JP2007198978A - 基板検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザアブレーション現象を利用し、配線パターンの断線や短絡を検査することの可能な基板検査装置を提供する。
【解決手段】被検査基板10に形成された複数の配線パターンの良否を、被検査基板の表面に形成された配線パターンの第１の検査点11bと、被検査基板の裏面に形成された配線パターンの第２の検査点12bとの間の電気的特性によって検査する基板検査装置1は、配線パターン上の第１の検査点に、レーザアブレーション現象を発生させるレーザ光を照射して荷電粒子を放出させるレーザ光照射手段22と、第１の検査点から放出された荷電粒子を捕捉する捕捉電極14aと、捕捉電極と第２の検査点12bとの間に、捕捉電極が第１の検査点より高電位になるように所定の大きさの電圧を印加する電圧印加手段16と、電圧印加手段に直列に接続され、捕捉電極と第２の検査点の間を流れる電流の値を検出する電流検出手段18とを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板検査装置に関し、更に具体的には、主としてレーザアブレーション現象（「レーザアブレージョン現象」ともいう。）を利用した基板検査装置に関する。一般に、基板検査装置は、被検査基板に形成された複数の配線パターンの中から１の配線パターンを順次選択して配線パターンの両端間に流れる電流の値から、この配線パターンの断線（導通）の有無を検出し、あるいは隣接する２つの配線パターンを順次選択して隣接配線パターン間に流れる電流の値から配線パターンの短絡状態の有無を検出する。

この出願書類で、「被検査基板」又は単に「基板」とは、プリント配線基板に限らず、例えば、フレキシブル基板、多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアなど種々の基板を意味する。

基板には、種々の基板が存在し、それらの配線パターンが設計通りに製造されているか否かを検査するために、従来から数多くの種類の基板検査装置が提供されている。特に、近年、電子機器の小型化等に伴って基板の配線パターンの微細化が進み、ランドが増加すると共に微小化しているため、基板検査装置のプローブを全ての検査点であるランドに直接接触させて配線パターンの断線や短絡を検査することが困難となる場合があった。

そこで、本出願人は、下記特許文献１として、プローブをランドに接触させずに、配線パターンの断線や短絡を検査する基板検査装置を提案している。
特開2002-318258「回路基板の検査装置および検査方法」（公開日：2002年10月31日） 前掲特許文献１では、実施例として、紫外線領域のレーザ光を被検査配線パターンの一端に照射して、そこから光電効果によって放出された光電子をプラス電極で捕捉し、それによる電流を利用して基板を検査する装置を開示している。

しかし、本発明は、後で詳しく説明するように、光電効果現象を利用するのではなく、主としてレーザアブレーション現象を利用した基板検査装置に関する。

そこで、本出願の出願日前に、日本国特許庁の特許電子図書館(IPDL)において、電気的又は磁気的変量の測定に関する技術分野（具体的には、ＩＰＣクラスの「Ｇ０１Ｒ」）で、要約書及び特許請求の範囲に技術用語「アブレーション」の記載がある公表された特許文献の検索を行った。その結果は次の通りである。
特開2005-142111「異方性導電シート」（公開日：2005年6月2日） 特開2005-142110「異方性導電シート」（公開日：2005年6月2日） 特開2002-048841「マイクロプローブ支持部品、マイクロプローブ装置、光学部品、電子制御部品、パターニング用マスク及びそれらの製造方法」（公開日：2002年2月15日） 特開2002-005958「プローブカード用測定針、プローブカード及び測定針形成方法」（公開日：2002年1月9日） 特開2000-251228「磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子」（公開日：2000年9月14日） 特開平11-326461「プローブ針のレーザクリーニング方法とその装置」（公開日：1999年11月26日） 特開平07-193298「磁気抵抗材料を用いた機器およびその製造方法」（公開日：1995年7月28日） 特開平07-045877「検出装置及びその製造方法」（公開日：1995年2月14日） 特表2005-503847「椎間の診断用および処置用機器」（公表日：2005年2月10日）（対応国際公開番号WO2002/102233） 特表2004-511271「ＭＲＩアブレーションカテーテル」（公表日：2004年4月15日）（対応国際公開番号WO2001/087173） 特表2003-506833「コンプライアンスを制御したファインピッチ配線」（公表日：2003年2月18日）（対応国際公開番号WO01/009980） 特表2002-541124「子宮内膜症を検出する方法」（公表日：2002年12月3日）（対応国際公開番号WO00/59547） 特表2002-523756「電気的な構成素子を検査する場合に使用するためのプリント配線板および該プリント配線板を製造する方法」（公表日：2002年7月30日）（対応国際公開番号WO00/11920） 特表平10-503883「磁気応答デバイス」（公表日：1998年4月7日）（対応国際公開番号WO95/35507） 特開2000-307171「磁気デバイスのピン止め層」（公開日：2000年11月2日） 特開平7-193298「磁気抵抗材料を用いた機器およびその製造方法」（公開日：1995年7月28日） これらの特許文献を精査すると、前掲特許文献２〜５，８，９，１２，１４〜１７は、いずれも、レーザアブレーションを加工用途に使用している。前掲特許文献６は、レーザアブレーションを粒子の結晶化を促進するために使用している。前掲特許文献７は、レーザアブレーションをプローブ針先端に付着した不純物を除去するために使用している。前掲特許文献１０，１１及び１３は、レーザアブレーションの医療分野の使用である。

従って、レーザアブレーション現象を利用した基板検査装置に関する特許文献としては、前掲特許文献７があるが、レーザアブレーションのクリーニング効果を利用したものであり、本発明とは関係がない。

前掲特許文献１の方法を用いると、プローブをランドに接触させずに、配線パターンの断線や短絡を検査することが可能となる。

しかし、特許文献１の方法は光電効果を利用する方法であることに起因して、照射するレーザ光の波長の範囲が所定の値（「限界波長」という。）以下に限定される。また、配線パターン（ランド）を構成する材料の種類（例えば、金、銅等）に応じて限界波長が異なるため、ランドを構成する材料に応じて照射するレーザ光の波長を変更する必要がある等の制約が有る。

また、前掲特許文献２〜１７によれば、基板検査装置の導通又は短絡検査に関して、レーザアブレーション現象を利用した従来技術は存在しない。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、主としてレーザアブレーション現象を利用して、プローブをランド（パターン）に接触させずに配線パターンの断線や短絡を簡便に検査することの可能な基板検査装置を提供することを目的とする。

