JPH10341038A

JPH10341038A - 半導体発光素子

Info

Publication number: JPH10341038A
Application number: JP15060197A
Authority: JP
Inventors: Yasunari Oku; 保成奥
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-06-09
Filing date: 1997-06-09
Publication date: 1998-12-22
Anticipated expiration: 2017-06-09
Also published as: JP3489395B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】素子サイズを小型にしても均一な面発光が得
られ、信頼性の高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板１と、前記基板１上に設けられたｐ
型層３と、前記基板１上に設けられたｎ型層２と、前記
ｐ型層３かもしくは前記ｎ型層２の少なくとも一方の上
に設けられた透光性電極６とを備えた半導体発光素子に
おいて、透光性電極に電気的抵抗の高い領域と低い領域
とを設けたこととする構成よりなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードやレ
ーザダイオード等の光デバイスに用いられる半導体発光
素子に係り、特に発光特性、及び信頼性に優れた半導体
発光素子の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、III-V族及びII-VI族化合物半導体
からなる高出力発光デバイスに対する需要が高まってお
り、青色や緑色の短波長可視領域や紫外領域で動作する
発光デバイス用の材料として、窒化ガリウム系化合物半
導体に多くの関心が集まっている。中でも、窒化ガリウ
ム系化合物半導体からなる半導体発光素子を有する青色
や緑色、紫色等の発光ダイオードやレーザダイオードが
注目されている。

【０００３】半導体発光素子は、一般に有機金属気相成
長（以下、「ＭＯＣＶＤ」と略称す。）法や分子線エピ
タキシー法等により、基板上に、半導体結晶からなるｎ
型層及びｐ型層を順に積層させた後、それぞれの層にＡ
ｌやＡｕ等の電極材料を蒸着させて電極を取り出し、ウ
ェハーをダイシングやスクライブ等によりチップ状に分
離することによって得られる。

【０００４】しかしながら、上記のような窒化ガリウム
系化合物半導体を用いた発光素子においては、一般に基
板にサファイアという絶縁性の材料を用いているため、
素子の上面と下面から電極を取り出すことは非常に困難
である。このため、ｐ型層の一部をエッチングで除去
し、ｎ型層を露出させ、この露出されたｎ型層上とｐ型
層上にＡｕやＮｉ等の金属を円形や矩形状に蒸着させ、
素子の上面側からｎ側及びｐ側の電極を取り出す構成
が、実登３０２７６７６号公報にて提案されている。

【０００５】また、窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型
層は一般に高抵抗であるため、ｐ型層に電気的に接続さ
れたｐ側電極から素子の電流が注入されてもｐ型層で十
分広がらず、ｐ側電極の直下付近でしか発光しない。こ
のため、同公報にて、ｐ型層のほぼ全面にＡｕやＮｉ等
の金属からなる透光性の電極を形成し、これに印加され
た電流をｐ型層の全面に広げることにより全面発光を得
る構成が提案されている。

【０００６】図１１（ａ）と図１１（ｂ）は窒化ガリウ
ム系化合物半導体を用いた従来の半導体発光素子の構造
を示す上面図と断面図である。１は基板、２はｎ型層、
３はｐ型層、４はｎ側パッド電極、５はｐ側パッド電
極、６は透光性電極である。透光性電極６はｐ型層３の
ほぼ全面に形成されており、透光性電極６上に形成され
たｐ側パッド電極５とｎ型層上に形成されたｎ側パッド
電極４にそれぞれ図示しない金線が接続される。

【０００７】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）において、
ｐ側パッド電極５に注入された電流は、ｐ側パッド電極
５と電気的に接続された透光性電極６で全面に広がり、
透光性電極６からｐ型層３に均一に流れる。これにより
均一な面発光が得られうる構成となっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造の半導体発光素子においては次のような問題点
がある。すなわち、製造歩留まりを向上させる目的で素
子サイズを小型にすると、ｐ側パッド電極とｎ側パッド
電極を素子の同一面側に形成しているため、ｐ側パッド
電極とｎ型パッド電極を接近させて形成しなければなら
ない。さらに、透光性電極はｐ型層と電気的に接続させ
るために、一般にＡｕ、Ｎｉ等の金属を用いて形成され
るので、これらの金属を透光性とするために非常に薄く
形成しなければならないが、極端に薄くなると電流が透
光性電極の面内で均一に流れにくくなる。このため、パ
ッド電極から注入された電流は透光性電極の全面に広が
りにくくなり、電気的抵抗が小さいｐ型電極とｎ型電極
の間の領域に電流が集中しやすくなる。電流が局部的に
集中すると、透光性電極の全面に広がらず均一な面発光
が得られにくい。また、電流が集中すると、局部的な結
晶の劣化や、パッド電極からの電極材料のマイグレーシ
ョン等による透光性電極の透光性の低下が起こりやすく
なり、素子寿命が短い。

