CN108122590B - 一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片，所述非易失存储芯片包括封装装置和芯片装置，所述芯片装置包括若干组的熔断单元、数据单元、熔断控制单元；每组熔断单元设置在数据单元上，所述熔断控制单元和熔断单元串联；每组熔断单元均包括金属熔丝和熔断电源，所有的熔断电源并联连接；每组熔断控制单元均包括熔断开关控制电源，所有的熔断开关控制电源并联连接；所述封装装置设置在芯片装置的外部。采用此种方式销毁芯片，速度快，功耗低且不可恢复。

Description

一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片
技术领域
本发明涉及芯片销毁技术领域，具体是涉及一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片。
背景技术
在金融和国防等特殊领域数据安全非常重要，在某些特定情况下可以通过物理销毁电子存储载体上的数据存储芯片和控制芯片的方法使存储在上面的数据彻底不可读取来避免关键数据泄露。目前，现有的物理销毁方式是从销毁装置直接从存储设备(如固态电子硬盘，U盘等)的工作电源取电，将高电压大电流的销毁电能量直接持续的加载到被销毁芯片上，直至被销毁芯片由于耐受不住高电压大电流的持续的电能输入而引起连线和管芯烧蚀，产生冒烟现象才停止。这样的方法需要功率较大的直流电压升压装置以及来自于存储设备(如固态电子硬盘，U盘等)工作电源的大功率电源供应。存在体积大，成本高，销毁速度慢，销毁效果受到存储设备的工作电源功率限制等缺点。
发明内容
本发明针对现有方法装置体积大，成本高，销毁速度慢，销毁效果受到存储设备的工作电源功率限制等缺点，提供一种结构简单、性能优良的能够自行物理销毁的非易失存储芯片。
一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片，所述非易失存储芯片包括封装装置和芯片装置，所述芯片装置包括若干组的熔断单元、数据单元、熔断控制单元；每组熔断单元设置在数据单元上，所述熔断控制单元和熔断单元串联；每组熔断单元均包括金属熔丝和熔断电源，所有的熔断电源并联连接；每组熔断控制单元均包括熔断开关控制电源，所有的熔断开关控制电源并联连接；所述封装装置设置在芯片装置的外部。
优选地，所述封装装置为矩形薄片的封装体，所述封装体包括空腔和引脚。
优选地，所述熔断单元包括金属熔丝和熔断电源；所述金属熔丝的数量为26-36根。
优选地，所述金属熔丝的数量为36根。
优选地，所述熔断控制单元包括熔丝熔断开关和熔断开关控制电源。
优选地，所述熔丝熔断开关为晶体管。
优选地，所述熔断开关控制电源的电压为3-5V。
优选地，所述数据单元包括非易失存储阵列和存储读写电路。
优选地，所述熔断单元串接在数据单元的非易失存储阵列和存储读写电路之间。
与现有技术相比，本发明采取的技术方案是芯片的主要数据通路的任意部位放置一组熔丝阵列作为数据总线的连接，数据总线上的每一根单独的数总线都放置一个单独的熔丝，当芯片不被销毁时，熔丝导通，数据总线能实现正常的数据传输功能，当需要销毁芯片时，熔断，导致芯片的数据总线断开，芯片不能正常工作。由于熔丝熔断是不可恢复的，所以可以实现芯片物理销毁的功能。采用此种方式销毁芯片，速度快，功耗低且不可恢复。
附图说明
图1是本发明产品的结构示意图；
1：熔断电源；2：熔断开关控制电源；3：熔丝熔断开关晶体管；4：金属熔丝；5：非易失存储阵列；6：存储读写电路。
具体实施方式
为了更好地说明本发明，下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片，所述非易失存储芯片包括封装装置和芯片装置，所述芯片装置包括若干组的熔断单元、数据单元、熔断控制单元；每组熔断单元设置在数据单元上，所述熔断控制单元和熔断单元串联；每组熔断单元均包括金属熔丝和熔断电源，所有的熔断电源并联连接；每组熔断控制单元均包括熔断开关控制电源，所有的熔断开关控制电源2并联连接；所述封装装置设置在芯片装置的外部。所述封装装置为矩形薄片的封装体，所述封装体包括空腔和引脚。所述熔断单元包括金属熔丝和熔断电源；所述金属熔丝的数量为26-36根。所述金属熔丝的数量为36根。所述熔断控制单元包括熔丝熔断开关和熔断开关控制电源。所述熔丝熔断开关为晶体管。所述熔断开关控制电源的电压为3-5V。所述数据单元包括非易失存储阵列和存储读写电路。所述熔断单元串接在数据单元的非易失存储阵列和存储读写电路之间。
