JP2007194458A - ザッピング回路 - Google Patents
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 8
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 4
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 101100084902 Mus musculus Psmd14 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150057849 Padi1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/301—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in MOSFET amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/3432—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with bipolar transistors
- H03F3/3435—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with bipolar transistors using Darlington amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/93—Two or more transistors are coupled in a Darlington composite transistor configuration, all transistors being of the same type
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
【課題】従来の電流調整回路では、ツェナーダイオードをザッピングする素子として高耐圧のバイポーラトランジスタを用いることで、ICチップ面積を効率的に利用できないという問題があった。
【解決手段】本発明のザッピング回路では、ザッピング素子として、ポリシリコン膜またはタングステンシリコン膜からなる抵抗5〜9が用いられる。抵抗5〜9の一部あるいは全部を溶断するドライバー素子として低耐圧のMOSトランジスタ10〜14が用いられる。そして、MOSトランジスタ10〜14を用いることで、ザッピング用のドライバー素子の形成領域を縮小することができ、ICチップ面積を小さくすることができる。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のザッピング回路では、ザッピング素子として、ポリシリコン膜またはタングステンシリコン膜からなる抵抗5〜9が用いられる。抵抗5〜9の一部あるいは全部を溶断するドライバー素子として低耐圧のMOSトランジスタ10〜14が用いられる。そして、MOSトランジスタ10〜14を用いることで、ザッピング用のドライバー素子の形成領域を縮小することができ、ICチップ面積を小さくすることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、抵抗の一部あるいは全部を溶断することで抵抗値を変動させ、回路特性を調整するザッピング回路に関する。
従来の電流調整回路では、例えば、ツェナーダイオードに所定レベル以上の電圧を印加することでツェナーダイオードをザッピングし、基準電流を調整する。そして、基準電流を調整することで、発振周波数等の回路特性を高い精度で調整することができる。図4に示す如く、従来の電流調整回路の一実施例として、バイポーラトランジスタとツェナーダイオードとを利用した回路がある。例えば、電流供給トランジスタ41〜46では、コレクタが並列接続され、エミッタが接地され、ベースがスイッチ回路47〜52と接続している。スイッチ回路47〜52は、ザッピング用のツェナーダイオードを含む。そして、スイッチ回路47〜52では、端子パッドPad1〜Pad6を介して所定のレベル以上の電圧がツェナーダイオードに印加され、ツェナーダイオードの破壊、あるいは非破壊状態に応じて信号を出力する(例えば、特許文献1参照。)。
従来のトリミング回路では、アナログ集積回路の製造精度の限界により生ずる素子誤差を、製造工程の最終段階で補正する一つ手段として、ツェナーザップトリミングという調整方法が知られている。具体的には、ツェナーダイオードに対して逆方向にある一定エネルギー以上の電流パルスを印加したとき、そのツェナーダイオードは破壊され永久的に短絡する。そして、この現象を利用した、いわば1回限り書き込み可能な不揮発性のオンスイッチを用いるものである。このトリミング回路において、パッケージ封止後にザッピングを可能とするため、バイアス電流源、ザッピングスイッチトランジスタ、ザッピングスイッチトランジスタのオン動作、あるいは、オフ動作を決めるスイッチ及びスイッチを制御するためのデコーダ回路を備えている。このとき、ツェナーダイオードをザッピングする際には、数十ボルトの電圧が印加され、ザッピングスイッチトランジスタとして高耐圧トランジスタが必要となる。そのため、ザッピングスイッチトランジスタは、直列に縦積みして耐圧を稼いでいる。また、3段のダーリントン構成によるザッピングスイッチトランジスタを用いることで、制御回路の小さい駆動電流から大きな電流パルスをコントロールしている(例えば、特許文献2参照。)。