【０００９】本発明は、上記の問題を解決することを課
題としており、素子サイズを小型にしても均一な面発光
が得られ、信頼性の高い半導体発光素子を提供すること
を目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体発光素子は、基板と、前記基板上に設
けられたｐ型層と、前記基板上に設けられたｎ型層と、
前記ｐ型層かもしくは前記ｎ型層の少なくとも一方の上
に設けられた透光性電極とを備えた半導体発光素子にお
いて、透光性電極に電気的抵抗の高い領域と低い領域と
を設けたこととする構成よりなる。

【００１１】この構成により、素子サイズを小型にして
も均一な面発光が得られ、信頼性の高い半導体発光素子
を提供することが可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基板と、前記基板上に設けられたｐ型層と、前記基
板上に設けられたｎ型層と、前記ｐ型層かもしくは前記
ｎ型層の少なくとも一方の上に設けられた透光性電極と
を備えた半導体発光素子であって、透光性電極に電気的
抵抗の高い領域と低い領域とを設けたこととしたもので
あり、透光性電極の電気的抵抗の高い領域に電流が流れ
にくくすることができるという作用を有する。

【００１３】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、透光性電極の厚さを異ならせ
ることによって、電気的抵抗の高い領域と低い領域とを
設けたこととしたものであり、透光性電極の厚さの薄い
領域に電流を流れにくくすることができるという作用を
有する。

【００１４】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、透光性電極の構成材料を異な
らせることによって、電気的抵抗の高い領域と低い領域
とを設けたこととしたものであり、透光性電極の構成材
料のうち電気的抵抗の高い材料からなる領域に電流を流
れにくくすることができるという作用を有する。

【００１５】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
１〜３の内いずれか１に記載の発明において、前記ｐ型
層及び前記ｎ型層はそれぞれ窒化ガリウム系化合物半導
体を含むこととしたものであり、窒化ガリウム系化合物
半導体を含む半導体発光素子の発光面における面発光を
均一にできるという作用を有する。

【００１６】本発明の請求項５に記載の発明は、基板
と、前記基板上に半導体のｎ型層及びｐ型層が配設され
た積層構造と、を有し、前記ｐ型層と前記ｎ型層のうち
上面側に形成された層の一部が除去されて基板側に形成
された層の一部が露出されたエッチング除去部が形成さ
れており、上面側の層に透光性電極と、第一のパッド電
極とが電気的に接続されて設けてあり、前記基板側に形
成された層と電気的に接続された第二のパッド電極が前
記エッチング除去部の表面に設けてあり、透光性電極と
第一のパッド電極と第二のパッド電極とが同一面側に形
成されており、この面を発光観測面側とする半導体発光
素子であって、透光性電極に電気的抵抗の高い領域と低
い領域とを設けたこととするものであり、透光性電極の
電気的抵抗の高い領域に電流が流れにくくすることがで
きるという作用を有する。

【００１７】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
５に記載の発明において、透光性電極における第一のパ
ッド電極と第二のパッド電極とが対向するパッド電極対
向領域の透光性電極の厚さが、透光性電極におけるパッ
ド電極対向領域以外の領域の透光性電極の厚さと異なる
こととしたものであり、透光性電極のパッド電極対向領
域に電流が流れにくくすることができるという作用を有
する。

【００１８】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
６に記載の発明において、透光性電極における第一のパ
ッド電極と第二のパッド電極とが対向するパッド電極対
向領域の透光性電極の厚さが、透光性電極におけるパッ
ド電極対向領域以外の領域の透光性電極の厚さよりも薄
いこととしたものであり、透光性電極のパッド電極対向
領域に電流が流れにくくすることができるという作用を
有する。

【００１９】本発明の請求項８に記載の発明は、請求項
５〜７の内いずれか１に記載の発明において、透光性電
極における第一のパッド電極と第二のパッド電極とが対
向するパッド電極対向領域において、透光性電極の膜厚
が厚い領域と薄い領域とを設けたこととしたものであ
り、パッド電極対向領域に均一に電流を流すことができ
るという作用を有する。

【００２０】本発明の請求項９に記載の発明は、請求項
５に記載の発明において、透光性電極のパッド電極対向
領域とパッド電極対向領域以外の領域の構成材料を異な
らせることとしたものであり、透光性電極の構成材料の
うち電気的抵抗の高い材料からなる領域に電流を流れに
くくすることができるという作用を有する。

【００２１】本発明の請求項１０に記載の発明は、請求
項５〜９の内いずれか１に記載の発明において、前記ｐ
型層及び前記ｎ型層はそれぞれ窒化ガリウム系化合物半
導体を含むこととしたものであり、窒化ガリウム系化合
物半導体を含む半導体発光素子の発光面における面発光
を均一にできるという作用を有する。

【００２２】本発明の請求項１１に記載の発明は、基板
と、前記基板上に設けられたｐ型層と、前記基板上に設
けられたｎ型層と、前記ｐ型層かもしくは前記ｎ型層の
少なくとも一方の上に設けられた透光性電極とを備えた
半導体発光素子であって、透光性電極に膜厚の厚い部分
と薄い部分とを設けたこととしたものであり、透光性電
極の膜厚の薄い部分に電流を流しにくくすることができ
るという作用を有する。

【００２３】本発明の請求項１２に記載の発明は、請求
項１１に記載の発明において、前記ｐ型層及び前記ｎ型
層はそれぞれ窒化ガリウム系化合物半導体を含むことと
したものであり、窒化ガリウム系化合物半導体を含む半
導体発光素子の発光面における面発光を均一にできると
いう作用を有する。

【００２４】以下に、本発明の実施の形態の具体例を図
面を参照しながら説明する。（実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１に係る半
導体発光素子の上面図を示す。図２（ａ）は図１の線Ａ
−Ａ’に沿った断面図である。図２（ｂ）は線Ｂ−Ｂ’
に沿った断面図である。これらの図において、１は基
板、２はｎ型層、３はｐ型層、４はｎ側パッド電極、５
はｐ側パッド電極、６は透光性電極である。透光性電極
６はｐ型層３のほぼ全面に形成されており、ｐ側パッド
電極５とｎ側パッド電極４とが対向するパッド電極対向
領域６ａとパッド電極対向領域以外の領域６ｂとからな
る。

【００２５】図２（ｂ）の断面図に示されるように、透
光性電極６のパッド電極対向領域６ａとパッド電極対向
領域以外の領域６ｂの厚さは異なるように形成してあ
り、本実施の形態においては、パッド電極対向領域６ａ
の厚さはパッド電極対向領域以外の領域６ｂの厚さより
も薄くなるように形成されている。透光性電極６をこの
ような構成で形成することにより、電流が集中しやすい
パッド電極対向領域６ａに電流が流れにくくなり、比較
的電流が流れやすいパッド電極対向領域以外の領域６ｂ
に電流が広がるようになる。このため、電流は透光性電
極６全体に広がり、ｐ型層３全体に均一に流れることに
より、均一な面発光が得られるようになっている。

【００２６】図３〜図６は本発明の実施の形態１に係る
半導体発光素子の製造方法の各工程を説明するための上
面図と断面図を示す図である。各図において、断面図は
上面図の線ＡＡ’に沿った断面を示している。

【００２７】まず、サファイアからなる厚さ約１００μ
ｍの基板上に、ＭＯＣＶＤ法によって、厚さ４μｍの窒
化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型層３と厚さ０．
４μｍの窒化ガリウム系化合物半導体からなるｐ型層４
を順に成長させる。その上面図と断面図をそれぞれ図３
（ａ）と図３（ｂ）に示す。

【００２８】次に、電子線蒸着法を用いてｐ型層４の上
にＮｉとＡｕをそれぞれ２ｎｍ、５ｎｍの厚さで蒸着さ
せる。ｐ型パッド電極５とｎ型パッド電極４と透光性電
極のパッド電極対向領域６ａを覆うことができる形状の
メタルマスクをｐ型層３上に配置させ、さらに、Ａｕを
５ｎｍの厚さで蒸着させる。次に、透光性電極６の上に
フォトリソグラフィーによりフォトレジストを形成し、
露光してパターンニングを施した後、透光性電極６をエ
ッチングによりフォトレジストと同様の形状にパターン
ニングする。透光性電極６のパターンニングが終了した
ウェハーを溶剤に浸漬し、フォトレジストを剥離する。
その上面図と断面図をそれぞれ図４（ａ）と図４（ｂ）
に示す。蒸着の際に用いるメタルマスクの形状は、ｐ型
パッド電極５とｎ型パッド電極４と透光性電極６のパッ
ド電極対向領域６ａを覆うことができる形状であれば良
く、例えば、図４（ａ）の網掛け部で示される形状とす
ることができる。

【００２９】次に、プラズマＣＶＤ法を用いてｐ型層３
と透光性電極６の上に保護膜として二酸化ケイ素膜を１
μｍの厚さで形成し、フォトリソグラフィーによりフォ
トレジストを形成し、露光を行い、パターンニングを施
す。さらに、ウェハーをフッ酸に浸漬し、二酸化ケイ素
膜をフォトレジストのと同様の形状にエッチングしてパ
ターンニングする。ウェハーを水洗した後、溶剤に浸漬
し、フォトレジストを剥離する。このようにしてパター
ンニングされた二酸化ケイ素膜をマスクとして、上面が
露出されたｐ型層３をドライエッチングして、ｎ型層２
の一部を露出させる。その後、残留した二酸化ケイ素膜
を、前述のフッ酸溶液に浸漬することによって除去す
る。その上面図と断面図をそれぞれ図５（ａ）と図５
（ｂ）に示す。

【００３０】露出されたｎ型層２上にＡｌからなるｎ側
パッド電極４を、また透光性電極６上にＡｕからなるｐ
側パッド電極５を電子線蒸着法によりそれぞれ形成す
る。このようにして、図６（ａ）及び図６（ｂ）で示さ
れるような半導体発光素子が完成する。

【００３１】（比較例１）上記実施の形態１の半導体発
光素子の製造方法の透光性電極を形成する工程におい
て、電子線蒸着法を用いてｐ型層３の上にＮｉとＡｕを
それぞれ２ｎｍ、５ｎｍの厚さで前述のメタルマスクを
用いることなく蒸着させる以外は実施の形態１と同様に
して、従来構造の半導体発光素子を作製する。このよう
にして得られた試料を比較例１とした。

【００３２】次に、以上の製造方法によって作製された
半導体発光素子の評価を行った。評価として、順方向電
流１０ｍＡで駆動させたときの発光状態のニアフィール
ドパターンの測定と、順方向電流２０ｍＡで駆動された
ときの１０００時間の通電寿命試験を行った。。ニアフ
ィールドパターンは図１の線ＢＢ’で示されるように、
ｐ側パッド電極５とｎ側パッド電極４を結ぶ対角線とは
別の対角線に沿って測定された。

【００３３】図７（ａ）及び図７（ｂ）に、上記実施の
形態１の半導体発光素子のニアフィールドパターンと断
面図をそれぞれ示す。これらの図からわかるように、電
流が集中しやすい透光性電極のパッド電極対向領域に電
流が集中することなく、透光性電極全体に広がるため、
ｐ型層に均一に電流が流れ、均一な面発光が得られてい
る。この発光素子は、１０００時間の通電寿命試験を行
った後でも、輝度の劣化がほとんど生じなかった。さら
に、透光性電極にも変化は認められなかった。一方、上
記比較例１の方法で作製された従来構造の半導体発光素
子においては、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示されるニ
アフィールドパターンと断面図とからわかるように、透
光性電極のパッド電極対向領域に電流が集中しやすいた
め、均一な面発光が得られなかった。１０００時間の通
電寿命試験を行った後、輝度は通電初期の４０％にまで
低下した。さらに、透光性電極のパッド電極対向領域で
変色が認められ、透光性電極の透光性が低下しているこ
とが認められた。

【００３４】（実施の形態２）上記実施の形態１の半導
体発光素子の製造方法の透光性電極を形成する工程にお
いて、電子線蒸着法を用いてｐ型層３の上にＮｉとＡｕ
をそれぞれ２ｎｍ、５ｎｍの厚さで蒸着させる際にメタ
ルマスクの代わりにフォトリソグラフィーによりパター
ンニングされた二酸化ケイ素膜をマスクとして用い、蒸
着後にマスクとして用いた二酸化ケイ素膜を除去し、さ
らにＡｕを５ｎｍの厚さで蒸着させる以外は実施の形態
１と同様にして、実施の形態２の半導体発光素子を作製
した。

【００３５】図９（ａ）は本発明の実施の形態２に係る
半導体発光素子の上面図、図９（ｂ）は線ＢＢ’に沿っ
た断面図である。図９（ｂ）からわかるように、透光性
電極６のパッド電極対向領域６ａとパッド電極対向領域
以外の領域６ｂとの境界には、ほぼ矩形状の段差を形成
して膜厚を変化させてある。

【００３６】実施の形態１の半導体発光素子と同様に、
実施の形態２の半導体発光素子の評価を行ったところ、
ニアフィールドパターンから、電流が透光性電極面内で
ほぼ均一に広がっていることが認められた。また、通電
寿命試験においても、輝度の劣化はほとんどなく、透光
性電極の透光性にも変化は認められなかった。

【００３７】なお、本実施の形態２においては、パッド
電極対向領域６ａの透光性電極の厚さをほぼ均一とした
が、この領域内で部分的に厚さの薄い領域と厚い領域と
を形成することにより、パッド電極対向領域以外の領域
６ｂに比べてパッド電極対向領域６ａ全体の抵抗を小さ
くし、パッド電極対向領域６ａに電流を流しにくくする
ことによっても同様の結果が得られる。

【００３８】（実施の形態３）上記実施の形態１の半導
体発光素子の製造方法の透光性電極を形成する工程にお
いて、電子線蒸着法を用いてｐ型層３の上にＮｉとＡｕ
をそれぞれ２ｎｍ、１０ｎｍの厚さで前述のメタルマス
クを用いて蒸着させた後、ｐ型パッド電極５とｎ型パッ
ド電極４と透光性電極のパッド電極対向領域以外の領域
６ｂを覆うことができる形状のメタルマスクを用いて、
透光性電極のパッド電極対向領域６ａの上にＡｕよりも
電気的抵抗の小さい金属であるＡｌを１０ｎｍの厚さで
蒸着させる以外は実施の形態１と同様にして、実施の形
態３の半導体発光素子を作製した。

【００３９】図１０（ａ）は本発明の実施の形態３に係
る半導体発光素子の上面図、図１０（ｂ）は線ＢＢ’に
沿った断面図である。図１０（ｂ）に示すように、透光
性電極６のパッド電極対向領域６ａとパッド電極対向領
域以外の領域６ｂは異なる材料の金属が形成されてい
る。

【００４０】実施の形態１の半導体発光素子と同様に、
実施の形態３の半導体発光素子の評価を行ったところ、
ニアフィールドパターンから、電流が透光性電極面内で
ほぼ均一に広がっていることが認められた。また、通電
寿命試験においても、輝度の劣化はほとんどなく、透光
性電極の透光性にも変化は認められなかった。

【００４１】なお、本実施の形態３において、透光性電
極６のパッド電極対向領域６ａとパッド電極対向領域以
外の領域６ｂに用いる電極材料はＡｕ及びＡｌの組み合
わせに限定するものではなく、パッド電極対向領域以外
の領域６ｂに比べてパッド電極対向領域６ａの抵抗を大
きくできるようにＡｕやＧｅ、Ｎｉ等の合金材料や、Ａ
ｌやＰｔ、ＩＴＯ等の導電性材料を種々組み合わせて用
いることができる。

【００４２】

【発明の効果】以上のように本願発明によれば、素子サ
イズを小型にしても均一な面発光が得られ、信頼性の高
い半導体発光素子を提供することができるという優れた
効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の
構造を示す上面図

【図２】（ａ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光
素子のＡ−Ａ’に沿った断面図（ｂ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子のＢ
−Ｂ’に沿った断面図

【図３】（ａ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光
素子の製造方法を説明するための上面図（ｂ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製
造方法を説明するための断面図

【図４】（ａ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光
素子の製造方法を説明するための上面図（ｂ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製
造方法を説明するための断面図