上記目的に鑑みて、本発明に係る基板試験装置は、被検査基板に形成された複数の配線パターンの良否を、該被検査基板の表面に形成された該配線パターンの第１の検査点と、該被検査基板の裏面に形成された該配線パターン上の第２の検査点との間の電気的特性によって検査する基板検査装置であって、配線パターン上の第１の検査点に、レーザアブレーション現象を発生させるレーザ光を照射して荷電粒子を放出させるレーザ光照射手段と、第１の検査点から放出された荷電粒子を捕捉する捕捉電極と、前記捕捉電極と第２の検査点との間に、該捕捉電極が第１の検査点より高電位になるように所定の大きさの電圧を印加する電圧印加手段と、前記電圧印加手段に直列に接続され、前記捕捉電極と第２の検査点の間を流れる電流の値を検出する電流検出手段とを備え、前記捕捉電極は、前記レーザ光照射手段と前記被検査基板との間に配置された透明電極である。

更に、本発明に係る基板検査装置は、被検査基板に形成された複数の配線パターンの良否を、該被検査基板の表面に形成された該配線パターンの第１の検査点と、該被検査基板の裏面に形成された該配線パターンの第２の検査点との間の電気的特性によって検査する基板検査装置であって、配線パターン上の第１の検査点に、レーザ光１パルス当たりの強度0.1Ｊ／ｃｍ²以上、パルス幅1〜20ｎｓｅｃのレーザ光を１又は複数回照射して荷電粒子を放出させるレーザ光照射手段と、第１の検査点から放出された荷電粒子を捕捉する捕捉電極と、前記捕捉電極と第２の検査点との間に、該捕捉電極が第１の検査点より高電位になるように所定の大きさの電圧を印加する電圧印加手段と、前記電圧印加手段に直列に接続され、前記捕捉電極と第２の検査点の間を流れる電流の値を検出する電流検出手段とを備え、前記捕捉電極は、前記レーザ光照射手段と前記被検査基板との間に配置された透明電極である。

更に、上記基板検査装置では、更に、前記レーザ光照射手段が照射するレーザ光の１パルス当たりの強度1.0Ｊ／ｃｍ²以下とすることもできる。

更に、上記基板検査装置では、更に、磁界発生手段を備え、前記磁界発生手段は、前記第１の検査点から放出された荷電粒子を前記捕捉電極に向けて加速する磁場を形成してもよい。

更に、上記基板検査装置では、更に、ハウジングを備え、前記ハウジングは、少なくとも、前記被検査基板及び前記捕捉電極を取り囲む減圧された閉空間を形成し、前記透明電極は、前記ハウジングの少なくとも一部分として形成してもよい。

更に、上記基板検査装置では、前記透明電極は、インジウム酸化第一錫からなるようにしてもよい。

更に、上記基板検査装置では、前記透明電極は、ガラス板に取り付けてもよい。

更に、上記基板検査装置では、前記レーザ光照射手段は、波長355ｎｍのレーザ光を照射することもできる。

更に、本発明に係る電極は、レーザアブレーション現象を利用した非接触方式の基板検査装置に使用される電極であって、レーザ光を透過する機能と、レーザ照射により被検査基板のパターンから放出される荷電粒子を捕捉する機能とを備えている。

更に、上記電極は、インジウム酸化第一錫から形成してもよい。

本発明によれば、主としてレーザアブレーション現象を利用して、プローブをランド（パターン）に接触させずに配線パターンの断線や短絡を簡便に検査することの可能な基板検査装置を提供することができる。

以下、本発明に係る基板検査装置の実施形態の一例について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、図面中、同じ要素に対しては同じ符号を付して、重複した説明を省略する。

［光電効果とレーザアブレーション］
最初に、本発明の理解を容易にするため、前掲特許文献１（特開平14-318258）で利用する光電効果現象と本発明で利用するレーザアブレーション現象とに関して簡単に説明する。

光電効果は、金属表面に光を当てたとき光エネルギにより電子（光電子）が飛び出す現象である。光電効果は、例えば、真空のガラス管内に配置された金属製の２枚の平行電極間に直流電圧を印加し、マイナス（−）電極に光を照射すると光電子が飛び出して、プラス（＋）電極に捕捉され、電流が流れることで知られている。

光電効果現象は、次のような特徴を有する。(1)印加電圧を十分に高くした場合、流れる電流はマイナス（−）電極に照射した光の強さに比例する。(2)どのような金属面に対しても、光電効果の起こり得る最小の振動数（「限界波長」に対応する周波数）があり、それ以下の振動数では、どんなに入射光の強度を強くしても光電効果は起こらない。(3)光電子の持つ最大運動エネルギは、入射光の強度に無関係であり、アインシュタインの光電子則E=hν−Wに完全に一致している。ここで、ｈはプランクの常数、νは入射光の振動数、Ｗは金属から電子を放出するために必要なエネルギ（仕事関数）である。従って、hν＞Wを満たす振動数νの光でなければ光電効果は起こらない。そして、この仕事関数Ｗは、金属によって異なる。

この結果、光電効果を利用した場合、照射するレーザ光の波長の範囲が限界波長以下に限定される。また、金属の種類に応じて限界波長（hν＞Wを満たす振動数νに対応する波長）が異なるため、使用する金属に応じて照射するレーザ光の波長を変更する必要がある。これらは、本出願書類の上記「発明が解決しようとする課題」に対応するものである。

一方、レーザアブレーション現象は、その詳細は未だ明らかになっていない面がある。本発明者の理解する範囲では、レーザアブレーション現象は、エネルギ密度が非常に高いレーザを集光して金属に照射した場合、照射箇所で局所的に急激な温度上昇が起き、金属材料を急激に溶融・気化させ、爆発的な体積膨張に伴って金属材料が原子、分子、クラスタ等となって金属表面より飛び出していく。この飛び出した原子、分子、クラスタ等は、レーザ光に曝されているため急激な温度上昇と共に再励起されて熱プラズマ化し、電子、イオン等の荷電粒子が爆発的に発生する。

このように、光電効果現象は、主として光エネルギを利用した現象であり、一方、レーザアブレーション現象は、主として熱エネルギを利用した現象である。これらは、レーザパワー、印加電圧値、真空のガラス管内の真空度、使用する金属の種類等によって、光電効果現象が起こったり、レーザアブレーション現象が起こったりする。

現象面で見ると、光電効果現象は光電子が放出されるだけなので、ミクロに観察しても金属表面に何等変化はない。一方、レーザアブレーション現象は、金属材料が原子、分子、クラスタ等となって金属表面より飛び出していくため、ミクロに観察した場合（XMA等の測定装置で測定した場合を含む。）には程度の差はあれ、金属表面にスポット状の痕跡（損傷）が残ったり、金属膜厚が薄くなったりする。

