JPS60167492A - 樹脂への導体層形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、樹脂に導体層を形成する方法に関するもの
である。

〔従来技術〕

従来、この種の方法としては、蒸着、スパッタリング等
の薄膜形成技術を用いて、樹脂表向に金属薄ｇを形成す
る方法、樹脂表面に無電解めっきを析出させるための触
媒状を付着させ、無′亀解めつき浴に浸漬することによ
り樹脂表面に金属層全形成する方法などが間知である。

薄膜形成技術ＶＣよって形成された導体層は、膜厚が最
大でも数μｍ程度であり、回路基板の導体として用いる
場合、インピーダンス金低く出来ない。また一般的に薄
膜形成プロセスは他の膜形成プロセス、例えば厚膜法に
比較して生産性、コストの面で劣るため、高精度、微細
パターンなどの要求される分野、例えば産業用電子機器
に用いられる回路基板、磁気ヘッドなどに代表される電
子デバイスなどに適用される。

また、無電解めっきによる導体層の形成は、樹脂系プリ
ント基板のスルーホール部へのめつきなどが代表定であ
り、基材上の必要な部分のみに無電解めっきにより１０
μｍ以上の膜厚を有する導体層を形成して回路形成する
フルアデテイプ法等が周知である。このように、樹脂に
無゛電解めつきによって導体層を形成する場合、これら
の間の密着力を向上させるために、樹脂表面を粗面化す
ることが為される。粗面化の方法としては１機械的に表
面を粗面化する方法、薬品によるエツチング、プラズマ
によるエツチングなどにより粗面化する方法がある。機
械的な方法は、粗面化状態の均一性に劣りかつそのスケ
ールが比較的大きいため、微細パターンに対して１ｌ−
ｔ＠着力のばらつきにつながる。また、薬品、あるいは
プラズマによるエツチングによる方法は、生産性が劣９
、かつ粗面化の程度も低いという欠点を有する。

〔発明の概要〕

この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、無機絶縁物を混合した樹脂層を
形成する工程、混合した無機絶縁物が露出するようにエ
ツチングする工程、露出した黒磯絶縁物を樹脂層の樹脂
分に対して選択的にエツチングし粗面を形成する工程、
粗面に無機電解めっきに対する触媒核全形成する工程、
及び触媒核が形成された粗面に４電性金ＪＰ！４ヲ無′
亀解めっきする工程金施すことにより、樹脂により密着
力が艮く、膜厚の大きい導体層を生産性艮く形成するこ
とを目的としている。

〔発明の実施例〕

以下、この発明の一実施例を工程順に表わす断面図に基
いて説明する。第１図は基板上に無機絶縁物全混合した
樹脂層を形成した状態を、第２図は樹脂層のＳ機絶縁物
が露出された状態を、＠８図は粗面が形成された状態を
、第６図は樹脂４体層が形成された状態を表わすもので
、図において、１１）は越板で、この場合はアルミナセ
ラミック基板、（２）は無機絶縁物で、この場合はガラ
ス粉末、（３ｊは硬化前樹脂で、この場合はポリイミド
前駆体の感光性ポリアミドカルボン酸系ワニス、（４）
は硬化後樹脂で、この場合はポリイミド樹脂、（６１は
無電解めっきにより形成された導電性金属より導体層で
、この場合は銅である。

まず、ポリアミドカルボン酸系ワニスｔａ＋に粒径約１
０μｍのガラス粉末（２）ヲ体槙比でポリアミドカルボ
ン酸系ワニス（：１）の２倍量混合する。このガラス粉
末（２）は酸によって酵解されやすいものｔ使用する。

このガラス粉末ｉ２１　ｆｔ混合したポリアミドカルボ
ン酸系ワニス（３）ｔアルミナセラミック基板１１１　
Ｋ　塗布する。次に、このポリアミドカルボン酸系ワニ
ス（３１を硬化温度より低い温度で、この場合は８０℃
で８０分間乾燥させた後、露光した適当な有機溶剤、こ
の場合はＮ−メチル−２−ピロリドンをエツチング液と
して、この表面をわずかに除去することにより、第２図
に示すようにガラス粉末（２）の一部分が露出された状
急にする・続いて８５０℃で加熱硬化することによりポ
リアミドカルボン酸系ワニス（８１をポリイミド樹脂（
４］に変化させた後、酸、この場合はフッ酸に浸漬する
ことにより露出しているガラス粉末（２１をポリイミド
樹脂（４）に対して選択的にエツチングし、第８図に示
すように表面が粗面化されたボリノミド樹脂（４）層１
ｃ得る。更に、この減面ＶＣ無電解めっき全析出させる
ための触媒核全付着させ、無電解めっき浴に浸漬するこ
とにより、第４図に示す導体層を得る。