特開2002−261243号公報(第2−4頁、第1−3図)
特開平6−140512号公報(第6−10頁、第1−5図)
上述したように、従来の電流調整回路では、ツェナーダイオードをザッピングする際に端子パッドを用いるため、ザッピング工程は、パッケージ封止前のウエハの状態で行っている。そのため、樹脂モールド時におけるICチップと樹脂間との応力により、調整された回路特性が変化してしまう問題が発生する。そして、端子パッドの全てをリードとしてパッケージから導出させることは、ピン数を増大させ、非経済的である。そのため、パッケージ形成後には、変化した回路特性を、再び、ザッピングにより調整することが出来ないという問題が発生する。
また、従来の電流調整回路では、パッケージ封止前のウエハの状態において、ツェナーダイオードをザッピングし、回路特性を調整している。そのため、ICチップのユーザー側、例えば、セットメーカーでは、アセンブリ後の最終的な製品形態に近い状態での回路特性のばらつきを含めた総合特性を調整できないという問題が発生する。
一方、従来のトリミング回路では、ツェナーダイオードをザッピングする際のザッピングスイッチトランジスタを複数形成する必要がある。そのため、ICチップ上に、ツェナーダイオードをザッピングするために必要な回路規模が大きくなり、ICチップ面積を小さくできないという問題が発生する。
上述した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明のザッピング回路では、電源回路に接続された抵抗と、前記抵抗に電流を供給するトランジスタとを有し、前記トランジスタは、前記抵抗の一部あるいは全部を溶断する電流能力を有することを特徴とする。従って、本発明では、低電流、低電圧で溶断可能な抵抗を用いることで、ザッピング用のドライバー素子の形成領域を小さくできる。そして、ICチップ面積を小さくできる。
また、本発明のザッピング回路では、前記トランジスタはMOSトランジスタであることを特徴とする。従って、本発明では、ザッピング用のドライバー素子としてMOSトランジスタを用いることで、ドライバー素子の形成領域を小さくできる。
また、本発明のザッピング回路では、前記MOSトランジスタの動作を制御するコントロール回路とを有し、前記MOSトランジスタは、前記コントロール回路からの制御信号に基づき動作することを特徴とする。従って、本発明では、ICチップをパッケージングした後も、抵抗の一部あるいは全部をザッピングすることができる。
また、本発明のザッピング回路では、前記電源回路には複数の前記抵抗と複数の前記MOSトランジスタとがそれぞれ一対となり、並列接続され、前記コントロール回路からの制御信号に基づき、前記MOSトランジスタが選択的にオン動作することを特徴とする。従って、本発明では、選択的にMOSトランジスタをオン動作させることで、選択的に抵抗の一部または全部をザッピングすることができる。
また、本発明のザッピング回路では、前記抵抗の抵抗値の変動を検知するセンス回路とを有することを特徴とする。従って、本発明では、センス回路により、抵抗の抵抗値の変動を検知し、その検出結果を利用し、回路特性を調整することができる。
また、本発明のザッピング回路では、前記抵抗は、ポリシリコン膜またはタングステンシリコン膜で形成されていることを特徴とする。従って、本発明では、ポリシリコン膜またはタングステンシリコン膜により、低電流、低電圧で一部あるいは全部が溶断される抵抗を形成することができる。
また、本発明のザッピング回路では、前記抵抗は、10Ω〜1kΩの抵抗値を有することを特徴とする。従って、本発明では、所望の電流能力を有するMOSトランジスタにより抵抗をザッピングすることができる。
本発明では、ポリシリコン膜、タングステンシリコン膜等により抵抗が形成され、トランジスタから供給される電流により、抵抗の一部あるいは全部が溶断される。そして、抵抗の長さや幅を調整することで、ザッピングに必要な電流値や電圧値が任意に設定される。
また、本発明では、低電流、低電圧でその一部あるいは全部が溶断される抵抗を用いることで、ドライバー素子としてMOSトランジスタを利用できる。この回路構成により、ドライバー素子の形成領域を縮小でき、ICチップ面積を小さくできる。
また、本発明では、ザッピング用のドライバー素子であるMOSトランジスタを制御するコントロール回路を有する。この回路構成により、ウエハ状態、樹脂モールド後、最終的な製品形態に近い状態での回路特性試験の結果に基づき、抵抗の一部あるいは全部を溶断でき、回路特性を調整することができる。
また、本発明では、ICチップに内蔵されるコントロール回路により、ドライバー素子であるMOSトランジスタを制御する。そして、コントロール回路への信号は、パッケージから導出するリードから入力される。この回路構成により、信号入力用のリード数が低減され、パッケージから導出するリード数を低減することができる。
以下に、本発明の一実施の形態である電流調整回路について、図1〜図3を参照し、詳細に説明する。図1は、本実施の形態であるスイッチ回路を説明する回路図である。図2は、本実施の形態である電流調整回路を説明する回路図である。図3(A)及び(B)は、本実施の形態であるセンス回路を説明する回路図である。
図1に示す如く、スイッチ回路1は、ザッピング用電源回路(供給側)2、コントロール回路3、センス回路4、ザッピング用の抵抗5〜9、ドライバー用のMOSトランジスタ10〜14から構成されている。
