JP2002237618A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
表示装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2002237618A JP2002237618A JP2001032688A JP2001032688A JP2002237618A JP 2002237618 A JP2002237618 A JP 2002237618A JP 2001032688 A JP2001032688 A JP 2001032688A JP 2001032688 A JP2001032688 A JP 2001032688A JP 2002237618 A JP2002237618 A JP 2002237618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- display device
- semiconductor light
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 282
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 10
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 56
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 8
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基体面に絶縁層で固定された半導体発光素子
の上端部電極が簡易かつ確実な手段で絶縁層の上面へ引
き出された表示装置およびその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 選択的に結晶成長させた六角錐形状のＧ
ａＮ系半導体発光素子１１を基体２０の上面にエポキシ
樹脂からなる絶縁層２１で埋め込んで固定した後、酸素
プラズマ雰囲気下に絶縁層２１を選択的にドライエッチ
ングしてＧａＮ系半導体発光素子１１の上端部を露出さ
せる。そして全面に導体膜２２を形成した後、リソグラ
フィによって要部を引き出し電極２３として残し、不要
部は除去する。
の上端部電極が簡易かつ確実な手段で絶縁層の上面へ引
き出された表示装置およびその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 選択的に結晶成長させた六角錐形状のＧ
ａＮ系半導体発光素子１１を基体２０の上面にエポキシ
樹脂からなる絶縁層２１で埋め込んで固定した後、酸素
プラズマ雰囲気下に絶縁層２１を選択的にドライエッチ
ングしてＧａＮ系半導体発光素子１１の上端部を露出さ
せる。そして全面に導体膜２２を形成した後、リソグラ
フィによって要部を引き出し電極２３として残し、不要
部は除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置およびその
製造方法に関するものであり、更に詳しくは、発光源で
ある半導体発光素子を埋め込んだ絶縁層を薄層化させて
露出される半導体発光素子の上端部に導電体膜を形成さ
せることによって上端部電極が引き出されている表示装
置およびその製造方法に関するものである。
製造方法に関するものであり、更に詳しくは、発光源で
ある半導体発光素子を埋め込んだ絶縁層を薄層化させて
露出される半導体発光素子の上端部に導電体膜を形成さ
せることによって上端部電極が引き出されている表示装
置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】絶縁層で被覆された半導体装置の電極を
外部へ引き出す方法として、リソグラフィによって絶縁
層にコンタクトホールを穿設し、そのコンタクトホール
内に導体材料を例えばスパッタリング法によって埋め込
むと共に、絶縁層の表面に導体膜を形成させることが広
く行われている。
外部へ引き出す方法として、リソグラフィによって絶縁
層にコンタクトホールを穿設し、そのコンタクトホール
内に導体材料を例えばスパッタリング法によって埋め込
むと共に、絶縁層の表面に導体膜を形成させることが広
く行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１７は半導体装置５
０内の電極５１を引き出す過程を示す図あるが、図１７
のＡは電極５１が設けられたシリコン基板５２とその表
面に形成されたＳｉＯ2絶縁層５３を示す断面図であ
る。そして、この電極５１を絶縁層５３の上面側へ引き
出す場合には、図１７のＢに示すように、電極５１の存
在する箇所を定めてコンタクトホール５４が穿設され
る。この時、コンタクトホール５４は電極５１と位置ず
れし易く、電極５１が微小である程位置ずれの確率は増
大する。
０内の電極５１を引き出す過程を示す図あるが、図１７
のＡは電極５１が設けられたシリコン基板５２とその表
面に形成されたＳｉＯ2絶縁層５３を示す断面図であ
る。そして、この電極５１を絶縁層５３の上面側へ引き
出す場合には、図１７のＢに示すように、電極５１の存
在する箇所を定めてコンタクトホール５４が穿設され
る。この時、コンタクトホール５４は電極５１と位置ず
れし易く、電極５１が微小である程位置ずれの確率は増
大する。
【０００４】また、コンタクトホール５４を導体金属で
埋め、絶縁層５３の上面に引き出し電極を設けるため
に、例えばアルミニウムのような導体金属５５のスパッ
タリングまたは蒸着が行われる。しかし、この時の導体
金属粒子の直進性によって、図１７のＣに示すように、
コンタクトホール５４の底部には導体金属５５が付着す
るが、コンタクトホール５４の上端開口の内周部にデポ
ジットし成長する導体金属５５の影となって、コンタク
トホール５４の側壁には導体金属５５が付着しにくい。
更に進むと、図１７のＤに示すように、コンタクトホー
ル５４はその側壁部分で接続不良を生じたり、内部に空
洞を残した状態で開口が閉じられるようなトラブルを招
くに至る。
埋め、絶縁層５３の上面に引き出し電極を設けるため
に、例えばアルミニウムのような導体金属５５のスパッ
タリングまたは蒸着が行われる。しかし、この時の導体
金属粒子の直進性によって、図１７のＣに示すように、
コンタクトホール５４の底部には導体金属５５が付着す
るが、コンタクトホール５４の上端開口の内周部にデポ
ジットし成長する導体金属５５の影となって、コンタク
トホール５４の側壁には導体金属５５が付着しにくい。
更に進むと、図１７のＤに示すように、コンタクトホー
ル５４はその側壁部分で接続不良を生じたり、内部に空
洞を残した状態で開口が閉じられるようなトラブルを招
くに至る。
【０００５】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、基体
面に半導体発光素子を配し絶縁層で被覆して取り付けた
表示装置において、半導体発光素子の上端部電極が簡易
かつ確実に引き出された表示装置およびその製造方法を
提供することを課題とする。
面に半導体発光素子を配し絶縁層で被覆して取り付けた
表示装置において、半導体発光素子の上端部電極が簡易
かつ確実に引き出された表示装置およびその製造方法を
提供することを課題とする。
【０００６】なおこのような接続の簡易化に関して、絶
縁層をエッチバックするものとして次に示すような先行
技術がある。すなわち、特開平７−１４２５７９号公報
には、コンタクトホールに代わるコンタクト配線が採用
されている。図１８は表面伝導型電子放出素子（ＳＣ
Ｅ）を要素とする画像表示装置を製造する場合の下層配
線と上層配線とをコンタクト配線で接続する過程を示す
図であるが、図１８のＡに示すように、絶縁性基板６１
上に形成された下層配線６２に金属を電子線ビーム蒸着
し不要部をリフトアップすることによってコンタクト配
線６３を形成させ、続いて図１８のＢに示すように、ス
パッタ法によって全面に酸化ケイ素等の絶縁膜６４を形
成させ、更に、図１８のＣに示すように、全面にフォト
レジスト６５を形成させた後、図１８のＤに示すよう
に、エッチバックして平坦化させながらコンタクト配線
６３の表面を露出させ、図１８のＥに示すように、上層
配線６６を施した多層配線が開示されている。しかし、
この方法はコンタクト配線を露出させるものであり、半
導体発光素子を露出させるものではない。
縁層をエッチバックするものとして次に示すような先行
技術がある。すなわち、特開平７−１４２５７９号公報
には、コンタクトホールに代わるコンタクト配線が採用
されている。図１８は表面伝導型電子放出素子（ＳＣ
Ｅ）を要素とする画像表示装置を製造する場合の下層配
線と上層配線とをコンタクト配線で接続する過程を示す
図であるが、図１８のＡに示すように、絶縁性基板６１
上に形成された下層配線６２に金属を電子線ビーム蒸着
し不要部をリフトアップすることによってコンタクト配
線６３を形成させ、続いて図１８のＢに示すように、ス
パッタ法によって全面に酸化ケイ素等の絶縁膜６４を形
成させ、更に、図１８のＣに示すように、全面にフォト
レジスト６５を形成させた後、図１８のＤに示すよう
に、エッチバックして平坦化させながらコンタクト配線
６３の表面を露出させ、図１８のＥに示すように、上層
配線６６を施した多層配線が開示されている。しかし、
この方法はコンタクト配線を露出させるものであり、半
導体発光素子を露出させるものではない。
【０００７】また、特開平７−９４１２４号公報には、
電界放出陰極を備えた表示装置における発光素子の製造
方法として、図１９のＡに示すように、基板７０の一方
の主表面に陰極チップ７０ａを形成し、図１９のＢに示
すように、基板７０上にスパッタリングによって絶縁膜
７２、陽極層７３を順次に形成させ、更に、図１９のＣ
に示すように、スパッタリングによって蛍光材層７４を
形成させ、次いで図１６のＤに示すように、ポリイミド
樹脂層７５を披着させて平坦化させた後、ポリイミド樹
脂層７５をエッチバックして蛍光材層７４の隆起部分を
露呈させ、その周囲にポリイミド樹脂層７５を残存させ
る。そして、図１９のＥに示すように、残存するポリイ
ミド樹脂層７５をマスクとして蛍光材層７４、陽極層７
３、絶縁膜７２を順次に選択的にエッチングして、陰極
チップ７０ａを露呈させることが行われている。しか
し、この方法は陰極チップを露出させること自体を目的
とするものであり、露出させた半導体発光素子上端部電
極を引き出すためのものではない。
電界放出陰極を備えた表示装置における発光素子の製造
方法として、図１９のＡに示すように、基板７０の一方
の主表面に陰極チップ７０ａを形成し、図１９のＢに示
すように、基板７０上にスパッタリングによって絶縁膜
７２、陽極層７３を順次に形成させ、更に、図１９のＣ
に示すように、スパッタリングによって蛍光材層７４を
形成させ、次いで図１６のＤに示すように、ポリイミド
樹脂層７５を披着させて平坦化させた後、ポリイミド樹
脂層７５をエッチバックして蛍光材層７４の隆起部分を
露呈させ、その周囲にポリイミド樹脂層７５を残存させ
る。そして、図１９のＥに示すように、残存するポリイ
ミド樹脂層７５をマスクとして蛍光材層７４、陽極層７
３、絶縁膜７２を順次に選択的にエッチングして、陰極
チップ７０ａを露呈させることが行われている。しか
し、この方法は陰極チップを露出させること自体を目的
とするものであり、露出させた半導体発光素子上端部電
極を引き出すためのものではない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題は請求項１ま
たは請求項１４の構成によって解決されるが、その解決
手段を説明すれば、次の如くである。
たは請求項１４の構成によって解決されるが、その解決
手段を説明すれば、次の如くである。
【０００９】請求項１の表示装置は、複数の半導体発光
素子が基体面に配置され取り付けられた表示装置におい
て、半導体発光素子を埋め込んだ絶縁層が選択的または
非選択的に薄層化されて露出される半導体発光素子の上
端部に導体膜が形成されて、半導体発光素子の上端部電
極が絶縁層の上面に引き出されている装置である。この
ような表示装置は、絶縁層に上端部電極を引き出すため
のコンタクトホールを設けないので、コンタクトホール
と上端部電極との位置ずれやコンタクトホール内におけ
る接続不良とも無縁であり、半導体発光素子の上端部電
極が簡易かつ確実に接続されたものとなる。
素子が基体面に配置され取り付けられた表示装置におい
て、半導体発光素子を埋め込んだ絶縁層が選択的または
非選択的に薄層化されて露出される半導体発光素子の上
端部に導体膜が形成されて、半導体発光素子の上端部電
極が絶縁層の上面に引き出されている装置である。この
ような表示装置は、絶縁層に上端部電極を引き出すため
のコンタクトホールを設けないので、コンタクトホール
と上端部電極との位置ずれやコンタクトホール内におけ
る接続不良とも無縁であり、半導体発光素子の上端部電
極が簡易かつ確実に接続されたものとなる。
【００１０】請求項１に従属する請求項２の表示装置
は、絶縁層がポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、合成ゴム
を含む塗膜形成の可能な高分子化合物、または塗膜形成
の可能なガラスからなる装置である。このような表示装
置は、絶縁層が塗布によって形成されるので、基体面の
面積が大である場合にも絶縁層が簡易に形成され、表示
装置は低コスト化される。請求項１に従属する請求項３
の表示装置は、絶縁層がＣＶＤ（化学的気相成長）法ま
たはスパッタリング法によって形成される酸化ケイ素ま
たは窒化ケイ素からなる装置である。このような表示装
置は、無機物の絶縁層によって優れた耐熱性を示す。
は、絶縁層がポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、合成ゴム
を含む塗膜形成の可能な高分子化合物、または塗膜形成
の可能なガラスからなる装置である。このような表示装
置は、絶縁層が塗布によって形成されるので、基体面の
面積が大である場合にも絶縁層が簡易に形成され、表示
装置は低コスト化される。請求項１に従属する請求項３
の表示装置は、絶縁層がＣＶＤ（化学的気相成長）法ま
たはスパッタリング法によって形成される酸化ケイ素ま
たは窒化ケイ素からなる装置である。このような表示装
置は、無機物の絶縁層によって優れた耐熱性を示す。
【００１１】請求項１に従属する請求項４の表示装置
は、絶縁層の薄層化が酸素プラズマ雰囲気下のドライエ
ッチング法、化学的機械的研摩法、または両者の組み合
わせによって行われた装置である。このような表示装置
は、採用される絶縁層の材料種や薄層化の状況に応じて
最も適切な方法が取捨選択されたものとなる。請求項１
に従属する請求項５の表示装置は、半導体発光素子が発
光領域から基体面上の下端面へ向かう方向を主たる発光
方向とするものであり、発光領域より上部に下方への反
射面を有している装置である。このような表示装置は、
半導体発光素子の発光を反射面によって効果的に発光方
向の下端面へ向かわせる。
は、絶縁層の薄層化が酸素プラズマ雰囲気下のドライエ
ッチング法、化学的機械的研摩法、または両者の組み合
わせによって行われた装置である。このような表示装置
は、採用される絶縁層の材料種や薄層化の状況に応じて
最も適切な方法が取捨選択されたものとなる。請求項１
に従属する請求項５の表示装置は、半導体発光素子が発
光領域から基体面上の下端面へ向かう方向を主たる発光
方向とするものであり、発光領域より上部に下方への反
射面を有している装置である。このような表示装置は、
半導体発光素子の発光を反射面によって効果的に発光方
向の下端面へ向かわせる。
【００１２】請求項５に従属する請求項６の表示装置
は、半導体発光素子が角錐形状または角錐台形状に形成
されており、それらが有する面のうち少なくとも傾斜面
の何れか一面が反射面とされている装置である。このよ
うな表示装置は多角錐または多角錐台の傾斜面、多角錐
台にあっては上面も反射面とすることによって、発光を
下端面側へ集中させ得る。請求項５に従属する請求項７
の表示装置は、半導体発光素子が窒化ガリウム系半導体
の六方晶からなり、少なくとも（１，−１，０，１）面
に平行な活性層すなわち発光領域を備えている装置であ
る。このような表示装置は窒化ガリウム系半導体の
（０，０，０，１）面に平行な活性層の発光効率が高い
こと、更には（１，−１，０，１）面に設ける電極面を
反射面とすることが可能であり、優れた発光性能を示
す。
は、半導体発光素子が角錐形状または角錐台形状に形成
されており、それらが有する面のうち少なくとも傾斜面
の何れか一面が反射面とされている装置である。このよ
うな表示装置は多角錐または多角錐台の傾斜面、多角錐
台にあっては上面も反射面とすることによって、発光を
下端面側へ集中させ得る。請求項５に従属する請求項７
の表示装置は、半導体発光素子が窒化ガリウム系半導体
の六方晶からなり、少なくとも（１，−１，０，１）面
に平行な活性層すなわち発光領域を備えている装置であ
る。このような表示装置は窒化ガリウム系半導体の
（０，０，０，１）面に平行な活性層の発光効率が高い
こと、更には（１，−１，０，１）面に設ける電極面を
反射面とすることが可能であり、優れた発光性能を示
す。
【００１３】請求項７に従属する請求項８の表示装置
は、半導体発光素子が、成長の基板面上で、（０，０，
０，１）面を下端面とし（１，−１，０，１）面および
これと等価な面を傾斜面として、六角錐形状または六角
錐台形状に選択的に結晶成長された窒化ガリウム系半導
体からなり、（１，−１，０，１）面およびこれと等価
な面に平行な活性層を備えている装置である。このよう
な表示装置は窒化ガリウム系半導体の（１，−１，０，
１）面に平行な活性層の発光効率が高いこと、更には
（１，−１，０，１）面に設ける電極面を反射面とする
ことが可能であり、発光を下端面側へ集中させ、高輝度
の表示装置を与える。請求項１に従属する請求項９の表
示装置は、単色の半導体発光素子、またはそれぞれ異な
る色を発光する複数種の半導体発光素子の組み合わせを
配置した画像表示装置または照明装置である。このよう
な表示装置は明瞭な、または明僚かつ多彩な画像または
照明を提供する。
は、半導体発光素子が、成長の基板面上で、（０，０，
０，１）面を下端面とし（１，−１，０，１）面および
これと等価な面を傾斜面として、六角錐形状または六角
錐台形状に選択的に結晶成長された窒化ガリウム系半導
体からなり、（１，−１，０，１）面およびこれと等価
な面に平行な活性層を備えている装置である。このよう
