JP2007185831A - 液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極基板とシリコン基板との接合基板間のギャップ内における異物の噛み込みによるシリコン基板の亀裂や割れを低減する。
【解決手段】電極基板と、液体を貯えて吐出させる吐出室が少なくとも形成されるシリコン基板とを、電極とシリコン基板との間にギャップを介して対向させて接合し、電極基板と接合されたシリコン基板に、吐出室を含む液体流路と電極の外部機器への接続部に対応した電極取出し口となる部分とをエッチングを利用して形成する液滴吐出ヘッドの製造方法において、ガラス基板2の表面に複数の電極形成溝9を形成し、ガラス基板2の端部を電極形成溝9が形成された面より凹んだ凹面11に形成し、電極形成溝9から凹面11に至る複数の電極8を成膜し、凹面11に成膜された電極8を外部機器と接続する電極端子8bとした電極基板2Aを、液滴吐出ヘッドの電極基板に用いる。
【選択図】図1
【解決手段】電極基板と、液体を貯えて吐出させる吐出室が少なくとも形成されるシリコン基板とを、電極とシリコン基板との間にギャップを介して対向させて接合し、電極基板と接合されたシリコン基板に、吐出室を含む液体流路と電極の外部機器への接続部に対応した電極取出し口となる部分とをエッチングを利用して形成する液滴吐出ヘッドの製造方法において、ガラス基板2の表面に複数の電極形成溝9を形成し、ガラス基板2の端部を電極形成溝9が形成された面より凹んだ凹面11に形成し、電極形成溝9から凹面11に至る複数の電極8を成膜し、凹面11に成膜された電極8を外部機器と接続する電極端子8bとした電極基板2Aを、液滴吐出ヘッドの電極基板に用いる。
【選択図】図1
Description
本発明は、インクやその他の液体を吐出する液滴吐出ヘッド及びそれを備えた液滴吐出装置に関する。
液滴吐出を実現するヘッドとして、吐出前の液体を貯えて吐出させる吐出室を設け、吐出室の底面を構成する底壁を振動板とし、この振動板に対向配置した電極を利用して該振動板を変形させて吐出室内の圧力を高め、液体を加圧することで吐出室と連通するノズル孔から液滴を吐出させるものがある。このような液滴吐出ヘッドを製造する方法として、複数の電極が形成されたガラス基板に流路形成前のシリコン基板を接合した後、該シリコン基板を薄板化し、薄板化したシリコン基板に、吐出室等の流路、及び電極を外部機器と接続する接続部(又は電極端子部)に対応した電極取出し部を形成する方法が提案されている(例えば特許文献1参照)。
特開2004−306444号公報
上記の様な液滴吐出ヘッドの製造プロセスでは、電極基板の接続部に外部機器と繋がるケーブル等を接続できるようにするため、シリコン基板の対応部分を電極取出し口として除去し開放する工程がある。その除去は、シリコン基板の該当部をエッチングにより薄膜化した後、その膜を機械加工又はレーザ加工などにより除去することにより行っている。しかし、電極取出し口となる前の薄膜部分はその面積に比べて非常に薄い層となるため、電極基板とその薄膜部分のギャップ内に異物を噛んだ場合には、シリコン基板に予定外の亀裂や割れを生じさ、製造歩留まりを低下させる原因となっていた。
本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、電極基板とシリコン基板の接合により形成されるそれら基板間のギャップにおける異物の噛み込みに起因するシリコン基板の亀裂や割れを低減させることが可能な、液滴吐出ヘッドの製造方法を提案すること、並びにその方法を利用して製造した液滴吐出ヘッドを提案するものである。
本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法は、ガラス基板に複数の電極を形成した電極基板と、液体を貯えて吐出させる吐出室が少なくとも形成されるシリコン基板とを、前記電極と前記シリコン基板との間にギャップを介して対向させて接合し、前記電極基板と接合された前記シリコン基板に、前記吐出室を含む液体流路と前記電極の外部機器への接続部に対応した電極取出し口となる部分とをエッチングを利用して形成する液滴吐出ヘッドの製造方法において、ガラス基板の表面に複数の電極形成溝を形成し、前記ガラス基板の端部を前記電極形成溝が形成された面より凹んだ凹面に形成し、前記電極形成溝から前記凹面に至る複数の電極を成膜し、前記凹面に成膜された前記電極を外部機器と接続する電極端子とした電極基板を、前記シリコン基板に接合される電極基板として用いるものである。
これによれば、電極取出し口に対応する部分における電極基板とシリコン基板のギャップが拡がり、液滴吐出ヘッドの製造中に薄膜化される当該部分での異物噛み込みによるシリコン基板の亀裂や割れが低減されて、製造歩留まりが向上する。
これによれば、電極取出し口に対応する部分における電極基板とシリコン基板のギャップが拡がり、液滴吐出ヘッドの製造中に薄膜化される当該部分での異物噛み込みによるシリコン基板の亀裂や割れが低減されて、製造歩留まりが向上する。
なお、前記電極基板との接合により前記電極端子と対向することになる前記シリコン基板の表面を、周囲より凹んだ凹部に予め形成しておくことが好ましい。
これによれば、電極取出し口に対応する部分での電極基板とシリコン基板のギャップがさらに拡がり、その部分での異物を噛み込むことによるシリコン基板の亀裂や割れが低減される。
また、前記電極端子に装着される接続具を前記電極端子の配列方向に位置決めする側壁を、前記凹面を形成する際に併せて前記端部に形成することが好ましい。
このようにしておけば、電極基板に外部機器と接続する為の接続具を取り付ける際、側壁をガイドとして電極端子に容易に位置決めできる。
これによれば、電極取出し口に対応する部分での電極基板とシリコン基板のギャップがさらに拡がり、その部分での異物を噛み込むことによるシリコン基板の亀裂や割れが低減される。
また、前記電極端子に装着される接続具を前記電極端子の配列方向に位置決めする側壁を、前記凹面を形成する際に併せて前記端部に形成することが好ましい。
このようにしておけば、電極基板に外部機器と接続する為の接続具を取り付ける際、側壁をガイドとして電極端子に容易に位置決めできる。
