JP2007184351A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱板を基板に対して十分な強度をもって固定することで、放熱板の剥がれを防止して、半導体チップの動作の信頼性を確保する。
【解決手段】
放熱板105の固定面部105bは、接着剤樹脂106によって、その上下面を挟まれた構成となっているので、従来のように放熱板の下面と基板の上面とを単に接着剤樹脂によって固定していた場合と比較して、その固定面積を増大させることができる。したがって、放熱板105を基板101の上面に対して、より十分な強度をもって固定することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】
放熱板105の固定面部105bは、接着剤樹脂106によって、その上下面を挟まれた構成となっているので、従来のように放熱板の下面と基板の上面とを単に接着剤樹脂によって固定していた場合と比較して、その固定面積を増大させることができる。したがって、放熱板105を基板101の上面に対して、より十分な強度をもって固定することができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、放熱板を有する半導体装置及びその製造方法に関し、特にその放熱板を基板に固定する技術に関する。
近年、高集積化、高性能化といった観点から、その双方を実現し得る半導体装置として、BGA(Ball Grid Array)パッケージ構造の半導体装置が注目されている。
以下、このBGA半導体装置の構成について説明する。図5(A)は、当該BGA半導体装置の構成を模式的に示す側面方向からの断面図である。図5(B)は、当該BGA半導体装置の構成を模式的に示す平面図である。
図5(A)及び図5(B)に示すように、当該BGA半導体装置は、基板201の上面に半導体チップ202を搭載し、基板201と半導体チップ202を半田または金バンプを介して電気的に接続し、基板201と半導体チップ202の間隙をアンダーフィル樹脂剤203で封止するとともに、基板201の下面に、半導体チップ202と電気的に接続した複数の電極を形成して、この電極上に半田バンプ204を設けて外部電極とするものである。この半田バンプ204は、基板201の下面にアレイ状に配置されているため、QFP(Quad Flat Package)半導体装置と比較するとより多くの外部電極が設けられ、また、同じ外部電極数なら、QFP半導体装置よりもパッケージサイズが小さくできるという特徴を有している。
当該BGA半導体装置は、実装基板上に位置決めして搭載し、当該BGA半導体装置と実装基板とを加熱することで、半田バンプ204をリフローして、実装基板上の電極に電気的に接続する。
ところで、近年、半導体装置には、インターネットやイントラネットなどの急速な普及に伴い、搭載される半導体チップの高性能化が求められている。また一方で、半導体チップは高速になるほど回路動作時の発熱量が増し、動作の信頼性が低下するといった不都合がある。そこで、このような不都合を回避するために、半導体チップから発生する熱を放熱する放熱板を備えることで、当該半導体装置の動作の信頼性を向上させる技術が提案されている。例えば、特開2001−210761号公報に記載される半導体装置においては、シート状の放熱板を、補強材として炭素繊維を含む耐熱性を有する樹脂体により構成することが提案されている(例えば、特許文献1を参照。)。また、特開2001−168244号公報に記載される半導体装置においては、ヒートスプレッダ(放熱板)をレーザー溶接により溶着することが提案されている(例えば、特許文献2を参照。)。また、特開2002−134669号公報に記載される半導体装置においては、放熱フィンを搭載する蓋体と絶縁基板を異なるヤング率の接着樹脂によって取着されることが提案されている(例えば、特許文献3を参照。)。また、特開2004−165586号公報に記載されるパッケージ構造及びそれを搭載したプリント基板においては、LSIからの熱を、ヒートスプレッダを介してヒートシンクに伝達する構造が開示されている(例えば、特許文献4を参照。)。
