JP2007168020A - 樹脂層の形成方法及びめっき方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】樹脂より成る基材2と、基材中に分散された混合物4とを含む樹脂層32を、基板上に形成する工程と、樹脂層の表層部をバイト12により切削し、基材及び混合物のうちの一方が選択的に除去された切削面を形成する工程とを有している。表面が適度な粗さに設定された樹脂層を得ることができるため、樹脂層上に良好な密着性を有するめっき膜を形成することが可能となる。このため、高い信頼性を確保しつつ、めっき膜より成る配線を狭いピッチで形成することが可能となる。
【選択図】 図3
Description
図1は、被切削物の表層部をダイヤモンドより成るバイトを用いて切削した際の態様を示す概念図である。
本発明の第1実施形態による樹脂層の形成方法、めっき方法及び半導体装置の製造方法を図6乃至図13を用いて説明する。図6乃至図13は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。
樹脂層32aの材料として上記のような材料を用い、樹脂層32aの表層部をバイト12により切削し、この後、シード層38を形成した後に、配線44を形成した場合には、配線44の下地に対する密着強度は0.7kg/cm2であった。
本発明の第2実施形態による樹脂層の形成方法、めっき方法及び半導体装置の製造方法を図14乃至図21を用いて説明する。図14乃至図21は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。図1乃至図13に示す第1実施形態による樹脂層の形成、めっき方法及び半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
(付記1)
樹脂より成る基材と、前記基材中に分散された混合物とを含む樹脂層を、基板上に形成する工程と、
前記樹脂層の表層部をバイトにより切削し、前記基材及び前記混合物のうちの一方が選択的に除去された切削面を形成する工程と
を有することを特徴とする樹脂層の形成方法。
(付記2)
付記1記載の樹脂層の形成方法において、
前記基材は、前記基材の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN、降伏応力をσとすると、N≧σの関係を満たし、
前記混合物は、前記混合物の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN′、降伏応力をσ′とすると、N′<σ′の関係を満たす
ことを特徴とする樹脂層の形成方法。
(付記3)
付記2記載の樹脂層の形成方法において、
前記基材は、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂より成り、
前記混合物は、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、又は水酸化アルミニウムより成る
ことを特徴とする樹脂層の形成方法。
(付記4)
付記1記載の樹脂層の形成方法において、
前記基材は、前記基材の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN、降伏応力をσとすると、N<σの関係を満たし、
前記混合物は、前記混合物の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN′、降伏応力をσ′とすると、N′≧σ′の関係を満たす
ことを特徴とする樹脂層の形成方法。
(付記5)
付記4記載の樹脂層の形成方法において、
前記基材は、ベンゾシクロブテン樹脂又はポリイミド樹脂より成り、
前記混合物は、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂より成る
ことを特徴とする樹脂層の形成方法。
(付記6)
付記1乃至5のいずれかに記載の樹脂層の形成方法において、
前記樹脂層を形成する工程では、樹脂シートを前記基板上に貼り付けることにより、前記樹脂シートより成る樹脂層を形成する
ことを特徴とする樹脂層の形成方法。
(付記7)
付記1乃至6のいずれかに記載の樹脂層の形成方法において、
前記バイトは、ダイヤモンドより成る
ことを特徴とする樹脂層の形成方法。
(付記8)
樹脂より成る基材と、前記基材中に分散された混合物とを含む樹脂層を、基板上に形成する工程と、
前記樹脂層の表層部をバイトにより切削し、前記基材及び前記混合物のうちの一方が選択的に除去された切削面を形成する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程と
を有することを特徴とするめっき方法。
(付記9)
付記8記載の樹脂層の形成方法において、
前記基材は、前記基材の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN、降伏応力をσとすると、N≧σの関係を満たし、
前記混合物は、前記混合物の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN′、降伏応力をσ′とすると、N′<σ′の関係を満たす
ことを特徴とする樹脂層の形成方法。
(付記10)
付記8記載の樹脂層の形成方法において、
前記基材は、前記基材の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN、降伏応力をσとすると、N<σの関係を満たし、
前記混合物は、前記混合物の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN′、降伏応力をσ′とすると、N′≧σ′の関係を満たす
ことを特徴とする樹脂層の形成方法。
(付記11)
付記8乃至10のいずれかに記載のめっき方法において、
前記シード層を形成する工程では、無電解めっき法により前記シード層を形成する
ことを特徴とするめっき方法。
(付記12)
付記11記載のめっき方法において、
前記シード層は、銅又はニッケルより成る
ことを特徴とするめっき方法。
4…混合物(フィラー)
6…基材
8…混合物(フィラー)
12…バイト
14、14a…凹凸
20…半導体基板
20a…半導体チップ
22…絶縁膜
24…開口部
26…電極パッド
28…バンプ電極、スタッドバンプ
30…樹脂フィルム
31…樹脂フィルム
32…樹脂層(加工前の樹脂層)
32a…樹脂層(切削後の樹脂層)
33…樹脂層(加工前の樹脂層)
33a…樹脂層(切削後の樹脂層)
34…超精密旋盤
36…チャックテーブル
37…触媒
38…シード層
40…フォトレジスト膜
42…開口部
44…配線
46…フォトレジスト膜
48…開口部
50…導体プラグ
52…樹脂フィルム
54…樹脂層(加工前の樹脂層)
54a…樹脂層(切削後の樹脂層)
56…半田バンプ
100a〜100c…被切削物
102a、102b…被切削物
Claims (5)
- 樹脂より成る基材と、前記基材中に分散された混合物とを含む樹脂層を、基板上に形成する工程と、
前記樹脂層の表層部をバイトにより切削し、前記基材及び前記混合物のうちの一方が選択的に除去された切削面を形成する工程と
を有することを特徴とする樹脂層の形成方法。 - 請求項1記載の樹脂層の形成方法において、
前記基材は、前記基材の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN、降伏応力をσとすると、N≧σの関係を満たし、
前記混合物は、前記混合物の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN′、降伏応力をσ′とすると、N′<σ′の関係を満たす
ことを特徴とする樹脂層の形成方法。 - 請求項1記載の樹脂層の形成方法において、
前記基材は、前記基材の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN、降伏応力をσとすると、N<σの関係を満たし、
前記混合物は、前記混合物の材料のみから成る被切削物をバイトにより切削した際の比切削抵抗をN′、降伏応力をσ′とすると、N′≧σ′の関係を満たす
ことを特徴とする樹脂層の形成方法。 - 樹脂より成る基材と、前記基材中に分散された混合物とを含む樹脂層を、基板上に形成する工程と、
前記樹脂層の表層部をバイトにより切削し、前記基材及び前記混合物のうちの一方が選択的に除去された切削面を形成する工程と、
前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に電気めっき法によりめっき膜を形成する工程と
を有することを特徴とするめっき方法。 - 請求項4記載のめっき方法において、
前記シード層を形成する工程では、無電解めっき法により前記シード層を形成する
ことを特徴とするめっき方法。
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