JPS61263189A - セラミツク配線基板の製造方法 - Google Patents
セラミツク配線基板の製造方法Info
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- JPS61263189A JPS61263189A JP10263285A JP10263285A JPS61263189A JP S61263189 A JPS61263189 A JP S61263189A JP 10263285 A JP10263285 A JP 10263285A JP 10263285 A JP10263285 A JP 10263285A JP S61263189 A JPS61263189 A JP S61263189A
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- ceramic substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミック配線基板の製造方法に関するもので
あゆ、特に本発明は基板との密層の信頼性および耐熱性
に優れた無電解メッキを有するセラミック配線基板の製
造方法に駕するものである。
あゆ、特に本発明は基板との密層の信頼性および耐熱性
に優れた無電解メッキを有するセラミック配線基板の製
造方法に駕するものである。
近年、電子工業の進歩に伴い電子機器の小型化あるいは
高速化が進められており、その−環としてハイプリツ）
ＩＣやＬＳＩを実装する配線基板においても高密度化お
よび高い信頼性が要求されている。
高速化が進められており、その−環としてハイプリツ）
ＩＣやＬＳＩを実装する配線基板においても高密度化お
よび高い信頼性が要求されている。
前記配線基板に用いられる基板材料としては信頼性２寸
法安定性１熱放散性などに優れたセラミック材料が広く
使用されており、前記セラミック材料よりなるハイブリ
ツ）ＩＣ配線基板に導体回路を形成する方法としては、
例えば銀・パラジウム系ペーストなどの厚膜導体ペース
トをスクＩＪ−ン印刷して焼成する方法が一般的に適用
されている。
法安定性１熱放散性などに優れたセラミック材料が広く
使用されており、前記セラミック材料よりなるハイブリ
ツ）ＩＣ配線基板に導体回路を形成する方法としては、
例えば銀・パラジウム系ペーストなどの厚膜導体ペース
トをスクＩＪ−ン印刷して焼成する方法が一般的に適用
されている。
しかしながら、前記厚膜ペーストにより形成される導体
は最も重要なシート抵抗が高く、高周波の伝達損失が大
きく、ファインライン性も実用的には０．２０震幅が限
界であり、しかもハンダ付は性やボンデン゛グ性にも劣
る欠点を有しており、さらに銀マイグレーションに対す
る注意も必要であった。
は最も重要なシート抵抗が高く、高周波の伝達損失が大
きく、ファインライン性も実用的には０．２０震幅が限
界であり、しかもハンダ付は性やボンデン゛グ性にも劣
る欠点を有しており、さらに銀マイグレーションに対す
る注意も必要であった。
このような欠点を解決することのできる導体の形成方法
として、最近無電解メッキによりセラミック基板に導体
を形成する方法が提案されているが、無電解メッキによ
り形成される導体は基板材料との接着性に劣る之め、こ
の接着性を向上させるための研究が種々行なわれている
。
として、最近無電解メッキによりセラミック基板に導体
を形成する方法が提案されているが、無電解メッキによ
り形成される導体は基板材料との接着性に劣る之め、こ
の接着性を向上させるための研究が種々行なわれている
。
例えば、１９８５年４月１１日付で頒布された第１１回
ｒ８ＨＭ ＪＡＰＡＮ技術講演会の講演予稿集第９〜１
７頁の記載により、あらかじめセラミック基板の表面を
ケミカルエツチングすることにより基板材料の表面を粗
化してアンカー効果を発揮させて無電解メッキする方法
が知られている。また、特開昭５４−２５４６９号公報
に 「印刷配線用基板の製造方法」に係る発明が開示さ
れている。
ｒ８ＨＭ ＪＡＰＡＮ技術講演会の講演予稿集第９〜１
７頁の記載により、あらかじめセラミック基板の表面を
ケミカルエツチングすることにより基板材料の表面を粗
化してアンカー効果を発揮させて無電解メッキする方法
が知られている。また、特開昭５４−２５４６９号公報
に 「印刷配線用基板の製造方法」に係る発明が開示さ
れている。
しかしながら、前記講演予稿集に記載の方法はセラミッ