な表示装置は窒化ガリウム系半導体の（１，−１，０，
１）面に平行な活性層の発光効率が高いこと、更には
（１，−１，０，１）面に設ける電極面を反射面とする
ことが可能であり、発光を下端面側へ集中させ、高輝度
の表示装置を与える。請求項１に従属する請求項９の表
示装置は、単色の半導体発光素子、またはそれぞれ異な
る色を発光する複数種の半導体発光素子の組み合わせを
配置した画像表示装置または照明装置である。このよう
な表示装置は明瞭な、または明僚かつ多彩な画像または
照明を提供する。
【００１４】請求項１に従属する請求項１０の表示装置
は、半導体発光素子が第一導電型半導体層と活性層と第
二導電型半導体層を順次積層し、更に第二導電型半導体
層に上端部電極が形成されたものであり、かつ上端部電
極と導体膜が同一種の金属で形成されている装置であ
る。このような表示装置は、導体膜から形成される引き
出し電極と上端部電極とが強固かつ安定に接合されたも
のとなる。請求項１に従属する請求項１１の表示装置
は、半導体発光素子が第一導電型半導体層と活性層と第
二導電型半導体層を順次積層したものであり、絶縁層が
薄層化されて露出される第二導電型半導体層と絶縁層と
からなる面に導体膜を形成させることにより、上端部電
極と導体膜が一体的に形成されたものである。このよう
な表示装置は、第二導電型半導体層への上端部電極の取
り付けと導体膜の形成とが同時に行われて工程数が削減
されていることから低いコストである。
は、半導体発光素子が第一導電型半導体層と活性層と第
二導電型半導体層を順次積層し、更に第二導電型半導体
層に上端部電極が形成されたものであり、かつ上端部電
極と導体膜が同一種の金属で形成されている装置であ
る。このような表示装置は、導体膜から形成される引き
出し電極と上端部電極とが強固かつ安定に接合されたも
のとなる。請求項１に従属する請求項１１の表示装置
は、半導体発光素子が第一導電型半導体層と活性層と第
二導電型半導体層を順次積層したものであり、絶縁層が
薄層化されて露出される第二導電型半導体層と絶縁層と
からなる面に導体膜を形成させることにより、上端部電
極と導体膜が一体的に形成されたものである。このよう
な表示装置は、第二導電型半導体層への上端部電極の取
り付けと導体膜の形成とが同時に行われて工程数が削減
されていることから低いコストである。
【００１５】請求項１に従属する請求項１２の表示装置
は、半導体発光素子が第一導電型半導体層と活性層と第
二導電型半導体層を順次積層し、更に第二導電型半導体
層に所定厚さのコンタクトメタル層を介して上端部電極
を形成させたものであり、かつ上端部電極と導体膜が同
一種の金属で形成されている装置である。このような表
示装置は、導体膜から形成される引き出し電極と上端部
電極とが強固かつ安定に接合されたものとなるほか、上
端部電極の反射率が大であり反射光が発光の取り出し方
向へ集められることから、発光効率が高い。請求項１に
従属する請求項１３の表示装置は、半導体発光素子が第
一導電型半導体層と活性層と第二導電型半導体層を順次
積層し、更に第二導電型半導体層に所定厚さのコンタク
トメタル層を形成させたものであり、絶縁層が薄層化さ
れて露出されるコンタクトメタル層と絶縁層とからなる
面に導体膜を形成させることにより、上端部電極と導体
膜が一体的に形成された装置である。このような表示装
置は、上端部電極の反射率が大であり反射光が発光の取
り出し方向へ集められることから発光効率が高く、更に
は、上端部電極と導体膜が一体的に形成されていること
から工程数が削減されており、製造コストを低下させ
る。
は、半導体発光素子が第一導電型半導体層と活性層と第
二導電型半導体層を順次積層し、更に第二導電型半導体
層に所定厚さのコンタクトメタル層を介して上端部電極
を形成させたものであり、かつ上端部電極と導体膜が同
一種の金属で形成されている装置である。このような表
示装置は、導体膜から形成される引き出し電極と上端部
電極とが強固かつ安定に接合されたものとなるほか、上
端部電極の反射率が大であり反射光が発光の取り出し方
向へ集められることから、発光効率が高い。請求項１に
従属する請求項１３の表示装置は、半導体発光素子が第
一導電型半導体層と活性層と第二導電型半導体層を順次
積層し、更に第二導電型半導体層に所定厚さのコンタク
トメタル層を形成させたものであり、絶縁層が薄層化さ
れて露出されるコンタクトメタル層と絶縁層とからなる
面に導体膜を形成させることにより、上端部電極と導体
膜が一体的に形成された装置である。このような表示装
置は、上端部電極の反射率が大であり反射光が発光の取
り出し方向へ集められることから発光効率が高く、更に
は、上端部電極と導体膜が一体的に形成されていること
から工程数が削減されており、製造コストを低下させ
る。
【００１６】請求項１４の表示装置の製造方法は、複数
の半導体発光素子を基体面に配置して取り付ける表示装
置の製造方法において、半導体発光素子を絶縁層で埋め
込む工程と、絶縁層を選択的または非選択的に薄層化さ
せて半導体発光素子の上端部を露出させる工程と、露出
された上端部に導体膜を形成させる工程とによって半導
体発光素子の上端部電極を絶縁層の上面に引き出す製造
方法である。このような表示装置の製造方法は、半導体
発光素子を被覆する絶縁層にコンタクトホールを設けな
いので、コンタクトホールと半導体発光素子の上端部電
極との位置ずれやコンタクトホール内での接続不良とは
無縁であり、半導体発光素子の上端部電極を簡易かつ確
実に絶縁層の上面へ引き出し得る。
の半導体発光素子を基体面に配置して取り付ける表示装
置の製造方法において、半導体発光素子を絶縁層で埋め
込む工程と、絶縁層を選択的または非選択的に薄層化さ
せて半導体発光素子の上端部を露出させる工程と、露出
された上端部に導体膜を形成させる工程とによって半導
体発光素子の上端部電極を絶縁層の上面に引き出す製造
方法である。このような表示装置の製造方法は、半導体
発光素子を被覆する絶縁層にコンタクトホールを設けな
いので、コンタクトホールと半導体発光素子の上端部電
極との位置ずれやコンタクトホール内での接続不良とは
無縁であり、半導体発光素子の上端部電極を簡易かつ確
実に絶縁層の上面へ引き出し得る。
【００１７】請求項１４に従属する請求項１５の表示装
置の製造方法は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、合成
ゴムを含む塗膜形成の可能な高分子化合物、または塗膜
形成の可能なガラスを塗布して絶縁層を形成する方法で
ある。このような表示装置の製造方法は、基体面の面積
が大である場合にも簡易に絶縁層を形成させることがで
きる。請求項１４に従属する請求項１６の表示装置の製
造方法は、ＣＶＤ法またはスパッタリング法によって酸
化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させて絶縁層を形成す
る方法である。このような表示装置の製造方法は、これ
ら無機物の絶縁層により耐熱温度の高い製造装置を与え
る。
置の製造方法は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、合成
ゴムを含む塗膜形成の可能な高分子化合物、または塗膜
形成の可能なガラスを塗布して絶縁層を形成する方法で
ある。このような表示装置の製造方法は、基体面の面積
が大である場合にも簡易に絶縁層を形成させることがで
きる。請求項１４に従属する請求項１６の表示装置の製
造方法は、ＣＶＤ法またはスパッタリング法によって酸
化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させて絶縁層を形成す
る方法である。このような表示装置の製造方法は、これ
ら無機物の絶縁層により耐熱温度の高い製造装置を与え
る。
【００１８】請求項１４に従属する請求項１７の表示装
置の製造方法は、絶縁層を酸素プラズマ雰囲気下のドラ
イエッチング法、化学的機械的研摩法、または両者の組
み合わせによって薄層化する方法である。このような表
示装置の製造方法は、絶縁層の材料種や薄層化の状況に
応じて最も適切な方法を採用することができる。請求項
１４に従属する請求項１８の表示装置の製造方法は、半
導体発光素子として、発光領域から基体面上の下端面へ
向かう方向が主たる発光方向であり、発光領域より上部
に下方への反射面を有するものを使用する方法である。
このような表示装置の製造方法は、半導体発光素子の反
射面によって発光を効果的に下端面へ向かわせ表示装置
の輝度を高める。
置の製造方法は、絶縁層を酸素プラズマ雰囲気下のドラ
イエッチング法、化学的機械的研摩法、または両者の組
み合わせによって薄層化する方法である。このような表
示装置の製造方法は、絶縁層の材料種や薄層化の状況に
応じて最も適切な方法を採用することができる。請求項
１４に従属する請求項１８の表示装置の製造方法は、半
導体発光素子として、発光領域から基体面上の下端面へ
向かう方向が主たる発光方向であり、発光領域より上部
に下方への反射面を有するものを使用する方法である。
このような表示装置の製造方法は、半導体発光素子の反
射面によって発光を効果的に下端面へ向かわせ表示装置
の輝度を高める。
【００１９】請求項１８に従属する請求項１９の表示装
置の製造方法は、半導体発光素子として、角錐形状また
は角錐台形状に形成されており、それらの有する面のう
ち少なくとも傾斜面の何れか一面が反射面とされている
ものを使用する製造方法である。このような表示装置の
製造方法は、多角錐または多角錐台の傾斜面、および多
角錐台にあっては上面も反射面として半導体発光素子の
発光を下端面側へ集中させることができる。請求項１８
に従属する請求項２０の表示装置の製造方法は、半導体
発光素子として、窒化ガリウム系半導体の六方晶からな
り、（１，−１，０，１）面に平行な活性層を備えたも
のを使用する製造方法である。このような表示装置の製
造方法は、窒化ガリウム系半導体発光素子の（１，−
１，０，１）面に平行な活性層が高い発光効率を示すこ
とから、優れた発光性能の表示装置を与える。
置の製造方法は、半導体発光素子として、角錐形状また
は角錐台形状に形成されており、それらの有する面のう
ち少なくとも傾斜面の何れか一面が反射面とされている
ものを使用する製造方法である。このような表示装置の
製造方法は、多角錐または多角錐台の傾斜面、および多
角錐台にあっては上面も反射面として半導体発光素子の
発光を下端面側へ集中させることができる。請求項１８
に従属する請求項２０の表示装置の製造方法は、半導体
発光素子として、窒化ガリウム系半導体の六方晶からな
り、（１，−１，０，１）面に平行な活性層を備えたも
のを使用する製造方法である。このような表示装置の製
造方法は、窒化ガリウム系半導体発光素子の（１，−
１，０，１）面に平行な活性層が高い発光効率を示すこ
とから、優れた発光性能の表示装置を与える。
【００２０】請求項２０に従属する請求項２１の表示装
置の製造方法は、半導体発光素子として、成長の基板面
上で、（０，０，０，１）面を下端面とし、（１，−
１，０，１）面およびこれと等価な面を傾斜面として六
角錐または六角錐台形状に選択的に結晶成長された窒化
ガリウム系半導体からなり、（１，−１，０，１）面お
よびこれと等価な面に平行な活性層を備えているものを
使用する製造方法である。このような表示装置の製造方
法は、活性層が高い発光効率を示すこと、（１，−１，
０，１）面に設ける電極面が反射面となって発光を下端
面側へ集中させることから、特に輝度の高い表示装置を
与える。
置の製造方法は、半導体発光素子として、成長の基板面
上で、（０，０，０，１）面を下端面とし、（１，−
１，０，１）面およびこれと等価な面を傾斜面として六
角錐または六角錐台形状に選択的に結晶成長された窒化
ガリウム系半導体からなり、（１，−１，０，１）面お
よびこれと等価な面に平行な活性層を備えているものを
使用する製造方法である。このような表示装置の製造方
法は、活性層が高い発光効率を示すこと、（１，−１，
０，１）面に設ける電極面が反射面となって発光を下端
面側へ集中させることから、特に輝度の高い表示装置を
与える。
【００２１】請求項１４に従属する請求項２２の表示装
置の製造方法は、半導体素子として、第一導電型半導体
層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層され、更に
第二導電型半導体層に上端部電極が形成されたものを使
用し、導体膜を上端部電極と同一種の金属によって形成
する方法である。このような表示装置の製造方法は、導
体膜から形成される引き出し電極と上端部電極を強固か
つ安定に接合させる。請求項１４に従属する請求項２３
の表示装置の製造方法は、半導体素子として、第一導電
型半導体層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層さ
れたものを使用し、絶縁層を薄層化させて露出される第
二導電型半導体層と絶縁層とからなる面に導体膜を形成
させることにより、上端部電極と導体膜を一体的に形成
する方法である。このような表示装置の製造方法は、上
端部電極と導体膜とを一体とし、第二導電型半導体層へ
の上端部電極の取り付けと導体膜の形成とを同時に行う
ことから工程数が削減され、低コストの表示装置を与え
る。
置の製造方法は、半導体素子として、第一導電型半導体
層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層され、更に
第二導電型半導体層に上端部電極が形成されたものを使
用し、導体膜を上端部電極と同一種の金属によって形成
する方法である。このような表示装置の製造方法は、導
体膜から形成される引き出し電極と上端部電極を強固か
つ安定に接合させる。請求項１４に従属する請求項２３
の表示装置の製造方法は、半導体素子として、第一導電
型半導体層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層さ
れたものを使用し、絶縁層を薄層化させて露出される第
二導電型半導体層と絶縁層とからなる面に導体膜を形成
させることにより、上端部電極と導体膜を一体的に形成
する方法である。このような表示装置の製造方法は、上
端部電極と導体膜とを一体とし、第二導電型半導体層へ
の上端部電極の取り付けと導体膜の形成とを同時に行う
ことから工程数が削減され、低コストの表示装置を与え
る。
【００２２】請求項１４に従属する請求項２４の表示装
置の製造方法は、半導体素子として、第一導電型半導体
層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層され、更に
第二導電型半導体層に所定厚さのコンタクトメタル層を
介して上端部電極が形成されたものを使用し、導体膜を
上端部電極と同一種の金属によって形成する方法であ
る。このような表示装置の製造方法は、上端部電極の反
射率が大であり、反射光が発光の取り出し方向へ集めら
れて発光効率を高めるほか、導体膜から形成される引き
出し電極と上端部電極とを強固かつ安定に接合させる。
置の製造方法は、半導体素子として、第一導電型半導体
層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層され、更に
第二導電型半導体層に所定厚さのコンタクトメタル層を
介して上端部電極が形成されたものを使用し、導体膜を
上端部電極と同一種の金属によって形成する方法であ
る。このような表示装置の製造方法は、上端部電極の反
射率が大であり、反射光が発光の取り出し方向へ集めら
れて発光効率を高めるほか、導体膜から形成される引き
出し電極と上端部電極とを強固かつ安定に接合させる。
【００２３】請求項１４に従属する請求項２５の表示装
置の製造方法は、半導体素子として、第一導電型半導体
層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層され、更に
コンタクトメタル層が形成されたものを使用し、絶縁膜
が薄層化されて露出するコンタクトメタル層と絶縁層と
からなる面に導体膜を形成させることにより、上端部電
極と導体膜を一体的に形成する方法である。このような
表示装置の製造方法は、上端部電極の反射率が大であり
反射光が発光の取り出し方向へ集められることから表示
装置の発光効率を高くし、更には、上端部電極と導体膜
とを一体とし、第二導電型半導体層への上端部電極の取
り付けと導体膜の形成とを同時に行うことから工程数が
削減され、表示装置を低コスト化させる。
置の製造方法は、半導体素子として、第一導電型半導体
層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層され、更に
コンタクトメタル層が形成されたものを使用し、絶縁膜
が薄層化されて露出するコンタクトメタル層と絶縁層と
からなる面に導体膜を形成させることにより、上端部電
極と導体膜を一体的に形成する方法である。このような
表示装置の製造方法は、上端部電極の反射率が大であり
反射光が発光の取り出し方向へ集められることから表示
装置の発光効率を高くし、更には、上端部電極と導体膜
とを一体とし、第二導電型半導体層への上端部電極の取
り付けと導体膜の形成とを同時に行うことから工程数が
削減され、表示装置を低コスト化させる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の表示装置およびその製造
方法は、上述したように、複数の半導体発光素子が基体
面に配置され取り付けられた表示装置において、半導体
発光素子を埋め込んだ絶縁層が選択的または非選択的に
薄層化されて露出される半導体発光素子の上端部に導体
膜が形成されて、半導体発光素子の上端部電極が絶縁層
の上面に引き出されている表示装置およびその製造方法
である。
方法は、上述したように、複数の半導体発光素子が基体
面に配置され取り付けられた表示装置において、半導体
発光素子を埋め込んだ絶縁層が選択的または非選択的に
薄層化されて露出される半導体発光素子の上端部に導体
膜が形成されて、半導体発光素子の上端部電極が絶縁層
の上面に引き出されている表示装置およびその製造方法
である。
【００２５】半導体発光素子は、それを覆う絶縁層を薄
層化させることによって露出される上端部に導体膜を形
成させて上端部電極を絶縁層の上面に引き出すものであ
る限りにおいて、半導体発光素子の製造方法や材料構
成、結晶構造は特に限定されない。すなわち、半導体発
光素子は発光ダイオードまたは半導体レーザの一つの原
料となる化合物半導体ウェーハからダイシングされる例
えば３００μｍサイズの微少な半導体チップであっても