本発明の液滴吐出ヘッドは、ガラス基板に複数の電極が形成された電極基板と、液体を貯えて吐出させる可撓性の底面を有した吐出室が形成されたシリコン基板とが、前記電極と前記吐出室の底面とをギャップを介して対向させて接合されており、前記ギャップが密閉されてなる液滴吐出ヘッドであって、前記電極基板は、ガラス基板の表面に複数の電極形成溝が形成され、前記ガラス基板の端部が前記電極形成溝が形成された面より凹んだ凹面に形成され、前記電極形成溝から前記凹面に至る複数の電極が成膜され、前記凹面に成膜された前記電極が外部機器と接続される電極端子となっているものである。
このように、電極の外部機器との接続部である電極端子部が電極形成溝面より凹んだ凹面に形成されていれば、シリコン基板の電極取出し口形成工程において、加工途中のシリコン基板と電極基板との間のギャップ拡がり、その部分での異物を噛むことによるシリコン基板の亀裂や割れが低減される。
このように、電極の外部機器との接続部である電極端子部が電極形成溝面より凹んだ凹面に形成されていれば、シリコン基板の電極取出し口形成工程において、加工途中のシリコン基板と電極基板との間のギャップ拡がり、その部分での異物を噛むことによるシリコン基板の亀裂や割れが低減される。
なお、前記電極端子に装着される接続具を前記電極端子の各電極の配列方向に位置決めする側壁が、前記電極形成溝が形成されている面と前記凹面との境界をなす段差面により形成されているのが好ましい。
これにより、フレキシブル印刷回路(FPC)などの接続具を、側壁をガイドとして電極端子に容易に装着できる。
これにより、フレキシブル印刷回路(FPC)などの接続具を、側壁をガイドとして電極端子に容易に装着できる。
本発明の液滴吐出装置は、液滴吐出ヘッドとして上記のヘッドを備えたものである。
実施の形態1
図1は本発明の第1の実施の形態に係る液滴吐出ヘッドを分解して表した図である。図1はフェイス吐出型の液滴吐出ヘッドを表している。図1に示すように、この液滴吐出ヘッドは、キャビティプレート1、電極基板2A、ノズルプレート3の3つの基板が積層されてなる。
キャビティプレート1は、例えば、厚さ約50μmで、110面方位のシリコン単結晶基板(以下、単にシリコン基板という)から構成されている。キャビティプレート1には、液滴が保持されて吐出圧が加えられる複数の吐出室(圧力室ともいう)5、各吐出室5に供給する液体をためておく各吐出室5に共通のリザーバ7などの流路が形成されている。なお、吐出室5の底面を構成する底壁は可撓性を有し、変形可能な振動板4として作用する。
図1は本発明の第1の実施の形態に係る液滴吐出ヘッドを分解して表した図である。図1はフェイス吐出型の液滴吐出ヘッドを表している。図1に示すように、この液滴吐出ヘッドは、キャビティプレート1、電極基板2A、ノズルプレート3の3つの基板が積層されてなる。
キャビティプレート1は、例えば、厚さ約50μmで、110面方位のシリコン単結晶基板(以下、単にシリコン基板という)から構成されている。キャビティプレート1には、液滴が保持されて吐出圧が加えられる複数の吐出室(圧力室ともいう)5、各吐出室5に供給する液体をためておく各吐出室5に共通のリザーバ7などの流路が形成されている。なお、吐出室5の底面を構成する底壁は可撓性を有し、変形可能な振動板4として作用する。
キャビティプレート1の下面(電極基板2Aと対向する面)には、絶縁膜となるTEOS膜(Tetraethyl orthosilicate Tetraethoxysilane:テトラエトキシシランを用いてできるSiO2 膜をいう)を、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて0.1μm程度成膜しているが、それは図示していない。このTEOS膜は、液滴吐出ヘッドを駆動させた時の絶縁膜破壊及び短絡を防止するためである。また、キャビティプレート1の上面(ノズルプレート3と対向する面)にも、液体保護膜となるSiO2膜(TEOS膜を含む)を、プラズマCVD法又はスパッタリング法により成膜しているが、それも図示していない。液体保護膜はインク等の液体によって流路が腐食するのを防ぐためである。また、液体保護膜の応力とキャビティプレート1の下面に成膜したTEOS膜の応力とを相殺させ、振動板4の反りを小さくすることができる効果もある。
キャビティプレート1には、さらにキャビティプレート1の外部電極端子として共通電極19が設けられているほか、電極基板2Aの外部機器との接続部に対応した部分が電極取出し口25として切り欠かれて開口されている。
キャビティプレート1には、さらにキャビティプレート1の外部電極端子として共通電極19が設けられているほか、電極基板2Aの外部機器との接続部に対応した部分が電極取出し口25として切り欠かれて開口されている。
電極基板2Aは、ガラス基板2の表面に、キャビティプレート1の振動板4に対応する複数の電極(個別電極)8が形成されたものである。本実施の形態では、ガラス基板2として、厚さ1mm程度のホウ珪酸系の耐熱硬質ガラスを用いている。ガラス基板2中央域の表面には、キャビティプレート1に形成される各吐出室5に対応させて、深さ約0.2μmの電極形成溝9がエッチングにより複数形成されている。また、ガラス基板2中央域より外側のガラス基板2端部には、電極形成溝9が形成された面より凹んだ凹面11が形成されている。さらに、電極形成溝9から凹面11に至る複数の電極8が、電極形成溝9の内部、電極形成溝9形成面と凹面11との境界面、及び凹面11に形成されている。そして、電極形成溝9の内部に形成された電極8を吐出室5に対向する対向電極8aとし、ガラス基板2端部の凹面11に成膜された電極を、外部機器との接続部となる電極端子8bとして、電極基板2Aを構成している。
この例ではさらに、電極基板2Aには、電極端子8bに装着される接続具を複数の電極端子8bの配列方向に位置決めするのに利用する側壁10が形成されている。この側壁10は、電極形成溝9が形成されている面と凹面11との境界をなす段差面により形成されており、通常は、凹面11をエッチングにより形成する際に併せて形成しておく。ただし、側壁10は必須のものではない。
なお、凹面11の電極形成溝9形成面からの深さは特に限定するものではないが、電極形成溝9形成面より1μm以上とするようにしておくと、製造中、加工屑などが電極基板2Aとシリコン基板(キャビティプレート1となるもの)の電極取出し口25形成部のギャップに噛み込まれるのを効果的に低減できる。
