JP2007171791A - フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置 - Google Patents
フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007171791A JP2007171791A JP2005372311A JP2005372311A JP2007171791A JP 2007171791 A JP2007171791 A JP 2007171791A JP 2005372311 A JP2005372311 A JP 2005372311A JP 2005372311 A JP2005372311 A JP 2005372311A JP 2007171791 A JP2007171791 A JP 2007171791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photomask
- mask substrate
- wavelength
- quantum dots
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】フォトマスク1には、波長365nmの光に対する透過率が60%以下のとなるような、量子ドットが含まれ、被処理体10と対向する面には遮光膜2が形成されている。露光に際して、フォトマスク1のマスク基板の上面から、例えば高圧水銀ランプ等の光源20からi線(波長365nm)が照明光学系30を介して照射され、フォトマスク1に形成された遮光膜2の開口の近傍に近接場光がしみだし、開口の直下に位置する被処理体表面のレジスト層11が露光される。フォトマスクに量子ドットが含まれているので、干渉の影響を抑制することが可能となり、転写パターンにムラが生じるのを防止することができる。
【選択図】 図1
Description
光リソグラフィ技術とは、シリコン酸化膜等の基板表面にレジスト層を塗布し、所定のパターンが描かれたマスクを介して露光することにより当該パターンを転写し、これに現像処理を施すことにより得られたレジストパターンに基づき基板にエッチング等の加工を行う方法である。
R=kλ/NA・・・・・(1)
ここで、λは光源の波長であり、NAはレンズの開口数であり、kはプロセス定数である。(1)式から、リソグラフィの解像度を上げるためには、波長λを小さくすることと、開口数NAを大きくすることが重要である。しかし、開口数NAを大きくすると焦点深度がNAの2乗に反比例して小さくなるため、微細化の流れとしては、波長λを小さくすることが求められるようになった。そこで、露光波長は、g線(436nm)からi線(365nm)へと短波長化され、現在では、エキシマレーザ(248nm、193nm)がその主流となっている。
そこで、照射する光の波長よりも十分小さな径の開口からしみだす近接場光を光源とし、フォトレジストを感光させて現像することにより、微細なパターンを形成する、という近接場光リソグラフィーが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1には、SiO2 ガラスマスク基板上に、100nmの線幅のスリットパターンを有するクロム層を形成して遮光膜とした構造が記載され、パターンの高解像度化を目的としている。
同図の(a)に示すように、基板10上に感光性材料からなるレジスト層11を塗布する。また、光透過性材料からなるマスク基板1a上に、例えばクロム等の金属からなる微小な開口が形成された遮光膜2を形成したものをマスク1とする。
その後、(b)に示すように、マスク基板1a上の遮光膜2を基板1に対向させてマスクをレジスト層11に密着させる。
その状態で、(c)に示すように、マスク基板1aの裏面から、例えばi線(365nm)などの光を照射すると、遮光膜2が存在しない開口部分から近接場光がしみだすことによってレジスト層11が露光され、露光された部分のレジスト層11が感光する。 感光後、(d)に示すように、マスク1を基板10から取り外し、レジスト層11を現像液で現像することにより、露光された部分のみが現像液に可溶となり、ポジ型パターンを形成する。尚、露光された部分が現像液に不溶となるような感光性材料からなるレジスト層を塗布することにより、ネガ型パターンを形成しても良い。
マスク1を遮光膜2がレジスト層11に対向するように重ね、密着させた状態でマスク基板1aの裏面から光を照射させるため、図6に示すように、平行光線のうちの一方の光線と他方の光線がマスク基板1aに入射すると、一方の光線がマスク基板1aと遮光膜2との境界面で一部反射して入射側に戻り、さらに、入射側のマスク基板1aと空気層との境界面で再反射することにより、他方の光線と重なって干渉を生じる。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、近接場光リソグラフィーに使用されるフォトマスクにおける干渉の影響を抑制することにより、正確な転写パターンの形成が可能とすることである。
(1)被処理体を近接場光により露光するためのフォトマスクにおいて、光透過性材料からなるマスク基板に、照射された光を吸収して光を放出する100nm以下のサイズの微粒子を含ませ、波長365nmの光に対する光透過率が60%以下となるようにする。
上記微粒子のサイズはド・ブロイ波長程度であるのが望ましく、微粒子中の電子が三次元的に閉じ込められて移動が制限され孤立した状態、いわゆる量子ドットの状態としてマスク基板中に存在している。以下では、光を吸収して、光を放出する上記微粒子を量子ドットという。
(2)近接場光により被処理体を露光する露光装置において、上記フォトマスクを用いる。
光源から放出されマスク基板に入射した光は、上述したように量子ドットに吸収され、量子ドットから放出された光はマスク基板内部に放出されるとともに、他の量子ドットに吸収される。マスク基板内には、多数の量子ドットが含まれているため、上記のような挙動が幾度となく繰り返される。このため、光源から照射された光がマスク基板の被処理体に対向する面に直接到達することは少なくなる。