よく、またサファイアのような成長の基板上で選択的に
結晶成長させた１０〜１００μｍサイズの極く微少な半
導体であってもよい。
層化させることによって露出される上端部に導体膜を形
成させて上端部電極を絶縁層の上面に引き出すものであ
る限りにおいて、半導体発光素子の製造方法や材料構
成、結晶構造は特に限定されない。すなわち、半導体発
光素子は発光ダイオードまたは半導体レーザの一つの原
料となる化合物半導体ウェーハからダイシングされる例
えば３００μｍサイズの微少な半導体チップであっても
よく、またサファイアのような成長の基板上で選択的に
結晶成長させた１０〜１００μｍサイズの極く微少な半
導体であってもよい。
【００２６】半導体発光素子を基板上で選択的に結晶成
長させる場合には、基板面は半導体発光素子と同様な格
子定数を持つものであることが好ましいが、このことは
必須の要件ではない。通常はサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）
の（０，０，０，１）面が成長に使用されるが、サファ
イアとＧａＮ系半導体とでは格子定数が１０％以上異な
るほか熱膨張係数も異なり、界面でクラックを生じ易
い。これを回避するために、サファイアの（０，０，
０，１）面に、一旦、低温度、例えば５００℃でＧａＮ
を極薄に形成させてバッファ−層とし、その上へ高温
度、例えば１０００℃でＧａＮを結晶成長させることが
好ましい。バッファ−層には窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）も使用され得る。サファイアは上記の（０，０，
０，１）面以外の面、例えば（１，−１，０，１）面で
結晶成長させることができる。またサファイア以外に、
シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）、シリコン（Ｓｉ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）等
も成長の基板として使用されるが、結晶成長が可能であ
ればこれら以外の基板を使用してもよい。
長させる場合には、基板面は半導体発光素子と同様な格
子定数を持つものであることが好ましいが、このことは
必須の要件ではない。通常はサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）
の（０，０，０，１）面が成長に使用されるが、サファ
イアとＧａＮ系半導体とでは格子定数が１０％以上異な
るほか熱膨張係数も異なり、界面でクラックを生じ易
い。これを回避するために、サファイアの（０，０，
０，１）面に、一旦、低温度、例えば５００℃でＧａＮ
を極薄に形成させてバッファ−層とし、その上へ高温
度、例えば１０００℃でＧａＮを結晶成長させることが
好ましい。バッファ−層には窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）も使用され得る。サファイアは上記の（０，０，
０，１）面以外の面、例えば（１，−１，０，１）面で
結晶成長させることができる。またサファイア以外に、
シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）、シリコン（Ｓｉ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）等
も成長の基板として使用されるが、結晶成長が可能であ
ればこれら以外の基板を使用してもよい。
【００２７】半導体発光素子が透明な基体面に固定さ
れ、上端部から基体面側へ向う方向を主たる発光方向と
する場合、半導体発光素子の形状によって、基体面側、
すなわち半導体発光素子の下端面側への輝度を向上させ
ることが可能である。半導体発光素子の発光領域である
活性層からの発光のうち、発光領域から上方へ向かう光
は上端部の電極面等を反射面として下端面側へ向かう光
とし得るが、下端面と垂直な側面へ向かう光は側面で反
射させても下端面側へ向かう光とはなりにくい。従っ
て、半導体発光素子は発光領域より上部に下端面と鋭角
の反射面、中でも下端面となす角度が４５±２０度の範
囲内にある傾斜面を有するものであることが望ましく、
このような傾斜面に反射面を設けることにより側方ヘ向
かう光を反射させて効果的に下端面の方へ向かう光とす
ることができる。なお、傾斜面が下端面となす角度を上
記の範囲外とした場合には、側方へ向かう光を反射させ
ても下端面へ向かう光量はそれ程には増大しないので高
輝度化の効果は認め難くなる。
れ、上端部から基体面側へ向う方向を主たる発光方向と
する場合、半導体発光素子の形状によって、基体面側、
すなわち半導体発光素子の下端面側への輝度を向上させ
ることが可能である。半導体発光素子の発光領域である
活性層からの発光のうち、発光領域から上方へ向かう光
は上端部の電極面等を反射面として下端面側へ向かう光
とし得るが、下端面と垂直な側面へ向かう光は側面で反
射させても下端面側へ向かう光とはなりにくい。従っ
て、半導体発光素子は発光領域より上部に下端面と鋭角
の反射面、中でも下端面となす角度が４５±２０度の範
囲内にある傾斜面を有するものであることが望ましく、
このような傾斜面に反射面を設けることにより側方ヘ向
かう光を反射させて効果的に下端面の方へ向かう光とす
ることができる。なお、傾斜面が下端面となす角度を上
記の範囲外とした場合には、側方へ向かう光を反射させ
ても下端面へ向かう光量はそれ程には増大しないので高
輝度化の効果は認め難くなる。
【００２８】上記の傾斜面は、片流れ屋根的傾斜面、切
妻屋根的傾斜面、寄せ棟屋根的傾斜面であってもよい。
更には半導体発光素子が角錐形状または角錐台形状を有
するものであることが好ましい。角錐、角錐台の傾斜
面、および角錐台にあっては上面も反射面とすることに
より、半導体発光素子の発光を一層効果的に下端面側へ
向けることができる。ここに言う角錐または角錐台に
は、三角錐、四角錐、五角錐、六角錐から円錐に近似し
た多角錐に至る各種の角錐と、それらに対応する角錐台
が含まれる。そのほか、上記の下端面と鋭角の傾斜面を
有するものとして、上記の傾斜面を窪みの傾斜面とする
カルデラ状の窪みを上端部に有する半導体発光素子であ
ってもよい。そして、上記のような傾斜面を有する半導
体発光素子は選択的な結晶成長によって自然発生的に得
られるものであってもよく、選択的結晶成長の後に面出
し加工を施したものであってもよい。上記のような傾斜
面を得る加工手段としてイオンビームやレーザビームを
使用することができる。また、化合物半導体ウェーハか
ら微小な半導体発光素子をダイシングして切り出す時に
傾斜面を与えたものであってもよい。
妻屋根的傾斜面、寄せ棟屋根的傾斜面であってもよい。
更には半導体発光素子が角錐形状または角錐台形状を有
するものであることが好ましい。角錐、角錐台の傾斜
面、および角錐台にあっては上面も反射面とすることに
より、半導体発光素子の発光を一層効果的に下端面側へ
向けることができる。ここに言う角錐または角錐台に
は、三角錐、四角錐、五角錐、六角錐から円錐に近似し
た多角錐に至る各種の角錐と、それらに対応する角錐台
が含まれる。そのほか、上記の下端面と鋭角の傾斜面を
有するものとして、上記の傾斜面を窪みの傾斜面とする
カルデラ状の窪みを上端部に有する半導体発光素子であ
ってもよい。そして、上記のような傾斜面を有する半導
体発光素子は選択的な結晶成長によって自然発生的に得
られるものであってもよく、選択的結晶成長の後に面出
し加工を施したものであってもよい。上記のような傾斜
面を得る加工手段としてイオンビームやレーザビームを
使用することができる。また、化合物半導体ウェーハか
ら微小な半導体発光素子をダイシングして切り出す時に
傾斜面を与えたものであってもよい。
【００２９】半導体発光素子として使用する化合物半導
体のうち、緑色に発光するリン化ガリウム（ＧａＰ）
や、赤色に発光するヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓ
Ｐ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）等は
立方晶に属し、選択的に結晶成長させた場合に六面体と
なり、上記のような下端面に対する傾斜面を持たないの
で、後加工して傾斜面を設けて反射面とすることは好ま
しい選択である。他方、青色に発光する窒化ガリウム系
半導体は六方晶に属し、成長の基板面に（０，０，０，
１）面を下端面として選択的に結晶成長された窒化ガリ
ウム系半導体は下端面とほぼ５０度の角度に傾斜する
（１，−１，０，１）面とこれに等価な面を持つ六角錐
形状または六角錐台形状に成長するが、（１，−１，
０，１）面に平行な活性層を設けることにより優れた発
光性を示し、かつ（１，−１，０，１）面に設ける電極
面を光の反射面とすることにより、光は下端面側へ向け
て効果的に集中され、極めて高輝度の半導体発光素子を
与える。なお、上記した窒化ガリウム（ＧａＮ）はガリ
ウム（Ｇａ）と同族のアルミニウム（Ａｌ）、インジウ
ム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）が窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）内のＧａの一部を置換するものであってもよい。ま
た、下端面である（０，０，０，１）面に対する（１，
−１，０，１）面の角度は±５度の範囲内で同等の発光
性を示す。
体のうち、緑色に発光するリン化ガリウム（ＧａＰ）
や、赤色に発光するヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓ
Ｐ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）等は
立方晶に属し、選択的に結晶成長させた場合に六面体と
なり、上記のような下端面に対する傾斜面を持たないの
で、後加工して傾斜面を設けて反射面とすることは好ま
しい選択である。他方、青色に発光する窒化ガリウム系
半導体は六方晶に属し、成長の基板面に（０，０，０，
１）面を下端面として選択的に結晶成長された窒化ガリ
ウム系半導体は下端面とほぼ５０度の角度に傾斜する
（１，−１，０，１）面とこれに等価な面を持つ六角錐
形状または六角錐台形状に成長するが、（１，−１，
０，１）面に平行な活性層を設けることにより優れた発
光性を示し、かつ（１，−１，０，１）面に設ける電極
面を光の反射面とすることにより、光は下端面側へ向け
て効果的に集中され、極めて高輝度の半導体発光素子を
与える。なお、上記した窒化ガリウム（ＧａＮ）はガリ
ウム（Ｇａ）と同族のアルミニウム（Ａｌ）、インジウ
ム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）が窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）内のＧａの一部を置換するものであってもよい。ま
た、下端面である（０，０，０，１）面に対する（１，
−１，０，１）面の角度は±５度の範囲内で同等の発光
性を示す。
【００３０】化合物半導体ウェーハからダイシングされ
たチップ状の微小な半導体発光素子、または成長の基板
面で選択的に結晶成長された極く微小な半導体発光素子
を基体面に配置し取り付けるために、半導体発光素子を
覆うように基体の全面に絶縁層を形成させる。絶縁層と
しては、ＣＶＤ法またはスパッタリング法によって、酸
化ケイ素または窒化ケイ素を成膜させることにより耐熱
性の良好な表示装置が得られる。酸化ケイ素はＰＳＧ
（フォスフォシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロシリケ
ートガラス）、またはＢＰＳＧ（ボロフォスフォシリケ
ートガラス）であってもよい。これらの無機物を絶縁層
として使用する場合、得られる半導体発光素子は耐熱性
に優れたものとなるが、適用に高温を要することが多
い。
たチップ状の微小な半導体発光素子、または成長の基板
面で選択的に結晶成長された極く微小な半導体発光素子
を基体面に配置し取り付けるために、半導体発光素子を
覆うように基体の全面に絶縁層を形成させる。絶縁層と
しては、ＣＶＤ法またはスパッタリング法によって、酸
化ケイ素または窒化ケイ素を成膜させることにより耐熱
性の良好な表示装置が得られる。酸化ケイ素はＰＳＧ
（フォスフォシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロシリケ
ートガラス）、またはＢＰＳＧ（ボロフォスフォシリケ
ートガラス）であってもよい。これらの無機物を絶縁層
として使用する場合、得られる半導体発光素子は耐熱性
に優れたものとなるが、適用に高温を要することが多
い。
【００３１】また塗布法によって、塗膜形成の可能な高
分子化合物または塗膜形成の可能なガラスによって絶縁
層を形成させてもよい。高分子化合物としては、ポリイ
ミド樹脂、エポキシ樹脂、塩化ビニル系共重合樹脂、含
フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂
や、各種合成ゴムが含まれる。また、ガラスの塗膜を形
成させてもよい。塗膜形成の可能なガラス材料としては
半導体装置の製造時にスピンコートされているスピンオ
ングラスを例示し得る。塗布による方法はＣＶＤ法やス
パッタリング法と比較して基板面の面積が大である場合
にも容易に絶縁層を形成することができる。
分子化合物または塗膜形成の可能なガラスによって絶縁
層を形成させてもよい。高分子化合物としては、ポリイ
ミド樹脂、エポキシ樹脂、塩化ビニル系共重合樹脂、含
フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂
や、各種合成ゴムが含まれる。また、ガラスの塗膜を形
成させてもよい。塗膜形成の可能なガラス材料としては
半導体装置の製造時にスピンコートされているスピンオ
ングラスを例示し得る。塗布による方法はＣＶＤ法やス
パッタリング法と比較して基板面の面積が大である場合
にも容易に絶縁層を形成することができる。
【００３２】絶縁層で半導体発光素子を埋め込んだ後、
絶縁層を選択的または非選択的に薄層化させて半導体発
光素子の上端部を露出させる。この薄層化は、ドライエ
ッチングおよび化学的機械的研摩をそれぞれが単独で、
またはこれらを組み合わせて好適に行われる。この時、
絶縁層の薄層化に伴って露出される半導体発光素子は残
し絶縁層のみを薄層化させる選択的な薄層化を施すか、
または半導体発光素子と共に絶縁層を薄層化させる非選
択的な薄層化を施す。非選択的な薄層化を行えば当然な
ことながら半導体発光素子と絶縁層とは同一平面にな
る。非選択的薄層化には化学的機械的研摩法が採用され
るが、勿論、これ以外の方法で施してもよい。
絶縁層を選択的または非選択的に薄層化させて半導体発
光素子の上端部を露出させる。この薄層化は、ドライエ
ッチングおよび化学的機械的研摩をそれぞれが単独で、
またはこれらを組み合わせて好適に行われる。この時、
絶縁層の薄層化に伴って露出される半導体発光素子は残
し絶縁層のみを薄層化させる選択的な薄層化を施すか、
または半導体発光素子と共に絶縁層を薄層化させる非選
択的な薄層化を施す。非選択的な薄層化を行えば当然な
ことながら半導体発光素子と絶縁層とは同一平面にな
る。非選択的薄層化には化学的機械的研摩法が採用され
るが、勿論、これ以外の方法で施してもよい。
【００３３】ドライエッチングは酸素プラズマの雰囲気
下に行うことが望ましい。勿論、アルゴンガスのような
不活性ガスを共存させてもよい。すなわち、絶縁層に高
分子材料を使用した場合には、酸素プラズマは直接に高
分子材料と反応して燃焼、ガス化させるので、エッチャ
ントガスであるフッ素化炭素を使用せずとも、薄層化が
可能である。また、絶縁層にケイ素化合物を使用した場
合には、酸素プラズマはエッチャントガスと反応し、ケ
イ素と結合し易いフッ素ラジカルの発生を助長する。化
学的機械的研摩法は基板の薄板化に広く実施されている
方法をそのまま適用することができる。
下に行うことが望ましい。勿論、アルゴンガスのような
不活性ガスを共存させてもよい。すなわち、絶縁層に高
分子材料を使用した場合には、酸素プラズマは直接に高
分子材料と反応して燃焼、ガス化させるので、エッチャ
ントガスであるフッ素化炭素を使用せずとも、薄層化が
可能である。また、絶縁層にケイ素化合物を使用した場
合には、酸素プラズマはエッチャントガスと反応し、ケ
イ素と結合し易いフッ素ラジカルの発生を助長する。化
学的機械的研摩法は基板の薄板化に広く実施されている
方法をそのまま適用することができる。
【００３４】なお、高分子化合物やガラスを塗布した
後、固化させる前に過剰な塗液をスキージやドクターブ
レード等で掻き取ってもよい。また掻き取ったものは、
固化後に絶縁層の薄層化が不要である場合もあるが、半
導体発光素子の上端部には絶縁層が箔状に残るので、固
化後にドライエッチングして箔状の絶縁層を除去するこ
とが必要である。
後、固化させる前に過剰な塗液をスキージやドクターブ
レード等で掻き取ってもよい。また掻き取ったものは、
固化後に絶縁層の薄層化が不要である場合もあるが、半
導体発光素子の上端部には絶縁層が箔状に残るので、固
化後にドライエッチングして箔状の絶縁層を除去するこ
とが必要である。
【００３５】絶縁層を選択的または非選択的に薄層化さ
せて半導体発光素子の上端部を露出させた後に導体膜を
形成させるが、導体膜には半導体発光素子の上端部電極
の金属と同一種の金属を使用することが望ましい。これ
は異種金属を重ねる場合には合金の境界面での合金の形
成し易さ、熱膨張係数の差などへの考慮を要せず、上端
部電極と導体膜との確実な接合を得ることが出来るから
である。
せて半導体発光素子の上端部を露出させた後に導体膜を
形成させるが、導体膜には半導体発光素子の上端部電極
の金属と同一種の金属を使用することが望ましい。これ
は異種金属を重ねる場合には合金の境界面での合金の形
成し易さ、熱膨張係数の差などへの考慮を要せず、上端
部電極と導体膜との確実な接合を得ることが出来るから
である。
【００３６】また、導体膜の形成方法として、半導体発
光素子の第二導電型半導体（ｐ型半導体）層に上端部電
極を設けることなく絶縁層に埋め込み、同様な手順を経
て露出される第二導電型半導体層に対して、例えばＡｌ
膜を形成させることにより、上端部電極（ｐ電極）と導
体膜とを一体的に形成させてもよく工程を簡略化させ得
る。Ａｌ膜を形成させる前に第二導電型半導体層の上に
オーミックコンタクトを得るためのメタル層を設けるこ
とにより一層好ましい結果を与える。
