JP2008055666A - 静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】一方の電極を構成する振動板とそれに対向する個別電極との間に、電圧を印可して振動板を駆動させるアクチュエータにおいて、振動板の変形による体積変化量を確保しつつ、振動板の個別電極への貼り付きを抑制する。
【解決手段】個別電極18の長手方向に沿う中央部分が、その両側部分より振動板5側に突出した電極中央凸部18aとして形成されており、対向する電極間に電圧を印加時、振動板5の長手方向に沿う長手方向中央部分が電極中央凸部18aと接触するとともに、振動板5の長手方向中央部分の両側部分が、電極中央凸部18aの表面とその両側部分の表面との間の位置まで引き寄せられた状態となる静電アクチュエータ。
【選択図】図4
【解決手段】個別電極18の長手方向に沿う中央部分が、その両側部分より振動板5側に突出した電極中央凸部18aとして形成されており、対向する電極間に電圧を印加時、振動板5の長手方向に沿う長手方向中央部分が電極中央凸部18aと接触するとともに、振動板5の長手方向中央部分の両側部分が、電極中央凸部18aの表面とその両側部分の表面との間の位置まで引き寄せられた状態となる静電アクチュエータ。
【選択図】図4
Description
本発明は振動板と個別電極を備えた静電アクチュエータ、その静電アクチュエータを適用した液滴吐出ヘッド、及びその液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置に関する。
インクジェット記録装置におけるインクを吐出させる方法として、駆動手段に静電気力を利用した、いわゆる静電駆動方式のインクジェット記録装置がある。静電駆動方式のインクジェット記録装置では、圧力室の一面を構成している振動板とそれに対向する個別電極を帯電させることにより、振動板を個別電極側に吸引して当接させ、その後振動板を個別電極から引き離すことにより、インクを圧力室に引き込み、かつインクに吐出圧力を加えて、インクをノズルから吐出させるものである。従って、この振動板と個別電極からなる駆動機構は、静電気力を利用したアクチュエータとして作用している。
ところで、静電気力を利用したアクチュエータにおいて、振動板が個別電極に当接した際に、その接触面積が大きいと振動板の貼り付きが起きる可能性が大きくなるという課題があった。その貼り付きを防止するため、従来より各種の提案がなされている。
ところで、静電気力を利用したアクチュエータにおいて、振動板が個別電極に当接した際に、その接触面積が大きいと振動板の貼り付きが起きる可能性が大きくなるという課題があった。その貼り付きを防止するため、従来より各種の提案がなされている。
例えば、個別電極を構成するITO(Indium Tin Oxide)の成膜条件を制御することにより、ITO表面に凹凸をランダムに形成して、振動板と個別電極との接触面積を減少させる提案がある(例えば、特許文献1参照)。
また、振動板の貼り付き防止を直接の目的にしてはいないが、ウェットエッチングまたはドライエッチングにて振動板に凹部を形成し、振動板を低電圧で適切に変形させようとする発明があり(例えば、特許文献2参照)、これも振動板と個別電極との接触面積を減少させるのに寄与している。
特開2001−10052号公報
特開2002−79669号公報
また、振動板の貼り付き防止を直接の目的にしてはいないが、ウェットエッチングまたはドライエッチングにて振動板に凹部を形成し、振動板を低電圧で適切に変形させようとする発明があり(例えば、特許文献2参照)、これも振動板と個別電極との接触面積を減少させるのに寄与している。
しかし、特許文献1のように成膜条件を制御して個別電極の表面に凹凸をランダムに形成する方法では、凹凸の量や位置を制御することができない。また、凹凸が多量になると、吐出液の排除体積が減少してしまう。
一方、特許文献2のように振動板に凹部を形成することは、アクチュエータの小型化に伴い振動板の厚みも薄くなるため、この方法で振動板に凹部を精度良く形成することが難しい。
一方、特許文献2のように振動板に凹部を形成することは、アクチュエータの小型化に伴い振動板の厚みも薄くなるため、この方法で振動板に凹部を精度良く形成することが難しい。
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、吐出液の排除体積を適切に保つことができ、しかも、振動板と個別電極との貼り付きを抑制できる、静電アクチュエータ、該静電アクチュエータを適用した液滴吐出ヘッド、及びその液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置を提供することを目的とする。
本発明の静電アクチュエータは、電極を構成する細長形状で可撓性を有した振動板と、前記振動板にギャップを隔てて対向配置された細長形状の個別電極とを備え、電圧印加のON/OFFにより前記振動板を前記個別電極に接離させる静電アクチュエータであって、前記個別電極の長手方向の中央部分が、前記中央部分の両側部分より前記振動板側に突出した電極中央凸部として形成されており、前記電極間に電圧を印加時、前記振動板の長手方向に沿う長手方向中央部分が前記電極中央凸部と接触するとともに、前記振動板の長手方向中央部分の両側部分が、前記電極中央凸部の表面とその両側部分の表面との間の位置まで引き寄せられた状態となるものである。
上記静電アクチュエータによれば、振動板の動作時、振動板と個別電極の接触面積が減少して振動板の個別電極に対する貼り付きが防止され、長期に亘り高い安定した信頼性の駆動状態を確保できる。
また、振動板と個別電極の接触面積や位置を適切に制御できるため、振動板の挙動が制御でき、複数配列したすべてのアクチュエータで同じ駆動が可能となる。
