JP2007199254A - 光モジュール及び光モジュールの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光ファイバの断裂を回避し、組立工程時のハンドリング性、耐衝撃性等の機械的信頼性を向上させる。
【解決手段】同一基板２上にＰＤ３、ＬＤ４、光ファイバ５ａ，５ｂが実装されている光モジュール１において、光ファイバ５ａ，５ｂを実装するためのＶ溝２３ａ，２３ｂが形成されているＶ溝形成面２３ｃよりＺ２方向に所定深さを有する深堀部２４に、光ファイバ５ａ，５ｂを覆う被覆部６が載置されている。ＰＤ３及びＬＤ４の端面３ａ，４ａから深堀部２４の端面２４ａまでの距離ｈと、光ファイバ５ａ，５ｂの端面５１ａ，５１ｂから被覆部６の端面６ａまでの距離ｋと、がｈ＞ｋの関係を満たしており、被覆部６の端面６ａを深堀部２４の端面２４ａと当接させて光ファイバ５ａ，５ｂの実装を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、光ファイバと光部品とを一体基板上に集積した光モジュール及び光モジュールの製造方法に関する。

近年、データ通信の高速化に伴い、メタリックケーブルによる通信に代わって、低損失で広帯域の通信が可能な光通信が普及している。光通信においては、ケーブルを接続する際の位置合わせが重要であり、例えば、基板上にＶ字形状の溝（以下、Ｖ溝という。）を形成し、このＶ溝に光ファイバを固定することにより、光ファイバの位置合わせが行われている（例えば、特許文献１参照。）。

また、光ファイバ及び各種光部品を一体基板上に集積した光モジュールにおいても、光ファイバ実装用のＶ溝を用いた光軸合わせが行われている。光部品とは、光通信に用いる部品をいい、レーザダイオード（Laser Diode：以下、ＬＤと記す。）等の発光素子、フォトダイオード（Photo Diode：以下、ＰＤと記す。）等の受光素子、光導波路、ミラー、偏光子等を含む。

図６（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に、従来の光モジュール３１の構成を示す。図６（ａ）は、従来の光モジュール３１の上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＰ−Ｐ線の断面図であり、図６（ｃ）は、図６（ａ）のＱ−Ｑ線の端面図である。

図６（ａ）に示すように、光モジュール３１は、基板３２に、ＰＤ３３、ＬＤ３４、光ファイバ３５ａ，３５ｂが実装されて構成されている。図６（ｃ）に示すように、基板３２上にはＶ溝３２３ａ，３２３ｂが形成されており、Ｖ溝３２３ａ，３２３ｂに光ファイバ３５ａ，３５ｂを実装することにより、ＰＤ３３及びＬＤ３４と、光ファイバ３５ａ，３５ｂとの光軸の位置が合うようになっている。
特開平１１−２１１９２８号公報

しかし、図６（ｂ）に示すように、従来の光モジュール３１においては、Ｖ溝３２３ａ，３２３ｂの端部３６に、被覆されていない光ファイバ３５ａ，３５ｂが当たるため、光ファイバ３５ａ，３５ｂが基板３２上に固定されている部分と固定されていない部分の境界部に応力集中が生じ、光ファイバ３５ａ，３５ｂが断裂するおそれがあった。そのため、組立工程時のハンドリング性、耐衝撃性等の機械的信頼性に問題があった。

本発明は、上記従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、光ファイバの断裂を回避し、組立工程時のハンドリング性、耐衝撃性等の機械的信頼性を向上させることを課題とする。