ク基板の表面全体を均一にエツチングして粗化すること
はかなり困難であり、無電解メッキからなる導体の接着
強度がバラツキ易く、信頼性に乏しいという欠点があっ
た。また前記公報記載の方法によれば、セラミック板へ
の適用も可能であることが記載されているが、この発明
は接着層として結晶性ポリブタジェン樹脂を含有する接
膚剤を使用する方法であり、セラミック配線基板として
重要な特性である耐熱性が充分でない欠点を有している
。
ク基板の表面全体を均一にエツチングして粗化すること
はかなり困難であり、無電解メッキからなる導体の接着
強度がバラツキ易く、信頼性に乏しいという欠点があっ
た。また前記公報記載の方法によれば、セラミック板へ
の適用も可能であることが記載されているが、この発明
は接着層として結晶性ポリブタジェン樹脂を含有する接
膚剤を使用する方法であり、セラミック配線基板として
重要な特性である耐熱性が充分でない欠点を有している
。
前述の如く、従来知られた方法によればセラミック基板
と無電解メッキとの密着の信頼性および耐熱性に優れた
無電解メッキによる導体を形成する方法は未だ知られて
いない。
と無電解メッキとの密着の信頼性および耐熱性に優れた
無電解メッキによる導体を形成する方法は未だ知られて
いない。
本発明は前述の如きセラミック配線基板の有する欠点を
解消し、セラミック基板と無電解メッキとの密層の信頼
性および耐熱性に極めて優れた無電解メッキによる導体
を形成する方法を提供することを目的とするものであり
、特許請求の範囲記載の方法を提供することによって前
記目的を達成・することができる。
解消し、セラミック基板と無電解メッキとの密層の信頼
性および耐熱性に極めて優れた無電解メッキによる導体
を形成する方法を提供することを目的とするものであり
、特許請求の範囲記載の方法を提供することによって前
記目的を達成・することができる。
本発明によれば、セラミック基板の表面に無機質微粒子
を含む合成樹脂を塗布して接層層を形成し、前記接着層
の表面を除去して前記無機質微粒子の一部を前記接着層
の表面に露出させた後、前記露出させた無機質微粒子を
溶解除去して接着層の表面を粗化し、次いで無電解メッ
キを施すことを特徴とするセラミック配線基板の製造方
法に関するものである。
を含む合成樹脂を塗布して接層層を形成し、前記接着層
の表面を除去して前記無機質微粒子の一部を前記接着層
の表面に露出させた後、前記露出させた無機質微粒子を
溶解除去して接着層の表面を粗化し、次いで無電解メッ
キを施すことを特徴とするセラミック配線基板の製造方
法に関するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発ＢＡＦｉ、セラミック基板の表面に無機質微粒子を
含む合成樹脂を塗布して接着層を形成し、前記接着層の
表面を除去して前記無機質微粒子の一部を前記接着層の
表面に露出させ念後、前記露出させた無機質微粒子を溶
解除去して接着層の表面を粗化することが必要である。
含む合成樹脂を塗布して接着層を形成し、前記接着層の
表面を除去して前記無機質微粒子の一部を前記接着層の
表面に露出させ念後、前記露出させた無機質微粒子を溶
解除去して接着層の表面を粗化することが必要である。
前記無機質微粒子を含む合成樹脂を接着層に使用する理
由は、無機質微粒子は耐熱性と電気絶縁性に優れており
、かつこれ′５ｃ溶解除去することにより明確なアンカ
ーが形成され接着層の表面を均一に粗化することができ
るので、セラミック基板と無電解・メッキとの高い接着
強度と接着の信頼性が得られるからである。また、前記
無機質微粒子の一部を前記接着層の表面に露出させる理
由は、接着層の表面部分に存在する無機質微粒子の溶解
を効果的かつ接着層の全面で均一に行なわせることにあ
る。
由は、無機質微粒子は耐熱性と電気絶縁性に優れており
、かつこれ′５ｃ溶解除去することにより明確なアンカ
ーが形成され接着層の表面を均一に粗化することができ
るので、セラミック基板と無電解・メッキとの高い接着
強度と接着の信頼性が得られるからである。また、前記
無機質微粒子の一部を前記接着層の表面に露出させる理
由は、接着層の表面部分に存在する無機質微粒子の溶解
を効果的かつ接着層の全面で均一に行なわせることにあ
る。
ところで、プリント配線板の製造において無電解メッキ
の密層力を向上せしめる方法として、特開昭５０−４２
３７７号公報に「Ｐ！１層板の製造方法」に係る発明が