なお、凹面11の電極形成溝9形成面からの深さは特に限定するものではないが、電極形成溝9形成面より1μm以上とするようにしておくと、製造中、加工屑などが電極基板2Aとシリコン基板(キャビティプレート1となるもの)の電極取出し口25形成部のギャップに噛み込まれるのを効果的に低減できる。
本実施の形態では、電極8の材料として酸化錫を不純物としてドープした透明のITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)を用い、例えばスパッタ法を用いて0.1μmの厚さで成膜するものとする。その際、電極基板2Aとシリコン基板の陽極接合時に、電極8とシリコン基板とを等電位にするためのパターン(以下、等電位接点24という)も電極8と同時に成膜しておく。
なお、電極8の材料はITOに限定するものではなく、クロム等の金属等を材料に用いてもよい。本実施の形態においては、透明であるので放電したかどうかの確認が行い易い等の理由でITOを用いることとする。
また、電極基板2Aには、リザーバ7と連通して外部タンク(図示せず)からリザーバ7への流路となる吐出用の液体供給口13も設けられている。
なお、電極8の材料はITOに限定するものではなく、クロム等の金属等を材料に用いてもよい。本実施の形態においては、透明であるので放電したかどうかの確認が行い易い等の理由でITOを用いることとする。
また、電極基板2Aには、リザーバ7と連通して外部タンク(図示せず)からリザーバ7への流路となる吐出用の液体供給口13も設けられている。
振動板4と電極8との間には、後述する図2に示すように、振動板4の動作空間となるギャップ16が構成されるが、そのギャップ16は電極形成溝9の深さ、電極8の厚さにより決まる。ギャップ16の大きさ液滴吐出ヘッドの吐出特性に大きく影響するため、厳格な精度管理が必要となる。なお、この例におけるギャップ16は、0.1μmである。
ノズルプレート3は、例えば厚さ約180μmのシリコン基板で構成され、電極基板2Aとは反対の面(図1の場合には上面)で、キャビティプレート1と接合されている。図1から見て、ノズルプレート3の上面には、吐出室5で加圧されたインク等の液体を液滴として吐出するノズル孔12が形成されている。また、キャビティプレート1のリザーバ7に対応する部分には、リザーバ7内の液体の圧力変動を吸収するためのダイアフラム18が形成されている。さらに、ノズルプレート3の下面には、吐出室5とリザーバ7とを連通させるオリフィス6も形成されている。
なお、ここではノズル孔12を有するノズルプレート3を上面とし、電極基板2Aを下面として説明するが、実際には、ノズルプレート3の方が電極基板2Aよりも下面となって用いられることが多い。
なお、ここではノズル孔12を有するノズルプレート3を上面とし、電極基板2Aを下面として説明するが、実際には、ノズルプレート3の方が電極基板2Aよりも下面となって用いられることが多い。
図2は図1の液滴吐出ヘッドの断面図である。図2(a)は吐出室5を長手方向に割断した部分の断面図、図2(b)は等電位接点部分の拡大断面図を表している。
図2(a)に示す吐出室5は、吐出前の液体を溜めておき、吐出室5の底壁を構成する振動板4の変形を利用して、吐出室5内の圧力を高めて、液滴をノズル孔12から吐出させる作用を果たす。本実施の形態で振動板4は、高濃度のボロン(B)をシリコン基板に拡散したボロンドープ層から構成し、その表面にTEOS絶縁膜14を被覆している。振動板4となるボロンドープ層の厚さは、例えば約0.8μmである。所望の厚さの振動板4を形成するためには、ほぼ同じだけの厚さのボロンドープ層を、キャビティプレート1となるシリコン基板に形成する。アルカリ性水溶液でシリコンの異方性ウェットエッチングを行った場合、ボロンをドーパントとしたときには高濃度(約5×1019atoms・cm-3以上)の領域で極端にエッチングレートが小さくなる。したがって、ボロンドープ層を有したシリコン基板に、吐出室5及びリザーバ7を異方性ウェットエッチングで形成する場合に、ボロンドープ層が露出するとエッチングレートが極端に小さくなることを利用して振動板4の厚さを制御し、吐出室5の形状を高精度で形成することができる。
また、振動板4と電極8の間のギャップ16には、異物、水分(水蒸気)等が浸入しないように、ギャップ16を外気から遮断し、密閉する封止材26がギャップ16の端部に設けられている。
図2(a)に示す吐出室5は、吐出前の液体を溜めておき、吐出室5の底壁を構成する振動板4の変形を利用して、吐出室5内の圧力を高めて、液滴をノズル孔12から吐出させる作用を果たす。本実施の形態で振動板4は、高濃度のボロン(B)をシリコン基板に拡散したボロンドープ層から構成し、その表面にTEOS絶縁膜14を被覆している。振動板4となるボロンドープ層の厚さは、例えば約0.8μmである。所望の厚さの振動板4を形成するためには、ほぼ同じだけの厚さのボロンドープ層を、キャビティプレート1となるシリコン基板に形成する。アルカリ性水溶液でシリコンの異方性ウェットエッチングを行った場合、ボロンをドーパントとしたときには高濃度(約5×1019atoms・cm-3以上)の領域で極端にエッチングレートが小さくなる。したがって、ボロンドープ層を有したシリコン基板に、吐出室5及びリザーバ7を異方性ウェットエッチングで形成する場合に、ボロンドープ層が露出するとエッチングレートが極端に小さくなることを利用して振動板4の厚さを制御し、吐出室5の形状を高精度で形成することができる。
また、振動板4と電極8の間のギャップ16には、異物、水分(水蒸気)等が浸入しないように、ギャップ16を外気から遮断し、密閉する封止材26がギャップ16の端部に設けられている。
図2(a)には、液滴吐出ヘッドの振動板4を動作させる機器も示されている。ここでは、キャビティプレート1の共通電極19と電極基板2Aの電極端子11とが、接続ケーブルを介して発振回路22に接続されている。接続ケーブルには、例えばFPC(Flexible Printing Circuit)23が利用でき、キャビティプレート1の共通電極19と、電極基板2Aの電極端子8bとに、それぞれFPC23の接続端部23aが電気的接続を確保して装着されている。