さらに、振動板の長手方向に沿う長手方向中央部分が個別電極の電極中央凸部と接触するとともに、振動板の長手方向中央部分の両側部分が、電極中央凸部の表面とその両側部分の表面との間の位置まで引き寄せられた状態となるようにしているため、静電アクチュエータを、吐出液を引き込んでそれを吐出させる作用を果たす液滴吐出ヘッドとして使用する場合に、吐出液の排除体積を確保してその吐出性能を向上させることができる。
また、振動板と個別電極の接触面積や位置を適切に制御できるため、振動板の挙動が制御でき、複数配列したすべてのアクチュエータで同じ駆動が可能となる。
さらに、振動板の長手方向に沿う長手方向中央部分が個別電極の電極中央凸部と接触するとともに、振動板の長手方向中央部分の両側部分が、電極中央凸部の表面とその両側部分の表面との間の位置まで引き寄せられた状態となるようにしているため、静電アクチュエータを、吐出液を引き込んでそれを吐出させる作用を果たす液滴吐出ヘッドとして使用する場合に、吐出液の排除体積を確保してその吐出性能を向上させることができる。
なお、前記個別電極の電極中央凸部と前記中央凸部の両側端部との間に、前記電極中央凸部の突出高さより低い高さの電極側凸部が、前記電極中央凸部に沿って形成されていてもよい。
これにより、振動板の長手方向中央部分の両側部分を確実に個別電極側に引きつけることができ、吐出液の排除体積が保証される。
これにより、振動板の長手方向中央部分の両側部分を確実に個別電極側に引きつけることができ、吐出液の排除体積が保証される。
前記個別電極がガラス基板上に形成されている場合、前記個別電極の電極中央凸部または電極側凸部は、前記ガラス基板に形成された凸部面に電極材料が成膜されて形成されてよい。個別電極は、通常、ガラス基板の表面に形成された溝部に形成されるため、その溝部をエッチングにより形成する際に、併せてガラス基板に凸部を形成しておけば、一回の電極成膜工程で、個別電極を中央凸部または側凸部まで含んで形成できる。
また、前記個別電極の電極中央凸部または電極側凸部は、電極材料が前記各凸部の周囲より厚く成膜されて形成されてもよい。この場合には、電極の成膜作業を繰り返すことで、個別電極を中央凸部または側凸部まで含んで形成できる。
また、前記個別電極の電極中央凸部または電極側凸部は、電極材料が前記各凸部の周囲より厚く成膜されて形成されてもよい。この場合には、電極の成膜作業を繰り返すことで、個別電極を中央凸部または側凸部まで含んで形成できる。
本発明の液滴吐出ヘッドは、上記いずれかに記載の静電アクチュエータが、液滴吐出室(圧力室)の一部を構成しているものである。
そして本発明の液滴吐出装置は、上記の液滴吐出ヘッドが搭載されているものである。
これらの液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置によれば、振動板の変形による体積変化量を確保しつつ、振動板の個別電極への貼り付きが抑制される。従って、ノズルから吐出されるインク等の液滴の量及び吐出方向が安定し、また吐出液滴の分離も安定するので、余分な液滴や不要なインクミストの発生が防止でき、プリンタに使用する場合には長期に亘り安定して優れた印字品位が確保される。
そして本発明の液滴吐出装置は、上記の液滴吐出ヘッドが搭載されているものである。
これらの液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置によれば、振動板の変形による体積変化量を確保しつつ、振動板の個別電極への貼り付きが抑制される。従って、ノズルから吐出されるインク等の液滴の量及び吐出方向が安定し、また吐出液滴の分離も安定するので、余分な液滴や不要なインクミストの発生が防止でき、プリンタに使用する場合には長期に亘り安定して優れた印字品位が確保される。
(静電アクチュエータを適用した静電駆動型のインクジェットヘッド)
以下に図面を参照して、本発明の静電アクチュエータを適用した静電駆動型のインクジェットヘッドの一例を説明する。
図1は本発明の実施形態に係る静電型アクチュエータを適用したインクジェットヘッドの分解斜視図である。また、図2は組み立てられたインクジェットヘッドの断面構成図(図3のII−II線断面)、図3は組み立てられたインクジェットヘッドの平面上での主要な構成要素の配置関係を説明する平面図、図4はその部分断面図(IV−IV線断面)である。
以下に図面を参照して、本発明の静電アクチュエータを適用した静電駆動型のインクジェットヘッドの一例を説明する。
図1は本発明の実施形態に係る静電型アクチュエータを適用したインクジェットヘッドの分解斜視図である。また、図2は組み立てられたインクジェットヘッドの断面構成図(図3のII−II線断面)、図3は組み立てられたインクジェットヘッドの平面上での主要な構成要素の配置関係を説明する平面図、図4はその部分断面図(IV−IV線断面)である。
これらの図に示すように、このインクジェットヘッド1は、基板の上面に形成したインクノズルからインク液滴を吐出するフェイスイジェクトタイプのものである。なお、基板の端部に設けたインクノズルからインク液滴を吐出させるエッジイジェクトタイプのものにも、本発明の静電アクチュエータが適用できることは勿論である。
インクジェットヘッド1は、キャビティープレート3を挟み、一方にノズルプレート2、他方にガラス基板4がそれぞれ積層された3層構造となっている。
インクジェットヘッド1は、キャビティープレート3を挟み、一方にノズルプレート2、他方にガラス基板4がそれぞれ積層された3層構造となっている。
キャビティープレート3は、例えばシリコン基板であり、プレートの表面には底壁が振動板5として機能するインク室(圧力室ともいう)6を構成することになる凹部7と、凹部7の後方に設けられたインク供給口8を形成することになる細溝9と、各々のインク室6にインクを供給するためのリザーバ10を構成することになる凹部11とがエッチングによって形成されている。このキャビティープレート3のガラス基板4と対向する面には、絶縁膜22が成膜されている。