開示されているが、前記発明はガラスエポキシワニス布
などの有機積層板よりなる基板材料に無電解メッキする
方法であり、また得られたメッキ導体と積層板の接着強
度もビール強度で０．６〜１ 、ＯＫ９／ｃＩＫと低い
のに対して、本発明によれば基板材料として耐熱性に優
れたセラミック材料を使用する方法であり、得られ念導
体の接着強度も実用に耐えられる１、ＯＫＰ／ｃＩＬ以
上の極めて高い値が得られる。前述の如く、前記発明と
本発明とは使用する基板材料の種類および得られる接着
強度の値において全く異なる。
の密層力を向上せしめる方法として、特開昭５０−４２
３７７号公報に「Ｐ！１層板の製造方法」に係る発明が
開示されているが、前記発明はガラスエポキシワニス布
などの有機積層板よりなる基板材料に無電解メッキする
方法であり、また得られたメッキ導体と積層板の接着強
度もビール強度で０．６〜１ 、ＯＫ９／ｃＩＫと低い
のに対して、本発明によれば基板材料として耐熱性に優
れたセラミック材料を使用する方法であり、得られ念導
体の接着強度も実用に耐えられる１、ＯＫＰ／ｃＩＬ以
上の極めて高い値が得られる。前述の如く、前記発明と
本発明とは使用する基板材料の種類および得られる接着
強度の値において全く異なる。
本発明を実施するのに用いるセラミック基板は、１０８
Ω−α以上の電気抵抗（体積抵抗率）を有することが好
ましい。その理由は、前記電気抵抗が１０８Ω−信より
も低いと無電解メッキよりなる導体とセラミック基板と
の電気絶縁性を確保するために電気絶縁性を有する前記
接着層の厚さを厚くする必要があり、セラミック配線基
板として重要な特性である熱放散性が大巾に低下するか
らである。
Ω−α以上の電気抵抗（体積抵抗率）を有することが好
ましい。その理由は、前記電気抵抗が１０８Ω−信より
も低いと無電解メッキよりなる導体とセラミック基板と
の電気絶縁性を確保するために電気絶縁性を有する前記
接着層の厚さを厚くする必要があり、セラミック配線基
板として重要な特性である熱放散性が大巾に低下するか
らである。
また、セラミック基板の材質としては、アルミナ。
ベリリア、ムライト、低温焼成セラミック、誘電体セラ
ミック、窒化アルミニウム、炭化ケイ素などを使用する
ことができる。
ミック、窒化アルミニウム、炭化ケイ素などを使用する
ことができる。
前記合成樹脂としては、熱的特性、電気絶縁性および接
着性などに優れた材料であれば使用することができ、特
に耐熱性の熱硬化性樹脂が好ましく、なかでもエポキシ
樹脂、耐熱エポキシ樹脂。
着性などに優れた材料であれば使用することができ、特
に耐熱性の熱硬化性樹脂が好ましく、なかでもエポキシ
樹脂、耐熱エポキシ樹脂。
エポキシ変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂。
トリアジン樹脂のなかから選ばれる何れか少なく去も１
種であることが好適である。
種であることが好適である。
本発明に使用する無機質微粒子は平均粒径がｘｏｐｍ以
下であることが好ましく、特に５μｍ以下であることが
好適である。その理由は、平均粒径がｌθμ寓よりも大
きいと接着層が厚くなりセラミック配線基板の熱放散性
が悪くなり、溶解除去して形成されるアンカーの密度が
低くなるため接着強度とその信頼性が低下し、さらに接
着層の表面の凹凸が激しくなるので導体のファインパタ
ーンが得にくくなるからである。前記無機質微粒子の材
質としては、例えば塩酸、硫酸、硝酸、フッ化水素酸あ
るいはそれらの混合物などの強酸溶液あるいは水酸化ナ
トリウムなどの強アルカリ溶液に可溶であり、かつ耐熱
性、電気絶縁性、前記強酸および強アルカリ以外の薬品
に対する安定性を有しているものであれば好適に使用で
き、例えば、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、酸化亜
鉛、ガラスなどを挙げることができ、特に例えば、結晶
性シリカ、溶融シリカ、ムライト、シリマナイト。
下であることが好ましく、特に５μｍ以下であることが
好適である。その理由は、平均粒径がｌθμ寓よりも大
きいと接着層が厚くなりセラミック配線基板の熱放散性
が悪くなり、溶解除去して形成されるアンカーの密度が
低くなるため接着強度とその信頼性が低下し、さらに接
着層の表面の凹凸が激しくなるので導体のファインパタ
ーンが得にくくなるからである。前記無機質微粒子の材
質としては、例えば塩酸、硫酸、硝酸、フッ化水素酸あ