本発明者は、図１Ａ及び図１Ｂに示すような基板検査装置の実験モデルを作成し、光電効果現象を利用した実験と、レーザアブレーション現象を利用した実験とを行った。被検査基板１０には、上面に上面パターン部１１と、下面に下面パターン部１２と、これら両パターン部を電気的に接続する内層パターン部１３とが形成されている。上面パターン部１１の近傍には、捕捉電極１４ａが配置されている。

下面パターン部１２に対して捕捉電極１４ａが相対的に高い電位となるように、直流電圧印加手段１６が、捕捉電極１４ａと下面パターン部１２との間に接続されている。これにより、電粒子捕捉電極１４と上面パターン部１１の間には、前者が後者に対して高電位となる電界が発生する。

直流電圧印加手段１６の負電極と下面パターン部１２との間に、この回路を流れる電流を測定するための電流検出手段１８と、可変抵抗２０とが、直列に接続されている。ここで、可変抵抗１３の抵抗値を変化させることにより、内層パターン部１３の断線又は損傷状態をシミュレートする。少なくとも、被検査基板１０及び捕捉電極１４ａを含む領域は、真空雰囲気中に配置される。

図１Ａに示すように、レーザ光Ｌを上面パターン部１１に照射して光電効果現象を発生させながら、可変抵抗１３の抵抗値の大きさを変化させたとき、上部パターン１１から荷電粒子（この場合は、光電子）２０が飛び出し、捕捉電極１４ａに捕捉され、この荷電粒子の移動により抵抗値に影響を受けた電流が流れ、電流検出手段１８で感知される。

同様に、図１Ｂに示すように、レーザ光Ｌを上面パターン部１１に照射してレーザアブレーション現象を発生させながら、可変抵抗１３の抵抗値の大きさを変化させたとき、上部パターン１１は局所的に急激に溶融・気化し、その金属材料が原子、分子、クラスタ等となって金属表面より飛び出し、飛び出した原子、分子、クラスタ等は更にレーザ光Ｌに曝されて熱プラズマ化し、電子、イオン等の荷電粒子２０が発生する。荷電粒子（この場合は、電子、マイナス金属イオン等）２０が飛び出し、捕捉電極１４ａに捕捉され、この荷電粒子の移動により抵抗値に影響を受けた電流が流れ、電流検出手段１８で感知される。

ここで、光電効果現象かレーザアブレーション現象かの判断は、金属表面をミクロに観察して変色、痕跡（損傷）、薄膜化の有無によって行っている。なお、光電効果を発生させるレーザ光及びレーザアブレーションを発生させるレーザ光の詳細に関しては、後で、図７Ａ及び図７Ｂに関連して説明する。

これにより、本発明者は、光電効果現象を利用した場合、金属の種類によって相違するが、可変抵抗の抵抗値がほぼ1 ＭΩ（=1×10⁶ Ω）程度であれば判別が可能であるのに対して、レーザアブレーション現象を利用した場合、金属の種類によって相違するが、ほぼ10 ｋΩ(=1×10³ Ω)程度であれば判別が可能であることを発見した。

光電効果現象を利用した基板検査に対して、レーザアブレーション現象を利用した基板検査では、約1000倍の分解能が期待できることが分かった。即ち、本発明に係るレーザアブレーション現象を利用した基板検査装置は、光電効果現象を利用した基板検査装置に比較して、著しく高い分解能を有している。

従って、本発明は、本発明者が基板検査装置にレーザアブレーション現象を利用することを発見したことに基づくものである。更に、光電効果現象を利用した基板検査装置と比較して、レーザアブレーション現象を利用した基板検査装置が著しく高い分解能を有している点は、本発明特有の効果である。

しかし、本発明者は、この実験で発生している現象が、レーザアブレーション現象そのものであるか、或いは他の未知の現象も同時に発生しているのかを確認する迄には至っていない。また、レーザ照射の初期の段階で光電効果も発生していることは容易に推察できる。しかし、レーザ照射後に、ミクロに観察した場合に金属表面にスポット状の痕跡（損傷）が残ったり、金属が薄くなったりした場合には、光電効果現象以外の現象が発生していることは確かなことである。

従って、本出願書類では、「レーザアブレーション」は、主としてレーザアブレーション現象を意味し、更には光電効果以外の何等かの現象を含む場合があることとする。「利用する現象が光電効果現象ではない。」という判断基準は、レーザ照射後に、ミクロに観察した場合にレーザ照射された金属表面にスポット状の痕跡（損傷）が残ったり、金属膜厚が薄くなったりしていることによる。

［基板検査装置］
図２は、基板１０を検査する基板検査装置１の構成の要部を示す概念図である。

基板検査装置１は、捕捉電極１４ａが基板２の第１の検査点１１ｂより高電位になるように、第２の検査点１２ｂと捕捉電極１４ａとの間に所定の電圧を印加する電圧印加手段１６と、第１の検査点１１ｂにレーザ光Ｌを照射してレーザアブレーション現象により荷電粒子を放出させるレーザ照射手段２２と、荷電粒子が捕捉電極１４へ移動することにより発生する電流を検出する電流検出手段１８とを備えている。

基板１０は、例えば、基板ベース１０ａに複数の配線パターンが形成されている。例えば、配線パターン（１１ａ−１３ａ−１２ａ）は、基板ベース１０ａの上面に形成された上面パターン部１１ａと、下面に形成された下面パターン部１２ａと、これら上面パターン部１１ａと下面パターン部１２ａとを電気的に接続するためビアホールを利用して形成された内層パターン部１３ａとで構成されている。他の配線パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ），（１１ｃ−１３ｃ−１２ｃ）等も同様である。ここで、説明の都合上、被検査パターンを配線パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）とし、この上面パターン部１１ｂを「第１の検査点」と呼び、下面パターン部１２ｂを「第２の検査点」と称する。

検査時には、基板１０は、基板位置決め駆動機構（図３の符号４０参照）によって位置決めされ、基板１０の下面側には、下面パターン部１２ｂに対して、検査治具（図３の符号２５参照）に保持された複数本の内の接触子の１本２４ｂが圧接される。

一方、基板１０の上面側には、ハウジング位置決め駆動機構（図３の符号３８参照）によってハウジング２６が圧接される。このハウジング２６は、例えばガラスのような透明な材料で形成された上壁２６ａと、金属，合成樹脂等の任意の剛体で形成された側壁２６ｂと、例えばゴムのような弾性変形可能な部材にて形成された側壁端部２６ｃとから形成され、基板１０の上面の所定範囲を覆うようにキャップ状に形成されている。なお、上壁２６ａの下側には、第１の検査点１２ｂから放出される荷電粒子を捕捉する透明な捕捉電極（「透明電極」ともいう。）１４ａが備えられている。なお、この電極構造に関しては、後で図８に関連して詳しく説明する。