このようにして得られた導体層は、樹脂表面と導体層と
の接触面積が増加しており、樹脂との密着力の優れたも
のであった。また大量に処理することが容易で生産性も
艮かった。

上記実施例では樹脂として、ポリアミドカルボン酸系ワ
ニスを加熱硬化させたポリイミド樹脂を用いたが、ワニ
ス状態で塗布、乾燥した後。

適当なエツチング液によりエツチングが可能であり、硬
化後耐薬品性に優れた材料であれば艮い。

例えば、ポリイソプレン樹脂、フェノールノボラック樹
脂、ポリメタクリレイト樹脂などであり、感光性は必ず
しも必要としない。

また、無機絶縁物としては、ガラス粉末の他に酸などの
適当なエツチング液により、樹脂金浸すことなく選択的
にエツチングされるもので、かつ樹脂硬化温度での耐熱
性を何するような無機絶縁物の結晶体、酸化マグネシウ
ム、酸化チタン等の金鵬酸化物でも良い。更に、粉末状
のものに限らずガラス繊維のようなものでも同様の効果
を奏する。

なお、樹脂中に混入される無機絶縁物の粒径、濃度、形
状、エツチング条件を変えることによって樹脂表面の粗
面化の程度全容易にコントロール出来るので、必要な表
面状態が容易に実現できる。

さらに密着力の向上は、導体層の膜厚を大きくしていっ
たときに、剥離を生ずる可能性を減少させ、無電解めっ
きによる厚付け、ある＾は電気めっきによる無電解めっ
き層上への厚伺けが容易に達成でき、また、樹脂の粗面
化の状態を、微細パターンに適合するようにコントロー
ルすることで、密着力を同上させることが由来る。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば無機絶縁物全混合した
樹脂層全形成する工程、混合した無機絶縁物が露出する
ようにエツチングする工程、露出した無機絶縁物を樹脂
層の樹脂分に対して選択的にエツチングし粗面を形成す
る工程、粗面に無電解めっきに対する触媒核を形成する
工程、及び触媒核が形成された粗面に導電性金属全無電
解めっきする工程ｔ″施すことりこより、樹脂により密
着力が良く、膜厚の大きい導体層を生産性良く形成でき
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図から第４図はこの発明の一実施例の樹脂への導体
層形成方法を工程順に示す断面図である。図において、
（１）は基板、ｆ２１ｆ′ｉ無機絶縁物、［８１、１４
１は樹脂、（５）は導体層である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄 第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正書（自発） ２、発明の名称 樹脂への導体層形成方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名　称　
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住　所　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５、　補
正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ６、　補正の内容 （１）明細書の第８頁第１０行の１プラズマにによ電解
メッキ」に訂正する。 （３）同第４頁第１２行の「基いて」を１基づ（Ａて」
に訂正する。 以上 特許庁長官殿 １、事件の表示　特願昭　５９−２８２９８号２、発明
の名称 樹脂への導体層形成方法 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正命令の日付 昭和５９年５月２９日 ６、補正の対象 明細書全文 ７、　補正の内容

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｉｌｌ　無機絶縁物を混合した樹脂層を形１祝する工程
   、混合した無機絶縁物が露出するようにエツチングする
   工程、露出しｆｃ無機絶縁物を樹脂層の樹脂分に対して
   選択的にエツチングし１１ＩＩｉｉを形成する工程、粗
   面に無電解めっきに対する触媒ｉｔ膜形成る工程、及び
   触媒状が形成された粗面に導電性金属を無電解めっきす
   る工程を施す樹脂への導体層形成方法。 （２１無機絶縁物はガラス粉末である特許請求の範囲第
   １１７を記載の樹脂への導体層形成方法。 （３１無機絶縁物は無機絶縁物の結晶体である特許請求
   の範囲第１項記載の樹脂への導体層形成方法。 （４）　無機絶縁物はガラス繊維である特許請求の範囲
   第１項記載の樹脂への導体層形成方法。