上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、同一基板上に光部品と光ファイバとが実装されており、前記光部品における光が入射又は出射する端面と前記光ファイバの軸方向の端面とが対向した状態で実装されている光モジュールにおいて、前記基板には、前記光ファイバを実装するためのＶ溝が形成されており、前記基板の端部には、前記基板におけるＶ溝形成面の位置より所定深さを有する深堀部が形成されており、前記深堀部には、前記光ファイバを覆う被覆部が載置されていることを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光モジュールにおいて、前記光部品における前記光ファイバの端面と対向する端面から前記深堀部の端面までの距離ｈと、前記光ファイバにおける前記光部品の端面と対向する端面から前記被覆部における前記光ファイバの露出側に面する端面までの距離ｋと、がｈ＞ｋの関係を満たしていることを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の光モジュールにおいて、前記基板及び前記被覆部は、それぞれ位置決め用凹凸部を有することを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、同一基板上に光部品と光ファイバとが実装されており、前記光部品における光が入射又は出射する端面と前記光ファイバの軸方向の端面とが対向した状態で実装されている光モジュールの製造方法において、前記基板に、前記光ファイバを実装するためのＶ溝を形成し、前記基板の端部に、前記基板におけるＶ溝形成面の位置より所定深さを有する深堀部を形成し、前記Ｖ溝に前記光ファイバを実装するとともに、前記深堀部に前記光ファイバを覆う被覆部を載置することを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の光モジュールの製造方法において、前記光部品における前記光ファイバの端面と対向する端面から前記深堀部の端面までの距離ｈと、前記光ファイバにおける前記光部品の端面と対向する端面から前記被覆部における前記光ファイバの露出側に面する端面までの距離ｋと、がｈ＞ｋの関係を満たしており、前記被覆部の端面を前記深堀部の端面と当接させて前記光ファイバの実装を行うことを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、請求項４又は５に記載の光モジュールの製造方法において、前記基板及び前記被覆部に、それぞれ位置決め用凹凸部を形成し、前記基板に形成された位置決め用凹凸部と前記被覆部に形成された位置決め用凹凸部とを嵌合させることにより、前記光ファイバの位置を決定することを特徴とする。

請求項７に記載の発明は、請求項４〜６のいずれか一項に記載の光モジュールの製造方法において、前記基板に異方性ウェットエッチング処理を行うことにより、前記Ｖ溝及び前記深堀部を形成することを特徴とする。

請求項８に記載の発明は、請求項４〜６のいずれか一項に記載の光モジュールの製造方法において、前記基板に対して切削加工を行うことにより、前記Ｖ溝及び前記深堀部を形成することを特徴とする。

請求項１、４に記載の発明によれば、基板の端部に形成された深堀部に被覆部が載置され、基板の端部に光ファイバが直接当たらないので、光ファイバの断裂を回避し、組立工程時のハンドリング性、耐衝撃性等の機械的信頼性を向上させることができる。

請求項２、５に記載の発明によれば、光ファイバの端面と光部品の端面との接触による素子破壊を回避することができ、被覆部の端面を深堀部の端面と当接させて光ファイバの実装を行うことで、光ファイバを正確な位置に配置することができる。

請求項３、６に記載の発明によれば、基板及び被覆部の位置決め用凹凸部により、光ファイバを正確な位置に配置することができる。

請求項７に記載の発明によれば、基板に異方性ウェットエッチング処理を行うことにより、Ｖ溝及び深堀部を同時に形成することが可能となるため、製造工程を簡略化することができる。

請求項８に記載の発明によれば、基板に対して切削加工を行うことにより、Ｖ溝及び深堀部を形成することができる。

［第１の実施の形態］
まず、本発明の第１の実施の形態における光モジュール１について説明する。
図１（ａ）は、第１の実施の形態の光モジュール１を示す上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線の断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ線の端面図であり、図１（ｄ）は、図１（ａ）のＣ−Ｃ線の端面図である。

図１（ａ）に示すように、光モジュール１は、基板２に、ＰＤ３、ＬＤ４、光ファイバ５ａ，５ｂが実装されて構成されている。光ファイバ５ａ，５ｂは、被覆部６に覆われており、その一部が露出している。光ファイバ５ａ，５ｂの露出部分は、上部からカバーガラス８により固定されている。

基板２は、単結晶シリコン（Ｓｉ）で形成された板状基板であり、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、光部品載置部２１、溝部２２、Ｖ溝形成部２３、深堀部２４から構成される。