キャビティープレート3の上側に接合されるノズルプレート2は、例えば、キャビティープレート3と同様にシリコン基板から形成されている。ノズルプレート2において、インク室6の上面を規定している部分には各インク室6に連通する複数のインクノズル21が形成されている。
ノズルプレート2をキャビティープレート3に接合することにより、上記の凹部7、11及び細溝9が塞がれて、インク室6、インク供給口8、リザーバ10がそれぞれ区画形成される。リザーバ10の底面を規定する部分にはリザーバ10にインクを供給するための孔12aが設けられており、基板接合後、後述するガラス基板4に設けられた孔12bと共にインク供給孔12を形成する。インク供給孔12には、不図示の接続チューブを介して不図示のインクタンクが接続される。インク供給孔12から供給されたインクは、各インク供給口8を経由して独立した各インク室6に供給される。
ここで、静電型アクチュエータは、一時的に各インク室6内の圧力を上昇させて、対応するインクノズル21からインク滴を吐出させるために、各インク室6にそれぞれ設けられている。各静電アクチュエータは微小なギャップをもって対向配置された一対の電極部材から構成される。この電極部材の一方は、ガラス基板4の凹部16に形成された細長形状の個別電極18であり、他方はインク室6の底面を構成している細長形状の振動板5である。振動板5は可撓性を有して変形可能となっている。
キャビティープレート3の下側に接合されるガラス基板4は、通常、シリコンと熱膨張率が近いホウ珪酸ガラス基板からなる。このガラス基板4において、それぞれの振動板5に対向する部位にはギャップ15を構成することになる凹部16が形成されている。この凹部16の底面には、振動板5に対向する個別電極18が形成されている。個別電極18は、通常、ITOからなり、その一端は端子部19として形成されている。
ガラス基板4をキャビティープレート3に接合することにより、各インク室6の底面を規定している振動板5と個別電極18は、非常に狭いギャップ15を隔てて対峙する。この接合された後のギャップ15による空間は、キャビティープレート3とガラス基板4の間に配置した封止剤20によって封止されている。
振動板5は薄肉とされており、面外方向、すなわち、図2において上下方向に弾性変形可能となっている。この振動板5は、各インク室6側の共通電極として機能する。この共通電極としての振動板5の底面51にはSiO2からなる絶縁層22が形成されている。そして、ギャップ15を挟み、各振動板5とそれに対応する各個別電極18とによってアクチュエータが形成されている。
振動板5と個別電極18の間には電圧印加装置25が接続されている。電圧印加装置25の一方の出力は各個別電極18の端子部19に接続され、他方の出力はキャビティープレート3に形成された共通電極端子26に接続されている。キャビティープレート3自体は導電性を持つので、この共通電極端子26から振動板5に電圧を供給することができる。
なお、より低い電気抵抗で振動板5に電圧を供給する必要がある場合には、例えば、キャビティープレート3の一方の面に、金等の導電性材料の薄膜を蒸着やスパッタリングで形成すればよい。本例では、キャビティープレート3とガラス基板4との接続に陽極接合を用いているので、陽極接合時に接合電圧を印可するための電極としてキャビティープレート3の流路形成面側に導電膜を形成してあり、この導電膜は共通電極端子26と共用することができる。
(個別電極の形態1)
図4は個別電極18の態様を説明するための図であって、図3のIV−IV方向(個別電極の短手(短辺)方向)からみた図(a)及び(b)と、(b)のガラス基板4の斜視図(c)である。図4(a)に示すように、個別電極18は、その長手(長辺)方向に沿う中央部分が、その両側部分より振動板5側に突出した電極中央凸部18aとして形成されている。この電極中央凸部18aは、図4(a)に示すように、ガラス基板4に形成した凸部を利用して形成してもよく、あるいは図4(b)に示すように、個別電極18の電極材料を部分的に厚く積層して形成してもよい。また、個別電極18中の電極中央凸部18aの位置を明らかにするため、図4(c)において図4(b)のガラス基板4の斜視図を示した。なお、個別電極18中における電極中央凸部18aの位置は、図4(a)においてもこれと同じである。
図4は個別電極18の態様を説明するための図であって、図3のIV−IV方向(個別電極の短手(短辺)方向)からみた図(a)及び(b)と、(b)のガラス基板4の斜視図(c)である。図4(a)に示すように、個別電極18は、その長手(長辺)方向に沿う中央部分が、その両側部分より振動板5側に突出した電極中央凸部18aとして形成されている。この電極中央凸部18aは、図4(a)に示すように、ガラス基板4に形成した凸部を利用して形成してもよく、あるいは図4(b)に示すように、個別電極18の電極材料を部分的に厚く積層して形成してもよい。また、個別電極18中の電極中央凸部18aの位置を明らかにするため、図4(c)において図4(b)のガラス基板4の斜視図を示した。なお、個別電極18中における電極中央凸部18aの位置は、図4(a)においてもこれと同じである。
個別電極18と振動板5との関係は、振動板5と個別電極18間に電圧を印加時、振動板5の長手方向に沿う長手方向中央部分が個別電極18の電極中央凸部18aでのみ接触し、それ以外の部分では両者は接触しない。ただし、振動板5の長手方向中央部分の両側の底面部分は、個別電極18の電極中央凸部18aの表面とその両側部分(平坦部)の表面との間の位置まで、十分に引き寄せられた状態(図4(a)参照)となるようにする。