発振回路22は、例えば24kHzで発振し、電極8に0Vと30Vのパルス電位を印加して電荷の供給及び停止を行う。すなわち、発振回路22が発振駆動することで、例えば電極8に電荷を供給して正に帯電させ、振動板4を相対的に負に帯電させると、振動板4が静電気力により電極8に引き寄せられて撓む。これにより吐出室5の容積は広がる。その後、電荷の供給を停止すると振動板4は元に戻るが、そのときの吐出室5の容積も元に戻るから、その圧力により差分の液滴20が吐出する。この液滴20が例えば記録対象となる記録紙21に着弾することによって印刷等の記録が行われる。なお、このような方法は引き打ちと呼ばれるものであるが、バネ等を用いて液滴を吐出する押し打ちと呼ばれる方法もある。
発振回路22は、例えば24kHzで発振し、電極8に0Vと30Vのパルス電位を印加して電荷の供給及び停止を行う。すなわち、発振回路22が発振駆動することで、例えば電極8に電荷を供給して正に帯電させ、振動板4を相対的に負に帯電させると、振動板4が静電気力により電極8に引き寄せられて撓む。これにより吐出室5の容積は広がる。その後、電荷の供給を停止すると振動板4は元に戻るが、そのときの吐出室5の容積も元に戻るから、その圧力により差分の液滴20が吐出する。この液滴20が例えば記録対象となる記録紙21に着弾することによって印刷等の記録が行われる。なお、このような方法は引き打ちと呼ばれるものであるが、バネ等を用いて液滴を吐出する押し打ちと呼ばれる方法もある。
図2(b)は等電位接点部分の拡大断面図を表している。本実施の形態では、図1に示したように、等電位接点24を各ヘッドチップに独立して設け、それを利用して陽極接合時に、キャビティプレート1となるシリコン基板と電極8との間を等電位に保つようにしている。等電位接点24となる部分については、電極基板2Aに電極形成溝9を形成する際、エッチングせず残しておく。そして、電極8の成膜時、併せて等電位接点24となるITOパターンを形成する。これにより、等電位接点24は、電極基板2Aの表面よりもそのITOパターンの分(0.1μm程度程)突出する。一方、キャビティプレート1となるシリコン基板においては、等電位接点24に対応する部分のTEOS膜(絶縁膜)14を取り除き、シリコン基板(ボロンがドープされている場合にはボロンドープ層)を露出する窓を形成する。この窓を介してシリコン基板と等電位接点24とを接触させることで、陽極接合時において、電極8とシリコン基板との等電位を確保することができる。なお、等電位接点24と電極8の導通は後のウェハ裁断処理により遮断される。
図3はキャビティプレート1に接合前の電極基板2Aを上方から見た図である。通常、液滴吐出ヘッドはウェハ単位で作られ、最終的に各液滴吐出ヘッド(ヘッドチップ)に切り離されるが、これは、その切断前の状態の電極基板2Aを示している。なお、図中の破線17が、電極基板2A(ガラス基板2)の電極形成溝9が形成された面と凹面11との境界を示している。また、各チップに切断前のこの段階では、各電極8と等電位接点24とはITOパターンにより接続された状態となっている。
ダイシングライン27は、ウェハに一体形成された複数の液滴吐出ヘッドを切り離す際のラインである。したがって、図3においてダイシングライン27を含んでそれよりも外側にある部分は、完成した液滴吐出ヘッドには残らない。なお、図3の液滴吐出ヘッドでは、電極8を5つしか表していないが、実際には1つの液滴吐出ヘッドには多くのノズル孔12が存在し、その数に応じた電極8が形成されている。
大気開放穴28はこの液滴吐出ヘッドの外部と電極形成溝9とを連通させ、陽極接合によって形成されるギャップ16が密閉された状態になるのを防ぐためのものである。たとえば、陽極接合時等、各基板への加熱等による酸素等の気体発生によってギャップ16内が加圧されるのを防止する。なお、この大気開放穴28は、サンドブラスト法や切削加工等により形成する。なお、大気開放穴28は、最終的にはダイシングにより液滴吐出ヘッドと切り離されるので、完成した液滴吐出ヘッドには残らない。
大気開放穴28はこの液滴吐出ヘッドの外部と電極形成溝9とを連通させ、陽極接合によって形成されるギャップ16が密閉された状態になるのを防ぐためのものである。たとえば、陽極接合時等、各基板への加熱等による酸素等の気体発生によってギャップ16内が加圧されるのを防止する。なお、この大気開放穴28は、サンドブラスト法や切削加工等により形成する。なお、大気開放穴28は、最終的にはダイシングにより液滴吐出ヘッドと切り離されるので、完成した液滴吐出ヘッドには残らない。
次に、第1の実施の形態に係る液滴吐出ヘッドの製造方法を説明する。図4は液滴吐出ヘッドに使用される電極基板2Aの製造方法を示す工程図、図5〜図7は図4の方法で製造された電極基板2Aを利用して、液滴吐出ヘッドを製造する工程図である。なお、図5〜図7は振動板と電極とが一対だけ表された部分断面図である。
まず、図4に従って電極基板2Aの製造方法を説明する。
(a)約1mmのガラス基板2を用意し、エッチングマスクとなるクロム(Cr)膜31をガラス基板2の片面に0.1μm程度成膜する。
(b)次に、成膜したクロム膜31の表面にレジスト32を塗布し、凹面11を形成する為のレジストパターニングを施して、クロム膜31を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングしてパターニングする。
(c)次に、レジストを付けた状態でガラス基板2をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、ガラス基板2の端部を1μm以上エッチングして、中央域表面より凹んだ凹面11を端部形成する。その後レジストを剥離する。
(d)続いて、クロム膜31面側にレジスト32を塗布し、電極形成溝9を形成する為のレジストパターニングを施して、クロム膜31を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングしてパターニングする。
(e)次に、レジストを付けた状態でガラス基板2をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、電極8の形状パターンに合わせて0.2μmの深さの電極形成溝9(等電位接点24へ繋がる溝を含む)をエッチングにより形成する。なお、等電位接点となる部分については溝凹部を形成しないのでエッチングはしない。
(f)電極形成溝9の形成後、電極形成溝9が形成されたガラス基板2の全面に導電部材を成膜する。導電部材としてはITOが好ましく、それをスパッタ法などを用いて0.1μmの厚さに成膜する。なお、ITOに代えて他の導電部材を使用しても良い。
(g)その後、成膜されたITO膜をパターニングし、対向電極8a及び電極端子8bを備えた電極8、及び等電位接点24を形成する。