光部品載置部２１には、光部品としてＰＤ３及びＬＤ４が載置されている。

溝部２２は、基板２上に、基板２の延在方向（図１（ａ）に示すＸ１−Ｘ２方向）と直交する方向（図１（ａ）に示すＹ１−Ｙ２方向）に設けられた溝である。

図１（ｃ）に示すように、Ｖ溝形成部２３のＶ溝形成面２３ｃには、Ｖ溝２３ａ，２３ｂが形成されている。Ｖ溝２３ａ，２３ｂは、基板２の延在方向（図１（ａ）に示すＸ１−Ｘ２方向）に、筋状に設けられている。Ｖ溝２３ａ，２３ｂは、Ｖ溝２３ａ，２３ｂに光ファイバ５ａ，５ｂが実装された際に、ＰＤ３及びＬＤ４と、光ファイバ５ａ，５ｂのコアとの光軸が一致するように設計されている。

深堀部２４は、図１（ｂ）及び（ｄ）に示すように、基板２の端部に形成され、Ｖ溝形成面２３ｃの位置よりＺ２方向に所定深さｄだけ低くなっている。深堀部２４の深さｄは、Ｖ溝２３ａ，２３ｂに光ファイバ５ａ，５ｂが実装された場合に、光ファイバ５ａ，５ｂを覆う被覆部６の下面がちょうど接するように設計されている。

ＰＤ３は、光ファイバ５ａを伝播してきた光を電気信号に変換する受光素子である。ＬＤ４は、外部から供給された電気信号に応じて光を発する発光素子である。ＰＤ３における光が入射する端面３ａと光ファイバ５ａの軸方向の端面５１ａとは対向し、ＬＤ４における光が出射する端面４ａと光ファイバ５ｂの軸方向の端面５１ｂとは対向している。

光ファイバ５ａ，５ｂは、コアとそれを覆うクラッドの二重構造を有し、クラッドよりもコアの屈折率を高くすることで、全反射により光を伝播させる。

被覆部６は、光ファイバ５ａ，５ｂを覆う被覆材である。

また、図１（ｂ）に示すように、ＰＤ３における光ファイバ５ａの端面５１ａと対向する端面３ａから深堀部２４の端面２４ａまでの距離ｈと、光ファイバ５ａにおけるＰＤ３の端面３ａと対向する端面５１ａから被覆部６における光ファイバ５ａの露出側に面する端面６ａまでの距離ｋと、がｈ＞ｋの関係を満たしている。なお、ＬＤ４における光ファイバ５ｂの端面５１ｂと対向する端面４ａから深堀部２４の端面２４ａまでの距離は距離ｈと等しく、光ファイバ５ｂにおけるＬＤ４の端面４ａと対向する端面５１ｂから被覆部６の端面６ａまでの距離は距離ｋと等しい。

次に、図２及び図３を参照して、光モジュール１の製造方法を説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、基板２の表面に、光ファイバ実装用の開口領域７ａ，７ｂと、被覆部実装用の開口領域７ｃとが隣接して形成されたマスク７を形成する。

次に、図２（ｂ）に示すように、深堀部２４に対して所望のエッチング量となるように、異方性ウェットエッチング処理を行う。エッチング液としては、水酸化カリウム（ＫＯＨ）や水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等が用いられる。この際、光ファイバ実装用の開口領域７ａ，７ｂでは、Ｖ溝２３ａ，２３ｂのＶ字形状が形成された時点でエッチングの進行が停止するため、オーバーエッチングによる形状の変化はない。したがって、Ｖ溝２３ａ，２３ｂと、深堀部２４とを同時に形成することができる。

次に、チップとして切り出すために、図３（ａ）に示すように、Ｄ₁−Ｄ₁、Ｄ₂−Ｄ₂、Ｄ₃−Ｄ₃、Ｄ₄−Ｄ₄の位置で、基板２の周辺部４辺に切削加工を施し、隣接チップと分離する。さらに、Ｖ溝２３ａ，２３ｂの両端部Ｅ₁，Ｅ₂に対して、基板２が分離しない切り込み深さにて切削加工を行う。

図３（ｂ）は、切削加工後の基板２の上面図であり、図３（ｃ）は、図３（ｂ）のＦ−Ｆ線の断面図である。Ｖ溝２３ａ，２３ｂの端部Ｅ₁を切削した部分は、溝部２２となる。また、Ｖ溝２３ａ，２３ｂの端部Ｅ₂を切削した部分は、深堀部２４の一部となる。このように、基板２に、光部品載置部２１、溝部２２、Ｖ溝形成部２３、深堀部２４が形成される。図３（ｃ）に示すように、深堀部２４は、Ｖ溝形成面２３ｃの位置よりＺ２方向に所定深さｄだけ低くなっている。