図4の個別電極18を有したインクジェットヘッド1においては、電圧印加装置25からの駆動電圧が印加されると、振動板5と個別電極18との間に充電された電荷によるクーロン力が発生し、振動板5は個別電極18側に撓んで電極中央凸部18aと当接し、振動板5の長手方向中央部分の両側部分は、個別電極18の電極中央凸部18aの表面とその両側部分(平坦部)の表面との間の位置まで、十分に引き寄せられた状態となり、インク室6の容積が拡大する。次に、電圧印加装置25からの駆動電圧を解除して放電すると、振動板5は電極中央凸部18aから離れ、その弾性復帰力によって復帰し、インク室6の容積が急激に縮小する。この時発生する内圧変動により、インク室6に貯留されたインクの一部がインク室6に連通しているインクノズル21から記録紙に向かって吐出する。
このように、静電アクチュエータを構成している振動板5と個別電極18とが電極中央凸部18aで点接触状態となるため、振動板5の個別電極18への貼り付きが抑制される。また、振動板5は個別電極18側に十分に引き寄せられるため、インク室6の体積変化量を確保できる。従って、インク吐出特性が向上するとともに、振動板5の長期に渡る安定駆動が可能となる。
(個別電極の形態2)
本発明において個別電極の態様は、図5(a)、(b)に示す態様としてもよい。図5(a)は図4(a)に、図5(b)は図4(b)にそれぞれ対応する図面であって、ここでは、個別電極18の電極中央凸部18aに加えて、電極中央凸部18aとその両側端部との間に、電極中央凸部18aの突出高さより低い高さの電極側凸部18bが、電極中央凸部18aに沿って形成されている。電極側凸部18bは、電極中央凸部18aの両側に1つ以上形成してもよい。ただし、多すぎると凸部を形成している意味が無くなるので、その点を考慮して設計する必要がある。
本発明において個別電極の態様は、図5(a)、(b)に示す態様としてもよい。図5(a)は図4(a)に、図5(b)は図4(b)にそれぞれ対応する図面であって、ここでは、個別電極18の電極中央凸部18aに加えて、電極中央凸部18aとその両側端部との間に、電極中央凸部18aの突出高さより低い高さの電極側凸部18bが、電極中央凸部18aに沿って形成されている。電極側凸部18bは、電極中央凸部18aの両側に1つ以上形成してもよい。ただし、多すぎると凸部を形成している意味が無くなるので、その点を考慮して設計する必要がある。
図5の個別電極18を有したインクジェットヘッド1においては、電圧印加装置25からの駆動電圧が個別電極間に印加されると、振動板5と個別電極18との間に充電された電荷によるクーロン力が発生し、振動板5は個別電極18側に撓んでその電極中央凸部18a及び電極側凸部18bと当接し、振動板5の長手方向中央部分の両側部分は、個別電極18の電極中央凸部18aの表面とその両側部分(平坦部)の表面との間の位置まで、十分に引き寄せられた状態となり、インク室6の容積が拡大する。次に、電圧印加装置25からの駆動電圧を解除して放電すると、振動板5は電極中央凸部18a及び電極側凸部18bから離れ、その弾性復帰力によって復帰し、インク室6の容積が急激に縮小する。この時発生する内圧変動により、インク室6に貯留されたインクの一部が、インク室6に連通しているインクノズル21から記録紙に向かって吐出する。
このように、静電アクチュエータを構成している振動板5と個別電極18とが電極中央凸部18a及び電極側凸部18bで点接触状態となるため、振動板5の個別電極18への貼り付きが抑制される。また、振動板5は個別電極18側に十分に引き寄せられるため、インク室6の体積変化量を確保できる。従って、インク吐出特性が向上するとともに、振動板5の長期に渡る安定駆動が可能となる。
なお、個別電極の形態1、2で説明した電極中央凸部18a及び電極側凸部18bの突出高さは、少なくとも個別電極18表面の平均面粗さの値を超える値において、可能な限り低く設定するものとする。
なお、個別電極の形態1、2で説明した電極中央凸部18a及び電極側凸部18bの突出高さは、少なくとも個別電極18表面の平均面粗さの値を超える値において、可能な限り低く設定するものとする。
(静電アクチュエータを適用したインクジェットヘッドの製造方法)
ここでは静電アクチュエータを適用したインクジェットヘッドの一例として、個別電極18の端子部19を他の部分より一段低くしたインクジェットヘッドに関する製造方法を用いて説明する。なお、本発明の静電アクチュエータを適用したインクジェットヘッド及びその製造方法は、これに限られるものではない。
ここでは静電アクチュエータを適用したインクジェットヘッドの一例として、個別電極18の端子部19を他の部分より一段低くしたインクジェットヘッドに関する製造方法を用いて説明する。なお、本発明の静電アクチュエータを適用したインクジェットヘッド及びその製造方法は、これに限られるものではない。
まず、ガラス基板4の製造方法を図6に従って説明する。
(a)約1mmのガラス基板4を用意し、エッチングマスクとなるクロム(Cr)膜31をガラス基板4の片面に0.1μm程度成膜する。
(b)次に、成膜したクロム膜31の表面にレジスト32を塗布し、凹面(以下、電極形成溝という)16を形成する為のレジストパターニングを施して、クロム膜31を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングしてパターニングする。
(c)次に、レジストを付けた状態でガラス基板4をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、ガラス基板4の端部を1μm以上エッチングして、中央域表面より凹んだ凹面4bを端部形成する。その後レジストを剥離する。
(d)続いて、クロム膜31面側にレジスト32を塗布し、電極中央凸部18a対応域にレジストを残したまま、電極形成溝4aを形成する為のレジストパターニングを施して、クロム膜31を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングしてパターニングする。