光の干渉は、波長および位相のそろった光が重なり合うことにより発生するが、上記のようにマスク基板が量子ドットを含む場合、量子ドットから放出される光は波長も位相も異なっているため、量子ドットから放出される光とマスク基板に入射する光、あるいは量子ドットから放出される光同士により干渉が発生することはなく、マスク基板に入射する光の透過率を調整し、光源からの光がマスク基板の被処理体に対向する面に直接到達する量を少なくすれば、光干渉を抑制することができる。
そして、マスク基板の被処理体に対向する面に、被処理体に転写すべきパターンに応じた形状の例えば100nm以下の線幅の開口を有する遮光膜を設けておくことで、量子ドットから放出された光が遮光膜の開口エッジ部分に伝播し、この開口から近接場光がしみだし、この近接場光により、フォトマスクに密着した被処理体のフォトレジストを感光させることができる。
実験により、上記量子ドットを含むマスク基板の透過率と、該マスク基板を用いて露光したときの線幅変化の関係を調べたところ、例えば線幅が45nmのパターンを実現する際に許容される線幅の誤差である5nm以内を実現するには、波長365nmの光に対する上記マスク基板の透過率を60%以下にするのが望ましいことが分かった。
本発明の露光装置は、同図に示すように高圧水銀ランプ等の光源20と、光源20から放出された光をフォトマスク1へ導くための照明光学系30と、光透過性材料からなるマスク基板を備えたフォトマスク1とを備える。
フォトマスク1には後述するように量子ドットが含まれ、被処理体10と対向する面には遮光膜2が形成されている。
露光に際して、後述する本発明のフォトマスク1のマスク基板の上面から、例えば高圧水銀ランプ等の光源20から放射されるi線(波長365nm)が照明光学系30を介して照射され、フォトマスク1に形成された遮光膜2の開口の近傍に近接場光がしみだし、開口の直下に位置する被処理体表面のレジスト層11が露光される。
なお、図1ではフォトマスク1と被処理体10を表現上の理由で離間して示しているが、露光に際し、フォトマスク1と被処理体10は密着させる。
フォトマスク1は、光透過性材料からなるマスク基板1a上に、転写すべき所望のパターンに応じて成膜された遮光膜2が形成されている。遮光膜2は、所望のパターンに応じて100nm以下程度の微細な開口を有する。
このような遮光膜は、マスク基板の表面に、例えば真空蒸着によりCr(クロム)からなる蒸着膜を形成し、蒸着膜の表面に塗布した電子線レジストに対し電子線ビーム等を照射することにより所望のパターンが形成される。
マスク基板1aは、ガラス等の光透過性材料にCuCl、GaAs、CdS、ZnSe、ZnS等(量子ドットを形成する材料となる)をドープした構成である。すなわち、マスク基板1aは複数の大小様々な量子ドット3からなる量子ドットグループを備えて構成されている点に特徴がある。マスク基板1aとしては、ガラス以外にNaCl等を用いても良い。
その理由は、以下のように考えられる。
量子ドットのCuClは、数nmから数10nmのサイズでガラス中に分散され、実質的に点であるとみなすことができる。また、それぞれの量子ドットは孤立した状態で存在している。このような状況下では、CuCl中の電子が三次元的に閉じ込められることにより、電子は離散的なエネルギー準位をとるようになる。この時、離散的なエネルギー準位の準位間のエネルギー差はCuClのサイズに依存している。
フォトマスク内に存在するCuClのサイズはさまざまであり、それゆえに各CuClから放出される光の波長もそれぞれ異なっている。例えば量子ドットがCuClの場合、そのサイズが10〜20nmのとき、380nmの伝播光を発生する。また、個々のCuClは孤立した状態であるため、放出される光の位相もそれぞれ異なっている。
CuClから放出された光は、一部がフォトマスク外部へと放出され、一部は再びCuClに吸収される。こうして、光源からフォトマスクへ照射された光はCuClに吸収されることによって弱められる。そのため、フォトマスク中にCuClを含ませることによって、CuClを含ませない場合に比べ、光源から照射された光が直接フォトマスクの遮光膜の開口に到達して近接場光を発生させることは少なくなる。一方、CuClから放出された光が遮光膜の開口部に到達して近接場光を発生させるようになる。
ここでは、量子ドットとしてCuClを選択した場合について説明したが、前記したGaAs、CdSe、CdS等を量子ドットとしてフォトマスクを作製した場合についても同様である。
フォトマスク1のマスク基板1aに入射した光は、同図に示すように、例えばCuClからなる量子ドット3に吸収され、量子ドットは吸収から数ナノ秒のうちに光を放出し元の電子状態へと戻る。なお、図3では、図示の便宜上、量子ドットの下方にのみ光がでているように示しているが、実際は量子ドットを中心に放射状に光が放出されている。
マスク基板1a内で、上記のように量子ドット3による光の吸収/放出が行われながら、図3に示すようにマスク基板1a内を進み、マスク基板1aの遮光膜2が設けられた面に到達する。なお、フォトマスク内に入射した光の一部は直接伝播光Aとしてマスク基板1aの遮光膜2が設けられた面に到達するが、フォトマスク内に入射した光の多くは量子ドット3に吸収されるので、上記伝播光がマスク基板1aの遮光膜2が設けられた面に到達することは少なく、前記干渉の発生は抑制される。
一方、量子ドット3からでた伝播光はマスク基板1aから出射して遮光膜2に伝播し図3に示すように遮光膜2の開口部付近から近接場光がしみだす。
そして、この近接場光により被処理体が露光される。なお、マスク基板1aに入射した例えば365nmの光の一部は遮光膜2の開口部付近に到達するが、遮光膜2の開口が上記光の波長より短く、例えば100nm以下であれば、365nmの光は開口から放出されない。
〔実験条件〕
波長365nmの光を放出する光源は高圧水銀ランプとする。マスク基板は、縦が50 mm、横が50mm、厚みが0.5mmの硼珪酸ガラス(SiO2 、B2 O3 )を用い、CuClからなる量子ドットの密度を0%〜0.5%の範囲で0.05%毎に変化させたものを11種類用意した。
各マスク基板に対し、高圧水銀ランプから放出された365nmの光を照射して、マスク基板を透過した光の光強度I1 をシリコンフォトダイオードによって測定し、マスク基板を透過させずに測定した光強度I0 との比(I1 /I0 )を求め、これを光透過率とした。さらに、各マスク基板の線幅変化をAFM(原子間力顕微鏡)により測定した。その結果を図4に示す。
図4に示すように、線幅変化は、マスク基板の光透過率が低いほど低下する傾向にある。これは、量子ドットの密度を高めることによってマスク基板の光透過率を低下させることにより、光の干渉が生じる原因となる、遮光膜とマスク基板との境界面で反射され、さらに、マスク基板における光源と対向する側の面で反射された光源から放射された光が、殆どレジスト層に照射されなくなることによる。
従って、マスク基板における波長365nmの光に対する光透過率が60%以下となる条件、すなわちマスク基板の量子ドット密度を0.2%とすることにより、図4に示すようにマスク基板の線幅変化が5nm以内に抑えられ、線幅が45nmという微細な集積回路パターンを実現することが可能となる。
1a マスク基板
2 遮光膜
3 量子ドット
10 被処理体
11 レジスト層
20 光源
30 照明光学系
Claims (2)
- 光源から放出された光を照射して被処理体を近接場光により露光するためのフォトマスクであって、
上記フォトマスクは、光透過性材料からなるマスク基板を備え、該マスク基板は、照射された光を吸収して光を放出する100nm以下のサイズの微粒子を含み、波長365nmの光に対する光透過率が60%以下である
ことを特徴とするフォトマスク。 - 光源から放出された光が照射されるフォトマスクを有し、近接場光により被処理体を露光する露光装置であって、
上記フォトマスクは、請求項1に記載のフォトマスクである
ことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005372311A JP2007171791A (ja) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005372311A JP2007171791A (ja) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007171791A true JP2007171791A (ja) | 2007-07-05 |
Family
ID=38298402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005372311A Pending JP2007171791A (ja) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007171791A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220933A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ushio Inc | 露光装置 |
CN114911129A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-08-16 | 上海传芯半导体有限公司 | 掩模基版、光掩模版及其制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1048810A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-02-20 | Yotaro Hatamura | リソグラフィ方法 |
JP2000021770A (ja) * | 1998-04-30 | 2000-01-21 | Ebara Corp | 光転写装置及び方法及びマスク及びその製造方法 |
JP2001284245A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 露光フィルター、パターン形成方法および露光装置 |
JP2003151881A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターンの転写方法とそのフォトマスク |
JP2004356134A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Canon Inc | 微小構造の加工方法、該加工法を用いて作製した微小素子の作製方法、微小素子 |
JP2005260178A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Sharp Corp | パターン形成方法、近接場光発生素子および露光装置 |
JP2005303197A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Ricoh Co Ltd | 微細構造形成方法 |
-
2005
- 2005-12-26 JP JP2005372311A patent/JP2007171791A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1048810A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-02-20 | Yotaro Hatamura | リソグラフィ方法 |
JP2000021770A (ja) * | 1998-04-30 | 2000-01-21 | Ebara Corp | 光転写装置及び方法及びマスク及びその製造方法 |
JP2001284245A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 露光フィルター、パターン形成方法および露光装置 |
JP2003151881A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターンの転写方法とそのフォトマスク |
JP2004356134A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Canon Inc | 微小構造の加工方法、該加工法を用いて作製した微小素子の作製方法、微小素子 |
JP2005260178A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Sharp Corp | パターン形成方法、近接場光発生素子および露光装置 |
JP2005303197A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Ricoh Co Ltd | 微細構造形成方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220933A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ushio Inc | 露光装置 |
CN114911129A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-08-16 | 上海传芯半导体有限公司 | 掩模基版、光掩模版及其制备方法 |
CN114911129B (zh) * | 2022-07-11 | 2022-10-25 | 上海传芯半导体有限公司 | 掩模基版、光掩模版及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1438633B1 (en) | Method for forming elliptical and rounded features using beam shaping | |
NL2000103C2 (nl) | Systeem en werkwijze voor de fotolithografie bij vervaardiging van halfgeleiders. | |
JP3368947B2 (ja) | レティクル及びレティクル・ブランク | |
KR101679687B1 (ko) | 반사형 극자외선 마스크 및 그의 제조 방법 | |
JP5218190B2 (ja) | パターン形成方法、極端紫外露光用マスク、極端紫外露光用マスクの製造方法および極端紫外露光用マスクの修正方法 | |
KR101076886B1 (ko) | 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법 | |
US10274818B2 (en) | Lithography patterning with sub-resolution assistant patterns and off-axis illumination | |
JP2006011121A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法およびパターン転写方法 | |
JPH0973166A (ja) | 露光用フォトマスクおよびその製造方法 | |
JP2009075207A (ja) | フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JPH03141354A (ja) | 露光マスク及び露光方法 | |
US20070264585A1 (en) | Photomask having half-tone phase shift portion | |
JP2007171791A (ja) | フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置 | |
US10816892B2 (en) | Method of manufacturing photo masks | |
US11982936B2 (en) | Photomask and method of fabricating a photomask | |
JP2007171790A (ja) | フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置 | |
JP2009053575A (ja) | フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2007220933A (ja) | 露光装置 | |
KR100417904B1 (ko) | 마스크 패턴 제조 방법 | |
JP4522840B2 (ja) | フォトマスク、露光装置及び露光方法 | |
JP3422054B2 (ja) | 光学マスクおよびその製造方法 | |
TW472172B (en) | Method to repair the attenuated phase shift mask by optical proximity effect correction technology | |
KR20090095388A (ko) | 반사형 포토마스크의 제조방법 | |
JP2004279484A (ja) | 位相シフトマスク | |
JP2007019098A (ja) | 露光装置及び露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101220 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110308 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110613 |