光素子の第二導電型半導体（ｐ型半導体）層に上端部電
極を設けることなく絶縁層に埋め込み、同様な手順を経
て露出される第二導電型半導体層に対して、例えばＡｌ
膜を形成させることにより、上端部電極（ｐ電極）と導
体膜とを一体的に形成させてもよく工程を簡略化させ得
る。Ａｌ膜を形成させる前に第二導電型半導体層の上に
オーミックコンタクトを得るためのメタル層を設けるこ
とにより一層好ましい結果を与える。
【００３７】また、青色に発光する窒化ガリウム系半導
体発光素子は、例えば第一導電型半導体としてのｎ型半
導体に活性層、第二導電型半導体としてのｐ型半導体が
順次積層された構成を有しており、このｐ型半導体に上
端部電極（ｐ電極）、ｎ型半導体に下端部電極（ｎ電
極）が取り付けられ、活性層に電流が注入されて発生す
る光が取り出される。このような半導体発光素子は、活
性層から下端の透明な基体側へ向かう光に、活性層から
上端部へ向かう光をｐ電極との界面で反射させて加える
ことができるという利点がある。なお、ｐ型半導体とｐ
電極との間にオーミック接触を得るべくコンタクトメタ
ル層を介在させることが行われる。勿論、ｎ型半導体と
ｎ電極との間にコンタクトメタル層を介在させることも
行われる。
体発光素子は、例えば第一導電型半導体としてのｎ型半
導体に活性層、第二導電型半導体としてのｐ型半導体が
順次積層された構成を有しており、このｐ型半導体に上
端部電極（ｐ電極）、ｎ型半導体に下端部電極（ｎ電
極）が取り付けられ、活性層に電流が注入されて発生す
る光が取り出される。このような半導体発光素子は、活
性層から下端の透明な基体側へ向かう光に、活性層から
上端部へ向かう光をｐ電極との界面で反射させて加える
ことができるという利点がある。なお、ｐ型半導体とｐ
電極との間にオーミック接触を得るべくコンタクトメタ
ル層を介在させることが行われる。勿論、ｎ型半導体と
ｎ電極との間にコンタクトメタル層を介在させることも
行われる。
【００３８】しかし、活性層から上端部へ向かう光をｐ
電極との界面で反射させる場合には、コンタクトメタル
層の厚さを大にすると十分な反射率が得られないという
ことが見い出された。すなわち、半導体発光素子にコン
タクトメタル層を設ける場合にはＮｉ、Ｃｏ、またはＳ
ｂによるメタル層を光の侵入長もしくは侵入長以下の厚
さに形成させることによって反射率の向上することが認
められたのである。具体的にはコンタクトメタル層を２
０ｎｍ以下の厚さに形成させることによって反射率の向
上が認められ、一層効果的には１０ｎｍ以下とすること
が好ましく、５ｎｍ以下とすることが更に好ましく、１
ｎｍの厚さであっても有効なことが確認されている。従
って本発明で使用する半導体発光素子は第二導電型半導
体層に上記のような厚さの制限されたコンタクトメタル
層を介して上端部電極が取り付けられているものを含
む。
電極との界面で反射させる場合には、コンタクトメタル
層の厚さを大にすると十分な反射率が得られないという
ことが見い出された。すなわち、半導体発光素子にコン
タクトメタル層を設ける場合にはＮｉ、Ｃｏ、またはＳ
ｂによるメタル層を光の侵入長もしくは侵入長以下の厚
さに形成させることによって反射率の向上することが認
められたのである。具体的にはコンタクトメタル層を２
０ｎｍ以下の厚さに形成させることによって反射率の向
上が認められ、一層効果的には１０ｎｍ以下とすること
が好ましく、５ｎｍ以下とすることが更に好ましく、１
ｎｍの厚さであっても有効なことが確認されている。従
って本発明で使用する半導体発光素子は第二導電型半導
体層に上記のような厚さの制限されたコンタクトメタル
層を介して上端部電極が取り付けられているものを含
む。
【００３９】図１４は本発明において使用される窒化ガ
リウム系半導体発光素子の一例の断面図である。この半
導体発光素子５１は、ＧａＮ系化合物半導体を積層して
形成した発光部を有しており、図示を省略した透明なサ
ファイアの基体上に、ＧａＮバッファ層を介してＳｉが
ドープされたｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）層１
４、光を発生させるＩｎＧａＮ活性層１５、Ｍｇがドー
プされたｐ型窒化ガリウム（Ｇａ：Ｍｇ）層１６とが積
層された構造を有している。Ｓｉがドープされたｎ型Ｇ
ａＮ層１４は第一導電型クラッド層として機能し、Ｍｇ
がドープされたｐ型ＧａＮ層１６は第二導電型クラッド
層として機能して、本素子はダブルヘテロ構造となって
いる。
リウム系半導体発光素子の一例の断面図である。この半
導体発光素子５１は、ＧａＮ系化合物半導体を積層して
形成した発光部を有しており、図示を省略した透明なサ
ファイアの基体上に、ＧａＮバッファ層を介してＳｉが
ドープされたｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）層１
４、光を発生させるＩｎＧａＮ活性層１５、Ｍｇがドー
プされたｐ型窒化ガリウム（Ｇａ：Ｍｇ）層１６とが積
層された構造を有している。Ｓｉがドープされたｎ型Ｇ
ａＮ層１４は第一導電型クラッド層として機能し、Ｍｇ
がドープされたｐ型ＧａＮ層１６は第二導電型クラッド
層として機能して、本素子はダブルヘテロ構造となって
いる。
【００４０】第二導電型クラッド層であるｐ型ＧａＮ層
１６には、更にオーミック接触を図るためのコンタクト
メタル層であるＮｉ層１７が形成されており、このＮｉ
層１７の厚さは、後述するように活性層１５で発生する
光の侵入長もしくは侵入長以下の厚さとされ、一例とし
て厚さ約１０ｎｍのものが使用される。このＮｉ層１７
上に形成されるｐ電極１８は例えばＡｌ、Ａｇからなる
薄膜であり、コンタクトメタル層であるＮｉ層１７を透
過した光はｐ電極１８の界面で反射する。なお、ｐ電極
１８は上述したＡｌ、Ａｇからなる薄膜のほか、これら
のＡｌ、Ａｇの上にＡｕやＰｔなどの金属層を積層した
構造であっても良い。ｎ型ＧａＮ半導体からなる平板状
の下地部１２にもその下端面に、またはマスク１３の一
部を開口して電極が設けられるが図１４では図示を省略
している。
１６には、更にオーミック接触を図るためのコンタクト
メタル層であるＮｉ層１７が形成されており、このＮｉ
層１７の厚さは、後述するように活性層１５で発生する
光の侵入長もしくは侵入長以下の厚さとされ、一例とし
て厚さ約１０ｎｍのものが使用される。このＮｉ層１７
上に形成されるｐ電極１８は例えばＡｌ、Ａｇからなる
薄膜であり、コンタクトメタル層であるＮｉ層１７を透
過した光はｐ電極１８の界面で反射する。なお、ｐ電極
１８は上述したＡｌ、Ａｇからなる薄膜のほか、これら
のＡｌ、Ａｇの上にＡｕやＰｔなどの金属層を積層した
構造であっても良い。ｎ型ＧａＮ半導体からなる平板状
の下地部１２にもその下端面に、またはマスク１３の一
部を開口して電極が設けられるが図１４では図示を省略
している。
【００４１】図１５は図１４の符号Ｅの□印で示す部分
の拡大断面図である。図１５に示すように、窒化ガリウ
ム系半導体発光素子５１はＩｎＧａＮ活性層１５をそれ
ぞれクラッド層であるｎ型ＧａＮ層１４とｐ型ＧａＮ層
１６の間に介在させたダブルヘテロ構造を有し、そのｐ
型ＧａＮ層１６の上側に、オーミック接触を図るコンタ
クトメタル層であるＮｉ層１７が形成され、更にＮｉ層
１７の上にＡｌもしくはＡｇからなるｐ電極１８が形成
されている。このＮｉ層１７の厚さｔは、活性層１５で
発生する光の侵入長λもしくはこれ以下とされ、例えば
略約１０ｎｍとされるが、発生する光に応じて厚さｔを
変えることもでき、更には蒸着法、メッキ法などによっ
て形成される際の膜質などに応じて変えることのできる
寸法である。光が金属表面で反射する場合、エネルギー
を有する電磁波としての光は、金属表面よりも侵入長と
称される長さλだけ金属表面から侵入し、完全反射の場
合にはフォノン相互作用によって同じエネルギーを受取
って反射をする。一方、オーミックコンタクトを達成す
るためには、極めて薄い膜でも十分であり、本件発明者
が行った実験結果からは、例えばＮｉ層１７の厚さｔが
１ｎｍというように極めて薄いものであっても発光動作
が確認されている。このことから、Ｎｉ層１７の厚さｔ
は、活性層１５で発生する光の侵入長λもしくはそれ以
下の厚さとすることで、その上のｐ型電極１８での反射
効率を高めることができる。
の拡大断面図である。図１５に示すように、窒化ガリウ
ム系半導体発光素子５１はＩｎＧａＮ活性層１５をそれ
ぞれクラッド層であるｎ型ＧａＮ層１４とｐ型ＧａＮ層
１６の間に介在させたダブルヘテロ構造を有し、そのｐ
型ＧａＮ層１６の上側に、オーミック接触を図るコンタ
クトメタル層であるＮｉ層１７が形成され、更にＮｉ層
１７の上にＡｌもしくはＡｇからなるｐ電極１８が形成
されている。このＮｉ層１７の厚さｔは、活性層１５で
発生する光の侵入長λもしくはこれ以下とされ、例えば
略約１０ｎｍとされるが、発生する光に応じて厚さｔを
変えることもでき、更には蒸着法、メッキ法などによっ
て形成される際の膜質などに応じて変えることのできる
寸法である。光が金属表面で反射する場合、エネルギー
を有する電磁波としての光は、金属表面よりも侵入長と
称される長さλだけ金属表面から侵入し、完全反射の場
合にはフォノン相互作用によって同じエネルギーを受取
って反射をする。一方、オーミックコンタクトを達成す
るためには、極めて薄い膜でも十分であり、本件発明者
が行った実験結果からは、例えばＮｉ層１７の厚さｔが
１ｎｍというように極めて薄いものであっても発光動作
が確認されている。このことから、Ｎｉ層１７の厚さｔ
は、活性層１５で発生する光の侵入長λもしくはそれ以
下の厚さとすることで、その上のｐ型電極１８での反射
効率を高めることができる。
【００４２】図１６はＧａＮ層、Ｎｉ層、Ａｇ層（電
極）の積層構造に対して、Ｎｉ層の厚さｔを変化させな
がら発光した光を反射させ、その反射率を算出したもの
である。図１６に示すように、Ｎｉ層の厚さｔが薄い方
が反射率が高くなり、Ｎｉ層の厚さが増加するに従って
反射率が低くなって行く傾向にある。そして２０ｎｍを
超える厚さの場合、その反射率は相対値で０．４以下で
あり、少なくとも０．４以上の反射率を得る場合にはＮ
ｉ層の厚さｔを２０ｎｍ以下とすることが必要であり、
好ましくは１０ｎｍ以下とされる。更に反射率として
０．６やそれ以上の値を得る場合にはＮｉ層の厚さｔを
５ｎｍ以下とすることが望ましい。そして同様な事実は
ＧａＮ層、Ｎｉ層、Ａｌ層（電極）の積層構造に対し
て、Ｎｉ層の厚さを変化させた場合にも認められてお
り、０．５以上の反射率を得るにはＮｉ層の厚さを２０
ｎｍ以下とすることが必要であると認められている。
極）の積層構造に対して、Ｎｉ層の厚さｔを変化させな
がら発光した光を反射させ、その反射率を算出したもの
である。図１６に示すように、Ｎｉ層の厚さｔが薄い方
が反射率が高くなり、Ｎｉ層の厚さが増加するに従って
反射率が低くなって行く傾向にある。そして２０ｎｍを
超える厚さの場合、その反射率は相対値で０．４以下で
あり、少なくとも０．４以上の反射率を得る場合にはＮ
ｉ層の厚さｔを２０ｎｍ以下とすることが必要であり、
好ましくは１０ｎｍ以下とされる。更に反射率として
０．６やそれ以上の値を得る場合にはＮｉ層の厚さｔを
５ｎｍ以下とすることが望ましい。そして同様な事実は
ＧａＮ層、Ｎｉ層、Ａｌ層（電極）の積層構造に対し
て、Ｎｉ層の厚さを変化させた場合にも認められてお
り、０．５以上の反射率を得るにはＮｉ層の厚さを２０
ｎｍ以下とすることが必要であると認められている。
【００４３】上述したように、半導体発光素子である発
光ダイオードには、材料によってそれぞれ赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光するものがあるので、こ
れらの発光ダイオードを組み合わせて画素を構成し、輝
度の高いフルカラーの画像表示装置とすることができ
る。勿論、単色、例えば赤色の発光ダイオードのみを二
次元に配置し、プログラムされたスイッチングによって
画像の形状を時間的に変化させるような表示装置とする
こともできる。上記の発光ダイオードに共振ミラーを設
けることにより半導体レーザとすることは容易であるの
で、単色または三原色を組み合わせた半導体レーザによ
る照明装置や道路標識を製造することも可能である。
光ダイオードには、材料によってそれぞれ赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光するものがあるので、こ
れらの発光ダイオードを組み合わせて画素を構成し、輝
度の高いフルカラーの画像表示装置とすることができ
る。勿論、単色、例えば赤色の発光ダイオードのみを二
次元に配置し、プログラムされたスイッチングによって
画像の形状を時間的に変化させるような表示装置とする
こともできる。上記の発光ダイオードに共振ミラーを設
けることにより半導体レーザとすることは容易であるの
で、単色または三原色を組み合わせた半導体レーザによ
る照明装置や道路標識を製造することも可能である。
【００４４】
【実施例】次に、本発明の表示装置およびその製造方法
を実施例により図面を参照して具体的に説明する。
を実施例により図面を参照して具体的に説明する。
【００４５】（実施例１）図１から図４までは表示装置
に使用される半導体発光素子の製造過程を示す断面図で
ある。図１は六角錐形状に結晶成長された半導体発光素
子である発光ダイオード１１を基板２０の上面に配置し
て埋め込むように絶縁層２１が設けられた状態を示す。
に使用される半導体発光素子の製造過程を示す断面図で
ある。図１は六角錐形状に結晶成長された半導体発光素
子である発光ダイオード１１を基板２０の上面に配置し
て埋め込むように絶縁層２１が設けられた状態を示す。
【００４６】この発光ダイオード１１の詳細は図５のＡ
の断面図および図５のＢの平面図に示す。図示を省略し
たサファイア基板の（０，０，０，１）面上のＳｉＯ2
マスクの開口部に温度５００℃で極薄のＧａＮバッファ
ー層を成長させ、続いてシリコンをドーピングしたｎ型
窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）を１０００℃で平板状に
成長させて図５のＡに示す下地部１２とし、更にその上
へ設けたＳｉＯ2 マスク１３の開口部に温度１０００℃
で結晶成長させることにより六角錐形状のｎ型（Ｇａ
Ｎ：Ｓｉ）１４が得られる。そして、この六角錐の傾斜
面である（１，−１，０，１）面およびこれと等価な傾
斜面に、成長温度を下げてＩｎＧａＮからなる活性層１
５を設け、更にその上へマグネシウムをドーピングした
ｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）１６を成長させた
後、ｐ型窒化ガリウム層１６の表面に蒸着してｐ電極１
８を設けたものである。すなわち前述した図１４におけ
るコンタクトメタル層１７は設けられていないものであ
る。ｎ型窒化ガリウム半導体からなる平板状の下地部１
２にも、その下端面に、またはマスク１３の一部を開口
して電極が設けられるが図５では図示を省略している。
の断面図および図５のＢの平面図に示す。図示を省略し
たサファイア基板の（０，０，０，１）面上のＳｉＯ2
マスクの開口部に温度５００℃で極薄のＧａＮバッファ
ー層を成長させ、続いてシリコンをドーピングしたｎ型
窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）を１０００℃で平板状に
成長させて図５のＡに示す下地部１２とし、更にその上
へ設けたＳｉＯ2 マスク１３の開口部に温度１０００℃
で結晶成長させることにより六角錐形状のｎ型（Ｇａ
Ｎ：Ｓｉ）１４が得られる。そして、この六角錐の傾斜
面である（１，−１，０，１）面およびこれと等価な傾
斜面に、成長温度を下げてＩｎＧａＮからなる活性層１
５を設け、更にその上へマグネシウムをドーピングした
ｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｍｇ）１６を成長させた
後、ｐ型窒化ガリウム層１６の表面に蒸着してｐ電極１
８を設けたものである。すなわち前述した図１４におけ
るコンタクトメタル層１７は設けられていないものであ
る。ｎ型窒化ガリウム半導体からなる平板状の下地部１
２にも、その下端面に、またはマスク１３の一部を開口
して電極が設けられるが図５では図示を省略している。
【００４７】図１は上記のようにして形成されたＧａＮ
系発光ダイオード１１を基板２０上に移し、エポキシ樹
脂で覆うように絶縁層２１を設けて固定したものを簡略
化して図示したものである。
系発光ダイオード１１を基板２０上に移し、エポキシ樹
脂で覆うように絶縁層２１を設けて固定したものを簡略
化して図示したものである。
【００４８】図２は図１のエポキシ樹脂からなる絶縁層
２１を酸素プラズマ雰囲気のドライエッチングによって
選択的にエッチバックすることにより、発光ダイオード
１１の上端部が露出され、図５に示した発光ダイオード
１１の上端部電極１８が露出された状態を示している。
そして、図３はエッチバックされた絶縁層２１の表面に
Ａｌからなる導体膜２２を形成させたものであるが、こ
の時、発光ダイオード１１の上端部の上方では当然のこ
とながら導体膜２２は突出した形状となる。
２１を酸素プラズマ雰囲気のドライエッチングによって
選択的にエッチバックすることにより、発光ダイオード
１１の上端部が露出され、図５に示した発光ダイオード
１１の上端部電極１８が露出された状態を示している。
そして、図３はエッチバックされた絶縁層２１の表面に
Ａｌからなる導体膜２２を形成させたものであるが、こ
の時、発光ダイオード１１の上端部の上方では当然のこ
とながら導体膜２２は突出した形状となる。
【００４９】図４はリソグラフィによって導体膜２２の
要部を残して引き出し電極２３とし、不要部は除去した
ものである。図４では示していないが、ｎ型（ＧａＮ：
Ｓｉ）半導体の下地部１２からの引き出し電極は、予め
引き出し電極が設けられた基板２０を使用してもよく、
また基板２０に引き出し電極が予め設けられていない場
合には、基板２０と分離した後、六角錐形状の下端面の
周縁部に引き出し電極を設けるか、下端面全体を引き出
し用透明電極で覆ってから最終的な基板に接合すること
ができる。勿論、これら以外の方法で引き出してもよ
い。また、上記において、Ｎｉ／Ａｕのｐ電極１８に対
して形成させたＡｌの導体膜２２に代えて、ｐ電極１８
のＡｕと同一のＡｕからなる導体膜２２を形成させた
が、その結果、ｐ電極１８と一層確実に接合された引き
出し電極２３が得られた。
要部を残して引き出し電極２３とし、不要部は除去した
ものである。図４では示していないが、ｎ型（ＧａＮ：