(h)最後に液体供給口13及び大気連通穴28をサンドブラスト法または切削加工により形成する。これにより、ガラス基板2を基材とした電極基板2Aが作製される。
(a)約1mmのガラス基板2を用意し、エッチングマスクとなるクロム(Cr)膜31をガラス基板2の片面に0.1μm程度成膜する。
(b)次に、成膜したクロム膜31の表面にレジスト32を塗布し、凹面11を形成する為のレジストパターニングを施して、クロム膜31を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングしてパターニングする。
(c)次に、レジストを付けた状態でガラス基板2をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、ガラス基板2の端部を1μm以上エッチングして、中央域表面より凹んだ凹面11を端部形成する。その後レジストを剥離する。
(d)続いて、クロム膜31面側にレジスト32を塗布し、電極形成溝9を形成する為のレジストパターニングを施して、クロム膜31を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングしてパターニングする。
(e)次に、レジストを付けた状態でガラス基板2をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、電極8の形状パターンに合わせて0.2μmの深さの電極形成溝9(等電位接点24へ繋がる溝を含む)をエッチングにより形成する。なお、等電位接点となる部分については溝凹部を形成しないのでエッチングはしない。
(f)電極形成溝9の形成後、電極形成溝9が形成されたガラス基板2の全面に導電部材を成膜する。導電部材としてはITOが好ましく、それをスパッタ法などを用いて0.1μmの厚さに成膜する。なお、ITOに代えて他の導電部材を使用しても良い。
(g)その後、成膜されたITO膜をパターニングし、対向電極8a及び電極端子8bを備えた電極8、及び等電位接点24を形成する。
(h)最後に液体供給口13及び大気連通穴28をサンドブラスト法または切削加工により形成する。これにより、ガラス基板2を基材とした電極基板2Aが作製される。
なお、上記の工程では含めなかったが、電極端子8bに装着されるFPCやケーブルの接続具(又は接続部)を電極端子8bの配列方向に位置決めすることができる図1に符号10で示す側壁を、凹面11を形成する際に併せてガラス基板2の端部に形成することが好ましい。側壁10は、例えば、FPCやケーブルの接続具を電極端子8bに装着する際に、その接続具の側部を側壁10に接触させると、接続具の端子が自動的に電極端子8bの所定位置に位置決めされるような態様に形成する。
次に、図5〜図7の(a)〜(t)に従って液滴吐出ヘッドの製造方法を説明する。
(a)まず、図4のようにして作製された電極基板2Aに接合されてキャビティプレート1となるシリコン基板41を準備する。そのシリコン基板41は、(110)を面方位とする酸素濃度の低いシリコン基板とし、電極基板2Aとの接合面側となる面を鏡面研磨し、220μmの厚みのシリコン基板41を作製する。この基板41を、酸素及び水蒸気雰囲気中において、1075℃の温度条件で4時間酸化することで、シリコン基板41の両面に約1.2μmのSiO2膜41Aを成膜する。
(b)シリコン基板41の両面にレジストを塗布し、電極取出し口25となる部分のSiO2膜41Aを除去すべくレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液でエッチングして、SiO2膜41Aをパターニングする。その後、シリコン基板41からレジストを剥離する。
(c)続いて、ウェットエッチングまたはドライエッチングを行い、電極取出し口25となる部分のシリコンを1μm以上エッチングして凹部25aを形成する。本実施例では5μm程度エッチングする。
(d)パターニングをした面と反対面にレジストを塗布した後、シリコン基板41をふっ酸水溶液に浸し、鏡面側のSiO2膜41Aをエッチングにて除去する。そして、レジストを剥離する。
(a)まず、図4のようにして作製された電極基板2Aに接合されてキャビティプレート1となるシリコン基板41を準備する。そのシリコン基板41は、(110)を面方位とする酸素濃度の低いシリコン基板とし、電極基板2Aとの接合面側となる面を鏡面研磨し、220μmの厚みのシリコン基板41を作製する。この基板41を、酸素及び水蒸気雰囲気中において、1075℃の温度条件で4時間酸化することで、シリコン基板41の両面に約1.2μmのSiO2膜41Aを成膜する。
(b)シリコン基板41の両面にレジストを塗布し、電極取出し口25となる部分のSiO2膜41Aを除去すべくレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液でエッチングして、SiO2膜41Aをパターニングする。その後、シリコン基板41からレジストを剥離する。
(c)続いて、ウェットエッチングまたはドライエッチングを行い、電極取出し口25となる部分のシリコンを1μm以上エッチングして凹部25aを形成する。本実施例では5μm程度エッチングする。
(d)パターニングをした面と反対面にレジストを塗布した後、シリコン基板41をふっ酸水溶液に浸し、鏡面側のSiO2膜41Aをエッチングにて除去する。そして、レジストを剥離する。
(e)次に、シリコン基板41の振動板4となるボロンドープ層42を形成する面を、B2O3を主成分とする固体の拡散源に対向させて石英ボートにセットする。さらに縦型炉に石英ボートをセットして、炉内を窒素雰囲気にし、温度を1050℃に上昇させて7時間保持することで、ボロンをシリコン基板41の片側面に拡散させて、0.8μmの厚さにボロンドープ層42を形成する。ボロンドープ層42の形成工程においては、炉へのシリコン基板41(石英ボート)の投入温度を800℃とし、さらにシリコン基板41の取出し温度も800℃とする。これにより、シリコン基板41内の酸素による酸素欠陥の成長速度が速い領域(600℃から800℃)をすばやく通過させることができるため、酸素欠陥の発生を抑えることができる。なお、この時、シリコン基板41の拡散面と反対面にはSiO2膜41Aが残っているため、ボロンが反対面に回り込んでも、SiO2膜41Aがマスクとなって反対面にボロンが拡散されることが無い。