ここで、この放熱板を有するBGA半導体装置の構成について説明する。図6(A)は、当該BGA半導体装置の構成を模式的に示す側面方向からの断面図である。図6(B)は、当該BGA半導体装置の構成を模式的に示す平面図である。図6(C)は、当該BGA半導体装置の構成を模式的に示す側面方向からの部分拡大図である。
図6(A)及び図6(B)に示すように、当該BGA半導体装置は、基板201上に搭載される半導体チップ202を上方から覆うように放熱板205が配置され、この放熱板205は、半導体チップ202の上面に対して、接着剤樹脂またはアルミナペースト、あるいは銀ペーストなどの接着剤207を介して固定されるとともに、基板201の上面に対しては、図6(C)に示すように、接着剤樹脂206を介して固定される。
ところが、このようなBGA半導体装置においては、上述した半田バンプ204のリフロー時に、パッケージ全体に反りが生じる。これは、主として半導体チップ202と基板201の熱膨張率差が原因となっている。さらに、半導体チップ202とアンダーフィル樹脂剤203の熱膨張率差もその原因となっている。より詳細には、基板201やアンダーフィル樹脂剤203の熱膨張率が半導体チップ202の熱膨張率よりも大きいことが原因となっている。
以下に、当該BGA半導体装置のリフロー時に発生する反り状態について説明する。図7(A)は、当該BGA半導体装置のリフロー中(高温時)の反り状態を模式的に示す側面方向からの断面図である。図7(B)は、当該BGA半導体装置のリフロー中(高温時)の反り状態を模式的に示す側面方向からの部分拡大図である。また、図8(A)は、当該BGA半導体装置のリフロー冷却時(低温から常温)の反り状態を模式的に示す側面方向からの断面図である。図8(B)は、当該BGA半導体装置のリフロー冷却時(低温から常温)の反り状態を模式的に示す側面方向からの部分拡大図である。
図7(A)に示すように、リフロー中(高温時)においては、半導体チップ202と基板201の熱膨張率差、さらには、半導体チップ202とアンダーフィル樹脂剤203の熱膨張率差などから、当該BGA半導体装置は、図中に示す方向に反りを生じる。図7(B)に示すように、この際、放熱板205と基板201を固定する接着剤樹脂206には、放熱板205の下面と基板201の上面からそれぞれ図中に矢印A、Bで示す方向(圧縮方向)に力が加わる。
一方、図8(A)に示すように、リフロー冷却時(低温から常温)においては、同様に、半導体チップ202と基板201の熱膨張率差、さらには、半導体チップ202とアンダーフィル樹脂剤203の熱膨張率差などから、当該BGA半導体装置は、図中に示す方向に反りを生じる。図8(B)に示すように、この際、放熱板205と基板201を固定する接着剤樹脂206には、放熱板205の下面と基板201の上面からそれぞれ図中に矢印A、Bで示す方向(引張り方向)に力が加わる。
特開2001−210761号公報 (段落[0022]、図2)
特開2001−168244号公報 (段落[0027]、図2)
特開2002−134669号公報 (段落[0040]、図1(A)、図1(B)
特開2004−165586号公報 (段落[0036]、図4(A)、図4(B))
ここで、リフロー冷却時(低温から常温)においては、放熱板205と基板201を固定する接着剤樹脂206に、放熱板205を基板201の上面から剥がす方向(引張り方向)の力が加わるため、この力によって放熱板205が基板201の上面から剥がれてしまう場合がある。このようにして放熱板205が基板201の上面から剥がれてしまうと、当該放熱板205を半導体チップ202に対して押圧する力が弱まり、放熱板205と半導体チップ202の熱接触状態が不良となる。また、放熱板205が基板201の上面から剥がれてしまう結果、放熱板205を唯一固定することになる接着剤207にヒビや割れが生じてしまうと放熱板205と半導体チップ202の熱接触状態がさらに不良となる。その結果、放熱板205は半導体チップ202から発生する熱を十分に放熱することができなくなり、当該BGA半導体装置の動作の信頼性を確保することが困難になる。
この点、従来のBGA半導体装置においては、図7(B)や図8(B)に示して説明したように、放熱板205の下面を基板201の上面に対して接着剤樹脂206を介して固定する構成を採っているため、当該放熱板205の基板201に対する固定は、単に接着剤樹脂206のアンカー効果に頼っており、また、パッケージサイズをできるだけ縮小したいという観点から、その固定面積を増大させることも考えにくいことから、上述した放熱板205を基板201から剥がす方向(引張り方向)の力に対して十分な固定強度を保つことが困難となっている。
本発明によれば、半導体チップが搭載されている基板と、前記半導体チップを覆うとともに前記基板上に固定されている放熱板とを備え、前記放熱板は、前記基板との固定面に少なくとも1つの穴部が設けられており、当該穴部に充填されている樹脂剤を介して前記基板に対して固定されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
この半導体装置によれば、放熱板は、その固定面に設けられた穴部に充填されている樹脂剤を介して基板に対して固定されている構造となっているので、単に放熱板の下面と基板の上面とを樹脂剤を介して固定する従来の構造と比べて、その固定面積が増大されており、十分な固定強度を得ることができる。
また、本発明によれば、半導体チップが搭載されている基板上に前記半導体チップを覆うように放熱板が固定されてなる半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップが搭載されている基板と、当該基板との固定面に穴部が少なくとも1つ設けられている放熱板とを用意する工程と、前記半導体チップが搭載されている基板上に樹脂剤を塗布する工程と、前記放熱板の固定面を前記基板上に塗布された樹脂剤に押圧して、前記穴部に当該樹脂剤を充填させる工程と、前記穴部に充填された樹脂剤を硬化させることで、前記放熱板を前記基板に対して固定する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
この半導体装置の製造方法によれば、放熱板の固定面に設けられた穴部に樹脂剤を充填して、当該樹脂剤を介して放熱板を基板に対して固定する方法を採っているので、単に放熱板の下面と基板の上面とを樹脂剤を介して固定する従来の構造と比べて、その固定面積を増大させることができ、十分な固定強度を得ることができる。
本発明によれば、放熱板を基板に対して十分な強度をもって固定することができるので、放熱板の剥がれを防止することができる。その結果、当該放熱板により十分な放熱がなされるので、半導体チップの動作の信頼性を確保することができる。
以下、本発明に係る半導体装置の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
[第1の実施形態]
[第1の実施形態]
本実施の形態に係る半導体装置は、放熱板の固定面に貫通孔が設けられており、この貫通孔に樹脂剤が充填されることで、放熱板が基板に対してより強固に固定される構成としたものである。なお、本発明にいう穴部とは、上記貫通孔の他に凹溝部などを含むものである。したがって、本実施の形態に係る半導体装置は、上記貫通孔の替わりに凹溝部を設けることにしてもよい。
まず、当該半導体装置の構成を説明する。図1(A)は、当該半導体装置の構成を模式的に示す側面方向からの断面図である。図1(B)は、当該半導体装置の構成を模式的に示す平面図である。図1(C)は、当該半導体装置の側面方向からの部分拡大図である。
図1(A)に示すように、当該半導体装置は、配線パターンが形成され、且つこの配線パターンの保護膜としてソルダレジストが形成された基板101と、この基板101上に搭載され、その配線パターンと半田または金バンプを介して電気的に接続された半導体チップ102と、この半導体チップ102を覆うように配置された放熱板105を含んで構成される。ここで、基板101の上面と半導体チップ102の下面の間隙は、アンダーフィル樹脂剤103によって封止され、半導体チップ102の上面は、放熱板105の下面に対して接着剤樹脂またはアルミナペースト、あるいは銀ペーストなどの接着剤107を介して固定されているとともに、放熱板105は、基板101の上面に対して後述する貫通孔105cに充填される接着剤樹脂106を介して固定されている。また、基板101の下面には、半導体チップ102と電気的に接続した複数の電極が形成され、この電極上に半田バンプ104が設けられて外部電極とされている。この半田バンプ104は、基板101の下面にアレイ状に配置されている。なお、当該半導体装置は、実装基板上に位置決めして搭載した状態で、実装基板と当該半導体装置を加熱することにより半田バンプ104をリフローすることで、実装基板上の電極と接続される。
ここで、放熱板105の構成を説明する。図2(A)は、当該放熱板の構成を模式的に示す側面方向からの断面図である。図2(B)は、当該放熱板の構成を模式的に示す平面図である。
図2(A)及び図2(B)に示すように、放熱板105は、半導体チップ102が収容され、当該半導体チップ102の上面側から見て凹形状をなす凹部105aと、この凹部105aの周辺に設けられ基板101との固定面となるとともに、その周辺部に沿って複数の貫通孔105cが形成された固定面部105bとからなる。なお、この貫通孔105cの形状は、矩形、円形、楕円形等であってよい。また、この貫通孔105cの形状は、放熱板105の外周部にまで至る形状としてもよい。また、この貫通孔105cの個数は、その形状を、例えば当該放熱板105の周囲3辺にわたるコの字形状とするような場合には、1つであってもよい。また、上述したように、この貫通孔105cに替わって凹溝部を形成することにしてもよい。
このような構成において、放熱板105の凹部105a下面は、半導体チップ102の上面に対して接着剤107を介して固定されているとともに、固定面部105bの下面は、基板101の上面に対して貫通孔105cに充填される接着剤樹脂106を介して固定されている。
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。(1)まず、基板101上に半導体チップ102を搭載して電気的に接続する。ここで、半導体チップ102と基板101の間隙はアンダーフィル樹脂剤103によって封止する。(2)次に、この半導体チップ102上面に接着剤107を塗る。(3)次に、基板101の上面であって、放熱板105が載置されたときにその固定面部105bの貫通孔105cと対応する位置にあらかじめ接着剤樹脂106を必要量塗布する。具体的には、放熱板105を基板101の上面に載置したときに、貫通孔105c内の途中で、この接着剤樹脂106の侵入が停止される程度の量とする。(4)次に、放熱板105を、半導体チップ102を覆うように基板101上に載置する。この際、放熱板105の凹部105a下面は、半導体チップ102の上面に塗布された接着剤107に対して押圧され、接着剤樹脂106は貫通孔105cよりも拡径される(なお、貫通孔105cに替わって凹溝部を設けた場合には、この際に接着剤樹脂106が当該凹溝部に充填されることになる。)。(5)次に、放熱板105の貫通孔105cの内部に接着剤樹脂106を充填する。(6)さらに、この貫通孔105cを覆うように、放熱板105の固定面部105b上面に貫通孔105cよりも拡径して接着剤樹脂106を塗布する。(8)その上で熱処理を行ない、接着剤樹脂106を硬化させる。これにより、放熱板105の固定面部105bは、基板101の上面に対して、この接着剤樹脂106を介して固定される。
以上の工程を経た結果、図1(A)及び図1(B)に示す半導体装置が完成する。この際、放熱板105の固定面部105bと基板101上面との固定部分は、図1(C)に示す状態となる。ここで注目すべきは、放熱板105の貫通孔105cに充填されている接着剤樹脂106は、基板101の上面と固定面部105b下面との間隙において貫通孔105cよりも拡径しているとともに、固定面部105b上面において当該貫通孔105cよりも拡径していることである。その結果、放熱板105の固定面部105bは、接着剤樹脂106によってその上下面を挟まれる構成となる。このような構成により、放熱板105と基板101上面との固定面積は増大するので、従来のように放熱板の下面と基板の上面とを単に固定していた場合と比較して、より十分な固定強度を得ることができる。また、上述した放熱板105を基板101上面から剥がす方向(引張り方向)の力に対して、固定面部105b上面に貫通孔105cよりも拡径して塗布された接着剤樹脂106の部分がこれを圧縮の方向で受け止める構造となっているため、従来のように放熱板の下面と基板の上面とを単に固定していた場合と比較して、より大きな力に対しても耐えることができる。
なお、放熱板105の貫通孔105cに充填される接着剤樹脂106として、例えば弾性率が0.01GPa以上であって、且つ0.1GPa以下である比較的に低弾性の樹脂を用いることができる。このような低弾性率の樹脂であれば、上述した放熱板105を基板101上面から剥がす方向(引張り方向)の力が加わった場合に弾性変形を起こすことになるので、その分、当該接着剤樹脂106にかかる力のエネルギーを吸収することができる。
また、貫通孔105cに充填される接着剤樹脂106は、熱処理によって硬化する際に少なからず体積が減少するため、貫通孔105cの内部ではこの接着剤樹脂106との間に間隙が生じることになる。一方、リフロー時おいては、当該半導体装置が反り状態となることによって放熱板105と基板101とに位置ずれを生じさせようとする力が生じて、この力が接着剤樹脂106にかかることになるが、実際には、上述した間隙において放熱板105と基板101とに位置ずれが生じることになるので、その分、この位置ずれを生じさせようとする力のエネルギーが解消され、接着剤樹脂106にかかる力が緩和されることになる。
次に、本実施の形態に係る半導体装置の効果を説明する。上述したように、当該半導体装置においては、放熱板105の固定面部105bは、接着剤樹脂106によって、その上下面を挟まれる構成となるので、放熱板105と基板101上面の固定面積が増大されて、従来のように放熱板の下面と基板の上面とを単に固定していた場合と比較して、より十分な固定強度を得ることができる。また、放熱板105を基板101上面から剥がす方向(引張り方向)の力に対して、固定面部105b上面に貫通孔105cよりも拡径して塗布された接着剤樹脂106の部分がこれを圧縮の方向で受け止める構造となっているため、従来のように単に接着剤樹脂のアンカー効果に頼っていた場合と比較して、より大きな力に対しても耐えることができる。その結果、放熱板105が基板101から剥がれることもなく、当該放熱板105によって十分な放熱がなされるので、半導体チップ102の動作の信頼性を確保することができる。
[第2の実施形態]
[第2の実施形態]
本実施の形態に係る半導体装置は、基本的には、第1の実施の形態に係る半導体装置の構成と同様であるが、放熱板の貫通孔内に低弾性の接着剤樹脂を充填するとともに、それ以外の部分には、これよりも高弾性の接着剤樹脂を充填することで、上述した応力緩和の効果を得つつ、より大きな力に対しても耐えることができる構成としたものである。
まず、当該半導体装置の構成を説明する。図3は、当該半導体装置の側面方向からの部分拡大図である。
図3に示すように、当該半導体装置は、放熱板105が、固定面部105b下面と基板101の上面との間隙において貫通孔105cよりも拡径して充填されている接着剤樹脂106aと、固定面部105bの貫通孔105c内に充填されている接着剤樹脂106bと、この貫通孔105cを覆うように固定面部105bの上面において貫通孔105cよりも拡径して充填されている接着剤樹脂106cを介して、基板101の上面に対して固定されている構成となっている。ここで、接着剤樹脂106a、接着剤樹脂106b、接着剤樹脂106cの弾性率をそれぞれEA、EB、ECとすると、EB≦EA、且つEB≦ECの関係となっている。すなわち、貫通孔105c内に充填されている接着剤樹脂106bは、その他の部分に充填されている接着剤樹脂106a、106cと比較して低い弾性率を有している。具体的には、接着剤樹脂106bの弾性率EBは、0.01GPa以上であって、且つ0.1GPa以下とすることができる。接着剤樹脂106bの弾性率EBがこの範囲内にあれば、リフロー時に当該接着剤樹脂106bが弾性変形を起こすことになり、その分、接着剤樹脂106a〜106cにかかる力のエネルギーを吸収することができる。
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。(1)まず、半導体チップ102上面に接着剤107を塗る。(2)次に、基板101の上面であって、放熱板105が載置されたときにその固定面部105bの貫通孔105cと対応する位置にあらかじめ接着剤樹脂106aを必要量塗布する。具体的には、放熱板105を基板101の上面に載置したときに、貫通孔105c内の途中で、この接着剤樹脂106aの侵入が停止される程度の量とする。(3)次に、放熱板105を半導体チップ102を覆うように基板101上に載置する。この際、放熱板105の凹部105a下面は、半導体チップ102の上面に塗布された接着剤107に押圧される。(4)次に、放熱板105の貫通孔105cの内部に接着剤樹脂106bを充填する。(5)さらに、この貫通孔105cを覆うように、放熱板105の固定面部105b上面に貫通孔105cよりも拡径して接着剤樹脂106cを塗布する。(6)その上で熱処理を行ない、接着剤樹脂106a〜106cを硬化させる。これにより、放熱板105の固定面部105bは、基板101の上面に対して、これらの接着剤樹脂106a〜106cを介して固定される。以上の工程を経た結果、図3に示した半導体装置が完成する。
なお、接着剤樹脂106aと接着剤樹脂106cは、それぞれ放熱板105の貫通孔105c内部に若干入り込んだ構成としてもよい。このような構成とすることで、比較的強度が弱いこれらの接着剤樹脂106a、106cと接着剤樹脂106bとの接合面を放熱板105の固定面部105bの上下面ではなく貫通孔105cの内部に位置させることができるので、外部からの力に対してより強い構造とすることができる。
次に、本実施の形態に係る半導体装置の効果を説明する。本実施の形態に係る半導体装置は、第1の実施の形態に係る半導体装置と同様の効果が得られることは明白である。すなわち、当該半導体装置においても、放熱板105の固定面部105bは、接着剤樹脂106a〜106cによって、その上下面を挟まれる構成となるので、放熱板105と基板101上面の固定面積が増大されて、従来のように放熱板の下面と基板の上面とを単に固定していた場合と比較して、より十分な固定強度を得ることができる。また、当該半導体装置においては、放熱板105を基板101上面から剥がす方向(引張り方向)の力に対して、固定面部105b上面に貫通孔105cよりも拡径して塗布された接着剤樹脂106cの部分がこれを圧縮の方向で受け止める構造となっているため、従来のように単に接着剤樹脂のアンカー効果に頼っていた場合と比較して、より大きな力に対しても耐えることができる。
しかし、本実施の形態に係る半導体装置においては、固定面部105b下面と基板101の上面との間隙において貫通孔105cよりも拡径して充填されている接着剤樹脂106aと、固定面部105bの上面において貫通孔105cよりも拡径して充填されている接着剤樹脂106cとが、固定面部105bの貫通孔105c内に充填されている接着剤樹脂106bよりも高い弾性率を有しているので、リフロー冷却時(低温から常温)において、放熱板105を基板101の上面から剥がす方向(引張り方向)にさらに大きな応力が加わった場合であっても、これらの接着剤樹脂106a、106c(特に、接着剤樹脂106c)は変形を起こしにくくなっており、その結果、放熱板105がこれらの接着剤樹脂106a〜106cから抜けてしまうことを防止することができる。
[第3の実施形態]
[第3の実施形態]
本実施の形態に係る半導体装置は、基本的には、第1及び第2の実施の形態に係る半導体装置の構成と同様であるが、放熱板の固定面部に貫通孔に加えて凹溝部が形成され、これらのいずれにも樹脂剤が充填されることで、より強固に放熱板が基板の上面に対して固定される構成としたものである。
まず、当該半導体装置の構成を説明する。図4(A)は、当該半導体装置の放熱板の側面方向からの部分拡大図である。図4(B)は、当該半導体装置の放熱板の上面方向からの部分拡大図である。
図4(A)及び図4(B)に示すように、当該半導体装置の放熱板105は、固定面部105bに、その周辺部に沿って(複数の)貫通孔105cが形成されるとともに、固定面部105bの下面に、その周辺部に沿って複数の凹溝部105dが形成されており、これらに樹脂剤が充填されることで、より強固に当該放熱板105を基板101の上面に対して固定することができる構成となっている。なお、この凹溝部105dの形状は、貫通孔105cと同様に、矩形、円形、楕円形等であってよい。また、この凹溝部105dの形状は、貫通孔105cと同様に、放熱板105の外周部にまで至る形状としてもよい。また、この凹溝部105dの個数は、その形状を、例えば当該放熱板105の周囲3辺にわたるコの字形状とするような場合には、1つであってもよい。
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。基本的には、第1及び第2の実施の形態に係る半導体装置の場合と同様であるが、上述した放熱板105を基板101の上面に載置する際には、(1)基板101の上面であって、放熱板105が載置されたときにその固定面部105bの貫通孔105cと凹溝部105dのそれぞれに対応する位置にあらかじめ接着剤樹脂106aを必要量塗布する。(2)次に、放熱板105を、半導体チップ102を覆うように基板101上に載置する。この際、放熱板105の固定面部105b下面は、半導体チップ102の上面に塗布された接着剤樹脂106aに対して押圧され、接着剤樹脂106aは貫通孔105cよりも拡径されるとともに凹溝部105dに充填される。(3)次に、放熱板105の貫通孔105cの内部に接着剤樹脂106bを充填する。(4)さらに、この貫通孔105cを覆うように、放熱板105の固定面部105b上面に貫通孔105cよりも拡径して接着剤樹脂106cを塗布する。(5)その上で熱処理を行ない、接着剤樹脂106a〜106cを硬化させる。これにより、放熱板105の固定面部105bは、基板101の上面に対して、これらの接着剤樹脂106a〜106cを介して固定される。以上の工程を経た結果、当該半導体装置が完成する。
次に、本実施の形態に係る半導体装置の効果を説明する。本実施の形態に係る半導体装置は、第1及び第2の実施の形態に係る半導体装置と同様の効果が得られることは明白である。すなわち、当該半導体装置においても、放熱板105の固定面部105bは、接着剤樹脂106a〜106cによって、その上下面を挟まれる構成となるので、放熱板105と基板101上面の固定面積が増大されて、従来のように放熱板の下面と基板の上面とを単に固定していた場合と比較して、より十分な固定強度を得ることができる。また、当該半導体装置においては、放熱板105を基板101上面から剥がす方向(引張り方向)の力に対して、固定面部105b上面に貫通孔105cよりも拡径して塗布された接着剤樹脂106cの部分がこれを圧縮方向で受け止める構造となっているため、従来のように単に接着剤樹脂のアンカー効果に頼っていた場合と比較して、より大きな力に対しても耐えることができる。
しかし、当該半導体装置は、放熱板105の固定面部105b下面に設けられた凹溝部105dに充填される接着剤樹脂106aを介してさらに当該放熱板105が基板101の上面に対して固定される構成となっているため、より固定面積が増大して、より強固に放熱板105を基板101に対して固定することができる。
以上、図面を参照して、第1乃至第3の実施の形態に係る半導体装置について説明したが、これらの半導体装置に共通の副次的な効果として、以下のものを挙げることができる。例えば、接着剤樹脂を基板上に過多に塗布してしまった場合であっても、当該接着剤樹脂は放熱板の貫通孔の内部へと逃げることができる構成となっているので、当該接着剤樹脂が基板の外形へと溢れ出ることを防止することができる。その結果、基板の外形寸法歩留まりを向上させることができる。また、いずれの実施の形態においても放熱板の基板に対する固定強度が増大することから、その分、放熱板の固定面積を小さくすることができる。その結果、当該半導体装置のパッケージサイズを縮小することができる。
以上、本発明の実施の形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。たとえば、上述した、貫通孔を覆うように放熱板の固定面部上面に貫通孔よりも拡径して接着剤樹脂を塗布する工程は、省くことにしてもよい。このようにしても、従来の場合と比較して放熱板の固定面積は増大するため、より強固に放熱板を基板の上面に対して固定することができる。また、放熱板の貫通孔の内部に接着剤樹脂を充填する工程と、この貫通孔を覆うように、放熱板の固定面部上面に貫通孔よりも拡径して接着剤樹脂を塗布する工程は、1つの工程として行なうことにしてもよい。この場合、放熱板の貫通孔内部に過多の接着剤樹脂を充填して、貫通孔から当該接着剤樹脂を溢れ出させることにすればよい。
101 基板
102 半導体チップ
103 アンダーフィル樹脂剤
104 半田バンプ
105 放熱板
105a 凹部
105b 固定面部
105c 貫通孔
105d 凹溝部
106 接着剤樹脂
106a 接着剤樹脂
106b 接着剤樹脂
106c 接着剤樹脂
107 接着剤
201 基板
202 半導体チップ
203 アンダーフィル樹脂剤
204 半田バンプ
205 放熱板
206 接着剤樹脂
207 接着剤
102 半導体チップ
103 アンダーフィル樹脂剤
104 半田バンプ
105 放熱板
105a 凹部
105b 固定面部
105c 貫通孔
105d 凹溝部
106 接着剤樹脂
106a 接着剤樹脂
106b 接着剤樹脂
106c 接着剤樹脂
107 接着剤
201 基板
202 半導体チップ
203 アンダーフィル樹脂剤
204 半田バンプ
205 放熱板
206 接着剤樹脂
207 接着剤
Claims (6)
- 半導体チップが搭載されている基板と、
前記半導体チップを覆うとともに前記基板上に固定されている放熱板と
を備え、
前記放熱板は、前記基板との固定面に少なくとも1つの穴部が設けられており、当該穴部に充填されている樹脂剤を介して前記基板に対して固定されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記穴部は、前記固定面とその反対面とに通ずる貫通孔であって、
前記穴部に充填されている樹脂剤は、前記基板の上面と前記固定面との間隙において当該貫通孔よりも拡径しているとともに、前記反対面上において当該貫通孔よりも拡径していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記穴部に充填されている樹脂剤は、前記基板の上面と前記固定面の下面との間隙において前記貫通孔よりも拡径して充填されている第1の樹脂剤と、前記貫通孔の内部に充填されている第2の樹脂剤と、前記反対面上において前記貫通孔よりも拡径して充填されている第3の樹脂剤とからなり、前記第1の樹脂剤、前記第2の樹脂剤及び前記第3の樹脂剤の弾性率をそれぞれEA、EB、ECと定義すると、EB≦EA、且つEB≦ECの関係となっていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 半導体チップが搭載されている基板上に前記半導体チップを覆うように放熱板が固定されてなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップが搭載されている基板と、当該基板との固定面に穴部が少なくとも1つ設けられている放熱板とを用意する工程と、
前記半導体チップが搭載されている基板上に樹脂剤を塗布する工程と、
前記放熱板の固定面を前記基板上に塗布された樹脂剤に押圧して、前記穴部に当該樹脂剤を充填させる工程と、
前記穴部に充填された樹脂剤を硬化させることで、前記放熱板を前記基板に対して固定する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体チップが搭載されている基板上に前記半導体チップを覆うように放熱板が固定されてなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップが搭載されている基板と、当該基板との固定面にその反対面に通ずる貫通孔が少なくとも1つ設けられている放熱板とを用意する工程と、
前記半導体チップが搭載されている基板上に第1の樹脂剤を塗布する工程と、
前記放熱板の固定面を前記基板上に塗布された第1の樹脂剤に押圧する工程と、
前記貫通孔の内部に第2の樹脂剤を充填する工程と、
前記貫通孔を覆うように、前記反対面上に前記貫通孔よりも拡径して第3の樹脂剤を塗布する工程と、
前記第1乃至第3の樹脂剤を硬化させることで、前記放熱板を前記基板に対して固定する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の樹脂剤、前記第2の樹脂剤、前記第3の樹脂剤の弾性率をそれぞれEA、EB、ECと定義すると、EB≦EA、且つEB≦ECの関係となることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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