Ｓｉ）半導体の下地部１２からの引き出し電極は、予め
引き出し電極が設けられた基板２０を使用してもよく、
また基板２０に引き出し電極が予め設けられていない場
合には、基板２０と分離した後、六角錐形状の下端面の
周縁部に引き出し電極を設けるか、下端面全体を引き出
し用透明電極で覆ってから最終的な基板に接合すること
ができる。勿論、これら以外の方法で引き出してもよ
い。また、上記において、Ｎｉ／Ａｕのｐ電極１８に対
して形成させたＡｌの導体膜２２に代えて、ｐ電極１８
のＡｕと同一のＡｕからなる導体膜２２を形成させた
が、その結果、ｐ電極１８と一層確実に接合された引き
出し電極２３が得られた。
【００５０】（実施例２）実施例１では六角錐形状の窒
化ガリウム系半導体を使用する場合を説明したが、本実
施例では、図６から図９によって、表示装置に使用され
る六角錐台形状の窒化ガリウム系半導体を使用する場合
について説明する。すなわち、窒化ガリウム系半導体は
結晶成長に十分な時間が与えられなかった場合には六角
錐台形状となるが、図６はこのような六角錐台形状の窒
化ガリウム系半導体３１を絶縁層２１で被覆して基板２
０上に固定したものを簡略化して示した図であり、その
窒化ガリウム系半導体３１の構成は、シリコンをドープ
したｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）を六角錐台形状
に選択的に結晶成長させた後、六角錐台の上面である
（０，０，０，１）面および傾斜面である（１，−１，
０，１）面に、ＩｎＧａＮの活性層、更にその上へマグ
ネシウムをドーピングしたｐ型窒化ガリウムを成長さ
せ、上端部のｐ型窒化ガリウム半導体の表面にはコンタ
クトメタル層として略１０ｎｍ厚さのＮｉ層を蒸着し、
その上へ略１００ｎｍ厚さのＡｌ層を蒸着して上端部電
極としてのｐ電極を設けたものである。。そして、上記
のようにして形成されたＧａＮ系発光ダイオード３１を
覆うようにエポキシ樹脂を塗布して絶縁層２１を設ける
ことにより基板２０面上に固定したものである。
化ガリウム系半導体を使用する場合を説明したが、本実
施例では、図６から図９によって、表示装置に使用され
る六角錐台形状の窒化ガリウム系半導体を使用する場合
について説明する。すなわち、窒化ガリウム系半導体は
結晶成長に十分な時間が与えられなかった場合には六角
錐台形状となるが、図６はこのような六角錐台形状の窒
化ガリウム系半導体３１を絶縁層２１で被覆して基板２
０上に固定したものを簡略化して示した図であり、その
窒化ガリウム系半導体３１の構成は、シリコンをドープ
したｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ：Ｓｉ）を六角錐台形状
に選択的に結晶成長させた後、六角錐台の上面である
（０，０，０，１）面および傾斜面である（１，−１，
０，１）面に、ＩｎＧａＮの活性層、更にその上へマグ
ネシウムをドーピングしたｐ型窒化ガリウムを成長さ
せ、上端部のｐ型窒化ガリウム半導体の表面にはコンタ
クトメタル層として略１０ｎｍ厚さのＮｉ層を蒸着し、
その上へ略１００ｎｍ厚さのＡｌ層を蒸着して上端部電
極としてのｐ電極を設けたものである。。そして、上記
のようにして形成されたＧａＮ系発光ダイオード３１を
覆うようにエポキシ樹脂を塗布して絶縁層２１を設ける
ことにより基板２０面上に固定したものである。
【００５１】図７は絶縁層２１を実施例１と同様に選択
的にエッチバックすることによって六角錐台形状の窒化
ガリウム系半導体３１の上面である（０，０，０，１）
面のｐ電極のＡｌ層が露出された状態を示す。そして図
８はエッチバックした面の全面にｐ電極と同一のＡｌに
よる導体膜３２を形成させたものであり、図９はリソグ
ラフィによって導体膜３２の要部を残して引き出し電極
３３とし、不要部は除去したものである。図９にもｎ型
電極の引き出しは示されていないが、実施例１の場合と
同様に行われる。
的にエッチバックすることによって六角錐台形状の窒化
ガリウム系半導体３１の上面である（０，０，０，１）
面のｐ電極のＡｌ層が露出された状態を示す。そして図
８はエッチバックした面の全面にｐ電極と同一のＡｌに
よる導体膜３２を形成させたものであり、図９はリソグ
ラフィによって導体膜３２の要部を残して引き出し電極
３３とし、不要部は除去したものである。図９にもｎ型
電極の引き出しは示されていないが、実施例１の場合と
同様に行われる。
【００５２】（実施例３）実施例１と実施例２において
は絶縁層２１のみを選択的に薄膜化させる場合を説明し
たが、実施例３においては絶縁層２１を非選択的に半導
体発光素子と共に薄層化させる場合を図１０から図１３
までによって説明する。図１０は実施例１における図１
と同様な図であるが、使用されている六角錐形状のＧａ
Ｎ系発光ダイオード４１は図５に示したものと異なりｐ
電極１８の形成されていないものが使用されている。す
なわち、図１０はこのようなＧａＮ系発光ダイオード４
１を基板２０上においてエポキシ樹脂からなる絶縁層２
１で被覆して固定した状態を示す。そして図１１は、図
１０の状態において絶縁層２１と共にＧａＮ系発光ダイ
オード４１も研削する非選択的な化学的機械的研摩を施
し薄膜化させることによって、絶縁層２１の研削面とＧ
ａＮ系発光ダイオード４１の研削面とを同一面としたも
のである。この時点において発光ダイオード４１の研削
面の外周部分はｐ型半導体の研削面となっている。続く
図１２は図１１の研削面にＡｌを蒸着することによりｐ
電極を形成させると同時に一体的に導体膜４２を形成さ
せたものである。この時、コンタクトメタル層を形成さ
せてから、Ａｌの導体膜４２を形成させてもよいことは
言うまでもない。図１３はリソグラフィによって導体膜
４２の要部を残して引き出し電極４３とし、不要部は除
去したものである。図１３には示していないが、ｎ型電
極の引き出しは実施例１の場合と同様に行われる。
は絶縁層２１のみを選択的に薄膜化させる場合を説明し
たが、実施例３においては絶縁層２１を非選択的に半導
体発光素子と共に薄層化させる場合を図１０から図１３
までによって説明する。図１０は実施例１における図１
と同様な図であるが、使用されている六角錐形状のＧａ
Ｎ系発光ダイオード４１は図５に示したものと異なりｐ
電極１８の形成されていないものが使用されている。す
なわち、図１０はこのようなＧａＮ系発光ダイオード４
１を基板２０上においてエポキシ樹脂からなる絶縁層２
１で被覆して固定した状態を示す。そして図１１は、図
１０の状態において絶縁層２１と共にＧａＮ系発光ダイ
オード４１も研削する非選択的な化学的機械的研摩を施
し薄膜化させることによって、絶縁層２１の研削面とＧ
ａＮ系発光ダイオード４１の研削面とを同一面としたも
のである。この時点において発光ダイオード４１の研削
面の外周部分はｐ型半導体の研削面となっている。続く
図１２は図１１の研削面にＡｌを蒸着することによりｐ
電極を形成させると同時に一体的に導体膜４２を形成さ
せたものである。この時、コンタクトメタル層を形成さ
せてから、Ａｌの導体膜４２を形成させてもよいことは
言うまでもない。図１３はリソグラフィによって導体膜
４２の要部を残して引き出し電極４３とし、不要部は除
去したものである。図１３には示していないが、ｎ型電
極の引き出しは実施例１の場合と同様に行われる。
【００５３】以上、本発明の表示装置およびその製造方
法を実施例によって説明したが、勿論、本発明はこれら
に限られることなく、本発明の技術的思想に基づいて種
々の変形が可能である。
法を実施例によって説明したが、勿論、本発明はこれら
に限られることなく、本発明の技術的思想に基づいて種
々の変形が可能である。
【００５４】例えば本実施例においては、サファイアの
（０，０，０，１）面に結晶成長され、（０，０，０，
１）面を下端面とし、（１，−１，０，１）面を傾斜面
とした六角錐形状または六角錐台形状のＧａＮ系発光ダ
イオード１１を例示したが、これ以外のＧａＮ系発光ダ
イオード、例えばサファイアの（０，０，０，１）面で
選択的に結晶成長させて得られる六角柱形状のＧａＮ系
半導体や、裏返しにした舟底形で（１，１，−２，２）
面と（１，−１，０，１）面を有する六方晶のＧａＮ系
半導体、更にはサファイアの（１，−１，０，１）面に
結晶成長される六方晶のＧａＮ系半導体から得られる半
導体発光素子についても、絶縁層で被覆した後に絶縁層
を薄層化させることによってコンタクトホールを設ける
ことなく上端部の電極を引き出すことができる。
（０，０，０，１）面に結晶成長され、（０，０，０，
１）面を下端面とし、（１，−１，０，１）面を傾斜面
とした六角錐形状または六角錐台形状のＧａＮ系発光ダ
イオード１１を例示したが、これ以外のＧａＮ系発光ダ
イオード、例えばサファイアの（０，０，０，１）面で
選択的に結晶成長させて得られる六角柱形状のＧａＮ系
半導体や、裏返しにした舟底形で（１，１，−２，２）
面と（１，−１，０，１）面を有する六方晶のＧａＮ系
半導体、更にはサファイアの（１，−１，０，１）面に
結晶成長される六方晶のＧａＮ系半導体から得られる半
導体発光素子についても、絶縁層で被覆した後に絶縁層
を薄層化させることによってコンタクトホールを設ける
ことなく上端部の電極を引き出すことができる。
【００５５】また本実施例においては、六方晶となるＧ
ａＮ系半導体による青色の発光素子を例示したが、それ
以外の化合物半導体による半導体発光素子についても本
発明を適用することができる。例えば緑色に発光するリ
ン化ガリウム（ＧａＰ）や赤色に発光するヒ化リン化ガ
リウム（ＧａＡｓＰ）、ヒ化アルミニウムガリウム（Ａ
ｌＧａＡｓ）は何れも立方晶に属し、成長の基板上で選
択的に結晶成長させると六面体として得られるが、これ
らから得られる半導体発光素子についても、絶縁層で被
覆した後に絶縁層を薄層化させることによってコンタク
トホールを設けることなく上端部の電極を引き出すこと
ができる。従って、青色を発光する窒素ガリウムの半導
体発光素子を含めた三原色の半導体発光素子を組み合わ
せてフルカラーの表示装置を製造することができる。
ａＮ系半導体による青色の発光素子を例示したが、それ
以外の化合物半導体による半導体発光素子についても本
発明を適用することができる。例えば緑色に発光するリ
ン化ガリウム（ＧａＰ）や赤色に発光するヒ化リン化ガ
リウム（ＧａＡｓＰ）、ヒ化アルミニウムガリウム（Ａ
ｌＧａＡｓ）は何れも立方晶に属し、成長の基板上で選
択的に結晶成長させると六面体として得られるが、これ
らから得られる半導体発光素子についても、絶縁層で被
覆した後に絶縁層を薄層化させることによってコンタク
トホールを設けることなく上端部の電極を引き出すこと
ができる。従って、青色を発光する窒素ガリウムの半導
体発光素子を含めた三原色の半導体発光素子を組み合わ
せてフルカラーの表示装置を製造することができる。
【００５６】また本実施例においては、図５に示したよ
うに、ｐ型半導体１６が上側、ｎ型半導体１４が下側と
なっているＧａＮ系半導体発光素子１１を示したが、こ
れらの位置を逆にした半導体発光素子であってもよい。
また本実施例においては、半導体発光素子として発光ダ
イオードを例示したが、周知のように、発光ダイオード
に共振器を設けることによって半導体レーザが得られる
ので、発光ダイオードに代えて半導体レーザによる照明
装置を製造することができる。
うに、ｐ型半導体１６が上側、ｎ型半導体１４が下側と
なっているＧａＮ系半導体発光素子１１を示したが、こ
れらの位置を逆にした半導体発光素子であってもよい。
また本実施例においては、半導体発光素子として発光ダ
イオードを例示したが、周知のように、発光ダイオード
に共振器を設けることによって半導体レーザが得られる
ので、発光ダイオードに代えて半導体レーザによる照明
装置を製造することができる。
【００５７】
【発明の効果】半発明の表示装置およびその製造方法は
上述したような形態で実施され、次に述べるような効果
を奏する。
上述したような形態で実施され、次に述べるような効果
を奏する。
【００５８】請求項１の表示装置によれば、絶縁層で被
覆され埋め込まれている半導体発光素子の上端部電極を
引き出すために、コンタクトホールを穿設せず、絶縁層
を選択的または非選択的に薄層化させ、露出される半導
体発光素子の上端部に導体膜を形成して上端部電極を引
き出すので、コンタクトホールを設ける場合におけるコ
ンタクトホールと上端部電極との位置ずれや、コンタク
トホール内での接続不良とは無縁であり、引き出し電極
を簡易かつ確実に設けることができる。
覆され埋め込まれている半導体発光素子の上端部電極を
引き出すために、コンタクトホールを穿設せず、絶縁層
を選択的または非選択的に薄層化させ、露出される半導
体発光素子の上端部に導体膜を形成して上端部電極を引
き出すので、コンタクトホールを設ける場合におけるコ
ンタクトホールと上端部電極との位置ずれや、コンタク
トホール内での接続不良とは無縁であり、引き出し電極
を簡易かつ確実に設けることができる。
【００５９】請求項２の表示装置によれば、塗膜形成の
可能な高分子化合物または塗膜形成の可能なガラスを絶
縁層として半導体発光素子を被覆し埋め込んでいるの
で、半導体発光装置を配置する基体の面積が大である場
合にも、絶縁層が簡易に形成され低コストである。請求
項３の表示装置によれば、酸化ケイ素または窒化ケイ素
からなる絶縁層が形成されているので、良好な耐熱性を
示す。請求項４の表示装置によれば、半導体発光素子を
露出させる絶縁層の薄膜化が酸素プラズマ雰囲気下のド
ライエッチング、化学的機械的研摩、または両者の組み
合わせが、絶縁層の材料種、薄膜化の状況に応じて合理
的に採用されるので低コストである。
可能な高分子化合物または塗膜形成の可能なガラスを絶
縁層として半導体発光素子を被覆し埋め込んでいるの
で、半導体発光装置を配置する基体の面積が大である場
合にも、絶縁層が簡易に形成され低コストである。請求
項３の表示装置によれば、酸化ケイ素または窒化ケイ素
からなる絶縁層が形成されているので、良好な耐熱性を
示す。請求項４の表示装置によれば、半導体発光素子を
露出させる絶縁層の薄膜化が酸素プラズマ雰囲気下のド
ライエッチング、化学的機械的研摩、または両者の組み
合わせが、絶縁層の材料種、薄膜化の状況に応じて合理
的に採用されるので低コストである。
【００６０】請求項５の表示装置によれば、基体面に固
定された半導体発光素子の発光方向が上端部から下端面
へ向かう方向であり、発光領域より上部に下方への反射
面を持っているので、発光が下端面へ向う方向へ集めら
れる。請求項６の表示装置によれば、半導体発光素子が
角錐形状または角錐台形状に形成されており、それらの
有する面のうち少なくとも傾斜面の何れか一面が反射面
とされているので、発光が発光方向へ集められ高い輝度
を示す。請求項７の表示装置によれば、半導体発光素子
が窒化ガリウム系半導体からなり、少なくとも（１，−
１，０，１）面に平行な発光効率の高い活性層に加えて
（１，−１，０，１）面に設ける電極面を反射面とする
ことにより、優れた発光性能を示す。
定された半導体発光素子の発光方向が上端部から下端面
へ向かう方向であり、発光領域より上部に下方への反射
面を持っているので、発光が下端面へ向う方向へ集めら
れる。請求項６の表示装置によれば、半導体発光素子が
角錐形状または角錐台形状に形成されており、それらの
有する面のうち少なくとも傾斜面の何れか一面が反射面
とされているので、発光が発光方向へ集められ高い輝度
を示す。請求項７の表示装置によれば、半導体発光素子
が窒化ガリウム系半導体からなり、少なくとも（１，−
１，０，１）面に平行な発光効率の高い活性層に加えて
（１，−１，０，１）面に設ける電極面を反射面とする
ことにより、優れた発光性能を示す。
【００６１】請求項８の表示装置によれば、半導体発光
素子が成長の基板面上で、（０，０，０，１）面を下端
面とし（１，−１，０，１）面およびこれと等価な面を
傾斜面として六角錐形状または六角錐台形状に選択的に
結晶成長された窒化ガリウム系半導体からなり、（１，
−１，０，１）面およびこれと等価な面に平行な活性層
を備えているので、発光効率の高い活性層からの光を下
端面側へ集中させることでき、高輝度の表示を与える。
請求項９の表示装置によれば、単色の半導体発光素子、
またはそれぞれ異なる色に発光する複数種の半導体発光
素子の組み合わせが配置されているので、明僚な、また
は明瞭かつ多彩な画像表示または照明を提供する。
素子が成長の基板面上で、（０，０，０，１）面を下端
面とし（１，−１，０，１）面およびこれと等価な面を
傾斜面として六角錐形状または六角錐台形状に選択的に
結晶成長された窒化ガリウム系半導体からなり、（１，
−１，０，１）面およびこれと等価な面に平行な活性層
を備えているので、発光効率の高い活性層からの光を下
端面側へ集中させることでき、高輝度の表示を与える。
請求項９の表示装置によれば、単色の半導体発光素子、
またはそれぞれ異なる色に発光する複数種の半導体発光
素子の組み合わせが配置されているので、明僚な、また
は明瞭かつ多彩な画像表示または照明を提供する。
【００６２】請求項１０の表示装置によれば、半導体発
光素子の上端部電極と同一種の金属が導体膜の形成に使
用されているので、導体膜から得られる引き出し電極は
上端部電極と良好で安定な接合性を示す。請求項１１の
表示装置によれば、半導体発光素子の露出された第二導
電型半導体が露出された絶縁層の面に導体膜を形成さ
せ、上端部電極と導体膜とを一体的に形成させるので工
程数が削減され、それに応じて表示装置のコストを低下
させる。
光素子の上端部電極と同一種の金属が導体膜の形成に使
用されているので、導体膜から得られる引き出し電極は
上端部電極と良好で安定な接合性を示す。請求項１１の
表示装置によれば、半導体発光素子の露出された第二導
電型半導体が露出された絶縁層の面に導体膜を形成さ
せ、上端部電極と導体膜とを一体的に形成させるので工
程数が削減され、それに応じて表示装置のコストを低下
させる。
【００６３】請求項１２の表示装置によれば、第二導電
型半導体に所定厚さのコンタクトメタル層を介して上端
部電極が形成されており、かつ上端部電極と同一種の金
属が導体膜の形成に使用されているので、上端部電極面
の反射率が大で反射光が発光の取り出し方向へ効果的に
集められることから発光効率が高く、かつその引き出し
電極は上端部電極と良好で安定な接合性を示す。請求項
１３の表示装置によれば、第二導電型半導体に形成され
た所定厚さのコンタクトメタル層が露出された絶縁層の
面に導体膜を形成させ、上端部電極と導体膜とを一体的
に形成させるので、上端部電極の反射光が発光の取り出
し方向へ集中されて表示装置の発光効率が高く、更には
