JP2007157804A - Ledパッケージ、発光装置及びledパッケージの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
表面が(100)面のシリコン基板に対して面方位に依存する異方性エッチングを施して、(100)面を底面とし、4つの(111)面を傾斜側面とするホーンを形成する。形成されたホーンの傾斜側面を等方性エッチングして面と面との境界に丸みを持たせる。このホーンの底面上にLEDチップを実装する。
【選択図】
図1
Description
を含むLEDパッケージの製造方法が提供される。
11a、11b ホーン
21、21a、23、23a、23b、24 酸化シリコン膜
22、24、27 レジストパターン
25、25a、25b バリア層
26 反射膜
26a、26b、27a、27b、27c、27d、28a、28b、28c、28d 反射膜兼電極
26c、26e チップ実装部
26d 接続部
31、32a、32b、32c、33a、33b、33c、34、35 LEDチップ
31a、31g 金属電極
31b、34a 基板
31c 半導体層
31d、34d p型半導体層
31e、34c 発光層
31f、34b n型半導体層
31w、34w ボンディングワイヤ
34e n型電極
34f p型電極
40 透明樹脂
51 LED発光体
52 スイッチ
53 柄
Claims (9)
- (a)表面が(100)面のシリコン基板に対して面方位に依存する異方性エッチングを施して、(100)面を底面とし、4つの(111)面を傾斜側面とするホーンを形成する工程と、
(b)前記ホーンの傾斜側面を等方性エッチングして面と面との境界に丸みを持たせる工程と、
(c)前記ホーン底面上にLEDチップを実装する工程と
を含むLEDパッケージの製造方法。 - 前記工程(b)は、
(b−1)前記ホーンを含むシリコン基板の表面に酸化膜を形成する工程と、
(b−2)前記酸化膜が形成されたシリコン基板の(100)面上にレジストパターンを形成する工程と、
(b−3)バッファードフッ酸溶液により該ホーンの傾斜側面の酸化膜を除去し、該ホーンを含むシリコン基板の(100)面に酸化膜を残す工程と、
(b−4)前記(100)面に残された酸化膜をマスクとし、前記ホーンの(111)面に等方性エッチングを施して該ホーン内の面と面との境界に丸みを持たせる工程と
を含む請求項1に記載のLEDパッケージの製造方法。 - 前記工程(c)は、
(c−1)前記底面と前記傾斜側面を含むホーン内面に絶縁膜を形成する工程と、
(c−2)前記絶縁膜上に、反射膜を兼ね、少なくとも2つの領域に分割された電極を形成する工程と、
(c−3)前記電極の少なくとも1つの上に少なくとも1つのLEDチップの一方の端子を電気的及び機械的に接続し、さらに該電極とは別の電極と該LEDチップの他方の端子とを接続する工程と
を含む請求項1に記載のLEDパッケージの製造方法。 - 前記工程(c)のあとに、
前記ホーン内に樹脂材料を充填して樹脂モールドを形成する工程
を含む請求項1から3のいずれかに記載のLEDパッケージの製造方法。 - 異方性エッチングにより、(100)面の底面と、4つの(111)面の傾斜側面からなるホーンを形成し、さらに4つの(111)面に等方性エッチングを施して面と面との境界に丸みを持たせたシリコン基板と、
前記ホーン底面上に実装されたLEDチップと
を含むLEDパッケージ。 - 前記底面と前記傾斜側面とを含むホーン内面に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、反射膜を兼ねた少なくとも2つの領域に分割された電極と、
前記電極の少なくとも1つの上に一方の端子を電気的機械的に接続され、さらに該電極とは別の電極に他方の端子を接続されたLEDチップと
を含む請求項5に記載のLEDパッケージ。 - 前記電極が前記シリコン基板裏面側まで延長していることを特徴とする請求項6に記載のLEDパッケージ。
- さらに、
前記ホーン内に樹脂材料を充填して形成した樹脂モールド
を含む請求項5から7のいずれかに記載のLEDパッケージ。 - 請求項5から8のいずれかに記載のLEDパッケージを用いた発光装置。
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