(f)ボロンドープ層42の表面にはボロン化合物が形成されているが(図示なし)、酸素及び水蒸気雰囲気中、600℃の条件で1時間30分酸化することで、ふっ酸水溶液によるエッチングが可能なB2O3+SiO2 に化学変化させることができる。その後、シリコン基板41をふっ酸水溶液に10分間浸すと、ボロン拡散部のB2O3+SiO2膜及び反対面側のSiO2膜41Aがエッチング除去される。
(g)続いて、ボロンドープ層42を形成した面に、プラズマCVD法により、TEOS膜(絶縁膜)14を、成膜時の処理温度は360℃、高周波出力は250W、圧力は66.7Pa(0.5Torr)、ガス流量はTEOS流量100cm3 /min(100sccm)、酸素流量1000cm3 /min(1000sccm)の条件で0.1μm成膜する。さらに、成膜したTEOS膜14の表面にレジストを塗布し、等電位接点24に対応する接点となる部分(窓)をシリコン基板41に露出させるためのレジストパターニングを施す。そして、ふっ酸水溶液でウェットエッチングを行ってTEOS膜14をパターニングし窓を形成する。その後、レジストを剥離する。
(h)続いて、シリコン基板41と電極基板2Aを360℃に加熱した後、電極基板2Aに負極、シリコン基板41に正極を接続して、800Vの電圧を印加して、シリコン基板41と電極基板2Aとの陽極接合を行う。この陽極接合時に、シリコン基板41とガラス基板2の界面において、ガラスが電気化学的に分解され酸素が気体となって発生する場合がある。また加熱によって表面に吸着していたガス(気体)が発生する場合もある。しかしながら、これらの気体は大気開放穴28から逃げるため、ギャップ16内が正圧になることは無い。また、この陽極接合時、各電極8とシリコン基板41は前述した等電位接点24と窓を介して接触し、各電極8とシリコン基板41は等電位となる。したがって、陽極接合中にギャップ16内で放電が起こることもない。
(i)陽極接合後、シリコン基板41の厚みが約60μmになるまでシリコン基板41表面の研削加工を行う。その後、加工変質層を除去するために、32w%の濃度の水酸化カリウム溶液でシリコン基板41を約10μmエッチングする。これによりシリコン基板41の厚みを約50μmにする。
なお、この研削工程及び加工変質層除去工程においては、大気開放穴28から液体がギャップに入り込まないように、片面保護治具、テープ等を用いて大気開放穴28を塞ぎ、ギャップを保護する。
なお、この研削工程及び加工変質層除去工程においては、大気開放穴28から液体がギャップに入り込まないように、片面保護治具、テープ等を用いて大気開放穴28を塞ぎ、ギャップを保護する。
(j)次に、ウェットエッチングを行った面に対し、TEOSによるエッチングマスク(以下、TEOSエッチングマスクという)43をプラズマCVD法により成膜する。成膜条件としては、例えば、成膜時の処理温度は360℃、高周波出力は700W、圧力は33.3Pa(0.25Torr)、ガス流量はTEOS流量100cm3 /min(100sccm)、酸素流量1000cm3 /min(1000sccm)の条件で1.0μm成膜する。
(k)続いて、大気開放穴28に例えばエポキシ系接着剤28Aを流し込み、大気開放穴28を封止する。これによりギャップ16は密閉状態となるため、以後の工程で大気開放穴28から液体等が入り込むことが無くなる。なお、大気開放穴28の封止は、TEOSエッチングマスクを成膜した後に行うのが好ましい。TEOSエッチングマスクの成膜前に大気開放穴28の封止を行うと、閉じこめられたギャップ16内の気圧が、TEOSエッチングマスク成膜時に膨張し、薄くなったシリコン基板を押し上げて、シリコン基板41が割れる可能性があるからである。
さらに、TEOSエッチングマスク43にレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液中に浸して、吐出室5となる部分のTEOSエッチングマスク43が無くなるまで、その部分をエッチングする。その後レジストを剥離する。
さらに、TEOSエッチングマスク43にレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液中に浸して、吐出室5となる部分のTEOSエッチングマスク43が無くなるまで、その部分をエッチングする。その後レジストを剥離する。
(l)続いて、リザーバ7および電極取出し口25となる部分のTEOSエッチングマスク43をエッチングするため、レジストパターニングを施す。そして、ふっ酸水溶液でそれらの部分のTEOSエッチングマスク43を0.7μmだけエッチングしてパターニングする。これによりリザーバ7および電極取出し口25となる部分に残っているTEOSエッチングマスク43の厚みは0.3μmとなる。このようにするのは、リザーバ7となる部分と電極取出し口25となる部分の底面に厚みを持たせ、それらの剛性を高めるためである。この後、レジストを剥離する。
なお、特開2004−306444号公報にあるように、エッチングした場合に電極取出し口25となる部分の中央部にシリコンの島が残るように、TEOSエッチングマスク43に対してレジストパターニングを施してもよい。
なお、特開2004−306444号公報にあるように、エッチングした場合に電極取出し口25となる部分の中央部にシリコンの島が残るように、TEOSエッチングマスク43に対してレジストパターニングを施してもよい。
(m)次に、シリコン基板41と電極基板2Aとの接合済み基板を、35wt%の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、吐出室5の底面厚みが約5μmになるまでウェットエッチングを行う。このとき、リザーバ7となる部分の電極取出し口25となる部分はマスクされており、エッチングがまだ始まっていない。
(n)続いて、ふっ酸水溶液に接合済み基板を浸して、リザーバ7となる部分および電極取出し口25となる部分のTEOSエッチングマスク43を除去する。
(o)さらに、接合済み基板を3wt%の濃度の水酸化カリウム水溶液に20分程度浸し、ボロンドープ層42によるエッチングレート低下が表れるまでエッチングを続ける。このように、2種類の濃度の異なる水酸化カリウム水溶液を用いたエッチングを行うことによって、形成される振動板4の面荒れを抑制し、振動板4の厚み精度を0.80±0.05μm以下にすることができる。その結果、液滴吐出ヘッドの吐出性能を安定化することができる。