工程数が削減され低コストである。
型半導体に所定厚さのコンタクトメタル層を介して上端
部電極が形成されており、かつ上端部電極と同一種の金
属が導体膜の形成に使用されているので、上端部電極面
の反射率が大で反射光が発光の取り出し方向へ効果的に
集められることから発光効率が高く、かつその引き出し
電極は上端部電極と良好で安定な接合性を示す。請求項
１３の表示装置によれば、第二導電型半導体に形成され
た所定厚さのコンタクトメタル層が露出された絶縁層の
面に導体膜を形成させ、上端部電極と導体膜とを一体的
に形成させるので、上端部電極の反射光が発光の取り出
し方向へ集中されて表示装置の発光効率が高く、更には
工程数が削減され低コストである。
【００６４】請求項１４の表示装置の製造方法によれ
ば、透明な基体面に配置した半導体発光素子を絶縁層で
被覆して埋め込んだ後、絶縁層を選択的または非選択的
に薄層化させて半導体発光素子の上端部を露出させるこ
とによって上端部電極を絶縁層の上面へ引き出し、通常
的なコンタクトホールは設けないのでコンタクトホール
に伴うトラブルを回避することができ、半導体発光素子
の上端部電極を簡易かつ確実に引き出すことができる。
請求項１５の表示装置の製造方法によれば、半導体発光
素子を埋め込み基体面に固定する絶縁層を塗膜形成の可
能な高分子化合物、または塗膜生成の可能なガラスによ
って形成させるので、基体面の面積が大である場合にも
絶縁膜を簡易かつ低コストで形成させる。請求項１６の
表示装置の製造方法によれば、半導体発光素子を埋め込
み基体面に固定する絶縁層をＣＶＤまたはスパッタリン
グによる酸化ケイ素または窒化ケイ素によって形成させ
るので、耐熱性の良好な表示装置を提供する。
ば、透明な基体面に配置した半導体発光素子を絶縁層で
被覆して埋め込んだ後、絶縁層を選択的または非選択的
に薄層化させて半導体発光素子の上端部を露出させるこ
とによって上端部電極を絶縁層の上面へ引き出し、通常
的なコンタクトホールは設けないのでコンタクトホール
に伴うトラブルを回避することができ、半導体発光素子
の上端部電極を簡易かつ確実に引き出すことができる。
請求項１５の表示装置の製造方法によれば、半導体発光
素子を埋め込み基体面に固定する絶縁層を塗膜形成の可
能な高分子化合物、または塗膜生成の可能なガラスによ
って形成させるので、基体面の面積が大である場合にも
絶縁膜を簡易かつ低コストで形成させる。請求項１６の
表示装置の製造方法によれば、半導体発光素子を埋め込
み基体面に固定する絶縁層をＣＶＤまたはスパッタリン
グによる酸化ケイ素または窒化ケイ素によって形成させ
るので、耐熱性の良好な表示装置を提供する。
【００６５】請求項１７の表示装置の製造方法によれ
ば、半導体発光素子を露出させる絶縁層の薄膜化を酸素
プラズマ雰囲気下のドライエッチング、化学的機械的研
摩、または両者の組み合わせから、絶縁層の材料種、薄
層化の状況に応じ適切な方法を選んで効果的に実施する
ことができる。請求項１８の表示装置の製造方法によれ
ば、半導体発光素子として、発光領域から下端面へ向か
う方向を主たる発光方向とし、発光領域より上部に下方
への反射面を有するものを使用するので、反射面によっ
て発光を効果的に下端面へ向かわせ、表示装置の輝度を
高める。
ば、半導体発光素子を露出させる絶縁層の薄膜化を酸素
プラズマ雰囲気下のドライエッチング、化学的機械的研
摩、または両者の組み合わせから、絶縁層の材料種、薄
層化の状況に応じ適切な方法を選んで効果的に実施する
ことができる。請求項１８の表示装置の製造方法によれ
ば、半導体発光素子として、発光領域から下端面へ向か
う方向を主たる発光方向とし、発光領域より上部に下方
への反射面を有するものを使用するので、反射面によっ
て発光を効果的に下端面へ向かわせ、表示装置の輝度を
高める。
【００６６】請求項１９の表示装置の製造方法によれ
ば、半導体発光素子として、角錐形状または角錐台形状
に形成され、それらの有する面のうち少なくとも傾斜面
の何れか一面が反射面とされているものを使用するの
で、多角錐または多角錐台の傾斜面、多角錐台にあって
は上面も反射面として、半導体発光素子の発光を下端面
側へ向かわせることができる。請求項２０の表示装置の
製造方法によれば、半導体発光素子として窒化ガリウム
の六方晶からなり、（１，−１，０，１）面に平行な活
性層を備えたものを使用するので、この活性層が高い発
光効率を示すことから、（１，−１，０，１）面に設け
る電極面を反射面として優れた発光性能の表示装置を与
える。
ば、半導体発光素子として、角錐形状または角錐台形状
に形成され、それらの有する面のうち少なくとも傾斜面
の何れか一面が反射面とされているものを使用するの
で、多角錐または多角錐台の傾斜面、多角錐台にあって
は上面も反射面として、半導体発光素子の発光を下端面
側へ向かわせることができる。請求項２０の表示装置の
製造方法によれば、半導体発光素子として窒化ガリウム
の六方晶からなり、（１，−１，０，１）面に平行な活
性層を備えたものを使用するので、この活性層が高い発
光効率を示すことから、（１，−１，０，１）面に設け
る電極面を反射面として優れた発光性能の表示装置を与
える。
【００６７】請求項２１の表示装置の製造方法によれ
ば、半導体発光素子として（０，０，０，１）面を下端
面とし、（１，−１，０，１）面およびこれと等価な面
からなる傾斜面として六角錐状または六角錐台形状に選
択的に結晶成長された窒化ガリウム系半導体からなり、
（１，−１，０，１）面およびこれと等価な面、すなわ
ち６傾斜面に平行な活性層を備えたものを使用するの
で、この活性層が高い発光効率を示すことから、６傾斜
面に設ける電極面を反射面として優れた発光性能の表示
装置を与える。
ば、半導体発光素子として（０，０，０，１）面を下端
面とし、（１，−１，０，１）面およびこれと等価な面
からなる傾斜面として六角錐状または六角錐台形状に選
択的に結晶成長された窒化ガリウム系半導体からなり、
（１，−１，０，１）面およびこれと等価な面、すなわ
ち６傾斜面に平行な活性層を備えたものを使用するの
で、この活性層が高い発光効率を示すことから、６傾斜
面に設ける電極面を反射面として優れた発光性能の表示
装置を与える。
【００６８】請求項２２の表示装置の製造方法によれ
ば、導体膜に上端部電極と同一種の金属が使用されてい
るので、表示装置の導体膜から形成される引き出し電極
は上端部電極と良好で安定な接合性を持つ。請求項２３
の表示装置の製造方法によれば、上端部電極と導体膜と
が一体的に形成されるので、工程が簡略化され低コスト
の表示装置となる。
ば、導体膜に上端部電極と同一種の金属が使用されてい
るので、表示装置の導体膜から形成される引き出し電極
は上端部電極と良好で安定な接合性を持つ。請求項２３
の表示装置の製造方法によれば、上端部電極と導体膜と
が一体的に形成されるので、工程が簡略化され低コスト
の表示装置となる。
【００６９】請求項２４の表示装置の製造方法によれ
ば、第二導電型半導体に所定厚さのコンタクトメタル層
を介して上端部電極が形成された半導体発光素子が使用
され、導体膜に上端部電極と同一種の金属が使用される
ので、上端部電極の反射光が発光の取り出し方向へ集中
されて発光効率が高く、更には導体膜から形成される引
き出し電極が上端部電極と良好で安定な接合性を持つ表
示装置を与える。請求項２５の表示装置の製造方法によ
れば、第二導電型半導体に所定厚さのコンタクトメタル
層を介して上端部電極が形成され、上端部電極と導体膜
が一体的に形成されるので、反射光を効果的に利用して
発光効率が大であり、工程数が削減され低コストの表示
装置を提供する。
ば、第二導電型半導体に所定厚さのコンタクトメタル層
を介して上端部電極が形成された半導体発光素子が使用
され、導体膜に上端部電極と同一種の金属が使用される
ので、上端部電極の反射光が発光の取り出し方向へ集中
されて発光効率が高く、更には導体膜から形成される引
き出し電極が上端部電極と良好で安定な接合性を持つ表
示装置を与える。請求項２５の表示装置の製造方法によ
れば、第二導電型半導体に所定厚さのコンタクトメタル
層を介して上端部電極が形成され、上端部電極と導体膜
が一体的に形成されるので、反射光を効果的に利用して
発光効率が大であり、工程数が削減され低コストの表示
装置を提供する。
【図１】図１から図４までは六角錐形状の半導体発光素
子を埋め込んだ絶縁層を選択的にエッチバックして半導
体発光素子に引き出し電極を設ける過程を示す断面図で
あり、図１は半導体発光素子が基体面上で絶縁層によっ
て被覆、固定されている状態を示す断面図である。
子を埋め込んだ絶縁層を選択的にエッチバックして半導
体発光素子に引き出し電極を設ける過程を示す断面図で
あり、図１は半導体発光素子が基体面上で絶縁層によっ
て被覆、固定されている状態を示す断面図である。
【図２】図１の絶縁層を選択的にエッチバックして、半
導体発光素子の上端部が露出された状態を示す。
導体発光素子の上端部が露出された状態を示す。
【図３】図２のエッチバックされた絶縁層の上面に導体
膜が形成された状態を示す。
膜が形成された状態を示す。
【図４】図３の導体膜の要部を引き出し電極として残し
不要部は取り除いた状態を示す。
不要部は取り除いた状態を示す。
【図５】六角錐形状に結晶成長されたＧａＮ系半導体発
光素子の詳細を示す図であり、Ａは縦断面図、Ｂは平面
図である。
光素子の詳細を示す図であり、Ａは縦断面図、Ｂは平面
図である。
【図６】図６から図９までは絶縁層を選択的にエッチバ
ックして六角錐台形状の半導体発光素子に引き出し電極
を設ける過程を示す断面図であり、図６は六角錐台形状
の半導体発光素子が基体面上で絶縁層によって被覆、固
定されている状態を示す断面図である。
ックして六角錐台形状の半導体発光素子に引き出し電極
を設ける過程を示す断面図であり、図６は六角錐台形状
の半導体発光素子が基体面上で絶縁層によって被覆、固
定されている状態を示す断面図である。
【図７】図６の絶縁層を選択的にエッチバックして、六
角錐台形状の半導体発光素子の上面が絶縁層の上面と同
一面となって露出された状態を示す。
角錐台形状の半導体発光素子の上面が絶縁層の上面と同
一面となって露出された状態を示す。
【図８】図７のエッチバックされた絶縁層および半導体
発光素子の上面に導体膜が形成された状態を示す。
発光素子の上面に導体膜が形成された状態を示す。
【図９】図８の導体膜の要部は引き出し電極として残し
不要部は取り除いた状態を示す。
不要部は取り除いた状態を示す。
【図１０】図１０から図１３までは、非選択的な薄層化
によって六角錐形状の半導体発光素子に引き出し電極を
設ける過程を示す断面図であり、図１０は六角錐形状の
半導体発光素子が基体面上で絶縁層によって被覆、固定
されている状態を示す断面図である。
によって六角錐形状の半導体発光素子に引き出し電極を
設ける過程を示す断面図であり、図１０は六角錐形状の
半導体発光素子が基体面上で絶縁層によって被覆、固定
されている状態を示す断面図である。
【図１１】図１０の絶縁層を非選択的に薄層化させて、
六角錐形状の半導体発光素子の上端部が共に研削され、
絶縁層の上面と同一面となって半導体発光素子が露出さ
れた状態を示す。
六角錐形状の半導体発光素子の上端部が共に研削され、
絶縁層の上面と同一面となって半導体発光素子が露出さ
れた状態を示す。
【図１２】図１１の薄層化された絶縁層および半導体発
光素子の上面に導体膜が形成された状態を示す。
光素子の上面に導体膜が形成された状態を示す。
【図１３】図１２の導体膜の要部は引き出し電極として
残し、不要部は取り除いた状態を示す。
残し、不要部は取り除いた状態を示す。
【図１４】本発明で使用される半導体発光素子の一例の
断面図である。
断面図である。
【図１５】図１４において□印で示す部分の拡大図であ
る。
る。
【図１６】ＧａＮ／Ｎｉ／Ａｇ積層構造の反射率のＮｉ
層の厚さ依存性を計算して求めた特性図である。
層の厚さ依存性を計算して求めた特性図である。
【図１７】半導体装置において絶縁層にコンタクトホ−
ルを穿設して内部電極に引き出し電極を設ける過程を示
す図であり、Ａは事前の状態、Ｂはコンタクトホールを
穿設した状態、Ｃは導体金属をスパッタリングして、コ
ンタクトホ−ルの底面には付着するが内周面には充分に
付着しにくい状態、Ｄはコンタクトホ−ルの開口部がほ
とんど塞がれて、接続不良および空洞を生じている状態
を示す。
ルを穿設して内部電極に引き出し電極を設ける過程を示
す図であり、Ａは事前の状態、Ｂはコンタクトホールを
穿設した状態、Ｃは導体金属をスパッタリングして、コ
ンタクトホ−ルの底面には付着するが内周面には充分に
付着しにくい状態、Ｄはコンタクトホ−ルの開口部がほ
とんど塞がれて、接続不良および空洞を生じている状態
を示す。
【図１８】下層配線に上層配線を接続する場合のコンタ
クトホールに代わるコンタクト配線を示す図であり、Ａ
は下層配線に対してコンタクト配線が電子ビーム蒸着さ
れた状態、Ｂは全体を覆って絶縁膜が形成された状態、
Ｃは更にフォトレジストを形成させた状態、Ｄはエッチ
バックしてコンタクト配線の上端部を露出させた状態、
Ｅは上層配線を形成させた状態を示す。
クトホールに代わるコンタクト配線を示す図であり、Ａ
は下層配線に対してコンタクト配線が電子ビーム蒸着さ
れた状態、Ｂは全体を覆って絶縁膜が形成された状態、
Ｃは更にフォトレジストを形成させた状態、Ｄはエッチ
バックしてコンタクト配線の上端部を露出させた状態、
Ｅは上層配線を形成させた状態を示す。
【図１９】放電用陰極チップと蛍光材層、陽極層を近接
した位置で配置する方法を示す図であり、Ａは基板に設
けられた陰極チップ、Ｂはその上へ絶縁層、陽極層を形
成させた状態、Ｃは更に蛍光材層を形成させた状態、Ｄ
はその上へポリイミド樹脂層を形成させた後、ポリイミ
ド樹脂層をエッチバックして蛍光材層の隆起部分を露呈
させた状態、Ｅは露呈された蛍光材層の周囲のポリイミ
ド樹脂層をマスクとして蛍光材層、陽極層、絶縁膜をエ
ッチングして、陰極チップを露呈させた状態を示す。
した位置で配置する方法を示す図であり、Ａは基板に設
けられた陰極チップ、Ｂはその上へ絶縁層、陽極層を形
成させた状態、Ｃは更に蛍光材層を形成させた状態、Ｄ
はその上へポリイミド樹脂層を形成させた後、ポリイミ
ド樹脂層をエッチバックして蛍光材層の隆起部分を露呈
させた状態、Ｅは露呈された蛍光材層の周囲のポリイミ
ド樹脂層をマスクとして蛍光材層、陽極層、絶縁膜をエ
ッチングして、陰極チップを露呈させた状態を示す。
１１、３１、４１、５１……ＧａＮ系半導体発光素子、
１５……活性層、１６……ｐ型半導体、１７……コンタ
クトメタル、１８……ｐ電極、２０……基体、２１……
絶縁層、２２、３２、４２……導体膜、２３、３３、４
３……引き出し電極。
１５……活性層、１６……ｐ型半導体、１７……コンタ
クトメタル、１８……ｐ電極、２０……基体、２１……
絶縁層、２２、３２、４２……導体膜、２３、３３、４
３……引き出し電極。
Claims (25)
- 【請求項１】 複数の半導体発光素子が基体面に配置さ
れ取り付けられた表示装置において、 前記半導体発光素子を埋め込んだ絶縁層が選択的または
非選択的に薄層化されて露出される前記半導体発光素子
の上端部に導体膜が形成されて、前記半導体発光素子の
上端部電極が前記絶縁層の上面に引き出されていること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記絶縁層がポリイミド樹脂、エポキシ
樹脂、合成ゴムを含む塗膜形成の可能な高分子化合物、
または塗膜形成の可能なガラスからなることを特徴とす
る請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記絶縁層がＣＶＤ（化学的気相成長）
法またはスパッタリング法によって形成される酸化ケイ
素または窒化ケイ素からなることを特徴とする請求項１
に記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記絶縁層の薄層化が酸素プラズマ雰囲
気下のドライエッチング法、化学的機械的研摩法、また
は両者の組み合わせによって行われたものであることを
特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記半導体発光素子が発光領域から前記
基体面上の下端面へ向かう方向を主たる発光方向とする
ものであり、前記発光領域より上部に下方への反射面を
有していることを特徴とする請求項１に記載の表示装
置。 - 【請求項６】 前記半導体発光素子が角錐形状または角
錐台形状に形成されており、それらが有する面のうち少
なくとも傾斜面の何れか一面が前記反射面とされている
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記半導体発光素子が窒化ガリウム系半
導体の六方晶からなり、少なくとも（１，−１，０，
１）面に平行な活性層を備えていることを特徴とする請
求項５に記載の表示装置。 - 【請求項８】 前記半導体発光素子が成長の基板面上
で、（０，０，０，１）面を前記下端面とし、（１，−
１，０，１）面およびこれと等価な面を前記傾斜面とし
て、六角錐形状または六角錐台形状に選択的に結晶成長
された窒化ガリウム系半導体からなり、（１，−１，
０，１）面およびこれと等価な面に平行な活性層を備え
ていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。 - 【請求項９】 前記表示装置が単色の前記半導体発光素
子、またはそれぞれに異なる色を発光する複数種の前記
半導体発光素子の組み合わせを配置した画像表示装置ま
たは照明装置である。ことを特徴とする請求項１に記載
の表示装置。 - 【請求項１０】 前記半導体発光素子が第一導電型半導
体層と活性層と第二導電型半導体層を順次積層し、更に
前記第二導電型半導体層に前記上端部電極が形成された
ものであり、かつ前記上端部電極と前記導体膜が同一種
の金属で形成されていることを特徴とする請求項１に記
載の表示装置。 - 【請求項１１】 前記半導体発光素子が第一導電型半導
体層と活性層と第二導電型半導体層を順次積層したもの
であり、前記絶縁層が薄層化されて露出される前記第二
導電型半導体層と前記絶縁層とからなる面に前記導体膜
を形成させることにより、前記上端部電極と前記導体膜
が一体的に形成されたものであることを特徴とする請求
項１に記載の表示装置。 - 【請求項１２】 前記半導体発光素子が第一導電型半導
体層と活性層と第二導電型半導体層を順次積層し、更に
前記第二導電型半導体層に所定厚さのコンタクトメタル
層を介して前記上端部電極を形成させたものであり、か