次に、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＰＤ３及びＬＤ４を光部品載置部２１に載置し、被覆部６の端面６ａを深堀部２４の端面２４ａと当接させて光ファイバ５ａ，５ｂの実装を行う。ここで、ＰＤ３の端面３ａから深堀部２４の端面２４ａまでの距離（ＬＤ４の端面４ａから深堀部２４の端面２４ａまでの距離）ｈは、光ファイバ５ａの端面５１ａから被覆部６の端面６ａまでの距離（光ファイバ５ｂの端面５１ｂから被覆部６の端面６ａまでの距離）ｋより長く、ＰＤ３の端面３ａと光ファイバ５ａの端面５１ａとの距離（ＬＤ４の端面４ａと光ファイバ５ｂの端面５１ｂとの距離）ｚ＝ｈ−ｋの値は、距離ｈ及び距離ｋにより決定する。

図４に、光ファイバ５ａの端面５１ａのＰＤ３の端面３ａからの距離（光ファイバ５ｂの端面５１ｂのＬＤ４の端面４ａからの距離）ｚ（μｍ）と、損失（ｄＢ）との関係を示す。図４は、コアの屈折率が１．５３４、クラッドの屈折率が１．５２５、接着剤の屈折率が１．５７０の場合の計算結果である。距離ｚにおける損失から接触状態（ｚ＝０μｍ）における損失を引いた値、すなわち、ギャップによる過剰損失の値は、ｚ＝１０μｍのとき０．０４ｄＢ、ｚ＝２０μｍのとき０．１２ｄＢ、ｚ＝３０μｍのとき０．２６ｄＢであった。接触状態（ｚ＝０μｍ）からの損失増加を０．１ｄＢ以下とするために、距離ｚを２０μｍ以下とすることが望ましい。

次に、基板２に光ファイバ５ａ，５ｂ及び被覆部６が実装された状態で、カバーガラス８により光ファイバ５ａ，５ｂを押圧して固定し、接着剤を流し込み、光ファイバ５ａ，５ｂをＶ溝２３ａ，２３ｂに、被覆部６を深堀部２４に接着する。

以上説明したように、基板２の端部に光ファイバ５ａ，５ｂが直接当たらず、被覆部６が当たる構造とするので、光ファイバ５ａ，５ｂが基板２上に固定されている部分と固定されていない部分の境界部に応力集中が生じることがない。さらに、深堀部２４に被覆部６を載置するので、光ファイバ５ａ，５ｂの曲がりを防ぐことができる。したがって、光ファイバ５ａ，５ｂの断裂を回避し、組立工程時のハンドリング性、耐衝撃性等の機械的信頼性を向上させることができる。

また、異方性ウェットエッチング処理を行うことにより、Ｖ溝２３ａ，２３ｂと深堀部２４とを同時に形成することが可能となるため、製造工程を簡略化することができる。

また、被覆部６の端面６ａを深堀部２４の端面２４ａと当接させて光ファイバ５ａ，５ｂの実装を行うことにより、光ファイバ５ａ，５ｂの端面５１ａ，５１ｂとＰＤ３及びＬＤ４の端面３ａ，４ａとの距離ｚが決定する。これにより、光ファイバ５ａ，５ｂの端面５１ａ，５１ｂとＰＤ３及びＬＤ４の端面３ａ，４ａとの接触による素子破壊を回避することができ、さらには、光ファイバ５ａ，５ｂの端面５１ａ，５１ｂがＰＤ３及びＬＤ４の端面３ａ，４ａから距離ｚの位置になるように正確に配置することが可能となる。したがって、容易な方法で実装歩留まりが向上し、かつ、低損失な光モジュール１を供給することができる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明を適用した第２の実施の形態について説明する。
図５（ａ）は、第２の実施の形態の光モジュール１１を示す上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＧ−Ｇ線の断面図である。光モジュール１１は、第１の実施の形態に示した光モジュール１と同様の構成によってなるため、同一の構成部分については同一の符号を付し、その構成については説明を省略する。また、実際は、光モジュール１１においても、光ファイバ５ａ，５ｂは上部からカバーガラスにより押圧固定されているが、図５（ａ）及び（ｂ）では図示を省略する。以下、第２の実施の形態に特徴的な構成について説明する。