ハウジング位置決め駆動機構によってハウジング２６が基板１０の上面側に圧接されると、側壁２６ｂの端部２６ｃが基板上面に当接して押圧されて変形してパッキンとして機能する。その結果、基板１０の上面及びハウジング２６で取り囲まれる気密な閉空間２８が形成される。この閉空間２８内の空気を減圧するべく、減圧ポンプ３０に接続された配管３０ａがハウジング２６の適所を貫通して、閉空間２８と減圧ポンプ３０との間に接続されている。

電圧印加手段１６は、直流電源を有し、捕捉電極１４と、接触子２４ｂを介して第２の検査点１２ｂとの間に、捕捉電極１４に対して第２の検査点１２ｂ（これは、第１の検査点１１ｂと同電位である。）が高電位となるよう所定の電圧を印加する。複数本の接触子２４ａ〜２４ｃは、各々、複数個のスイッチ３２ａ〜３２ｃの内の対応する１個のスイッチの一端に接続され、各スイッチ３２の他端は相互に接続されて電流計１８を介して直流電源１６に接続されている。なお、これら複数個のスイッチ３２ａ〜３２ｃは、スキャナ３３を構成し、図３に関連して説明するようにテスターコントローラ３４の制御の下、被検査パターンを順次選択し、これに圧接する接触子（例えば、２４ｂ）に接続するスイッチ（例えば、３２ｂ）を閉じ、他の接触子（例えば、２４ａ，２４ｃ）に接続するスイッチ（例えば、３２ａ，３２ｃ）を開くように動作する。

ここで、直流電源１６は、制御部３６（図３参照）からのスイッチ３２の制御信号により、スイッチ３２ｂ，接触子２４ｂを介して第２の検査点１２ｂと、ハウジング２６に形成された捕捉電極１４ａとの間に、所定値の電圧を印加する。

レーザ照射手段２２は、発光部２２ａと、レーザ光走査部２２ｂとを有している。発光部２２ａは、制御部３６（図４のレーザ光照射部３６-3ｂ参照）からの動作指令に従ってレーザ光Ｌを射出し、レーザ光走査部２２ｂは、射出されたレーザ光Ｌを、制御部３６からの動作指令に従って、透明な上壁２６ａ及び捕捉電極１４ａを通って基板１０上の第１の検査点１１ｂに照射する。

発光部２２ａは、好ましくは、波長λが355ｎｍのYAGレーザ光を発光するように構成され、且つ、照射された第１の検査点１１ｂにおいてレーザアブレーション現象が発生する強度のレーザ光を発光するものである。また、発光部２２ａは、好ましくは、Ｑスイッチ素子等を用いてパルス駆動が可能であるように構成されている。詳細は後述するが、発光部２２ａは、レーザ光１パルス当たりの強度0.1〜1.0Ｊ／ｃｍ²、パルス幅約1〜20ｎｓｅｃのレーザ光を、１又は複数回検査点に照射する。この条件でレーザ光を検査点に照射することによって、効果的な検査に用いられるレーザアブレーション現象を誘因することができる。

レーザ光走査部２２ｂは、例えば、ガルバノミラー（ガルバノメータ）を用いて構成されている。ここでは、制御部３６からの動作指令に基づきガルバノミラーを駆動させることにより、発光部２２ａから射出されたレーザ光Ｌを、第１の検査点１１ｂに正確且つ高速に照射することができる。なお、レーザ光走査部２２ｂは、図３に関連して説明するようにテスターコントローラ３４の制御の下、被検査パターンを順次選択し、この被検査パターンの上面パターン部（第１の検査点）１１ａ，１１ｂ又は１１ｃに正確且つ高速に照射する。

電流検出手段１８は、第１の検査点１１ｂから放出された荷電粒子が捕捉電極１４ａへ移動することにより発生する電流を検出する。ここでは、電流検出手段１８は、直流電源１６の一方の端子からハウジング２６の捕捉電極１４ａａ及び被検査配線パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）を介して直流電源１６の他方の端子に戻る導電経路に介挿され、この導電経路を流れる電流値を検出している。具体的には、直流電源１６のプラス（＋）側端子がハウジング２６の捕捉電極１４ａと電気的に接続され、直流電源１６のマイナス（−）側端子が電流計１８，スイッチ３２ｂを介して第２の検査点１２ｂに接続されている。

図３は、基板検査装置１０の電気的構成を示す構成図である。基板検査装置１は、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，モータドライバ等を有して予めＲＯＭに記憶されているプログラムに従って装置全体を制御する制御部３６と、制御部３６からの指示を受け付けてハウジング位置決め駆動機構３８，基板位置決め駆動機構４０及び検査治具位置決め駆動機構４２に対して駆動指令を夫々出力する駆動部４４と、テスターコントローラ３４と、スキャナ３３とを備えている。

基板搬送駆動機構４０は、駆動部４４からの駆動指令を受けて、基板１０をＸ方向（基板幅方向）駆動及びＹ方向（基板奥行き方向）駆動して搬送し、所定の検査位置に位置決めする。

ハウジング位置決め駆動機構３８は、駆動部４４からの駆動指令を受けて、基板１０に対して、ハウジング２６をＸ方向駆動，Ｙ方向駆動，Ｚ方向（基板厚み方向）を回転軸に角度θだけ回転移動させるθ駆動及びＺ方向駆動して、ハウジング２６を基板１０に対して相対的に位置決めする。

検査治具駆動機構４２は、駆動部４４からの駆動指令を受けて、基板１０に対して、複数本の接触子４２を支持する検査治具４１をＸ方向駆動，Ｙ方向駆動，Ｚ方向を回転軸に角度θだけ回転移動させるθ駆動、及びＺ方向駆動して、検査治具２５を基板１０に対して相対的に位置決めし、接触子４２を基板１０に形成された被検査パターンに対して当接又は離間させる。

テスターコントローラ３４は、制御部３６からの検査開始指令を受け付けて、予め記憶されたプログラムに従って、順次選択された基板１０の被検査パターンの下面パターン部（第２検査点）１２に圧接している接触子２４に接続するスイッチ３２を閉じ、他の接触子２４に接続するスイッチ３２を開くように動作する。また、テスターコントローラ３４は、レーザ照射手段２２の発光部２２ａ及び走査部２２ｂに動作指令を出して、順次選択された被検査パターンの上面パターン部(第１検査点)１１に対してレーザ光が照射されるようにする。