(e)次に、レジストを付けた状態でガラス基板4をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、個別電極18の形状パターンに合わせて例えば0.05μm程度の溝をエッチングにより形成する。このとき電極中央凸部18aはエッチングされない。その後、電極中央凸部18a対応域のレジストを除去して、再度ガラス基板4をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、上記溝に対して、さらに0.2μm程度追加エッチングを行う。これにより、0.25μmの深さの電極形成溝16が形成されるとともに、電極形成溝16内に、0.05μm程度のガラス凸部が形成される。
(f)電極形成溝16及び凸部の形成後、ガラス基板4の全面に導電部材を成膜する。導電部材としてはITOが好ましく、それをスパッタ法などを用いて0.1μmの厚さに成膜する。導電部材をこの厚さに成膜することで、ガラス基板4に接合されるキャビティープレート3との最小ギャップが、0.1μm程度になることとなる。なお、ITOに代えて他の導電部材を使用しても良い。
(g)その後、成膜されたITO膜をパターニングし、個別電極18、電極端子19及び等電位接点等を形成する。
(h)最後に液体供給用の穴12b及び大気連通穴28をサンドブラスト法または切削加工により形成する。これにより、個別電極18を有したガラス基板4が作製できる。
なお、ここでは、電極側凸部18bがないものとしたが、電極側凸部18bを備える場合には、電極中央凸部18aと同様にしてそれを形成することができる。また、これらの電極凸部は、ガラス基板の凸部を利用することなく、その部分の導電部材の積層厚みを、他の部分より厚くすることで形成してもよい。
(a)約1mmのガラス基板4を用意し、エッチングマスクとなるクロム(Cr)膜31をガラス基板4の片面に0.1μm程度成膜する。
(b)次に、成膜したクロム膜31の表面にレジスト32を塗布し、凹面(以下、電極形成溝という)16を形成する為のレジストパターニングを施して、クロム膜31を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングしてパターニングする。
(c)次に、レジストを付けた状態でガラス基板4をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、ガラス基板4の端部を1μm以上エッチングして、中央域表面より凹んだ凹面4bを端部形成する。その後レジストを剥離する。
(d)続いて、クロム膜31面側にレジスト32を塗布し、電極中央凸部18a対応域にレジストを残したまま、電極形成溝4aを形成する為のレジストパターニングを施して、クロム膜31を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングしてパターニングする。
(e)次に、レジストを付けた状態でガラス基板4をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、個別電極18の形状パターンに合わせて例えば0.05μm程度の溝をエッチングにより形成する。このとき電極中央凸部18aはエッチングされない。その後、電極中央凸部18a対応域のレジストを除去して、再度ガラス基板4をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、上記溝に対して、さらに0.2μm程度追加エッチングを行う。これにより、0.25μmの深さの電極形成溝16が形成されるとともに、電極形成溝16内に、0.05μm程度のガラス凸部が形成される。
(f)電極形成溝16及び凸部の形成後、ガラス基板4の全面に導電部材を成膜する。導電部材としてはITOが好ましく、それをスパッタ法などを用いて0.1μmの厚さに成膜する。導電部材をこの厚さに成膜することで、ガラス基板4に接合されるキャビティープレート3との最小ギャップが、0.1μm程度になることとなる。なお、ITOに代えて他の導電部材を使用しても良い。
(g)その後、成膜されたITO膜をパターニングし、個別電極18、電極端子19及び等電位接点等を形成する。
(h)最後に液体供給用の穴12b及び大気連通穴28をサンドブラスト法または切削加工により形成する。これにより、個別電極18を有したガラス基板4が作製できる。
なお、ここでは、電極側凸部18bがないものとしたが、電極側凸部18bを備える場合には、電極中央凸部18aと同様にしてそれを形成することができる。また、これらの電極凸部は、ガラス基板の凸部を利用することなく、その部分の導電部材の積層厚みを、他の部分より厚くすることで形成してもよい。
次に、図7〜図9の(a)〜(t)に従って、本発明の実施の形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を説明する。
(a)まず、図7のようにして作製されたガラス基板4に接合されてキャビティプレート3となるシリコン基板41を準備する。そのシリコン基板41は、(110)を面方位とする酸素濃度の低いシリコン基板とし、ガラス基板4との接合面側となる面を鏡面研磨し、220μmの厚みのシリコン基板41を作製する。この基板41を、酸素及び水蒸気雰囲気中において、1075℃の温度条件で4時間酸化することで、シリコン基板41の両面に約1.2μmのSiO2膜41Aを成膜する。
(b)シリコン基板41の両面にレジストを塗布し、電極取出し口29となる部分のSiO2膜41Aを除去すべくレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液でエッチングして、SiO2膜41Aをパターニングする。その後、シリコン基板41からレジストを剥離する。
(c)続いて、ウェットエッチングまたはドライエッチングを行い、電極取出し口29となる部分のシリコンを1μm以上エッチングして凹部29aを形成する。本実施例では5μm程度エッチングする。
(d)パターニングをした面と反対面にレジストを塗布した後、シリコン基板41をふっ酸水溶液に浸し、鏡面側のSiO2膜41Aをエッチングにて除去する。そして、レジストを剥離する。
(a)まず、図7のようにして作製されたガラス基板4に接合されてキャビティプレート3となるシリコン基板41を準備する。そのシリコン基板41は、(110)を面方位とする酸素濃度の低いシリコン基板とし、ガラス基板4との接合面側となる面を鏡面研磨し、220μmの厚みのシリコン基板41を作製する。この基板41を、酸素及び水蒸気雰囲気中において、1075℃の温度条件で4時間酸化することで、シリコン基板41の両面に約1.2μmのSiO2膜41Aを成膜する。
(b)シリコン基板41の両面にレジストを塗布し、電極取出し口29となる部分のSiO2膜41Aを除去すべくレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液でエッチングして、SiO2膜41Aをパターニングする。その後、シリコン基板41からレジストを剥離する。
(c)続いて、ウェットエッチングまたはドライエッチングを行い、電極取出し口29となる部分のシリコンを1μm以上エッチングして凹部29aを形成する。本実施例では5μm程度エッチングする。
(d)パターニングをした面と反対面にレジストを塗布した後、シリコン基板41をふっ酸水溶液に浸し、鏡面側のSiO2膜41Aをエッチングにて除去する。そして、レジストを剥離する。
(e)次に、シリコン基板41の振動板4となるボロンドープ層42を形成する面を、B2O3を主成分とする固体の拡散源に対向させて石英ボートにセットする。さらに縦型炉に石英ボートをセットして、炉内を窒素雰囲気にし、温度を1050℃に上昇させて7時間保持することで、ボロンをシリコン基板41の片側面に拡散させて、0.8μmの厚さにボロンドープ層42を形成する。ボロンドープ層42の形成工程においては、炉へのシリコン基板41(石英ボート)の投入温度を800℃とし、さらにシリコン基板41の取出し温度も800℃とする。これにより、シリコン基板41内の酸素による酸素欠陥の成長速度が速い領域(600℃から800℃)をすばやく通過させることができるため、酸素欠陥の発生を抑えることができる。なお、この時、シリコン基板41の拡散面と反対面にはSiO2膜41Aが残っているため、ボロンが反対面に回り込んでも、SiO2膜41Aがマスクとなって反対面にボロンが拡散されることが無い。
(f)ボロンドープ層42の表面にはボロン化合物が形成されているが(図示なし)、酸素及び水蒸気雰囲気中、600℃の条件で1時間30分酸化することで、ふっ酸水溶液によるエッチングが可能なB2O3+SiO2 に化学変化させることができる。その後、シリコン基板41をふっ酸水溶液に10分間浸すと、ボロン拡散部のB2O3+SiO2膜及び反対面側のSiO2膜41Aがエッチング除去される。
(g)その後、ボロンドープ層42を形成した面に、プラズマCVD法により、TEOS膜(絶縁膜)22を、成膜時の処理温度は360℃、高周波出力は250W、圧力は66.7Pa(0.5Torr)、ガス流量はTEOS流量100cm3 /min(100sccm)、酸素流量1000cm3 /min(1000sccm)の条件で0.1μm成膜する。さらに、成膜したTEOS膜22の表面にレジストを塗布し、等電位接点に対応する接点となる部分(窓)をシリコン基板41に露出させるためのレジストパターニングを施す。そして、ふっ酸水溶液でウェットエッチングを行ってTEOS膜22をパターニングし窓を形成する。その後、レジストを剥離する。
(h)続いて、シリコン基板41とガラス基板4を360℃に加熱した後、ガラス基板4に負極、シリコン基板41に正極を接続して、800Vの電圧を印加して、シリコン基板41とガラス基板4との陽極接合を行う。この陽極接合時に、シリコン基板41とガラス基板4の界面において、ガラスが電気化学的に分解され酸素が気体となって発生する場合がある。また加熱によって表面に吸着していたガス(気体)が発生する場合もある。しかしながら、これらの気体は大気開放穴28から逃げるため、ギャップ15内が正圧になることは無い。また、この陽極接合時、各個別電極18とシリコン基板41は前述した等電位接点と窓を介して接触し、それらは等電位となる。したがって、陽極接合中にギャップ15内で放電が起こることもない。
(i)陽極接合後、シリコン基板41の厚みが約60μmになるまでシリコン基板41表面の研削加工を行う。その後、加工変質層を除去するために、32w%の濃度の水酸化カリウム溶液でシリコン基板41を約10μmエッチングする。これによりシリコン基板41の厚みを約50μmにする。
なお、この研削工程及び加工変質層除去工程においては、大気開放穴28から液体がギャップに入り込まないように、片面保護治具、テープ等を用いて大気開放穴28を塞ぎ、ギャップを保護する。
なお、この研削工程及び加工変質層除去工程においては、大気開放穴28から液体がギャップに入り込まないように、片面保護治具、テープ等を用いて大気開放穴28を塞ぎ、ギャップを保護する。
(j)次に、ウェットエッチングを行った面に対し、TEOSによるエッチングマスク(以下、TEOSエッチングマスクという)43をプラズマCVD法により成膜する。成膜条件としては、例えば、成膜時の処理温度は360℃、高周波出力は700W、圧力は33.3Pa(0.25Torr)、ガス流量はTEOS流量100cm3 /min(100sccm)、酸素流量1000cm3 /min(1000sccm)の条件で1.0μm成膜する。
(k)続いて、大気開放穴28に例えばエポキシ系接着剤を流し込み、大気開放穴28を封止する。これによりギャップ15は密閉状態となるため、以後の工程で大気開放穴28から液体等が入り込むことが無くなる。なお、大気開放穴28の封止は、TEOSエッチングマスクを成膜した後に行うのが好ましい。TEOSエッチングマスクの成膜前に大気開放穴28の封止を行うと、閉じこめられたギャップ15内の気圧が、TEOSエッチングマスク成膜時に膨張し、薄くなったシリコン基板を押し上げて、シリコン基板41が割れる可能性があるからである。
さらに、TEOSエッチングマスク43にレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液中に浸して、インク室6となる部分のTEOSエッチングマスク43が無くなるまで、その部分をエッチングする。その後レジストを剥離する。
さらに、TEOSエッチングマスク43にレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液中に浸して、インク室6となる部分のTEOSエッチングマスク43が無くなるまで、その部分をエッチングする。その後レジストを剥離する。
(l)続いて、リザーバ10及び電極取出し口29となる部分のTEOSエッチングマスク43をエッチングするため、レジストパターニングを施す。そして、ふっ酸水溶液でそれらの部分のTEOSエッチングマスク43を0.7μmだけエッチングしてパターニングする。これによりリザーバ7及び電極取出し口29となる部分に残っているTEOSエッチングマスク43の厚みは0.3μmとなる。このようにするのは、リザーバ10となる部分と電極取出し口29となる部分の底面に厚みを持たせ、それらの剛性を高めるためである。この後、レジストを剥離する。
(m)次に、シリコン基板41とガラス基板4との接合基板を、35wt%の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、インク室6の底面厚みが約5μmになるまでウェットエッチングを行う。このとき、リザーバ10となる部分及び電極取出し口29となる部分はマスクされており、エッチングがまだ始まっていない。
(n)続いて、ふっ酸水溶液に接合基板を浸して、リザーバ10となる部分及び電極取出し口29となる部分のTEOSエッチングマスク43を除去する。
(o)さらに、接合基板を3wt%の濃度の水酸化カリウム水溶液に20分程度浸し、ボロンドープ層42によるエッチングレート低下が表れるまでエッチングを続ける。このように、2種類の濃度の異なる水酸化カリウム水溶液を用いたエッチングを行うことによって、形成される振動板5の面荒れを抑制し、振動板5の厚み精度を0.80±0.05μm以下にすることができる。その結果、液滴吐出ヘッドの吐出性能を安定化することができる。
このエッチングにより、リザーバ10及び電極取出し部29となる部分の深さは約30μmとなる。従って、リザーバ部の厚みは約20μmとなり、電極取出し口部の厚みは約15μm(5μmの凹部29aがあるため)となる。この厚みのため、インク室6より広い面積を有するこれらの部分でその強度が高まり、製造過程での割れが低減される。また、電極取出し口29となる部分の、ガラス基板4とシリコン基板41のギャップ15が、他の部分のギャップ15より拡大されているため、その部分における加工屑など異物の噛み込みも低減されて、シリコン基板41が製造過程で割れることも低減される。従って、製造歩留まりを向上させることができる。
(p)ウェットエッチングを終了すると、ガラス基板4とシリコン基板41の接合基板をふっ酸水溶液に浸し、シリコン基板41表面のTEOSエッチングマスク43を剥離する。
このエッチングにより、リザーバ10及び電極取出し部29となる部分の深さは約30μmとなる。従って、リザーバ部の厚みは約20μmとなり、電極取出し口部の厚みは約15μm(5μmの凹部29aがあるため)となる。この厚みのため、インク室6より広い面積を有するこれらの部分でその強度が高まり、製造過程での割れが低減される。また、電極取出し口29となる部分の、ガラス基板4とシリコン基板41のギャップ15が、他の部分のギャップ15より拡大されているため、その部分における加工屑など異物の噛み込みも低減されて、シリコン基板41が製造過程で割れることも低減される。従って、製造歩留まりを向上させることができる。
(p)ウェットエッチングを終了すると、ガラス基板4とシリコン基板41の接合基板をふっ酸水溶液に浸し、シリコン基板41表面のTEOSエッチングマスク43を剥離する。
(q)次に、シリコン基板41の電極取出し口29を開口させるため、電極取出し口29となる部分の残留シリコンを除去する。そのため、電極取出し口29となる部分が開口したシリコンマスクを接合基板のシリコン基板41側の表面に取り付ける。そして、例えば、RFパワー200W、圧力40Pa(0.3Torr)、CF4流量30cm3 /min(30sccm)の条件で、RIEドライエッチング(異方性ドライエッチング)を1時間行い、電極取出し口29となる部分のみにプラズマを当てて開口する。これにより、シリコン基板41は図1に示したキャビティプレート3の状態になる。また、個別電極18とシリコン基板41とのギャップ15も大気開放される。
(r)次に、例えばエポキシ樹脂からなる封止剤20を、キャビティプレート3とガラス基板4の個別電極18との間で形成されるギャップ15の開口端部に沿って流し込み、ギャップ15を封止する。これによりギャップ15は再び密閉状態となる。また、ギャップ15と大気開放穴28へ連通する溝も、この封止剤20によって遮断される。
(s)その後、ノズル孔21があらかじめ形成されたノズルプレート2を、例えばエポキシ系接着剤により、接合基板のキャビティプレート3側に接着する。
(t)最後に、ダイシングラインに沿ってダイシングを行い、個々の液滴吐出ヘッド毎に裁断し、液滴吐出ヘッドが完成する。
(t)最後に、ダイシングラインに沿ってダイシングを行い、個々の液滴吐出ヘッド毎に裁断し、液滴吐出ヘッドが完成する。
(静電アクチュエータを適用した液滴吐出装置)
図10は本発明に係る液滴吐出ヘッドを組み込んだ液滴吐出装置であるインクジェットプリンタの概略構成図である。図10において、被印刷物であるプリント紙110が支持されるドラム101と、プリント紙110にインクを吐出し、記録を行う液滴吐出ヘッド102とで主に構成される。また、図示していないが、液滴吐出ヘッド102にインクを供給するためのインク供給手段がある。プリント紙110は、ドラム101の軸方向に平行に設けられた紙圧着ローラ103により、ドラム101に圧着して保持される。そして、送りネジ104がドラム101の軸方向に平行に設けられ、液滴吐出ヘッド102が保持されている。送りネジ104が回転することによって、液滴吐出ヘッド102がドラム101の軸方向に移動するようになっている。
一方、ドラム101は、ベルト105などを介してモータ106により回転駆動される。また、プリント制御手段107は、印画データ及び制御信号に基づいて送りネジ104及びモータ106を駆動させ、また、ここでは図示していない発振駆動回路を駆動させて液滴吐出ヘッドの振動板を駆動させて、プリント紙110に印刷を行わせる。
図10は本発明に係る液滴吐出ヘッドを組み込んだ液滴吐出装置であるインクジェットプリンタの概略構成図である。図10において、被印刷物であるプリント紙110が支持されるドラム101と、プリント紙110にインクを吐出し、記録を行う液滴吐出ヘッド102とで主に構成される。また、図示していないが、液滴吐出ヘッド102にインクを供給するためのインク供給手段がある。プリント紙110は、ドラム101の軸方向に平行に設けられた紙圧着ローラ103により、ドラム101に圧着して保持される。そして、送りネジ104がドラム101の軸方向に平行に設けられ、液滴吐出ヘッド102が保持されている。送りネジ104が回転することによって、液滴吐出ヘッド102がドラム101の軸方向に移動するようになっている。
一方、ドラム101は、ベルト105などを介してモータ106により回転駆動される。また、プリント制御手段107は、印画データ及び制御信号に基づいて送りネジ104及びモータ106を駆動させ、また、ここでは図示していない発振駆動回路を駆動させて液滴吐出ヘッドの振動板を駆動させて、プリント紙110に印刷を行わせる。
なお、上記の例は、本発明の静電アクチュエータをインクジェットプリンタに適用した例であるが、本発明の静電型アクチュエータはそれ以外にも適用できる。例えば、特開平7−54259号公報に開示されているようなマイクロメカニカル装置、静電型アクチュエータを用いた表示装置、マイクロポンプ等に対して同様に適用できる。また、吐出液は、インクに限らず各種の液滴を吐出させることもできる。
さらには、個別電極間に発生する電圧変化を、個別電極の相対変位量として検出する静電型センサに対しても本発明を同様に適用できる。本明細書における「静電アクチュエータ」という用語は、このような静電型センサの検出部も含む広い意味を有するものとして用いている。
1 インクジェットヘッド、2 ノズルプレート、3 キャビティープレート、4 ガラス基板、5 振動板、6 インク室(圧力室)、10 リザーバ、12 インク供給孔、12a、12b 孔、15 ギャップ、16 凹面(電極形成溝)、18 個別電極、18a 電極中央凸部、18b 電極側凸部、19 個別電極の端子部、20 封止剤、21 インクノズル、22 絶縁膜、25 電圧印加装置、26 共通電極端子。
Claims (6)
- 電極を構成する細長形状で可撓性を有した振動板と、前記振動板にギャップを隔てて対向配置された細長形状の個別電極とを備え、電圧印加のON/OFFにより前記振動板を前記個別電極に接離させる静電アクチュエータであって、
前記個別電極の長手方向の中央部分が、前記中央部分の両側部分より前記振動板側に突出した電極中央凸部として形成されており、
前記電極間に電圧を印加時、前記振動板の長手方向に沿う長手方向中央部分が前記電極中央凸部と接触するとともに、前記振動板の長手方向中央部分の両側部分が、前記電極中央凸部の表面とその両側部分の表面との間の位置まで引き寄せられた状態となる、ことを特徴とする静電アクチュエータ。 - 前記個別電極の電極中央凸部と前記中央凸部の両側端部との間に、前記電極中央凸部の突出高さより低い高さの電極側凸部が、前記電極中央凸部に沿って形成されている、ことを特徴とする請求項1記載の静電アクチュエータ。
- 前記個別電極はガラス基板上に形成されており、前記個別電極の電極中央凸部または電極側凸部は、前記ガラス基板に形成された凸部面に電極材料が成膜されて形成されている、ことを特徴とする請求項1または2記載の静電アクチュエータ。
- 前記個別電極の電極中央凸部または電極側凸部は、電極材料が前記各凸部の周囲より厚く成膜されて形成されている、ことを特徴とする請求項1または2記載の静電アクチュエータ。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の静電アクチュエータを備え、前記振動板を、吐出液を引き込んで吐出させる圧力室の一部としていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
- 請求項5記載の液滴吐出ヘッドが搭載されていることを特徴とする液滴吐出装置。
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- 2006-08-30 JP JP2006233259A patent/JP2008055666A/ja not_active Withdrawn
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