光モジュール１１は、基板２及び被覆部６に位置決め用凹凸部が設けられている。図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板２の深堀部２４の端部には位置決め用凸部２５が形成されている。位置決め用凸部２５は、第１の実施の形態で説明した光モジュール１の製造方法の切削加工工程において、異方性ウェットエッチング処理により形成された傾斜面を残すように切削すればよい。

また、被覆部６には、位置決め用凸部２５と嵌合するように位置決め用凹部６１が形成されている。位置決め用凹部６１は、被覆部６を切削することにより、形成する。

そして、基板２に形成された位置決め用凸部２５と被覆部６に形成された位置決め用凹部６１とを嵌合させることにより、被覆部６の位置を決定する。

このように、被覆部６側に位置決め用凹部６１を設け、基板２側に位置決め用凸部２５を設けることが加工上好ましい。また、位置決め用凸部２５及び位置決め用凹部６１は、光ファイバ５ａ，５ｂ及び被覆部６を基板２に実装した場合に、光ファイバ５ａ，５ｂの端面５１ａ，５１ｂとＰＤ３及びＬＤ４の端面３ａ，４ａとの距離が２０μｍ以下となる位置に設けることが望ましい（図４参照）。

以上説明したように、位置決め用凸部２５及び位置決め用凹部６１が嵌合するように光ファイバ５ａ，５ｂ及び被覆部６の実装を行うことにより、光ファイバ５ａ，５ｂの端面５１ａ，５１ｂとＰＤ３及びＬＤ４の端面３ａ，４ａとの距離が決定する。これにより、光ファイバ５ａ，５ｂの端面５１ａ，５１ｂとＰＤ３及びＬＤ４の端面３ａ，４ａとの接触による素子破壊を回避することができ、さらには、光ファイバ５ａ，５ｂを正確な位置に配置することが可能となる。したがって、容易な方法で実装歩留まりが向上し、かつ、低損失な光モジュール１１を供給することができる。

なお、光モジュール１１は、深堀部２４の端部に位置決め用凸部２５が位置する例であるが、位置決め用凹凸部は深堀部２４の途中の部分に存在してもよく、１本の光ファイバに対して複数の凹凸部を有していてもよい。

上記各実施の形態における記述は、本発明に係る光モジュールの例であり、これに限定されるものではない。光モジュールを構成する各部の細部構成に関しても本発明の趣旨を逸脱することのない範囲で適宜変更可能である。

例えば、上記各実施の形態では、光部品としてＰＤ３及びＬＤ４を備えた場合について説明したが、光モジュールに載置される光部品は、光導波路、ミラー、偏光子等であってもよい。

また、上記各実施の形態では、基板２に異方性ウェットエッチング処理を行うことにより、Ｖ溝２３ａ，２３ｂ及び深堀部２４を形成する方法を説明したが、基板２に対して切削加工を行うことにより、Ｖ溝２３ａ，２３ｂ及び深堀部２４を形成することとしてもよい。

また、基板２に載置される光ファイバの芯数は、１芯、２芯、４芯等、いくつであってもよい。また、光ファイバは石英製ファイバでもプラスチックファイバでもよく、また、シングルモードファイバでも、マルチードファイバでもよい。

また、上記各実施の形態では、光部品の一端にＶ溝が形成されている光モジュールについて説明したが、１つの光信号を複数の出力に分岐するスプリッタ等の光部品の入力側・出力側の両端にＶ溝が形成されていてもよい。