つ前記上端部電極と前記導体膜が同一種の金属で形成さ
れていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項１３】 前記半導体発光素子が第一導電型半導
体層と活性層と第二導電型半導体層を順次積層し、更に
前記第二導電型半導体層に所定厚さのコンタクトメタル
層を形成させたものであり、前記絶縁層が薄層化されて
露出される前記コンタクトメタル層と前記絶縁層とから
なる面に前記導体膜を形成させることにより、前記上端
部電極と前記導体膜が一体的に形成されたものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項１４】 複数の半導体発光素子を基体面に配置
して取り付ける表示装置の製造方法において、 前記半導体発光素子を絶縁層で埋め込む工程と、 前記絶縁層を選択的または非選択的に薄層化させて前記
半導体発光素子の上端部を露出させる工程と、 露出された前記上端部に導体膜を形成させる工程とによ
って前記半導体発光素子の上端部電極を前記絶縁層の上
面に引き出すことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】 エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、合成
ゴムを含む塗膜形成の可能な高分子化合物、または塗膜
形成の可能なガラスを塗布して前記絶縁層を形成するこ
とを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方
法。 - 【請求項１６】 ＣＶＤ法またはスパッタリング法によ
って酸化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させて前記絶縁
層を形成することを特徴とする請求項１０に記載の表示
装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記絶縁層を酸素プラズマ雰囲気下の
ドライエッチング法、化学的機械的研摩法、または両者
の組み合わせによって薄層化することを特徴とする請求
項１０に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記半導体発光素子として、発光領域
から前記基体面上の下端面へ向かう方向を主たる発光方
向とし、前記発光領域より上部に下方への反射面を有す
るものを使用することを特徴とする請求項１０に記載の
表示装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記半導体発光素子として、角錐形状
または角錐台形状に形成されており、それらの有する面
のうち少なくとも傾斜面の何れか一面が前記反射面とさ
れているものを使用することを特徴とする請求項１４に
記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記半導体発光素子として、窒化ガリ
ウム系半導体の六方晶からなり、（１，−１，０，１）
面に平行な活性層を備えたものを使用することを特徴と
する請求項１４に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項２１】 前記半導体発光素子として、成長の基
板面上で、（０，０，０，１）面を前記下端面とし、
（１，−１，０，１）面およびこれと等価な面を前記傾
斜面として六角錐形状または六角錐台形状に選択的に結
晶成長された窒化ガリウム系半導体からなり、（１，−
１，０，１）面およびこれと等価な面に平行な活性層を
備えているものを使用することを特徴とする請求項１６
に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項２２】 前記半導体素子として、第一導電型半
導体層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層され、
更に前記第二導電型半導体層に上端部電極が形成された
ものを使用し、前記導体膜を前記上端部電極と同一種の
金属によって形成することを特徴とする請求項１４に記
載の表示装置の製造方法。 - 【請求項２３】 前記半導体素子として、第一導電型半
導体層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層された
ものを使用し、前記絶縁層を薄層化させて露出する前記
第二導電型半導体層と前記絶縁層とからなる面に前記導
体膜を形成させることにより、前記上端部電極と前記導
体膜を一体的に形成することを特徴とする請求項１４に
記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項２４】 前記半導体素子として、第一導電型半
導体層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層され、
更に前記第二導電型半導体層に所定厚さのコンタクトメ
タル層を介して上端部電極が形成されたものを使用し、
前記導体膜を前記上端部電極と同一種の金属によって形
成することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の
製造方法。 - 【請求項２５】 前記半導体素子として、第一導電型半
導体層と活性層と第二導電型半導体層が順次積層され、
更に所定厚さのコンタクトメタル層が形成されたものを
使用し、前記絶縁膜を薄層化させて露出する前記コンタ
クトメタル層と前記絶縁層とからなる面に前記導体膜を
形成させることにより、前記上端部電極と前記導体膜を
一体的に形成することを特徴とする請求項１４に記載の
表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001032688A JP4724924B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 表示装置の製造方法 |
| US10/071,909 US6825499B2 (en) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | Display system and method of producing the same |
| US10/931,594 US7060542B2 (en) | 2001-02-08 | 2004-09-01 | Display system and method of producing the same |
| US11/093,444 US7250314B2 (en) | 2001-02-08 | 2005-03-30 | Display system and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001032688A JP4724924B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237618A true JP2002237618A (ja) | 2002-08-23 |
| JP4724924B2 JP4724924B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=18896570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001032688A Expired - Lifetime JP4724924B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6825499B2 (ja) |
| JP (1) | JP4724924B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022399A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Showa Denko K.K. | Positive electrode for compound semiconductor light-emitting device |
| JP2008177528A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子 |
| JP2009506558A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | プレーナ形のコンタクト形成部を備えた半導体素子の作製方法および半導体素子 |
| US7544974B2 (en) | 2005-08-23 | 2009-06-09 | Showa Denko K.K. | Positive electrode for compound semiconductor light-emitting device |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018531B2 (en) * | 2001-05-30 | 2006-03-28 | Honeywell International Inc. | Additive dispensing cartridge for an oil filter, and oil filter incorporating same |
| JP3996408B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-10-24 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR100481216B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2005-04-08 | 엘지전자 주식회사 | 볼 그리드 어레이 패키지 및 그의 제조 방법 |
| TWI228323B (en) * | 2002-09-06 | 2005-02-21 | Sony Corp | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method, integrated semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof, image display device and its manufacturing method, illumination device and manufacturing method thereof |
| US6986693B2 (en) * | 2003-03-26 | 2006-01-17 | Lucent Technologies Inc. | Group III-nitride layers with patterned surfaces |
| DE10335081A1 (de) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoeleketronischer Halbleiterchip |
| DE10335080A1 (de) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
| TWI313071B (en) * | 2003-10-15 | 2009-08-01 | Epistar Corporatio | Light-emitting semiconductor device having enhanced brightness |
| TWI281758B (en) * | 2004-04-28 | 2007-05-21 | Showa Denko Kk | Transparent positive electrode |
| US8482496B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-07-09 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling MEMS display apparatus on a transparent substrate |
| US9158106B2 (en) | 2005-02-23 | 2015-10-13 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
| US8310442B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-11-13 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
| US9082353B2 (en) | 2010-01-05 | 2015-07-14 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
| US8159428B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-04-17 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
| US9261694B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-02-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
| US9229222B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-01-05 | Pixtronix, Inc. | Alignment methods in fluid-filled MEMS displays |
| US8519945B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-08-27 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
| US20070205969A1 (en) | 2005-02-23 | 2007-09-06 | Pixtronix, Incorporated | Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon |
| US7999994B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-08-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
| US20070034882A1 (en) * | 2005-08-15 | 2007-02-15 | Takayoshi Fujii | Semiconductor light-emitting device |
| US8526096B2 (en) | 2006-02-23 | 2013-09-03 | Pixtronix, Inc. | Mechanical light modulators with stressed beams |
| KR100755598B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2007-09-06 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 어레이 |
| US7952109B2 (en) * | 2006-07-10 | 2011-05-31 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Light-emitting crystal structures |
| DE112007001950T5 (de) | 2006-08-21 | 2009-07-02 | Innotec Corporation, Zeeland | Elektrische Vorrichtung mit platinenloser Montageanordnung für elektrische Komponenten |
| US9176318B2 (en) | 2007-05-18 | 2015-11-03 | Pixtronix, Inc. | Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays |
| US8530255B2 (en) * | 2007-02-28 | 2013-09-10 | Sony Corporation | Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group III-V compound semiconductor layer |
| US8408773B2 (en) | 2007-03-19 | 2013-04-02 | Innotec Corporation | Light for vehicles |
| US7712933B2 (en) * | 2007-03-19 | 2010-05-11 | Interlum, Llc | Light for vehicles |
| CN101364628B (zh) * | 2007-08-06 | 2013-06-26 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体发光装置及其制造方法 |
| EP2232592B1 (en) * | 2007-12-12 | 2013-07-17 | Innotec Corporation | Method for overmolding a circuit board |
| US7815339B2 (en) | 2008-01-09 | 2010-10-19 | Innotec Corporation | Light module |
| JP2012502482A (ja) * | 2008-09-08 | 2012-01-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電気的に画素化された発光素子 |
| US8169679B2 (en) | 2008-10-27 | 2012-05-01 | Pixtronix, Inc. | MEMS anchors |
| EP2356701A2 (en) | 2008-11-13 | 2011-08-17 | 3M Innovative Properties Company | Electrically pixelated luminescent device incorporating optical elements |