るいはそれらの混合物などの強酸溶液あるいは水酸化ナ
トリウムなどの強アルカリ溶液に可溶であり、かつ耐熱
性、電気絶縁性、前記強酸および強アルカリ以外の薬品
に対する安定性を有しているものであれば好適に使用で
き、例えば、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、酸化亜
鉛、ガラスなどを挙げることができ、特に例えば、結晶
性シリカ、溶融シリカ、ムライト、シリマナイト。
させることができ、特性的にも優れているので有利であ
る。
る。
前記合成樹脂に対する前記無機質微粒子の配合量は、合
成樹脂固形分１００重量部に対して１０〜３００重量部
の範囲が好ましく、特に５０〜２５０重量部の範囲内に
おいてビール強度で１．０Ｋｇ／ｃｍ以上の導体接着力
を得ることができるので好適である。
成樹脂固形分１００重量部に対して１０〜３００重量部
の範囲が好ましく、特に５０〜２５０重量部の範囲内に
おいてビール強度で１．０Ｋｇ／ｃｍ以上の導体接着力
を得ることができるので好適である。
また、前記接着層の熱放散性を向上させることを目的と
して、前記強酸あるいは強アルカリ溶液に可溶な無機質
微粒子の他に熱伝導性にすぐれ電気絶縁性のフィラーと
して、例えば、アルミナ、ベリリア、シリコンナイトラ
イド、ボロンナイトライドなどの無機質フィラーを前記
合成樹脂に添加することができる。なお、前記合成樹脂
と無機質微粒子との密着性を向上させるために、無機質
微粒子の表面をカップリング剤処理を行なうことができ
る。
して、前記強酸あるいは強アルカリ溶液に可溶な無機質
微粒子の他に熱伝導性にすぐれ電気絶縁性のフィラーと
して、例えば、アルミナ、ベリリア、シリコンナイトラ
イド、ボロンナイトライドなどの無機質フィラーを前記
合成樹脂に添加することができる。なお、前記合成樹脂
と無機質微粒子との密着性を向上させるために、無機質
微粒子の表面をカップリング剤処理を行なうことができ
る。
前記無機質微粒子を含む合成樹脂をセラミック基板の表
面に塗布する方法としては、例えばロー、ルコー）法＊
ｆイツプコート法、スプレーコート法、スピンナーコー
ト法、スクリーン印刷法人トの手段が適用でき、塗布し
乾燥して接着層が形成される。前記接着層の厚さく厳密
には表面部分金除去した後の厚さ）Ｉｒｉ２０μｍ以下
であることが好ましい。その理由は、前記接着層の厚さ
が２０μ肌よりも大きいと、セラミック配線基板として
特に重要な特性である熱放散性が大巾に低下し、かつ熱
ストレスが著しい場合には接着層が剥離しやすくなるか
らである。したがって、セラミック基板と導体の接着強
度が確保される範囲で接着層の厚さはできるだけ薄い方
が好ましく、１０μｍ以下が特に好適である。なお、前
記接着層とセラミック基板との密層性を向上させるため
に、セラミック基板の表面を化学的あるいは物理的に粗
化させるか、カップリング剤で処理することができる。
面に塗布する方法としては、例えばロー、ルコー）法＊
ｆイツプコート法、スプレーコート法、スピンナーコー
ト法、スクリーン印刷法人トの手段が適用でき、塗布し
乾燥して接着層が形成される。前記接着層の厚さく厳密
には表面部分金除去した後の厚さ）Ｉｒｉ２０μｍ以下
であることが好ましい。その理由は、前記接着層の厚さ
が２０μ肌よりも大きいと、セラミック配線基板として
特に重要な特性である熱放散性が大巾に低下し、かつ熱
ストレスが著しい場合には接着層が剥離しやすくなるか
らである。したがって、セラミック基板と導体の接着強
度が確保される範囲で接着層の厚さはできるだけ薄い方
が好ましく、１０μｍ以下が特に好適である。なお、前
記接着層とセラミック基板との密層性を向上させるため
に、セラミック基板の表面を化学的あるいは物理的に粗
化させるか、カップリング剤で処理することができる。
前記接着層の表面部分を除去する方法としては、微粉研
摩剤を用いてボリシングや液体ホーニングする研摩手段
２例えばクロム酸によるエツチング手段などを採用する
ことができ、そうすることにより合成樹脂によって被覆
されている前記無機質微粒子の一部を前記接着層の表面
に露出させることができる。次に、前記露出させた無機
質微粒子を溶解除去するには、前記強酸あるいは強アル
カリ溶液を用いてセラミック基板をその溶液中に浸漬す
るか、セラミック基板に溶液をスプレーすることなどで
実施でき、その結果、接着層の表面を均一に粗化するこ
とができる。
摩剤を用いてボリシングや液体ホーニングする研摩手段
２例えばクロム酸によるエツチング手段などを採用する
ことができ、そうすることにより合成樹脂によって被覆
されている前記無機質微粒子の一部を前記接着層の表面
に露出させることができる。次に、前記露出させた無機
質微粒子を溶解除去するには、前記強酸あるいは強アル
カリ溶液を用いてセラミック基板をその溶液中に浸漬す
るか、セラミック基板に溶液をスプレーすることなどで
実施でき、その結果、接着層の表面を均一に粗化するこ
とができる。
本発明によれば、接着層の表面を粗化したセラミック基
板に無電解メッキを施す。このようにして得られる無電
解メッキで形成される導体はシート抵抗が低く、高周波
の伝達損失が少なく、かつファインライン性などに優れ
ている。前記無電解メッキとしては、例えば無電解鋼メ
ッキ、無電解ニッケルメッキ、無電解金メッキなどを挙
げることができる。なお、無電解メッキを施した上に電
気メッキを行ったり、ハンダをコートしたりすることが
できる。
板に無電解メッキを施す。このようにして得られる無電
解メッキで形成される導体はシート抵抗が低く、高周波
の伝達損失が少なく、かつファインライン性などに優れ
ている。前記無電解メッキとしては、例えば無電解鋼メ
ッキ、無電解ニッケルメッキ、無電解金メッキなどを挙
げることができる。なお、無電解メッキを施した上に電
気メッキを行ったり、ハンダをコートしたりすることが
できる。
なお、本発明により得られた接着層の表面が粗化された
セラミック基板は従来知られ之プリント配線板について
行なわれているサブトラクチブ法あるいはアディティブ
法により導体回路を形成することができる。
セラミック基板は従来知られ之プリント配線板について
行なわれているサブトラクチブ法あるいはアディティブ
法により導体回路を形成することができる。
次に本発明を実施例によって説明する。
実施例１
下記（１）〜（５）の工程によってセラミック配線基板
を製作し九。
を製作し九。
（１） ９６％アルミナセラミック基板（外形寸法５
０．８Ｘ ５０．８ ｍ１１１１．厚さ０．６３５１１
１１１ ）を、シランカップリング剤（信越化手製、Ｋ
ＢＭ−３０３＞をメチル・エチル・ケトンに溶解させた
２％溶液中に浸漬してから、乾かしてセラミック基板の
表面をカップリング処理しｔｏ （２）耐熱エポキシ樹脂（三井石油化学製、ＴＡ−１８
５０）固形分１００重量部に対して、シランカップリン
グ処理した平均粒径１．５μｍの溶融シリカ微粒子（滝
森製、ヒユーズレックス−Ｘ）ｔ−１５０重量部の割合
で混合し、ブチルカルピトール溶剤を用いて粘度’（＋
” ２００ ＣＰＳ Ｋ ｉｌｌ整してから三本ロール
で混練した。得られ念ワニス状の合成樹脂をロールコー
タ−を使用してセラミック基板の片側表面に塗布した後
、ｉｓｏ ｃで１時間加熱硬化させて第１図（５）に示
すように厚さ５μｍの接；１層を形成した。
０．８Ｘ ５０．８ ｍ１１１１．厚さ０．６３５１１
１１１ ）を、シランカップリング剤（信越化手製、Ｋ
ＢＭ−３０３＞をメチル・エチル・ケトンに溶解させた
２％溶液中に浸漬してから、乾かしてセラミック基板の
表面をカップリング処理しｔｏ （２）耐熱エポキシ樹脂（三井石油化学製、ＴＡ−１８
５０）固形分１００重量部に対して、シランカップリン
グ処理した平均粒径１．５μｍの溶融シリカ微粒子（滝
森製、ヒユーズレックス−Ｘ）ｔ−１５０重量部の割合
で混合し、ブチルカルピトール溶剤を用いて粘度’（＋
” ２００ ＣＰＳ Ｋ ｉｌｌ整してから三本ロール
で混練した。得られ念ワニス状の合成樹脂をロールコー
タ−を使用してセラミック基板の片側表面に塗布した後
、ｉｓｏ ｃで１時間加熱硬化させて第１図（５）に示
すように厚さ５μｍの接；１層を形成した。
（３） 接Ｍ層の表面をす１０００のアルミナ微粉研
摩材を用いて回転ブラシ研摩機で軽く研摩して、第１図
０に示すように溶融シリカ微粒子を接着層の表面に露出
させた。なお、研摩した後の接着層の厚さは３〜４μｍ
であった。
摩材を用いて回転ブラシ研摩機で軽く研摩して、第１図
０に示すように溶融シリカ微粒子を接着層の表面に露出
させた。なお、研摩した後の接着層の厚さは３〜４μｍ
であった。
（４） 研摩したセラミック基板全濃度２５％のフッ
化水素酸水溶液中に２分間浸漬して、第１図■）のよう
に接着層の表面を粗化してから水洗した。
化水素酸水溶液中に２分間浸漬して、第１図■）のよう
に接着層の表面を粗化してから水洗した。