（ａ）は、第１の実施の形態の光モジュール１を示す上面図である。（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ線の端面図である。（ｄ）は、図１（ａ）のＣ−Ｃ線の端面図である。 （ａ）は、基板２にマスク７が形成された状態を示す図である。（ｂ）は、異方性ウェットエッチング処理後の基板２を示す図である。 （ａ）は、基板２における切削加工の位置を示す図である。（ｂ）は、切削加工後の基板２の上面図である。（ｃ）は、図３（ｂ）のＦ−Ｆ線の断面図である。 光ファイバ端面の光部品端面からの距離ｚ（μｍ）と、損失（ｄＢ）との関係を示すグラフである。 （ａ）は、第２の実施の形態の光モジュール１１を示す上面図であり、（ｂ）は、図５（ａ）のＧ−Ｇ線の断面図である。 （ａ）は、従来の光モジュール３１の上面図である。（ｂ）は、図６（ａ）のＰ−Ｐ線の断面図である。（ｃ）は、図６（ａ）のＱ−Ｑ線の端面図である。

符号の説明

１，１１ 光モジュール
２ 基板
２１ 光部品載置部
２２ 溝部
２３ Ｖ溝形成部
２３ａ，２３ｂ Ｖ溝
２３ｃ Ｖ溝形成面
２４ 深堀部
２４ａ 端面
２５ 位置決め用凸部
３ ＰＤ
３ａ 端面
４ ＬＤ
４ａ 端面
５ａ，５ｂ 光ファイバ
５１ａ，５１ｂ 端面
６ 被覆部
６ａ 端面
６１ 位置決め用凹部
７ マスク
８ カバーガラス
３１ 光モジュール
３２ 基板
３２３ａ，３２３ｂ Ｖ溝
３３ ＰＤ
３４ ＬＤ
３５ａ，３５ｂ 光ファイバ

Claims (8)

1. 同一基板上に光部品と光ファイバとが実装されており、前記光部品における光が入射又は出射する端面と前記光ファイバの軸方向の端面とが対向した状態で実装されている光モジュールにおいて、
   前記基板には、前記光ファイバを実装するためのＶ溝が形成されており、
   前記基板の端部には、前記基板におけるＶ溝形成面の位置より所定深さを有する深堀部が形成されており、
   前記深堀部には、前記光ファイバを覆う被覆部が載置されていることを特徴とする光モジュール。
2. 前記光部品における前記光ファイバの端面と対向する端面から前記深堀部の端面までの距離ｈと、前記光ファイバにおける前記光部品の端面と対向する端面から前記被覆部における前記光ファイバの露出側に面する端面までの距離ｋと、がｈ＞ｋの関係を満たしていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記基板及び前記被覆部は、それぞれ位置決め用凹凸部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
4. 同一基板上に光部品と光ファイバとが実装されており、前記光部品における光が入射又は出射する端面と前記光ファイバの軸方向の端面とが対向した状態で実装されている光モジュールの製造方法において、
   前記基板に、前記光ファイバを実装するためのＶ溝を形成し、
   前記基板の端部に、前記基板におけるＶ溝形成面の位置より所定深さを有する深堀部を形成し、
   前記Ｖ溝に前記光ファイバを実装するとともに、前記深堀部に前記光ファイバを覆う被覆部を載置することを特徴とする光モジュールの製造方法。
5. 前記光部品における前記光ファイバの端面と対向する端面から前記深堀部の端面までの距離ｈと、前記光ファイバにおける前記光部品の端面と対向する端面から前記被覆部における前記光ファイバの露出側に面する端面までの距離ｋと、がｈ＞ｋの関係を満たしており、
   前記被覆部の端面を前記深堀部の端面と当接させて前記光ファイバの実装を行うことを特徴とする請求項４に記載の光モジュールの製造方法。
6. 前記基板及び前記被覆部に、それぞれ位置決め用凹凸部を形成し、
   前記基板に形成された位置決め用凹凸部と前記被覆部に形成された位置決め用凹凸部とを嵌合させることにより、前記光ファイバの位置を決定することを特徴とする請求項４又は５に記載の光モジュールの製造方法。
7. 前記基板に異方性ウェットエッチング処理を行うことにより、前記Ｖ溝及び前記深堀部を形成することを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の光モジュールの製造方法。
8. 前記基板に対して切削加工を行うことにより、前記Ｖ溝及び前記深堀部を形成することを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の光モジュールの製造方法。

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