ザッピング用電源回路2には、ドライバー用のMOSトランジスタ10〜14のドレイン電極が接続している。ザッピング用電源回路2からはザッピング電位が供給される。ザッピング電位とは、抵抗5〜9の抵抗値に大きな変動を与える際に必要とされる電位であり、抵抗5〜9との関係により、任意の設定が可能である。また、MOSトランジスタ10〜14のゲート電極はコントロール回路3と接続している。MOSトランジスタ10〜14は、コントロール回路3からの制御信号に基づきオン動作あるいはオフ動作する。また、MOSトランジスタ10〜14のソース電極は抵抗5〜9と接続している。
コントロール回路3は、MOSトランジスタ10〜14のオン動作及びオフ動作を制御する回路である。コントロール回路3は、ICチップ内に内蔵できる素子、例えば、Nチャネル型MOSトランジスタ、Pチャネル型MOSトランジスタ、NPN型トランジスタ、PNP型トランジスタ等から構成されている。そして、コントロール回路3には、樹脂モールドした後に露出するリードの1つから、選択的にMOSトランジスタ10〜14をオン動作させる信号が入力される。コントロール回路3では、入力信号を復調し、変調し、ザッピングする抵抗5〜9と接続するMOSトランジスタ10〜14をオン動作させる。そして、オン動作したMOSトランジスタ10〜14と接続した抵抗5〜9には所望の電流が流れ、抵抗の一部あるいは全部が溶断することで、その抵抗値は大きく変動する。
センス回路4は、抵抗5〜9の抵抗値の大きな変動、あるいは抵抗5〜9の抵抗値の非変動の状態を検知する。具体的には、センス回路4は、抵抗5〜9の抵抗値が大きく変動した場合には、低電位(GND電位、あるいはGND電位に近い電位)を検知する。一方、抵抗5〜9の抵抗値が非変動の場合には、高電位(ザッピング電位、あるいはザッピング電位に近い電位)を検知する。
抵抗5〜9は、例えば、ポリシリコン膜やタングステンシリコン膜等により形成されている。抵抗5〜9としては導電材料から形成されていれば良いが、MOSトランジスタ10〜14のゲート電極と同一材料とすることで、製造工程を簡略化することができる。そして、抵抗5〜9の抵抗値は、それぞれ、例えば、10(Ω)〜1(kΩ)となるように形成されている。例えば、抵抗5〜9の抵抗値が10(Ω)より小さい場合には、抵抗5〜9をザッピングする際の電流値が大きくなる。そのため、所望の電流容量に応じてMOSトランジスタサイズが大きくなり、チップサイズの縮小化が難しくなるからである。また、例えば、抵抗5〜9の抵抗値が1(kΩ)より大きい場合には、抵抗5〜9をザッピングする際の電位が大きくなる。そのため、高耐圧のMOSトランジスタを形成する必要が生じ、MOSトランジスタサイズが大きくなり、チップサイズの縮小化が難しくなるからである。
本実施の形態では、通常動作時には、MOSトランジスタ10〜14をオフ動作とし、抵抗5〜9をザッピングする際に、選択的にMOSトランジスタ10〜14をオン動作させる。そのため、抵抗5〜9は、MOSトランジスタ10〜14から供給される電流により、一部あるいは全部が溶断するように、その膜厚T、幅W、長さL等が設計される。
例えば、抵抗5〜9がMOSトランジスタのゲート電極と同一工程で形成される場合、膜厚は一定値となり、幅Wを0.3〜8.0(μm)、長さLを1.0〜20.0(μm)の範囲で、抵抗5〜9は任意に設計される。そして、抵抗5〜9がポリシリコン膜から形成されている場合、抵抗5〜9の幅Wが0.6(μm)以下、長さLが2.0(μm)以下となると、幅Wの減少に対してザッピング電圧が大きくなり、長さLの減少に対してはザッピング電流が大きくなってしまう。そこで、抵抗5〜9の幅Wが0.6(μm)、長さLが2.0(μm)の場合が、ザッピング電流及びザッピング電圧が最も小さくなる。そして、ザッピング電流が小さくなることで、MOSトランジスタ10〜14のサイズも小さくでき、ICチップ面積を小さくできる。
MOSトランジスタ10〜14は、コントロール回路3からの信号に基づき、選択的にオン動作する。そして、MOSトランジスタ10〜14のオン動作により、抵抗5〜9には所定の電流が流れ、抵抗5〜9の一部あるいは全部は溶断され、その抵抗値を大きく変動させる。
図2に示す如く、電流調整回路15は、上述したように、MOSトランジスタ10〜14を選択的にオン動作させ抵抗5〜9(図1参照)に所望の電流を流し、抵抗5〜9の抵抗値を大きく変動させることで、基準電流Iを調整する。基準電流Iは、電流供給トランジスタ16〜20の合成電流である。そして、電流供給トランジスタ16〜20から発生された調整済みの基準電流Iは、PNP型トランジスタ21、22より構成された第1のカレントミラー回路によって伝達される。その後、調整済みの基準電流Iは、NPN型トランジスタ23〜26により構成された第2のカレントミラー回路によって電流極性が反転された後に、複数の電圧制御型発振回路(以下、VCOと呼ぶ)1、VCO2、VCO3に同時に供給される。
図3(A)に示すNPNトランジスタを用いたセンス回路は、図1に示す抵抗5の抵抗値の変動、あるいは、非変動の状態を検知する場合の回路構成例である。尚、他の抵抗6〜9の溶断、あるいは、非溶断の状態を検知する場合も同様の回路構成である。
