JP2007149813A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007149813A JP2007149813A JP2005339919A JP2005339919A JP2007149813A JP 2007149813 A JP2007149813 A JP 2007149813A JP 2005339919 A JP2005339919 A JP 2005339919A JP 2005339919 A JP2005339919 A JP 2005339919A JP 2007149813 A JP2007149813 A JP 2007149813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- copper
- manganese
- insulating film
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】絶縁膜(第2絶縁膜14)に形成された凹部(配線溝15)の内面にマンガンを含む銅のシード層16を介して前記凹部(配線溝15)内を銅膜17で埋め込んだ後、前記銅膜17表面に少なくとも水蒸気を含む雰囲気または水が接する状態で、もしくは、前記銅膜17表面に少なくとも二酸化炭素を含む雰囲気が接する状態で、熱処理を行う工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【選択図】図1
Description
なお、上記第1絶縁膜11、第2絶縁膜14は、例えば、酸化シリコン系絶縁膜で形成するのであればよい。例えば、酸化シリコン系絶縁膜としては、例えば誘電率が3以下の無機系酸化膜の一種であるMSQ(Metyl Silsesquioxane :メチルシルセスキオキサン)膜で形成することもできる。
Claims (4)
- 絶縁膜に形成された凹部の内面にマンガンを含む銅のシード層を介して前記凹部内を銅で埋め込んだ後、前記銅表面に少なくとも水蒸気を含む雰囲気または水が接する状態で熱処理を行う工程
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記水は、液体もしくは気体もしくは超臨界状態である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜に形成された凹部の内面にマンガンを含む銅のシード層を介して前記凹部内を銅で埋め込んだ後、前記銅表面に少なくとも二酸化炭素を含む雰囲気が接する状態で熱処理を行う工程
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記二酸化炭素は、気体もしくは超臨界状態である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005339919A JP2007149813A (ja) | 2005-11-25 | 2005-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005339919A JP2007149813A (ja) | 2005-11-25 | 2005-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007149813A true JP2007149813A (ja) | 2007-06-14 |
Family
ID=38210885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005339919A Pending JP2007149813A (ja) | 2005-11-25 | 2005-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007149813A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007221103A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010073736A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010109071A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US7755192B2 (en) | 2008-03-25 | 2010-07-13 | Tohoku University | Copper interconnection structure, barrier layer including carbon and hydrogen |
US7928476B2 (en) | 2007-12-05 | 2011-04-19 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2013153777A1 (ja) * | 2012-04-11 | 2013-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置 |
US8956967B2 (en) | 2010-06-24 | 2015-02-17 | Fujitsu Limited | Method of forming an interconnection structure |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277390A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-11-25 JP JP2005339919A patent/JP2007149813A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277390A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007221103A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US7928476B2 (en) | 2007-12-05 | 2011-04-19 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7755192B2 (en) | 2008-03-25 | 2010-07-13 | Tohoku University | Copper interconnection structure, barrier layer including carbon and hydrogen |
US8163649B2 (en) | 2008-03-25 | 2012-04-24 | Advanced Interconnect Materials, Llc | Copper interconnection structure, semiconductor device, and method for forming copper interconnection structure |
JP2010073736A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010109071A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US8956967B2 (en) | 2010-06-24 | 2015-02-17 | Fujitsu Limited | Method of forming an interconnection structure |
WO2013153777A1 (ja) * | 2012-04-11 | 2013-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置 |
JPWO2013153777A1 (ja) * | 2012-04-11 | 2015-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置 |
US9245847B2 (en) | 2012-04-11 | 2016-01-26 | Tokyo Electron Limited | Method for manufacturing semiconductor device for forming metal element-containing layer on insulating layer in which concave portion is formed, semiconductor device including insulating layer in which concave portion is formed, and semiconductor layer on insulating layer in which concave portion is formed |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6181013B1 (en) | Method for selective growth of Cu3Ge or Cu5Si for passivation of damascene copper structures and device manufactured thereby | |
JP4321570B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8178437B2 (en) | Barrier material and process for Cu interconnect | |
JP2007149813A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008047719A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20070048991A1 (en) | Copper interconnect structures and fabrication method thereof | |
JP2006210508A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007109894A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US10224275B2 (en) | Copper interconnect structures | |
JP5353109B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5141761B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20030194872A1 (en) | Copper interconnect with sidewall copper-copper contact between metal and via | |
CN102479747A (zh) | 双大马士革结构的形成方法 | |
JP2007180408A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2000156406A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008060431A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010153582A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010080525A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100488223B1 (ko) | 무전해 도금 방법, 매입형 배선, 및 매입형 배선 형성 방법 | |
JP2001284355A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
WO2010140279A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20140252619A1 (en) | Interconnect structure that avoids insulating layer damage and methods of making the same | |
JP2009141199A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100421913B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
US11101172B2 (en) | Dielectric damage-free dual damascene Cu interconnects without barrier at via bottom |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080909 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091009 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100330 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100330 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100519 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100531 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100615 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101026 |