实施例1：
一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片，一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片，所述非易失存储芯片包括封装装置和芯片装置，所述芯片装置包括若干组的熔断单元、数据单元、熔断控制单元；所述熔断单元设置在数据单元上；所述熔断控制单元和熔断单元串联；所述封装装置设置在芯片装置的外部。所述封装装置为矩形薄片的封装体，所述封装体包括空腔和引脚。所述熔断单元包括金属熔丝4和熔断电源；所述金属熔丝4的数量为36根。所述熔断控制单元包括熔丝熔断开关和熔断开关控制电源2。所述熔丝熔断开关为晶体管3。所述熔断开关控制电源的电压为3V。所述数据单元包括非易失存储阵列5和存储读写电路6。所述熔断单元串接在数据单元的非易失存储阵列和存储读写电路之间。
在非易失存储阵列5和存储读写电路6之间的连线上接入金属熔丝装置。具体到任意一个单独的连线上，金属熔丝4和熔丝熔断开关的晶体管3的连接的一端接到存储读写电路6，另外一端和非易失存储阵列5相连。所有连线上的熔断开关控制电源2并联在一起。所有连线上的熔断电源1也并联在一起。当非易失存储芯片正常工作时，虽然所有连线上的熔断电源1并联在一起，但是由于熔断开关晶体管3不导通的原因，所以各个连线之间是断开的，上面传输的数据互不干扰。熔断开关控制电源2上的电压是0V，熔丝熔断开关晶体管3不导通，金属熔丝4和熔断电源1不导通，所以金属熔丝4是导通的，所以非易失存储阵列5就可以经过金属熔丝4和存储读写电路模块6联通，可以正常工作。当需要物理销毁非易失存储芯片时，在熔断开关控制电源2上施加一个大于3V，小于5V的熔断电压，这时熔丝熔断开关晶体管3打开，金属熔丝4和熔断电源1导通，这时由于金属的电迁移效应导致金属熔丝4熔断。每一根金属熔丝4的熔断电流消耗大约16mA左右。所以熔断电源1的功耗由需要控制的连线数目决定，每一根连线在熔断时消耗的功耗为80mW，如果连线位32根，对应的熔断电源1的功耗应该位32*80(mW)＝2.56W。电迁移现象是集成电路行业内专业人员熟知一种物理现象，指集成电路工作时金属线内部又电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象，这种物质运输会使金属运动，造成金属上产生空洞，引起金属断裂。金属熔丝4熔断后，非易失存储阵列5不能经过金属熔丝4和存储读写电路模块6联通，这就导致非易失存储芯片不能工作。由于金属熔丝4熔断后不可恢复，所以非易失存储芯片在物理上失去正常功能，导致芯片被物理销毁。熔断开关控制电源2连接到芯片的管脚，受芯片外部信号控制。
所述数据单元包括非易失存储阵列和存储读写电路，非易失存储芯片在工作时通过存储读写电路对非易失存储阵列上的任意存储单元进行读写操作，所述熔断单元串接在数据单元的存储阵列和存储读写电路之间。熔断控制单元和熔断单元串联，用来控制熔断单元是否被链接。当熔断单元未被熔断时，其电特性相当于一根导线，数据单元的非易失存储阵列和存储读写电路之间的电通路是导通的，非易失存储阵列和存储读写电路之间的电信号可以正常传递，存储读写电路可以对非易失存储单元阵列进行读写操作。当熔断单元熔断时，其电特性相当于断路，数据单元的非易失存储阵列和存储读写电路之间的电通路是不导通的，非易失存储阵列和存储读写电路之间的电信号不能传递，存储读写电路无法对非易失存储单元阵列进行读写操作。所述熔断单元是否被熔断由熔断控制单元控制。
封装体的大小由存储容量，芯片加工工艺决定，相同存储容量的封装装置加工工艺的特征尺寸越小，封装装置就越小，比如14纳米工艺的芯片就比32纳米工艺的芯片尺寸小，相同加工工艺的芯片，存储容量越小的尺寸就越小，比如同为14纳米工艺，32G容量的就比64G容量的小。封装体包含空腔和引脚两部分，芯片装置通过粘接的方式固定在空腔内，通过连线将芯片的输入输出端口与封装体的引脚按照规定的方式连接。
以上所述，仅为本发明较佳具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替代，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片，其特征在于，所述非易失存储芯片包括封装装置和芯片装置，所述芯片装置包括若干组的熔断单元、数据单元、熔断控制单元；每组熔断单元设置在数据单元上，所述熔断控制单元和熔断单元串联；每组熔断单元均包括金属熔丝和熔断电源，所有的熔断电源并联连接；每组熔断控制单元均包括熔断开关控制电源，所有的熔断开关控制电源并联连接；所述封装装置设置在芯片装置的外部，所述熔断控制单元包括熔丝熔断开关和熔断开关控制电源，所述熔丝熔断开关为晶体管，所述数据单元包括非易失存储阵列和存储读写电路，所述熔断单元串接在数据单元的非易失存储阵列和存储读写电路之间；
金属熔丝和熔丝熔断开关的晶体管的连接的一端接到存储读写电路，另外一端和非易失存储阵列相连，熔断开关控制电源上的电压是0V，熔丝熔断开关晶体管不导通，金属熔丝和熔断电源不导通，所以金属熔丝是导通的，所以非易失存储阵列就可以经过金属熔丝和存储读写电路模块联通，能够正常工作；当需要物理销毁非易失存储芯片时，在熔断开关控制电源上施加一个大于3V，小于5V的熔断电压，这时熔丝熔断开关晶体管打开，金属熔丝和熔断电源导通，这时由于金属的电迁移效应导致金属熔丝熔断；金属熔丝熔断后，非易失存储阵列不能经过金属熔丝和存储读写电路模块联通，导致非易失存储芯片不能工作；熔断开关控制电源连接到芯片的管脚，受芯片外部信号控制。
2.根据权利要求1所述的能够自行物理销毁的非易失存储芯片，其特征在于，所述封装装置为矩形薄片的封装体，所述封装体包括空腔和引脚。
3.根据权利要求1所述的能够自行物理销毁的非易失存储芯片，其特征在于，所述金属熔丝的数量为26-36根。
4.根据权利要求3所述的能够自行物理销毁的非易失存储芯片，其特征在于，所述金属熔丝的数量为36根。
5.根据权利要求1所述的能够自行物理销毁的非易失存储芯片，其特征在于，所述熔断开关控制电源的电压为3-5V。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101005069A (zh) * 2006-01-20 2007-07-25 三洋电机株式会社 熔断电路
CN104751895A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 存储器、电熔丝存储阵列的检测电路及方法
CN106297891A (zh) * 2016-09-07 2017-01-04 英特格灵芯片(天津)有限公司 一种熔丝存储装置的检测方法及装置
CN207009084U (zh) * 2017-08-07 2018-02-13 鸿秦（北京）科技有限公司 一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101005069A (zh) * 2006-01-20 2007-07-25 三洋电机株式会社 熔断电路
CN104751895A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 存储器、电熔丝存储阵列的检测电路及方法
CN106297891A (zh) * 2016-09-07 2017-01-04 英特格灵芯片(天津)有限公司 一种熔丝存储装置的检测方法及装置
CN207009084U (zh) * 2017-08-07 2018-02-13 鸿秦（北京）科技有限公司 一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片

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