このエッチングにより、リザーバ7及び電極取出し部25となる部分の深さは約30μmとなる。従って、リザーバ部の厚みは約20μmとなり、電極取出し口部の厚みは約15μm(5μmの凹部25aがあるため)となる。この厚みのため、吐出室5より広い面積を有するこれらの部分でその強度が高まり、製造過程での割れが低減される。また、電極取出し口25となる部分の、電極基板2とシリコン基板41のギャップ16が、他の部分のギャップ16より拡大されているため、その部分における加工屑など異物の噛み込みも低減されて、シリコン基板41が製造過程で割れることも低減される。従って、製造歩留まりを向上させることができる。
(p)ウェットエッチングを終了すると、接合済み基板をふっ酸水溶液に浸し、シリコン基板41表面のTEOSエッチングマスク43を剥離する。
このエッチングにより、リザーバ7及び電極取出し部25となる部分の深さは約30μmとなる。従って、リザーバ部の厚みは約20μmとなり、電極取出し口部の厚みは約15μm(5μmの凹部25aがあるため)となる。この厚みのため、吐出室5より広い面積を有するこれらの部分でその強度が高まり、製造過程での割れが低減される。また、電極取出し口25となる部分の、電極基板2とシリコン基板41のギャップ16が、他の部分のギャップ16より拡大されているため、その部分における加工屑など異物の噛み込みも低減されて、シリコン基板41が製造過程で割れることも低減される。従って、製造歩留まりを向上させることができる。
(p)ウェットエッチングを終了すると、接合済み基板をふっ酸水溶液に浸し、シリコン基板41表面のTEOSエッチングマスク43を剥離する。
(q)次に、シリコン基板41の電極取出し口25を開口させるため、電極取出し口25となる部分の残留シリコンを除去する。そのため、電極取出し口25となる部分が開口したシリコンマスクを接合済み基板のシリコン基板41側の表面に取り付ける。そして、例えば、RFパワー200W、圧力40Pa(0.3Torr)、CF4 流量30cm3 /min(30sccm)の条件で、RIEドライエッチング(異方性ドライエッチング)を1時間行い、電極取出し口25となる部分のみにプラズマを当てて開口する。これにより、シリコン基板41は図1に示したキャビティプレート1の状態になる。また、電極8とシリコン基板41とのギャップ16も大気開放される。
(r)次に、例えばエポキシ樹脂からなる封止材26を、キャビティプレート1と電極基板2Aの電極8との間で形成されるギャップ16の開口端部に沿って流し込み、ギャップ16を封止する。これによりギャップ16は再び密閉状態となる。また、ギャップ16と大気開放穴28へ連通する溝も、この封止材26によって遮断される。
(s)その後、ノズル孔12があらかじめ形成されたノズルプレート3を、例えばエポキシ系接着剤により、接合済み基板のキャビティプレート1側に接着する。
(t)最後に、ダイシングライン27に沿ってダイシングを行い、個々の液滴吐出ヘッド毎に裁断し、液滴吐出ヘッドが完成する。ここで、陽極接合時には短絡していた各電極8はそれぞれ分断され、ノズル孔12毎に独立する。また、大気開放穴28及びそこに連通していたガラス溝も切断されて除去される。
(t)最後に、ダイシングライン27に沿ってダイシングを行い、個々の液滴吐出ヘッド毎に裁断し、液滴吐出ヘッドが完成する。ここで、陽極接合時には短絡していた各電極8はそれぞれ分断され、ノズル孔12毎に独立する。また、大気開放穴28及びそこに連通していたガラス溝も切断されて除去される。
以上のような方法によれば、ガラス基板2とシリコン基板41を接合した後に、接合されたシリコン基板41に対して吐出室5等の各流路を形成するため、取り扱いが容易で、シリコン基板41の割れも低減することができ、且つ基板の大口径化が可能となる。大口径化が可能となれば、一枚のシリコン基板から多くのインクジェットヘッドを取出すことができるため、生産性を向上させることができる。
また、電極基板2Aの電極端子8b部を凹面11として深くし、キャビティプレート1となるシリコン基板41の電極取出し口25となる部分にザグリを入れて凹部25aとして、電極取出し口25となる部分のギャップ16を拡大しているため、製造過程でギャップ16に異物が噛み込まれてシリコン基板41が割れることも低減される。
さらに、電極基板2Aの電極端子8aにFPC23を実装する際に、その接続端部23aを電極基板2Aの凹面11の側壁10に当ててアライメントができるようにした場合には、電極端子8bに対するFPC23の接続端部23の位置決めが容易となる。
なお、上記に示した液滴吐出ヘッドの製造方法は一例であり、そこで使用した温度、圧力、時間、厚みなどの条件は、上記に説明したものに限られるものではない。
また、電極基板2Aの電極端子8b部を凹面11として深くし、キャビティプレート1となるシリコン基板41の電極取出し口25となる部分にザグリを入れて凹部25aとして、電極取出し口25となる部分のギャップ16を拡大しているため、製造過程でギャップ16に異物が噛み込まれてシリコン基板41が割れることも低減される。
さらに、電極基板2Aの電極端子8aにFPC23を実装する際に、その接続端部23aを電極基板2Aの凹面11の側壁10に当ててアライメントができるようにした場合には、電極端子8bに対するFPC23の接続端部23の位置決めが容易となる。
なお、上記に示した液滴吐出ヘッドの製造方法は一例であり、そこで使用した温度、圧力、時間、厚みなどの条件は、上記に説明したものに限られるものではない。
実施の形態2
図8は実施の形態1で製造した液滴吐出ヘッドを用いた液滴吐出装置の概略構成図である。図8の液滴吐出装置はインクジェット方式による印刷を目的とするプリンタである。図8において、被印刷物であるプリント紙110が支持されるドラム101と、プリント紙110にインクを吐出し、記録を行う液滴吐出ヘッド102とで主に構成される。また、図示していないが、液滴吐出ヘッド102にインクを供給するためのインク供給手段がある。プリント紙110は、ドラム101の軸方向に平行に設けられた紙圧着ローラ103により、ドラム101に圧着して保持される。そして、送りネジ104がドラム101の軸方向に平行に設けられ、液滴吐出ヘッド102が保持されている。送りネジ104が回転することによって液滴吐出ヘッド102がドラム101の軸方向に移動するようになっている。