コントロール回路3(図1参照)からの制御信号によりMOSトランジスタ10をオン動作させ、抵抗5にMOSトランジスタ10からの電流を供給すると、抵抗5はその一部、あるいは全部が溶断され、接点Xの電位はザッピング電位となる。すると、NPN型トランジスタ27のベース電位は抵抗分割により所定のレベルに設定されているので、NPNトランジスタ27はオンする。これにより、NPN型トランジスタ28はオフするので、電流源Isからの電流は、NPN型トランジスタ29に流れるようになり、カレントミラーを構成する電流供給トランジスタ16に電流I1が流れる。
一方、MOSトランジスタ10をオン動作させず、抵抗5が非溶断(抵抗値の非変動)状態では、接点Xの電位は接点Yの電位より下降する。すると、NPN型トランジスタ27がオフすることにより、NPN型トランジスタ28のベース電位が電源Vccレベルに上昇し、NPN型トランジスタ28がオンする。これにより、電流源Isからの電流はNPN型トランジスタ28に流れ込むため、NPN型トランジスタ29に電流は流れない。従って、出力のNPN型トランジスタ29と共にカレントミラーを構成している電流供給トランジスタ16には電流は流れない。
従って、コントロール回路3からの制御信号によりMOSトランジスタ10〜14を制御し、抵抗5〜9を選択的にザッピングすることにより、基準電流Iを高精度に調整することが可能になる。
尚、図3(B)に示すように、図3(A)の説明で用いたNPN型トランジスタをNチャネル型のMOSトランジスタに置き換えた場合でも、同様な回路動作が得られる。このとき、電流供給トランジスタ16〜20もNチャネル型のMOSトランジスタに置き換える。この場合には、Nチャネル型のMOSトランジスタを用いることで、センス回路4を形成する領域も縮小し、ICチップ面積も縮小できる。
上述したように、本実施の形態では、ザッピング素子として抵抗5〜9が用いられ、ザッピング用のドライバー素子として低耐圧のMOSトランジスタ10〜14が用いられる。これは、ドライバー素子としてツェナーダイオードが用いられる場合と比較して、抵抗5〜9は、低電圧、低電流により、その一部あるいは全部が溶断されることが可能だからである。そして、低耐圧のMOSトランジスタ10〜14は、高耐圧のバイポーラトランジスタと比較すると、素子形成領域が小さい。具体的には、ツェナーダイオードが高耐圧のバイポーラトランジスタによりザッピングされる場合と比較すると、ドライバー素子の形成領域が1/5以下に縮小される。
例えば、同一のICチップ面積において、ドライバー素子が高耐圧のバイポーラトランジスタから低耐圧のMOSトランジスタに換えることで、ICチップの素子形成領域が効率的に利用される。そして、メモリの形成領域が増大し、メモリ容量が10(bit)程度から100(bit)程度に増大される。
尚、高耐圧のバイポーラトランジスタに換えてパッドが用いられる場合においても、同様に、低耐圧のMOSトランジスタの形成領域はパッド面積よりも縮小される。その結果、ICチップの素子形成領域が効率的に利用される。また、例えば、高耐圧のバイポーラトランジスタは、ツェナーダイオードをザッピングするために必要な電圧、電流を供給するため、20(V)程度の耐圧特性を有するトランジスタである。一方、低耐圧のMOSトランジスタは、ポリシリコン膜等からなる抵抗をザッピングするために必要な電圧、電流を供給するため、10(V)以下の耐圧特性を有するトランジスタである。
また、抵抗5〜9が用いられることで、ドライバー素子として、低耐圧のMOSトランジスタ10〜14の利用が可能となる。そして、低耐圧のMOSトランジスタ10〜14は、その形成領域(面積)が小さく、電圧制御素子であるため消費電力も少ない。このため、同一のICチップ内に形成されるコントロール回路3により、MOSトランジスタ10〜14の動作を制御することができる。その結果、例えば、ICチップを樹脂モールドする際の樹脂応力等により回路特性が変化した場合でも、その後、回路特性試験を行い、抵抗5〜9をザッピングし回路特性を調整することができる。また、アセンブリ後の最終的な製品形態に近い状態での回路特性試験においても同様である。つまり、コントロール回路3によりMOSトランジスタ10〜14の動作を制御することで、任意のタイミングで抵抗5〜9をザッピングでき、回路特性を調整することができる。特に、セットメーカーでは、その他の部品の特性にずれが生じた場合でも、コントロール回路3を有するICチップにより、ずれを補正することができる。その結果、許容範囲の大きい部品を購入した場合でもアセンブリ後の調整が可能となり、購入費用を低減しても、製品品質を保つことができる。
尚、上述したように、本実施の形態では、抵抗をザッピングする素子としてMOSトランジスタを用いる場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、抵抗をザッピングする素子としてバイポーラトランジスタを用いる場合でもよい。抵抗は低電流、低電圧によりザッピングすることが可能なため、バイポーラトランジスタを用いた場合でも、素子サイズを小さくすることができる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
1 スイッチ回路
2 ザッピング用電源回路
3 コントロール回路
4 センス回路
5 抵抗
10 MOSトランジスタ
16 電流供給トランジスタ
2 ザッピング用電源回路
3 コントロール回路
4 センス回路
5 抵抗
10 MOSトランジスタ
16 電流供給トランジスタ
Claims (7)
- 電源回路に接続された抵抗と、
前記抵抗に電流を供給するトランジスタとを有し、
前記トランジスタは、前記抵抗の一部あるいは全部を溶断する電流能力を有することを特徴とするザッピング回路。 - 前記トランジスタはMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載のザッピング回路。
- 前記MOSトランジスタの動作を制御するコントロール回路とを有し、
前記MOSトランジスタは、前記コントロール回路からの制御信号に基づき動作することを特徴とする請求項2に記載のザッピング回路。 - 前記電源回路には複数の前記抵抗と複数の前記MOSトランジスタとがそれぞれ一対となり、並列接続され、前記コントロール回路からの制御信号に基づき、前記MOSトランジスタが選択的にオン動作することを特徴とする請求項3に記載のザッピング回路。
- 前記抵抗の抵抗値の変動を検知するセンス回路とを有することを特徴とする請求項4に記載のザッピング回路。
- 前記抵抗は、ポリシリコン膜またはタングステンシリコン膜で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のザッピング回路。
- 前記抵抗は、10Ω〜1kΩの抵抗値を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のザッピング回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006012141A JP2007194458A (ja) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | ザッピング回路 |
CNA2006101435701A CN101005069A (zh) | 2006-01-20 | 2006-11-09 | 熔断电路 |
TW096100281A TW200729406A (en) | 2006-01-20 | 2007-01-04 | Zapping circuit |
US11/620,250 US20070171589A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-01-05 | Zapping Circuit |
KR1020070003740A KR20070077066A (ko) | 2006-01-20 | 2007-01-12 | 재핑 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006012141A JP2007194458A (ja) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | ザッピング回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007194458A true JP2007194458A (ja) | 2007-08-02 |
Family
ID=38285297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006012141A Pending JP2007194458A (ja) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | ザッピング回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070171589A1 (ja) |
JP (1) | JP2007194458A (ja) |
KR (1) | KR20070077066A (ja) |
CN (1) | CN101005069A (ja) |
TW (1) | TW200729406A (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2182551A1 (en) * | 2008-10-29 | 2010-05-05 | ABB Research Ltd. | Connection arrangement for semiconductor power modules |
US8186226B2 (en) * | 2009-12-09 | 2012-05-29 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor with on-board compensation |
CN102163604B (zh) * | 2010-02-23 | 2012-05-23 | 上海贝岭股份有限公司 | 一种电阻修正电路 |
US8656772B2 (en) | 2010-03-22 | 2014-02-25 | Honeywell International Inc. | Flow sensor with pressure output signal |
US8616065B2 (en) | 2010-11-24 | 2013-12-31 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor |
US8695417B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-04-15 | Honeywell International Inc. | Flow sensor with enhanced flow range capability |
JP2013211618A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 複合トランジスタ |
US9003897B2 (en) | 2012-05-10 | 2015-04-14 | Honeywell International Inc. | Temperature compensated force sensor |
US8837252B2 (en) | 2012-05-31 | 2014-09-16 | Atmel Corporation | Memory decoder circuit |
US9052217B2 (en) | 2012-11-09 | 2015-06-09 | Honeywell International Inc. | Variable scale sensor |
US9805964B2 (en) * | 2016-03-14 | 2017-10-31 | Applied Materials Israel Ltd. | System and method for multi-location zapping |
CN108122590B (zh) * | 2017-08-07 | 2023-11-10 | 鸿秦(北京)科技有限公司 | 一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片 |
US11443820B2 (en) | 2018-01-23 | 2022-09-13 | Microchip Technology Incorporated | Memory device, memory address decoder, system, and related method for memory attack detection |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5313177A (en) * | 1992-04-06 | 1994-05-17 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for an acoustic wave filter |
KR100321169B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2002-05-13 | 박종섭 | 앤티퓨즈의프로그래밍회로 |
JP2000133717A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
KR100504433B1 (ko) * | 1999-01-09 | 2005-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 앤티퓨즈를 이용한 메모리소자의 리페어 회로 |
US6859408B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Current limiting antifuse programming path |
US6710640B1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-03-23 | Infineon Technologies Ag | Active well-bias transistor for programming a fuse |
JP4614775B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2011-01-19 | パナソニック株式会社 | 電気ヒューズ回路 |
US7242239B2 (en) * | 2005-06-07 | 2007-07-10 | International Business Machines Corporation | Programming and determining state of electrical fuse using field effect transistor having multiple conduction states |
-
2006
- 2006-01-20 JP JP2006012141A patent/JP2007194458A/ja active Pending
- 2006-11-09 CN CNA2006101435701A patent/CN101005069A/zh active Pending
-
2007
- 2007-01-04 TW TW096100281A patent/TW200729406A/zh unknown
- 2007-01-05 US US11/620,250 patent/US20070171589A1/en not_active Abandoned
- 2007-01-12 KR KR1020070003740A patent/KR20070077066A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101005069A (zh) | 2007-07-25 |
TW200729406A (en) | 2007-08-01 |
US20070171589A1 (en) | 2007-07-26 |
KR20070077066A (ko) | 2007-07-25 |
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