ｂの直径は、層間接続の信頼性を維持するために、スルーホール４の孔径に対して１００％より大きく、１５０％より小さい範囲内であることが望ましい。

その理由として、球状導電体９ａ，９ｂの大きさをスルーホールの孔径の１００％より大きく１５０％より小さい大きさとするのが好適であり、これにより層間接続の信頼性を維持することができる。すなわち、球状導電体９ａ，９ｂの直径がスルーホールの孔径に対して１００％以下の場合には、この球状導電体９ａ，９ｂをスルーホール４にプレス等で圧入したとき、スルーホール４内の充填が不十分となり、さらに、球状導電体９ａ，９ｂ同士の塑性変形量も小さくなるため、金属結合が完全なものとならなくなる可能性がある。また、第１の配線基板からの突起部（突起状ランド）、いわゆるバンプの高さを高くコントロールすることができなくなる。一方で、球状導電体９ａ，９ｂの直径がスルーホール４の孔径に対して１５０％より大きい場合には、球状導電体９ａ，９ｂが大きすぎて、スルーホール４内に入る部分が少なくなり、スルーホール４上面から圧入される球状導電体９ａ，９ｂとスルーホール４下面から圧入される球状導電体９ａ，９ｂとの間に隙間を発生させてしまうことになり、球状導電体９ａ，９ｂ同士の接合が不完全となってしまう。また、バンプの高さを低くコントロールすることができず、基板間の層間の厚みも大きくなってしまい、層間絶縁材が多量必要になってくると共に、積層された配線基板のトータルでの厚みも大きくなってしまい、高密度実装仕様の要求に答えられなくなってしまう。しかも、球状導電体９ａ，９ｂとスルーホール４の内壁との摩擦が大きくなり、プレス等の押圧力によりスルーホール４が変形してしまう恐れもでてくる。

また、球状導電体９の大きさをスルーホールの孔径の１１０〜１３０％とするのがさらに好適である。すなわち、このように球状導電体９の大きさをスルーホール４の孔径の１１０〜１３０％とすることによって、球状導電体９とスルーホール４内周面の銅被膜との金属接合の状態を良好にすることができ、しかも、スルーホール４上面から圧入される球状導電体とスルーホール４下面から圧入される球状導電体との間の金属接合の状態も良好にすることができる。

次に、両面配線基板１０と第２の配線基板間の距離について説明する。両面配線基板１０と第２の配線基板間の距離は、５μｍより短いと両面配線基板１０と第２の配線基板との対向する配線パターンの短絡が発生しやすくなり、一方で、この距離を５００μｍより大きくすると高密度多層化に沿わなくなる。

したがって、両面配線基板１０と第２の配線基板間の距離は、５〜５００μｍの範囲内であることが望ましい。この距離は、球状導電体９ａ〜９ｄの大きさ、電極１３ａ，１３ｂの高さ、スルーホール４の孔径、及び絶縁部材１１などの要素により決定される。

（信頼性評価試験）
上述のように製造された４層配線基板２０及び６層配線基板２１を用いて、信頼性評価試験を行った。前処理としては、１２５℃で２４時間のベーキングを行い、その後３０℃、湿度８０％で９６時間吸湿させた後、リフロー炉で３２０℃の熱処理を行った。そして、この吸湿と熱処理を３回繰り返した。その後、温度サイクル試験（−２５℃，１０分→１２５℃，１０分）を１０００サイクル行った。

この信頼性評価試験の結果、導通抵抗値、絶縁抵抗値、外観等での異常はなく、良好であり、信頼性は極めて高いものであることを裏付ける結果が得られた。

（その他の多層配線基板について）
図示しないが、図７（ａ）〜（ｄ）の手順や図８（ａ）〜（ｇ）の手順を組み合わせることにより、一つの基板上に異なる数の基板を積層させることができる。したがって、従来であればできなかった部分多層化を容易に行うことができ、基板の軽量化、省スペース化、コストダウンなどを図ることができる。しかも、基板材料が少なくてすむため、よりコストダウンを図ることが可能となる。

多層配線基板の製造プロセスが、プレス処理、及び熱プレス処理のみで行うことができるため、必要な箇所に必要な大きさの配線基板を貼り合わせることにより、いわゆる、部分多層化が可能となる。

以上、実施形態を通じて本発明を説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限られるものではなく、種々の変更を行うことができることはいうまでもない。

例えば、球状導電体９やスルーホール４の導電性被膜の表面に半田めっき処理を施すようにすることもできる。このようにすれば、スルーホール４に球状導電体９を圧入した後にリフロー処理を行うことによって、球状導電体９をより両面配線基板１０，１５ａ、１５ｂに固定することができるので、その後の工程において基板の取り扱いが容易となる。