図8は実施の形態1で製造した液滴吐出ヘッドを用いた液滴吐出装置の概略構成図である。図8の液滴吐出装置はインクジェット方式による印刷を目的とするプリンタである。図8において、被印刷物であるプリント紙110が支持されるドラム101と、プリント紙110にインクを吐出し、記録を行う液滴吐出ヘッド102とで主に構成される。また、図示していないが、液滴吐出ヘッド102にインクを供給するためのインク供給手段がある。プリント紙110は、ドラム101の軸方向に平行に設けられた紙圧着ローラ103により、ドラム101に圧着して保持される。そして、送りネジ104がドラム101の軸方向に平行に設けられ、液滴吐出ヘッド102が保持されている。送りネジ104が回転することによって液滴吐出ヘッド102がドラム101の軸方向に移動するようになっている。
一方、ドラム101は、ベルト105等を介してモータ106により回転駆動される。また、プリント制御手段107は、印画データ及び制御信号に基づいて送りネジ104、モータ106を駆動させ、また、図示していない発振駆動回路を駆動させて液滴吐出ヘッド102の振動板を駆動させ、プリント紙110に印刷を行わせる。
ここでは液体をインクとしてプリント紙110に吐出するようにしているが、液滴吐出ヘッドから吐出する液体はインクに限定されない。例えば、染料または顔料を含む液体、有機EL等の表示基板に吐出させる用途においては、発光素子となる化合物を含む液体、基板上に配線する用途においては、例えば導電性金属を含む液体を、それぞれの装置において設けられた液滴吐出ヘッドから吐出させるようにしてもよい。また、液滴吐出ヘッドをディスペンサとし、生体分子のマイクロアレイとなる基板に吐出する用途に用いる場合では、DNA(Deoxyribo Nucleic Acids :デオキシリボ核酸)、他の核酸(例えば、Ribo Nucleic Acid:リボ核酸、Peptide Nucleic Acids:ペプチド核酸等)タンパク質等のプローブを含む液体を吐出させるようにしてもよい。
1 キャビティプレート、2 ガラス基板、2A 電極基板、3 ノズルプレート、4 振動板、5 吐出室、6 オリフィス、7 リザーバ、8 電極、8a 対向電極、8b 電極端子、9 電極形成溝、10 側壁、11 ガラス基板端部の凹面、12 ノズル孔、13 液体供給口、14 TEOS膜(絶縁膜)、16 ギャップ、18 ダイアフラム、19 共通電極、20 液滴、21 記録紙、22 発振回路、23 FPC、23a FPCの接続端部、24 等電位接点、25 電極取出し口、25a 電極取出し口となる凹部、26 封止材、27 ダイシングライン、28 大気開放穴、41 シリコン基板、41A シリコン酸化膜(SiO2膜)、42 ボロンドープ層、43 TEOSエッチングマスク、100 プリンタ、102 液滴吐出ヘッド。
Claims (6)
- ガラス基板に複数の電極を形成した電極基板と、液体を貯えて吐出させる吐出室が少なくとも形成されるシリコン基板とを、前記電極と前記シリコン基板との間にギャップを介して対向させて接合し、前記電極基板と接合された前記シリコン基板に、前記吐出室を含む液体流路と前記電極の外部機器への接続部に対応した電極取出し口となる部分とをエッチングを利用して形成する液滴吐出ヘッドの製造方法において、
ガラス基板の表面に複数の電極形成溝を形成し、前記ガラス基板の端部を前記電極形成溝が形成された面より凹んだ凹面に形成し、前記電極形成溝から前記凹面に至る複数の電極を成膜し、前記凹面に成膜された前記電極を外部機器と接続する電極端子とした電極基板を、前記シリコン基板に接合される電極基板として用いることを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。 - 前記電極基板との接合により前記電極端子と対向することになる前記シリコン基板の表面を、周囲より凹んだ凹部に予め形成しておくことを特徴とする請求項1記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記電極端子に装着される接続具を前記電極端子の配列方向に位置決めする側壁を、前記凹面を形成する際に併せて前記端部に形成することを特徴とする請求項1または2記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- ガラス基板に複数の電極が形成された電極基板と、液体を貯えて吐出させる可撓性の底面を有した吐出室が形成されたシリコン基板とが、前記電極と前記吐出室の底面とをギャップを介して対向させて接合されており、前記ギャップが密閉されてなる液滴吐出ヘッドであって、前記電極基板は、
ガラス基板の表面に複数の電極形成溝が形成され、前記ガラス基板の端部が前記電極形成溝が形成された面より凹んだ凹面に形成され、前記電極形成溝から前記凹面に至る複数の電極が成膜され、前記凹面に成膜された前記電極が外部機器と接続される電極端子となっていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。 - 前記電極端子に装着される接続具を前記電極端子の各電極の配列方向に位置決めする側壁が、前記電極形成溝が形成されている面と前記凹面との境界をなす段差面により形成されていることを特徴とする請求項4記載の液滴吐出ヘッド。
- 液滴吐出ヘッドとして請求項4または5記載のヘッドを備えた液滴吐出装置。
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WO2009016993A1 (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-05 | Konica Minolta Opto, Inc. | 下型の製造方法、ガラスゴブの製造方法及びガラス成形体の製造方法 |
-
2006
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A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080507 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20090727 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |