JP2007180557A - Cmosイメージセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を1つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるCMOSイメージセンサにおいて、駆動電流を増大させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか1つのトランジスタのソース領域がドレイン領域よりも大きい幅を有するように形成されたCMOSイメージセンサを提供する。これにより、単位画素内の駆動電流特性を改善することができ、且つ、カラム固定パターンノイズを除去することができる。
【選択図】図7
Description
図7は、本発明の実施形態に係るCMOSイメージセンサの単位画素の構造を説明するための平面図である。ここでは、4−T構造を有する単位画素を例示している。
Itot=Idsat[μA/μm]×W[μm]
ここで、「W」は、トランジスタのチャネル幅を表す。
Idsat(Dx)<Idsat(Sx)<Idsat(Load)
Dx ドライブトランジスタ
FD フローティングディフュージョン領域
PD フォトダイオード
Rx リセットトランジスタ
Sx セレクトトランジスタ
Tx トランスファトランジスタ
FILD フィールド領域
Claims (12)
- フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を1つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるCMOSイメージセンサにおいて、
駆動電流を増大させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか1つのトランジスタのソース領域がドレイン領域よりも大きい幅を有するように形成されることを特徴とするCMOSイメージセンサ。 - 前記ソース領域が前記ドレイン領域よりも大きい幅を有するように形成されたトランジスタは、そのチャネル幅が、ゲート電極の下で互いに異なる幅を有するように形成されることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記チャネル幅が、前記ゲート電極の長手方向に少なくとも一側が突出した構造を有するように形成されることを特徴とする請求項2に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記チャネル幅が、前記ゲート電極の長手方向に少なくとも一側が階段状に突出した構造を有するように形成されることを特徴とする請求項2に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記チャネル幅が、前記ゲート電極の長手方向に少なくとも一側が、0<θ<90゜の範囲の傾斜角θを有する、傾斜状に突出した構造を有するように形成されることを特徴とする請求項2に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記複数のトランジスタが、
前記フォトダイオードに蓄積された電荷をフローティングディフュージョン領域に転送するトランスファトランジスタと、
前記フローティングディフュージョン領域をリセット電圧にリセットするリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョン領域に蓄積された電荷を増幅して出力するドライブトランジスタと、
該ドライブトランジスタを介して増幅された信号をスイッチングして前記カラムラインに転送するセレクトトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載のCMOSイメージセンサ。 - 前記フローティングディフュージョン領域が、前記リセットトランジスタのソース領域として機能することを特徴とする請求項6に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記ドライブトランジスタのソース領域が、前記セレクトトランジスタのドレイン領域として機能することを特徴とする請求項7に記載のCMOSイメージセンサ。
- フォトダイオードと、該フォトダイオードに接続されたアクティブ領域と、該アクティブ領域に直交する複数のゲート電極を備えるCMOSイメージセンサにおいて、
駆動電流を増大させるため、前記アクティブ領域が、少なくともいずれか1つの前記ゲート電極と重なる領域で互いに異なる幅を有するように形成されることを特徴とするCMOSイメージセンサ。 - 前記アクティブ領域が、前記ゲート電極と重なる領域で、前記ゲート電極の長手方向に少なくとも一側が突出した構造を有するように形成されることを特徴とする請求項9に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記アクティブ領域が、前記ゲート電極と重なる領域で、前記ゲート電極の長手方向に少なくとも一側が階段状に突出した構造を有するように形成されることを特徴とする請求項10に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記アクティブ領域が、前記ゲート電極と重なる領域で、前記ゲート電極の長手方向に少なくとも一側が、0<θ<90゜の範囲の傾斜角θを有する、傾斜状に突出した構造を有するように形成されることを特徴とする請求項11に記載のCMOSイメージセンサ。
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