（５） セラミック基板の接着層が形成されていない
片面をマスクしてから、パラジウム触媒（５ＨＩＰＬＥ
Ｙ社製、キャタボジット４４）を付与して接着層の表面
を活性化させ、下記に組成を示すアディティブ法用無電
解鋼メッキ液に３時間浸漬して、第１図０のようにメッ
キ厚さ７μｍの無電解銅メッキを施した。
片面をマスクしてから、パラジウム触媒（５ＨＩＰＬＥ
Ｙ社製、キャタボジット４４）を付与して接着層の表面
を活性化させ、下記に組成を示すアディティブ法用無電
解鋼メッキ液に３時間浸漬して、第１図０のようにメッ
キ厚さ７μｍの無電解銅メッキを施した。
硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０） ０．０６−ｅル
／ｚホルマリン（３７％）０．３ モル／を苛性ソー
ダ（ＮａＯＨ） ０．３５ モル／ＩＥ、Ｄ Ｔ
Ａ Ｏ，１２％Ａ−／を
添加剤 少々 メッキ瀉度ニア０〜７２ＣＰＨ： １２．４以上のよ
うにして製造されたセラミック配線基板は、硫酸銅メッ
キ浴中で電気メッキを施して銅メッキの厚さを３５μｍ
にしてから、ＪＩＳ−０６４８１に従ってビール強度を
測定したところ１．４〜１．８）ｌ／２と接着弛度が高
くて安定しており、さらに１５０Ｃで５００時間の高温
放置試験後も接着強度の大巾な低下は認められず耐熱性
に優れてい念。また、パワートランジスタ＋ ２ＳＣ２
２３３）を実装して熱放散性を調べたところ１．１２
Ｃ／Ｗであり、極めて熱放散性に優れていることが詔め
られた。
／ｚホルマリン（３７％）０．３ モル／を苛性ソー
ダ（ＮａＯＨ） ０．３５ モル／ＩＥ、Ｄ Ｔ
Ａ Ｏ，１２％Ａ−／を
添加剤 少々 メッキ瀉度ニア０〜７２ＣＰＨ： １２．４以上のよ
うにして製造されたセラミック配線基板は、硫酸銅メッ
キ浴中で電気メッキを施して銅メッキの厚さを３５μｍ
にしてから、ＪＩＳ−０６４８１に従ってビール強度を
測定したところ１．４〜１．８）ｌ／２と接着弛度が高
くて安定しており、さらに１５０Ｃで５００時間の高温
放置試験後も接着強度の大巾な低下は認められず耐熱性
に優れてい念。また、パワートランジスタ＋ ２ＳＣ２
２３３）を実装して熱放散性を調べたところ１．１２
Ｃ／Ｗであり、極めて熱放散性に優れていることが詔め
られた。
実施例２
実施例１と同様ではあるが、接着層の厚さを約５０μｍ
に変化させてセラミック配線基板を作成した。得られた
基板の熱放散性を実施例１と同様にして調べたところ２
．３７ Ｃ／Ｗであり、実施例１に°比較して熱放散性
に若干劣っていた。
に変化させてセラミック配線基板を作成した。得られた
基板の熱放散性を実施例１と同様にして調べたところ２
．３７ Ｃ／Ｗであり、実施例１に°比較して熱放散性
に若干劣っていた。
実施例３
セラミック基板として、所定の筒所に０．５ ｇ、＃の
孔を配置した９６％アルミナ・セラミック基板（外形寸
法５０゜８ Ｘ ５０．８１１１Ｂ、厚さ０．６３５■
）を用いて実施例１と同様の工程で第２図に示すような
両面スルーホール・セラミック配線層板金作成した。
孔を配置した９６％アルミナ・セラミック基板（外形寸
法５０゜８ Ｘ ５０．８１１１Ｂ、厚さ０．６３５■
）を用いて実施例１と同様の工程で第２図に示すような
両面スルーホール・セラミック配線層板金作成した。
このようにして得られ之セラミック配線基板は実施例１
で得られ念セラミック配線基板とほぼ同様に、セラミッ
ク基板と無電解銅メッキとの密着の信頼性および耐熱性
に優れてい念。さらにスルーホールの接続信頼性につい
ても熱衝撃テスト（ＭＩＬ−８ＴＤ−２０２Ｅ １０７
Ｄ、 Ｃｏｎｄ、Ｂ ）で２００サイクル後において故
障の発生はな（、高い信頼性を示した。
で得られ念セラミック配線基板とほぼ同様に、セラミッ
ク基板と無電解銅メッキとの密着の信頼性および耐熱性
に優れてい念。さらにスルーホールの接続信頼性につい
ても熱衝撃テスト（ＭＩＬ−８ＴＤ−２０２Ｅ １０７
Ｄ、 Ｃｏｎｄ、Ｂ ）で２００サイクル後において故
障の発生はな（、高い信頼性を示した。
以上述べた如く、本発明のセラミック配線基板の製造方
法によれば、セラミック基板と無電解メッキとの密着の
信頼性および耐熱性に極めて優れた無電解メッキによる
導体を形成することができ、かつセラミック配線基板と
して重要な特性である熱放散性にも優れている。さらに
、本発明のセラミック配線基板は導体を無電解メッキで
形成するので導体のシート抵抗が低く、高周波伝達損失
が少なく、ファインライン性にも優れているなどの利点
があり、ハイブリツ）ＩＣなどの用途において産業上極
めて有用である。
法によれば、セラミック基板と無電解メッキとの密着の
信頼性および耐熱性に極めて優れた無電解メッキによる
導体を形成することができ、かつセラミック配線基板と
して重要な特性である熱放散性にも優れている。さらに
、本発明のセラミック配線基板は導体を無電解メッキで
形成するので導体のシート抵抗が低く、高周波伝達損失
が少なく、ファインライン性にも優れているなどの利点
があり、ハイブリツ）ＩＣなどの用途において産業上極
めて有用である。
第１図（５）はセラミック基板の縦断面図、同図の）は
接着層が形成されたセラミック基板の縦断面図、同図０
は同図（５）の接着層の表面に無機質微粒子が露出され
ている状態を示すセラミック基板の縦断面図、同図の）
は接着層の表面が粗化されている状Ｊｌｌを示すセラミ
ック基板の縦断面図、同図■は無電解メッキが施され穴
セラミック配線基板の縦断面図、第２図は両面スルーホ
ール・セラミック配線基板の縦断面図である。 ｌ・・・セラミック基板、２・・・接着層、３・・・無
電解メッキ、４・・・スルーホール。
接着層が形成されたセラミック基板の縦断面図、同図０
は同図（５）の接着層の表面に無機質微粒子が露出され
ている状態を示すセラミック基板の縦断面図、同図の）
は接着層の表面が粗化されている状Ｊｌｌを示すセラミ
ック基板の縦断面図、同図■は無電解メッキが施され穴
セラミック配線基板の縦断面図、第２図は両面スルーホ
ール・セラミック配線基板の縦断面図である。 ｌ・・・セラミック基板、２・・・接着層、３・・・無
電解メッキ、４・・・スルーホール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミック基板の表面に無機質微粒子を含む合成樹
脂を塗布して接着層を形成し、前記接着層の表面を除去
して前記無機質微粒子の一部を前記接着層の表面に露出
させた後、前記露出させた無機質微粒子を溶解除去して
接着層の表面を粗化し、次いで無電解メッキを施すこと
を特徴とするセラミック配線基板の製造方法。 ２、前記セラミック基板の電気抵抗は１０＾８Ω−ｃｍ
以上である特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、前記合成樹脂は耐熱性の熱硬化性樹脂である特許請
求の範囲第１あるいは２項記載の方法。 ４、前記合成樹脂はエポキシ樹脂、耐熱エポキシ樹脂、
エポキシ変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、トリア
ジン樹脂のなかから選ばれる何れか少なくとも１種であ
る特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載の方法。 ５、前記無機質微粒子の平均粒径は１０μｍ以下である
特許請求の範囲第１〜４項のいずれかに記載の方法。 ６、前記無機質微粒子は平均粒径５μｍ以下のＳｉＯ＿
２を主として含有するものである特許請求の範囲第１〜
５項のいずれかに記載の方法。 ７、前記接着層の厚さは２０μｍ以下である特許請求の
範囲第１〜６項のいずれかに記載の方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10263285A JPS61263189A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | セラミツク配線基板の製造方法 |
| US06/860,886 US4752499A (en) | 1985-05-16 | 1986-05-08 | Adhesive for electroless plating and method of preparation of circuit board using this adhesive |
| US07/357,693 US5021472A (en) | 1985-05-16 | 1989-05-25 | Adhesive for electroless plating and method of preparation of circuit board using this adhesive |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10263285A JPS61263189A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | セラミツク配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263189A true JPS61263189A (ja) | 1986-11-21 |
| JPH0426560B2 JPH0426560B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=14332612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10263285A Granted JPS61263189A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | セラミツク配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263189A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5136071A (en) * | 1991-12-16 | 1992-08-04 | Dow Corning Corporation | Sodium borohydride as activator for phenylborane catalyzed disproportionation of arylsilanes |
| JP2007168020A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Fujitsu Ltd | 樹脂層の形成方法及びめっき方法 |
| JP2008297386A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Fujifilm Corp | インク組成物、導電性膜及び導電性膜の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3500862B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2004-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発電装置および携帯電子機器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167492A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | 三菱電機株式会社 | 樹脂への導体層形成方法 |
-
1985
- 1985-05-16 JP JP10263285A patent/JPS61263189A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167492A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | 三菱電機株式会社 | 樹脂への導体層形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5136071A (en) * | 1991-12-16 | 1992-08-04 | Dow Corning Corporation | Sodium borohydride as activator for phenylborane catalyzed disproportionation of arylsilanes |
| JP2007168020A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Fujitsu Ltd | 樹脂層の形成方法及びめっき方法 |
| JP2008297386A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Fujifilm Corp | インク組成物、導電性膜及び導電性膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426560B2 (ja) | 1992-05-07 |
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