図４は、図３の制御部３６の機能構成を示す図である。制御部３６は、例えば、ＣＰＵ等からなり、ハウジング２６によって形成される閉空間２８内の空気圧を設定する圧力設定部３６-1aと、減圧ポンプ３０に対して設定圧力となるように閉空間２８内を減圧する指示情報を出力する減圧部３６-1ｂと、所定の電圧値を設定する電圧設定部３６-2aと、直流電源１６に対してこの所定電圧値の直流電圧を生成するように指示情報を出力する電圧印加部３６-2ｂと、発光するレーザ光の強度を設定する強度設定部３６-3aと、レーザ光照射手段２２に対して設定強度のレーザ光を発光するべく指示情報を出力するレーザ光照射部３６-3ｂと、電流計１８からの検出信号を受け付けて電流値を取得する電流検出部３６-4と、取得された電流値と所定の閾値とを比較して断線又は短絡状態の判定を行う判定部３６-5とを備えている。

圧力設定部３６-1aによって設定される閉空間２８内の空気圧は、例えば、１０^-2気圧程度が望ましい。実験によると、これよりも圧力が高いとレーザアブレーションによって発生する荷電粒子の生成効率が悪い。一方、圧力を低くすればする程、荷電粒子の生成効率は高められるが、減圧に要する時間が増大し、検査時間が長くなる。

減圧部３６-1ｂは、例えば、閉空間２８内に設置する圧力計（図示せず。）から所定時間（例えば、１秒）毎に閉空間２８内の圧力の測定値を取得し、閉空間２８内が設定圧力になるように減圧ポンプ３０に対して減圧指示情報を出力する。

電圧設定部３６-2aによって設定される印加電圧は、例えば、通常の測定を行う場合には約200Ｖ、高精度の測定を行う場合には約400Ｖに設定することが好ましい（図７Ａ，７Ｂ参照）。電圧印加部３６-2ｂは、直流電源１６に対して設定電圧値の直流電圧を生成するべく指示情報を出力する。

強度設定部３６-3aで設定されるレーザ光の発光強度ＰＷは、検査点に照射されるレーザ光照射手段２２からのレーザ光の強度を次の条件を満たすように調整される。通常の測定を行う場合には、検査点に照射されるレーザ光の強度が、１パルス当たり0.4〜0.5Ｊ／ｃｍ²となるように制御し、高精度の測定を行う場合には、１パルス当たり0.6〜1.0Ｊ／ｃｍ²となるように制御され、配線パターンの損傷を最小限とする場合には１パルス当たり0.1〜0.25Ｊ／ｃｍ²となるように制御される（図７Ａ，７Ｂ参照）。本発明で用いられるレーザアブレーション現象を発生させるためには、検査点に照射されるレーザ光の１パルス当たりの強度0.1〜1.0Ｊ／ｃｍ²、パルス幅1〜20nsecに設定される。この条件は、この強度未満でレーザ光の照射を行うと、発生する負荷電粒子の量が少なく、検査を行うに十分でないからであり、この強度を超えると、検査点自体に大きな損傷を与えることになるからである。

尚、図７（ａ）及び（ｂ）では、約100ｋＨｚのレーザ光を用いた場合を示している。レーザ光照射部３６-3ｂは、レーザ光照射手段２２に対して設定強度のレーザ光を発光するよう指示情報を出力する。

電流検出部３６-4は、電流計１８からの検出信号を受け付けて測定電流値ＡＭ（図５参照）を取得する。

判定部３６-5は、取得された測定電流値ＡＭと所定の閾値ＳＨとを比較して断線又は短絡状態の判定を行う。閾値は、例えば、短絡検査を行う場合には閾値ＳＨ1＝2ｍＡに設定され、断線検査を行う場合には閾値ＳＨ2＝4ｍＡに設定されることが好ましい。即ち、判定部３６-5は、短絡検査を行う場合、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ1より小さい場合（ＡＭ＜ＳＨ1）には非短絡（良好）と判定し、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ1以上である場合（ＡＭ≧ＳＨ1）には短絡（不良）と判定する。また、判定部３６-5は、断線検査を行う場合、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ2以上の場合（ＡＭ≧ＳＨ2）には導通（良好）と判定し、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ2未満である場合（ＡＭ＜ＳＨ2）には非導通（不良）と判定する。

［基板検査方法］
図６Ａ，６Ｂ及び６Ｃを参照しながら、この基板検査装置１を用いた基板検査方法について説明する。ここで、図６Ａは、基板検査方法の全体的なフローチャート、図６Ｂは、断線検査処理（図６ＡのＳ１０９）のフローチャート、図６Ｃは、短絡検査処理（図６ＡのステップＳ１１１）のフローチャートである。

図６Ａに示す基板検査方法では、ステップＳ１０１で、検査員の操作によって基板１０を基板検査装置１に搬入する。搬入されるとステップＳ１０３に進む。

ステップＳ１０３で、基板１０が基板載置部９（図２参照）に適当な手段により固定される。

ステップＳ１０５で、基板位置決め駆動機構４０によって、基板１０が所定の検査位置に移動される。

ステップＳ１０７で、ハウジング位置決め駆動機構３８によって、基板１０に対してハウジング２６が所定の位置に移動され上方から圧接される。同時に、検査治具位置決め駆動機構４２によって、基板１０に対して複数本の接触子２４を持つ検査治具２５が所定の位置に移動され下方から圧接される。ハウジング２６が位置決めされた結果、ハウジング２６と基板１０の上面とで取り囲まれる閉空間２８が形成される（図２参照）。また、検査治具２５が位置決めされた結果、接触子２４ａ，２４ｂ，２４ｃの先端部が配線パターンの対応する下面パターン部１２ａ，１２ｂ，１２ｃに夫々圧接され電気的に接続される。

ステップＳ１０９で、断線検査が実行される。この詳細は、図６Ｂを参照されたい。

ステップＳ１１１で、短絡検査が実行される。この詳細は、図６Ｃを参照されたい。なお、所望により、断線検査と短絡検査はどちらを先に実行してもよく、又はいずれか一方の検査を実行してもよい。

ステップＳ１１３で、検査終了に伴い、基板１０からハウジング２６及び検査治具２５を離間させる。

ステップＳ１１５で、基板１０を基板載置部９から取り外し、基板検査装置１から搬出する。

ステップＳ１１７で、基板１０が基板検査装置１から搬出されたことを確認し、終了する。

図６Ｂに示す断線検査処理は、被検査パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）の上部パターン１２ｂと荷電粒子捕捉電極１４ａとの間に電界を形成し、レーザアブレーション現象を利用して上部パターン１１ｂから生じる荷電粒子を捕捉電極１４ａへ移動させることにより、直流電源１６のプラス側端子から捕捉電極１４ａ，被検査パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ），接触子２４ｂ，電流計１８を通って直流電源１６のマイナス側端子へ戻る実質的な閉回路を形成し、電流計１８で測定される電流値で被検査パターンの断線の有無を判定する処理である。

ステップＳ２０１で、１０^-2気圧程度まで閉空間２８内の減圧処理が行われる。

ステップＳ２０３で、被検査パターンが選択される。即ち、テスターコントローラ３４の制御の下、スキャナ３３により被検査パターンが順次選択される。テスターコントローラ３４は、選択された基板１０の被検査パターンの下面パターン部（第２検査点）１２ｂに圧接する接触子２４ｂに接続するスイッチ３２ｂを閉じ、他の接触子２４ａ，２４ｃに接続するスイッチ３２ａ，３２ｃを開く。また、テスターコントローラ３４は、レーザ照射手段２２の走査部２２ｂに動作指令を出して、順次選択された被検査パターンの上面パターン部(第１検査点)１２ｂに対してレーザ光Ｌが照射されるように準備する。

ステップＳ２０５で、被検査パターンの下面パターン部（第２検査点）１３ｂと捕捉電極１４ａとの間に、直流電源１６によって電圧が印加される。これによって、上面パターン部１１ｂと捕捉電極１４ａとの間に電界が発生する。

ステップＳ２０７で、テスターコントローラ３４がレーザ発光部２２ａに動作指令を出すことにより、レーザ照射手段２２により、被検査パターンの上面パターン部（第１検査点）１１ｂに対してレーザ光Ｌが照射される。これにより、第１検査点１１ｂにおいてレーザアブレーション現象が発生し、荷電粒子が生成される。

ステップＳ２０９で、電流値ＡＭを測定する。即ち、レーザ光Ｌが照射されている間、電流計１８によって測定電流値ＡＭ（図５参照）が取得される、ここで、被検査パターンが良好な場合（非断線状態）、上面パターン部１１ｂと捕捉電極１４ａとの間に電界が発生しているので、レーザ光Ｌの照射により生成された荷電粒子の内のマイナスの電荷を帯びたもの（電子を含む。）は捕捉電極１４ａに引き寄せられ捕捉される。この荷電粒子の移動を、電流計１８は電流値ＡＭとして測定することができる。しかし、被検査パターンが不良な場合（断線状態）、上面パターン部１１ｂと捕捉電極１４ａとの間に電界が発生していないので、荷電粒子の移動はほとんど起こらず、電流計１８には僅かな測定電流値ＡＭしか現れない。

ステップＳ２１１で、判定部３６-5により、被検査パターンの断線の有無が判定される。即ち、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ2以上場合には導通（良好）と判定され、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ2未満である場合には非導通（不良）と判定される。

ステップＳ２１３で、全配線パターンの検査が完了したか否かが判定される。全配線パターンの検査が終了していない場合、ステップ２０３に戻り、テスターコントローラ７３の制御の下、次の被検査パターンが選択される。検査が終了している場合、断線検査は終了する。

図６Ｃに示す短絡検査処理は、２本の被検査パターン（１１ａ−１３ａ−１２ａ），（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）の内の一方のパターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）の上部パターン１１ｂと荷電粒子捕捉電極１４ａとの間に電界を形成した場合、両パターン間に短絡が有れば他方のパターン（１１ａ−１３ａ−１２ａ）の上部パターン１１ａと捕捉電極１４ａとの間にも電界が形成されることを利用している。即ち、レーザアブレーション現象を利用して他方のパターンの上部電極１１ａから生じる荷電粒子が捕捉電極１４ａへ移動すれば両パターン間に短絡があり、移動しなければ両パターン間には短絡がないと判定する処理である。

図６Ｃに示す短絡検査処理は、図６Ｂの短絡検査処理とほぼ同様に行われる。相違する点は、次の通りである。

ステップＳ３０１で減圧処理が行われるが、図６Ｂの断線検査で既に減圧処理されている場合は不要である。

ステップＳ３０３で、短絡試験であるため、被検査対象として隣接する２つの被検査パターンとして、例えば（１１ａ−１３ａ−１２ａ），（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）が選択される。

ステップＳ３０５で、一方の被検査パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）に関して、下面パターン部（第２検査点）１２ｂと捕捉電極１４ａとの間に、直流電源１６によって電圧が印加される。これによって、上面パターン部１１ｂと捕捉電極１４ａとの間に電界が発生する。

ステップＳ３０７で、レーザ照射手段２２により、他方の被検査パターン（１１ａ−１３ａ−１２ａ）の上面パターン部（第１検査点）１１ａに対してレーザ光が照射される。ここで、２つの被検査パターンが正常な場合（非短絡状態）、上面パターン部１１ａと捕捉電極１４ａとの間には電界が発生していないので、荷電粒子の移動はほとんど起こらず、電流計１８には僅かな電流値ＡＭしか現れない。反対に、２つの被検査パターンが不良な場合（短絡状態）、上面パターン部１１ａと捕捉電極１４ａとの間にも電界が発生しているので、荷電粒子の内のマイナスの電荷を帯びたものは捕捉電極１４ａに引き寄せられ捕捉される。この荷電粒子の移動を、電流計１８は電流値ＡＭとして測定することができる。

ステップＳ３１１で、判定部３６-5は、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ1より小さい場合には非短絡（良好）と判定し、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ1以上である場合には短絡（不良）と判定する。

ステップＳ３１３で、全ての配線パターンの組合せについて検査が完了したか否かが判定される。

その他のステップに関しては、図６Ｂの断線検査処理の同じようなステップの説明を参照されたい。

図５は、断線検査（図６Ｂ）及び短絡検査（図６Ｃ）における電圧の印加、レーザ光Ｌの照射、電流値測定の動作を示すタイミングチャートである。時刻Ｔ０において、ハウジング２６の荷電粒子捕捉電極１４ａと被検査パターン１１ｂとの間に電圧Ｖ０が印加される。時刻Ｔ１から時刻Ｔ２の間（ＴＬの期間）レーザ光照射手段２２からレーザ光Ｌが被検査配線パターンの上面パターン１１ｂに照射される。時刻Ｔ１からレーザアブレージョン現象が起りはじめるが、レーザアブレージョン現象によって流れる電流値ＡＭは安定するまでに所定の時間を要するため、例えば、時刻Ｔ１から所定時間ＴＬＭ経過後の時刻ＴＭで安定した電流値ＡＭを、電流計１８により取得することが好ましい。或いは、電荷出力をそれに比例した低インピーダンス電圧信号に調整する増幅器であるチャージアンプを使用してもよい。

図７Ａ，７Ｂは、断線検査（図６Ｂ）及び短絡検査（図６Ｃ）におけるレーザ光の強度ＰＷと、測定電流値ＡＭとの関係を示す図表である。図７Ａにおいて、横軸は、レーザ光の強度ＰＷであり、縦軸は測定電流値ＡＭである。レーザ光ＬとしてYAGレーザを使用し、波長は３倍波355ｎｍを使用する。３本のグラフＧ１，Ｇ２，Ｇ３は、それぞれ、直流電源７６によって印加される電圧Ｖ０が400，200，100Ｖの場合である。

図７Ａ，７Ｂに示すように、レーザ光の強度ＰＷが約20ｋＷ／ｃｍ²以上の場合に、上面パターン部２１１ａの表面でレーザアブレージョン現象が発生し、測定電流値ＡＭが、レーザ光の強度ＰＷ及び印加電圧Ｖ０が大きい程大きくなる。従って、測定電流値ＡＭを大きくするためには、レーザ光の強度ＰＷ及び印加電圧Ｖ０の少なくともいずれか一方を増大すればよい。
［基板検査装置の電極構造］
次に、図２の基板検査装置１の捕捉電極１４ａの具体的構造に関して説明する。
（透明電極）
図８に示す電極構造は、透明電極１４ａを用いたことを特徴とする。この透明電極１４ａは、発光部２２ａからのレーザビームＬを透過させることができるとともに、所定の電圧が印加されて後述する荷電粒子を捕捉する。このような機能を有するものとして、例えばインジウム酸化第一錫（ITO indium tin oxide）を用いることができる。

この透明電極１４ａは、基板１０の第１の検査点１１ｂの上方を大きく覆う位置に配置する。例えば、図８に示す場合には、被検査基板１０の第１の検査点を覆うハウジングの上壁２６ａの一部で上壁２６ａ面を覆うように形成されている。この図８では、ハウジングの上壁２６ａの一部に形成されているが、ハウジングの側壁の一部に形成されても良いし、上壁及び側壁を一体とする一体型として形成されても良い。

尚、このように一体型の透明電極として用いる場合には、まずハウジングを形成し、このハウジングの内側表面に当接するように透明電極を取り付けることで効率良く配置することができる。

このITOの透明電極１４ａを用いる場合には、レーザビームＬとしてYAGレーザの３倍波355ｎｍを用いる。この３倍波のYAGレーザは、ITO透明電極１４ａ中を殆ど消耗することなく通過することができる。

このITOの透明電極１４ａを用いる際に、透明電極１４ａ自体の強度が問題となる場合がある。このような場合には、図８で示す如く、レーザビームＬに対して透過性の高い透明基材の窓を補強材として設けることができる。

この透明基材の窓は、例えば、石英ガラスを例示することができるが、特に限定されるものではなく、レーザビームＬを十分に透過させることができ、且つ、強度を十分に有している素材であれば構わない。

第１検査点１１ｂの上方に全面又は部分的に透明電極１４ａを配置することにより、第１検査点１１ｂから上方に向かって飛び出す荷電粒子の捕捉効率を上げることができる。この結果、透明電極１４ａでは印加電圧を比較的低くすることができる。

また、透明電極１４ａが配置される位置は、第１検査点１１ｂの実質的に上方であれば、具体的な位置は任意であるが、できるだけ第１検査点１１ｂの近傍であることが好ましい。

更に、図に示していないが、発生した荷電粒子を捕捉電極１４ａに向けて加速する磁界発生手段を設けてもよい。レーザ光Ｌが第１検査点１１ｂを照射して局所的に急激に溶融・気化し、その金属材料が原子、分子、クラスタ等となって金属表面より飛び出し、更にレーザ光Ｌに曝されて熱プラズマ化し、電子、イオン等の荷電粒子が発生する。飛び出した荷電粒子（この場合は、電子、マイナスイオン等）を、捕捉電極１４ａに向けて加速する向きの磁界発生手段（例えば、電磁石）を、閉空間の近傍に配置することにより、この荷電粒子の移動は一層加速され、捕捉電極１４ａによる荷電粒子の捕捉効率が向上する。

本実施形態によれば、光電効果現象を利用した場合に比較して、レーザアブレーション現象を利用すると大量のマイナス荷電粒子（電子を含む。）が発生し、基板試験装置として著しく高い分解能が得られる。

更に、レーザアブレーション現象では、マイナス荷電粒子のみならず、プラスの荷電粒子も発生して、マイナス荷電粒子と再結合するおそれがあるが、基板１０の第１検査点１１ｂの上方に大きく透明電極１４ａを配置することにより、第１検査点１１ｂから上方に向かって飛び出すマイナス荷電粒子を、阻害（再結合）されることなく、有効に捕捉することができる。
［その他］
以上、本発明の実施形態について説明したが、これらは本発明の技術的範囲を限定するものではない。本発明は、本実施形態に対して当業者が容易になし得る付加・削除・変換・改良を含むものである。

例えば、本発明は以下の形態をとることができる。

(A)実施形態においては、レーザ光照射手段２２が紫外線領域のレーザ光Ｌを発光する場合について説明したが、レーザ光Ｌが被検査パターンに対してレーザアブレーション現象を発生させることが出来る限り、その他の領域（例えば、可視光領域、赤外線領域）のレーザ光Ｌを発光する形態でもよい。

(B)実施形態においては、直流電源１６が捕捉電極１４ａを下面パターン部１１ｂより高電位となるように電圧を付与する場合について説明した。しかし、反対に、捕捉電極１４ａを下面パターン部１１ｂより低電位となるように電圧を付与する形態でもよい。この場合には、レーザアブレージョンによって生成されたプラス荷電粒子が捕捉電極１４ａに移動し、この移動を電流検出手段１８が検出する。

(C)実施形態においては、基板１０の上面の所定箇所を取り囲むハウジング２６によって、気密な閉空間２８を形成しているが、基板検査装置１の全体を減圧された空間内に配置してもよい。この場合には、ハウジング２６によって局所的な気密な閉空間２８を形成する必要はない。