| US8242510B2 (en) * | 2010-01-28 | 2012-08-14 | Intersil Americas Inc. | Monolithic integration of gallium nitride and silicon devices and circuits, structure and method |
| CN103000141B (zh) | 2010-02-02 | 2016-01-13 | 皮克斯特罗尼克斯公司 | 用于控制显示装置的电路 |
| CN102834763B (zh) | 2010-02-02 | 2015-07-22 | 皮克斯特罗尼克斯公司 | 用于制造填充冷密封流体的显示装置的方法 |
| DE112013002944T5 (de) | 2012-06-13 | 2015-02-19 | Innotec, Corp. | Flexibler Hohllichtleiter |
| US9134552B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-09-15 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators |
| US10520769B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-12-31 | eLux, Inc. | Emissive display with printed light modification structures |
| US10535640B2 (en) | 2014-10-31 | 2020-01-14 | eLux Inc. | System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure |
| US10381335B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-08-13 | ehux, Inc. | Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs) |
| US9825202B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-11-21 | eLux, Inc. | Display with surface mount emissive elements |
| US10446728B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-10-15 | eLux, Inc. | Pick-and remove system and method for emissive display repair |
| US10319878B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-06-11 | eLux, Inc. | Stratified quantum dot phosphor structure |
| US10236279B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-03-19 | eLux, Inc. | Emissive display with light management system |
| US10418527B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-09-17 | eLux, Inc. | System and method for the fluidic assembly of emissive displays |
| US10242977B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-03-26 | eLux, Inc. | Fluid-suspended microcomponent harvest, distribution, and reclamation |
| US10381332B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-08-13 | eLux Inc. | Fabrication method for emissive display with light management system |
| US10543486B2 (en) | 2014-10-31 | 2020-01-28 | eLux Inc. | Microperturbation assembly system and method |
| US10381508B2 (en) | 2014-11-19 | 2019-08-13 | National Sun Yat-Sen University | Light emitting element with an enhanced electroluminescence effect |
| TWI560905B (en) * | 2014-11-19 | 2016-12-01 | Univ Nat Sun Yat Sen | A light emitting element and manufacturing method thereof |
| US10217729B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-02-26 | Intel Corporation | Apparatus for micro pick and bond |
| US20180166294A1 (en) * | 2016-12-13 | 2018-06-14 | Intel Corporation | Apparatus and methods to achieve uniform package thickness |
| CN109001240B (zh) * | 2018-08-17 | 2021-04-13 | 胜科纳米（苏州）有限公司 | 制备非导电性材料样品的方法 |
| WO2020034189A1 (zh) * | 2018-08-17 | 2020-02-20 | 中国科学院半导体研究所 | 垂直金字塔结构led及其制备方法 |
| CN113574633A (zh) * | 2019-03-18 | 2021-10-29 | 六边钻公司 | 半导体模板和制造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788782A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Sharp Corp | Light emitting diode |
| JPS58130582A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | デイスプレイ装置 |
| JPH0715090A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体光デバイスの製造方法 |
| JPH11191642A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法 |
| JPH11220180A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Ricoh Co Ltd | Ｌｅｄアレイヘッド |
| JP2000058981A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Nec Corp | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4706041A (en) * | 1986-03-21 | 1987-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Periodic negative resistance microwave structures and amplifier and oscillator embodiments thereof |
| JPH0794124A (ja) | 1993-09-25 | 1995-04-07 | Yamaha Corp | 表示装置 |
| JPH07142579A (ja) | 1993-11-19 | 1995-06-02 | Canon Inc | 多層配線構造及び製造方法 |
| JPH08307001A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法 |
| DE19621124A1 (de) * | 1996-05-24 | 1997-11-27 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren |
| TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| TW427039B (en) * | 1997-06-16 | 2001-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method for semiconductor, manufacturing method for semiconductor device, manufacturing method for semiconductor substrate |
| JP4083866B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2008-04-30 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| US6410942B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-06-25 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays |
| JP3882539B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-02-21 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
| JP3906653B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
| US6614103B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
| JP4101468B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-02-08 JP JP2001032688A patent/JP4724924B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-02-07 US US10/071,909 patent/US6825499B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-01 US US10/931,594 patent/US7060542B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-30 US US11/093,444 patent/US7250314B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788782A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Sharp Corp | Light emitting diode |
| JPS58130582A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | デイスプレイ装置 |
| JPH0715090A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体光デバイスの製造方法 |
| JPH11191642A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法 |
| JPH11220180A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Ricoh Co Ltd | Ｌｅｄアレイヘッド |
| JP2000058981A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Nec Corp | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022399A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Showa Denko K.K. | Positive electrode for compound semiconductor light-emitting device |
| US7544974B2 (en) | 2005-08-23 | 2009-06-09 | Showa Denko K.K. | Positive electrode for compound semiconductor light-emitting device |
| JP2009506558A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | プレーナ形のコンタクト形成部を備えた半導体素子の作製方法および半導体素子 |
| JP2008177528A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020104999A1 (en) | 2002-08-08 |
| US7060542B2 (en) | 2006-06-13 |
| US7250314B2 (en) | 2007-07-31 |
| JP4724924B2 (ja) | 2011-07-13 |
| US20050174023A1 (en) | 2005-08-11 |
| US20050032259A1 (en) | 2005-02-10 |
| US6825499B2 (en) | 2004-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4724924B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| US10600933B2 (en) | Vertical structure LEDs | |
| US8288787B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
| TWI377697B (en) | Method for growing a nitride-based iii-v group compound semiconductor | |
| US6156584A (en) | Method of manufacturing a semiconductor light emitting device | |
| JP5270088B2 (ja) | 垂直型発光素子及びその製造方法 | |
| US20100187554A1 (en) | Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same | |
| JP2019114804A (ja) | 支持基板に接合された発光デバイス | |
| US20080265267A1 (en) | Light emitting diode | |
| JP4876319B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| KR20140125521A (ko) | 반도체 발광소자 | |
| JP2010034608A (ja) | 発光素子 | |
| KR100593891B1 (ko) | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US9306122B2 (en) | Light emitting diode and a manufacturing method thereof, a light emitting device | |
| KR100774198B1 (ko) | 수직형 발광 소자 | |
| TW202127683A (zh) | 發光二極體及發光二極體陣列 | |
| US20140138729A1 (en) | High efficiency light emitting diode | |
| TW201332149A (zh) | 於半導體發光裝置上形成厚金屬層 | |
| KR100646635B1 (ko) | 복수 셀의 단일 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| JPH10341038A (ja) | 半導体発光素子 | |
| TWI817264B (zh) | 垂直式發光二極體及其製造方法 | |
| TWI395349B (zh) | 發光二極體晶片及其製造方法 | |
| CN117133840A (zh) | 一种发光二极管元件及其制造方法及发光装置 | |
| JPH084152B2 (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20071027 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080117 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110315 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110328 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |