CN111639370B - 非易失性sram数据加密装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种非易失性SRAM数据加密装置，包括壳体、SRAM、供电导线和第一电源，所述SRAM、供电导线和第一电源设置于壳体内部，第一电源通过供电导线为SRAM供电，其特征在于：所述壳体包括基座和上盖，所述上盖处设有第二电源，所述第二电源包括分别与第二电源正极和负极相连的第一端子和第二端子，所述供电导线包括与SRAM相连的芯片段和与第一电源相连的电源段，上盖与基座闭合时，第一端子和第二端子与芯片段相连通，所述电源段的熔断电流与芯片段的熔断电流之比为2:3‑14。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，SRAM芯片的数据保密性高，具有结构简单，加工成本低、生产效率高等优点。
Description
技术领域
本发明涉及电数字数据处理技术领域，具体的是一种非易失性SRAM数据加密装置。
背景技术
SRAM静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)是随机存取存储器的一种。其特征是，这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory)。
SRAM芯片使用时，一是接入外接电源，二是将电源和SRAM芯片一同封装于壳体当中。其弊端在于，窃密者在窃密时，只需要在保持不破坏电源供电的情况下，打开壳体，即可通过芯片的针脚，读出芯片内的数据，其保密性差。
发明内容
基于SRAM断电后数据消失这一特性，结合物理机构，本发明提供一种数据加密装置。
本发明的技术方案是：
非易失性SRAM数据加密装置，包括壳体、SRAM、供电导线和第一电源，所述SRAM、供电导线和第一电源设置于壳体内部，第一电源通过供电导线为SRAM供电，所述壳体包括基座和上盖，所述上盖处设有第二电源，所述第二电源包括分别与第二电源正极和负极相连的第一端子和第二端子，所述供电导线包括与SRAM相连的芯片段和与第一电源相连的电源段，上盖与基座闭合时，第一端子和第二端子与供电导线的芯片段相连通，所述电源段的熔断电流与芯片段的熔断电流之比为2:3-14。
SRAM芯片封装前，壳体内部的基座处设置有独立的第一供电系统，电源为第一电源，供电导线为裸露的导线。与基座相配合的上盖，在闭合时，上盖与基座之间形成了一个密闭的空间，壳体与外界的连通只有数据的输入端和输出端。上盖上设有第二电源，在闭合上盖时，第二电源的第一端子和第二端子压到裸露的供电导线的芯片段，第一电源和第二电源并联为SRAM芯片供电。
芯片段的熔断电流为I1，电源段的熔断电流为I2。
由于第二电源的加入，供电导线的芯片段或电源段的通过的电流均会增大。
只有第一电源时，供电导线的电流为I0，I0＜I2＜I1。
上盖与基座闭合后，第二电源加入，第二电源的第一端子或第二端子压分别压到芯片段和电源段的两个连接点上。供电导线以第一端子和第二端子为结点，靠近SRAM一侧的为芯片段，靠近第一电源的一侧为电源段。芯片段的电流为I3，电源段的电流为I4，I4＞I2，I3＜I1，电源段被熔断，只剩下第二电源为SRAM芯片供电。只要壳体的上盖被打开，第一端子或第二端子就会脱离供电导线，SRAM即停止供电，芯片内数据消失，达到保密效果。
优选的，所述电源段的熔断电流与芯片段的熔断电流之比为1:3-6。
更进一步，所述电源段的熔断电流与芯片段的熔断电流之比为1:5。
本发明具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，SRAM芯片的数据保密性高，具有结构简单，加工成本低、生产效率高等优点。
附图说明
图1是本发明的结构示意图
图2是本发明的剖视图
图中：
1、壳体 2、SRAM 3、第一电源
4、供电导线 11、基座 12、上盖
131、第一端子 132、第二端子 41、电源段
42、芯片段
具体实施方式
如图1、2所示，本发明
一种非易失性SRAM数据加密装置，包括壳体1、SRAM2、供电导线4和第一电源3，所述SRAM2、供电导线4和第一电源3设置于壳体1内部，第一电源3通过供电导线4为SRAM2供电，所述壳体1包括基座11和上盖12，所述上盖12处设有第二电源，所述第二电源包括分别与第二电源正极和负极相连的第一端子131和第二端子132，所述供电导线4包括与SRAM相连的芯片段42和与第一电源相连的电源段41，上盖12与基座11闭合时，第一端子131和第二端子132与芯片段42相连通。
实施例1
电源段的熔断电流为5微安，芯片段的熔断电流为15微安。
实施例2
电源段的熔断电流为5微安，芯片段的熔断电流为25微安
实施例3
电源段的熔断电流为5微安，芯片段的熔断电流为35微安。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (3)
1.非易失性SRAM数据加密装置，包括壳体、SRAM、供电导线和第一电源，所述SRAM、供电导线和第一电源设置于壳体内部，第一电源通过供电导线为SRAM供电，其特征在于：所述壳体包括基座和上盖，所述上盖处设有第二电源，所述第二电源包括分别与第二电源正极和负极相连的第一端子和第二端子，所述供电导线包括与SRAM相连的芯片段和与第一电源相连的电源段，上盖与基座闭合时，第一端子和第二端子与芯片段相连通，所述电源段的熔断电流与芯片段的熔断电流之比为2:3-14。
2.根据权利要求1所述的非易失性SRAM数据加密装置，其特征在于：所述电源段的熔断电流与芯片段的熔断电流之比为1:3-6。
3.根据权利要求2所述的非易失性SRAM数据加密装置，其特征在于：所 述电源段的熔断电流与芯片段的熔断电流之比为1:5。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010527296.8A CN111639370B (zh) | 2020-06-11 | 2020-06-11 | 非易失性sram数据加密装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010527296.8A CN111639370B (zh) | 2020-06-11 | 2020-06-11 | 非易失性sram数据加密装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN111639370A CN111639370A (zh) | 2020-09-08 |
| CN111639370B true CN111639370B (zh) | 2021-08-03 |
Family
ID=72330413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010527296.8A Active CN111639370B (zh) | 2020-06-11 | 2020-06-11 | 非易失性sram数据加密装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111639370B (zh) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100494769C (zh) * | 2007-11-09 | 2009-06-03 | 山西大学 | 一种led铁路信号灯光源 |
| KR20090060652A (ko) * | 2007-12-10 | 2009-06-15 | 한국전자통신연구원 | Ｓｒａｍ 데이터 보호 장치 |
| CN102360411A (zh) * | 2011-10-17 | 2012-02-22 | 三一重工股份有限公司 | 一种开盖锁定方法、装置及通信设备 |
| CN206293063U (zh) * | 2016-09-07 | 2017-06-30 | 杨澳萌 | 一种保险丝作用演示器 |
| CN106952890A (zh) * | 2017-03-23 | 2017-07-14 | 成都为远信安电子科技有限公司 | 一种基于芯片内部导线熔断原理的puf方案及电路实现 |
| CN108122590B (zh) * | 2017-08-07 | 2023-11-10 | 鸿秦（北京）科技有限公司 | 一种能够自行物理销毁的非易失存储芯片 |
| CN109446849B (zh) * | 2018-12-25 | 2023-05-12 | 威海银创微电子技术有限公司 | 非易失性sram数据加密装置 |
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2020
- 2020-06-11 CN CN202010527296.8A patent/CN111639370B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111639370A (zh) | 2020-09-08 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
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|
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|
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