従って、本発明の技術的範囲は、添付の特許請求の範囲の記載によって定められる。

図１Ａは、光電効果現象を利用した基板検査装置の実験モデルを示す図である。 図１Ｂは、レーザアブレーション現象を利用した基板検査装置の実験モデルを示す図である。 図２は、基板を検査する基板検査装置の構成の要部を示す概念図である。 図３は、図２の基板検査装置の電気的構成を示す構成図である。 図４は、図３の制御部の機能構成を示す図である。 図５は、断線検査（図６Ｂ）及び短絡検査（図６Ｃ）における電圧の印加、レーザ光Ｌの照射、電流値測定の動作を示すタイミングチャートである。 図６Ａは、図２の基板検査装置で行われる基板検査方法の全体的なフローチャートである。 図６Ｂは、図６ＡのステップＳ１０９に示す断線検査処理のフローチャートである。 図６Ｃは、図６ＡのステップＳ１１１に示す短絡検査処理のフローチャートである。 図７Ａは、断線検査（図６Ｂ）及び短絡検査（図６Ｃ）におけるレーザ光の強度ＰＷと測定電流値ＡＭとの関係を示す図である。 図７Ｂは、断線検査（図６Ｂ）及び短絡検査（図６Ｃ）におけるレーザ光の強度ＰＷと測定電流値ＡＭとの関係を示す表である。 図８は、図２の基板検査装置の捕捉電極として、透明電極を用いた電極構造を示す図である。

符号の説明

１：基板検査装置、 １０：被検査基板，基板、 １０ｂ：基板ベース、 １１ｂ：第１の検査点、 １２ｂ：第２の検査点、 １１ａ−１３ａ−１２ａ，１１ａ−１３ａ−１２ａ，１１ａ−１３ａ−１２ａ：配線パターン、 １１：上面パターン部、 １２：下面パターン部、 １３：内層パターン部、 １３：可変抵抗、 １４ａ：捕捉電極，透明電極、 １６：直流電圧印加手段，電圧印加手段，直流電源、 １８：電流検出手段，電流計、 ２０：荷電粒子、 ２２：レーザ照射手段、 ２２ａ：レーザ照射部、 ２２ｂ：レーザ走査部，ガルバノメータ、 ２４，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ：接触子、 ２５：検査治具、 ２６：ハウジング、 ２６ａ：上壁、 ２６ｂ：側壁、 ２６ｃ：端部、 ２８：閉空間、 ３０：減圧ポンプ、 ３２，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ：スイッチ、 ３３：スキャナ、 ３４：テスターコントローラ、 ３６：制御部、 ３６-1ａ：圧力設定部、 ３６-1ｂ：減圧部、 ３６-2ａ：電圧設定部、 ３６-2ｂ：電圧印加部、 ３６-3ａ：強度設定部、 ３６-3ｂ：レーザ光照射部、 ３６-4：電流検出部、 ３６-5：判定部、 ３８：ハウジング位置決め駆動機構、 ４２：検査治具駆動機構、 ４４：駆動部、 ４６；光導電物質、 ４８：磁界発生手段、 ５０：導電性ガス導入手段、
ＡＭ：測定電流値、 Ｌ：レーザ光、 ＳＨ，ＳＨ1，ＳＨ2：閾値、 Ｖ0：印加電圧、

Claims (10)

1. 被検査基板に形成された複数の配線パターンの良否を、該被検査基板の表面に形成された該配線パターンの第１の検査点と、該被検査基板の裏面に形成された該配線パターン上の第２の検査点との間の電気的特性によって検査する基板検査装置において、
   配線パターン上の第１の検査点に、レーザアブレーション現象を発生させるレーザ光を照射して荷電粒子を放出させるレーザ光照射手段と、
   第１の検査点から放出された荷電粒子を捕捉する捕捉電極と、
   前記捕捉電極と第２の検査点との間に、該捕捉電極が第１の検査点より高電位になるように所定の大きさの電圧を印加する電圧印加手段と、
   前記電圧印加手段に直列に接続され、前記捕捉電極と第２の検査点の間を流れる電流の値を検出する電流検出手段とを備え、
   前記捕捉電極は、前記レーザ光照射手段と前記被検査基板との間に配置された透明電極である、基板検査装置。
2. 被検査基板に形成された複数の配線パターンの良否を、該被検査基板の表面に形成された該配線パターンの第１の検査点と、該被検査基板の裏面に形成された該配線パターンの第２の検査点との間の電気的特性によって検査する基板検査装置において、
   配線パターン上の第１の検査点に、レーザ光１パルス当たりの強度0.1Ｊ／ｃｍ²以上、パルス幅1〜20ｎｓｅｃのレーザ光を１又は複数回照射して荷電粒子を放出させるレーザ光照射手段と、
   第１の検査点から放出された荷電粒子を捕捉する捕捉電極と、
   前記捕捉電極と第２の検査点との間に、該捕捉電極が第１の検査点より高電位になるように所定の大きさの電圧を印加する電圧印加手段と、
   前記電圧印加手段に直列に接続され、前記捕捉電極と第２の検査点の間を流れる電流の値を検出する電流検出手段とを備え、
   前記捕捉電極は、前記レーザ光照射手段と前記被検査基板との間に配置された透明電極である、基板検査装置。
3. 請求項２記載に基板検査装置において、更に、
   前記レーザ光照射手段が前記検査点に照射するレーザ光の１パルス当たりの強度が1.0Ｊ／ｃｍ²以下である、基板検査装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板検査装置において、更に、
   磁界発生手段を備え、
   前記磁界発生手段は、前記第１の検査点から放出された荷電粒子を前記捕捉電極に向けて加速する磁場を形成している、基板検査装置。
5. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板検査装置において、更に、
   ハウジングを備え、
   前記ハウジングは、少なくとも、前記被検査基板及び前記捕捉電極を取り囲む減圧された閉空間を形成し、
   前記透明電極は、前記ハウジングの少なくとも一部分として形成されている、基板検査装置。
6. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板検査装置において、
   前記透明電極は、インジウム酸化第一錫からなる、基板検査装置。
7. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板検査装置において、
   前記透明電極は、ガラス板に取り付けられている、基板検査装置。
8. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板検査装置において、
   前記レーザ光照射手段は、波長355ｎｍのレーザ光を照射する、基板検査装置。
9. レーザアブレーション現象を利用した非接触方式の基板検査装置に使用される電極であって、
   レーザ光を透過する機能と、
   レーザ照射により被検査基板のパターンから放出される荷電粒子を捕捉する機能とを備えた電極。
10. 請求項９に記載の電極において、
    前記電極は、インジウム酸化第一錫からなる、電極。

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