また、両面配線基板１０，１５ａ，１５ｂを熱プレスにより両面配線基板間の接着を行うようにしたが、これらの両面配線基板間に用いる絶縁部材１１を常温で接着可能な絶縁性接着剤を用いることにより、常温でのプレスを行うようにしてもよい。

また、本発明の実施形態に記載した各種の数値は、例示に過ぎず、これに限られるものではなく、適宜変更することによって最適な多層配線基板を製造することができる。

また、本発明の実施形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明の効果は、本発明の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。

本発明の実施形態における両面配線基板の製造工程を示す説明図である。 本発明の実施形態における多層配線基板の製造工程に用いる製造装置の説明図である。 図２におけるプレス装置の概略構成図である。 図２における熱プレス装置の概略構成図である。 本発明の実施形態における４層配線基板の製造工程を示す説明図である。 本発明の実施形態における別の４層配線基板を示す説明図である。 本発明の実施形態における４層配線基板の製造工程を示す説明図である。 本発明の実施形態における６層配線基板の製造工程を示す説明図である。 本発明の実施形態における別の６層層配線基板を示す説明図である。 本発明の実施形態におけるさらに別の６層層配線基板を示す説明図である。

符号の説明

４ スルーホール
９ａ，９ｂ 球状導電体
９ｃ，９ｄ 球状導電体（電極）
１２ａ，１２ｂ，１５ａ，１５ｂ 第２の配線基板
１３ａ，１３ｂ 電極
１０ 両面配線基板（第１の配線基板）
２０ ４層配線基板
２１ ６層配線基板
３０ 製造装置
４０ ボールマウンタ
５０ プレス装置
７０ ラミネータ
８０ 熱プレス装置
９１ 球状凸部

Claims (10)

1. スルーホールが設けられた配線基板を用いる多層配線基板の製造方法であって、
   スルーホールを有する第１の配線基板の前記スルーホールごとに、球状導電体をそれぞれ前記スルーホール上面と下面とにマウントする第１のステップと、
   前記球状導電体を前記スルーホールに圧入する第２のステップと、
   前記球状導電体を圧入した前記第１の配線基板の上面および下面に、電極を有する第２の配線基板をそれぞれ絶縁部材を介して重ね合わせることにより前記球状導電体と前記電極とを対向させる第３のステップと、
   前記重ね合わせた前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とをプレス処理することにより前記球状導電体と前記電極を接合する第４のステップと、
   を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 前記第２のステップは、前記スルーホール上面および下面から突出する突出部を前記球状導電体により形成するように、前記球状導電体を前記スルーホールに圧入する
   ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
3. 前記第２の配線基板に形成されたスルーホール上に球状導電体をマウントすることにより、前記第２の配線基板における前記電極を形成するステップを有する
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多層配線基板の製造方法。
4. 前記球状導電体の大きさが、前記スルーホールの孔径の１１０〜１３０％であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
5. スルーホールが設けられた配線基板を用いる多層配線基板の製造装置であって、
   前記配線基板を水平状態に載置する載置手段と、
   スルーホールを有する第１の配線基板の前記スルーホールごとに、前記スルーホールの孔径よりも大きい球状導電体をそれぞれ前記スルーホール上面と下面とにマウントするマウント手段と、
   前記マウントした球状導電体を前記スルーホールに圧入するプレス手段と、
   前記第１の配線基板上又は電極を有する第２の配線基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成手段と、
   前記第１の配線基板上又は前記第２の配線基板上に形成した絶縁膜上を介して、前記第１の配線基板の上面と下面に前記第２の配線基板を重ねることにより前記球状導電体と前記電極とを対向させて熱プレスを行う熱プレス手段と、を備えたことを特徴とする多層配線基板の製造装置。
6. 前記プレス手段は、前記スルーホールの上面および下面から突出する突出部を前記球状導電体により形成するように、前記球状導電体を前記スルーホールに圧入することを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板の製造装置。
7. スルーホールが設けられた第１の配線基板の前記スルーホールに２つの球状導電体が狭持されると共に、前記第１の配線基板に電極を有する第２の配線基板が絶縁部材を介して積層されることにより前記球状導電体と前記電極とが対向配置されて接続されることにより前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とが電気的に接続されたことを特徴とする多層配線基板。
8. 前記第１の配線基板は、その両面に配線パターンが形成されると共に、前記スルーホールの内周面の導電性被膜はめっき処理により形成されることを特徴とする請求項７に記載の多層配線基板。
9. 前記第２の配線基板における前記電極は、前記第２の配線基板に形成されたスルーホールに球状導電体が狭持されることにより形成されることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の多層配線基板。
10. 前記配線基板間の距離は、５〜５００μｍであることを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の多層配線基板。

Images