【図５】（ａ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光
素子の製造方法を説明するための上面図（ｂ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製
造方法を説明するための断面図

【図６】（ａ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光
素子の製造方法を説明するための上面図（ｂ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製
造方法を説明するための断面図

【図７】（ａ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光
素子のニアフィールドパターンを示す図（ｂ）本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の断
面図

【図８】（ａ）従来の半導体発光素子のニアフィールド
パターンを示す図（ｂ）従来の半導体発光素子の断面図

【図９】（ａ）本発明の実施の形態２に係る半導体発光
素子の構造を示す上面図（ｂ）本発明の実施の形態２に係る半導体発光素子の構
造を示す断面図

【図１０】（ａ）本発明の実施の形態３に係る半導体発
光素子の構造を示す上面図（ｂ）本発明の実施の形態３に係る半導体発光素子の構
造を示す断面図

【図１１】（ａ）従来の半導体発光素子の構造を示す上
面図（ｂ）従来の半導体発光素子の構造を示す断面図

【符号の説明】

１基板２ｎ型層３ｐ型層４ｎ側パッド電極５ｐ側パッド電極６透光性電極６ａパッド電極対向領域６ｂパッド電極対向領域以外の領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板上に設けられたｐ型層
と、前記基板上に設けられたｎ型層と、前記ｐ型層かも
しくは前記ｎ型層の少なくとも一方の上に設けられた透
光性電極とを備えた半導体発光素子であって、透光性電
極に電気的抵抗の高い領域と低い領域とを設けたことを
特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】透光性電極の厚さを異ならせることによっ
て、電気的抵抗の高い領域と低い領域とを設けたことを
特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】透光性電極の構成材料を異ならせることに
よって、電気的抵抗の高い領域と低い領域とを設けたこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】前記ｐ型層及び前記ｎ型層はそれぞれ窒化
ガリウム系化合物半導体を含むことを特徴とする請求項
１〜３の内いずれか１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】基板と、前記基板上に半導体のｎ型層及び
ｐ型層が配設された積層構造と、を有し、前記ｐ型層と
前記ｎ型層のうち上面側に形成された層の一部が除去さ
れて基板側に形成された層の一部が露出されたエッチン
グ除去部が形成されており、上面側の層に透光性電極
と、第一のパッド電極とが電気的に接続されて設けてあ
り、前記基板側に形成された層と電気的に接続された第
二のパッド電極が前記エッチング除去部の表面に設けて
あり、透光性電極と第一のパッド電極と第二のパッド電
極とが同一面側に形成されており、この面を発光観測面
側とする半導体発光素子であって、透光性電極に電気的
抵抗の高い領域と低い領域とを設けたことを特徴とする
半導体発光素子。
【請求項６】透光性電極における第一のパッド電極と第
二のパッド電極とが対向するパッド電極対向領域の透光
性電極の厚さが、透光性電極におけるパッド電極対向領
域以外の領域の透光性電極の厚さと異なることを特徴と
する請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項７】透光性電極における第一のパッド電極と第
二のパッド電極とが対向するパッド電極対向領域の透光
性電極の厚さが、透光性電極におけるパッド電極対向領
域以外の領域の透光性電極の厚さよりも薄いことを特徴
とする請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】透光性電極における第一のパッド電極と第
二のパッド電極とが対向するパッド電極対向領域におい
て、透光性電極の膜厚が厚い領域と薄い領域とを設けた
ことを特徴とする請求項５〜７の内いずれか１に記載の
半導体発光素子。
【請求項９】透光性電極のパッド電極対向領域とパッド
電極対向領域以外の領域の構成材料を異ならせることを
特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】前記ｐ型層及び前記ｎ型層はそれぞれ窒
化ガリウム系化合物半導体を含むことを特徴とする請求
項５〜９いずれか１に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】基板と、前記基板上に設けられたｐ型層
と、前記基板上に設けられたｎ型層と、前記ｐ型層かも
しくは前記ｎ型層の少なくとも一方の上に設けられた透
光性電極とを備えた半導体発光素子であって、透光性電
極に膜厚の厚い部分と薄い部分とを設けたことを特徴と
する半導体発光素子。
【請求項１２】前記ｐ型層及び前記ｎ型層はそれぞれ窒
化ガリウム系化合物半導体を含むことを特徴とする請求
項１１に記載の半導体発光素子。