JP2007149751A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置10は、少なくとも一面に電極2および光学素子4を備えた基板1と、該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層11と、該絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電層12と、該絶縁樹脂層および該導電層を被覆する封止樹脂層13とを備え、前記絶縁樹脂層および封止樹脂層において、少なくとも前記光学素子と重なる部分は、前記光学素子にとって透過性を有する材料からなる。
【選択図】図1
Description
これに対し、高密度実装可能なチップ・サイズ/スケール・パッケージ(CSP)が提案され、実用に供されている。
CSPは、いわゆるボールグリッドアレイ(BGA)技術を応用したもので、パッケージの表面に複数の電極をロ字状あるいは格子状に配置した構造(BGA構造)のリードレス半導体パッケージである。かかる構造のCSPでは、電極格子数が同じでも、パッケージの占有面積を狭くすることができる。
図8に基づいて、従来のウエハレベルCSPの概略について簡単に説明する。図8は厚み方向の断面図である。
この半導体装置100は、電極102およびパッシベーション膜103が形成された半導体基板101と、該半導体基板101の上に設けられた絶縁樹脂層111と、この絶縁樹脂層111の前記電極102に整合する領域に形成された開口部111aと、この開口部111aを介して前記電極2に接続された配線層115と、前記半導体基板101、前記絶縁樹脂層111および前記配線層115を封止する封止樹脂層116と、この封止樹脂層116を貫通し上面に半田バンプ117が形成されたポスト118とを有する。
本発明の請求項2に係る半導体装置は、請求項1において、前記絶縁樹脂層および/または封止樹脂層において、前記光学素子と重なる部分は、他の部分に比べて薄いことを特徴とする。
本発明の請求項3に係る半導体装置は、請求項1において、前記絶縁樹脂層および/または封止樹脂層は、前記光学素子に対応する部分に開口部を有していることを特徴とする。
本発明の請求項4に係る半導体装置は、請求項3において、前記開口部の側面は、前記絶縁樹脂層および/または封止樹脂層の表面に対して傾斜していることを特徴とする。
本発明の請求項5に係る半導体装置は、請求項4において、前記傾斜は、断面方向から見てテーパ状をなすことを特徴とする。
本発明の請求項6に係る半導体装置は、請求項4において、前記傾斜は、断面方向から見て円弧状をなすことを特徴とする。
本発明の請求項7に係る半導体装置は、請求項4において、前記傾斜は、断面方向から見て凹凸状をなすことを特徴とする。
図1は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
この半導体装置10においては、集積回路(IC、図示略)および光学素子が形成された半導体基板1の表面に集積回路の電極2およびパッシベーション膜3が形成されている。
光学素子は、受光素子でも発光素子でも構わない。この半導体装置10は、光学素子としてフォトセンサ4を備える。
ここで、透過性を有するとは、フォトセンサ4が使用される波長域にとって透過性を有することを意味する。
具体的には、例えば700〜1100nmの波長領域において、50%以上の透過率を有することが好ましい。
このような透過性を有する樹脂としては、ポリイミド、ポリフェニレンオキサイド(PPO)、ポリベンザオキサゾール等が挙げられる。
また、光学素子を備えた半導体装置において、該光学素子と重なる部分に透過性を有する材料を用いることにより、ウエハレベルCSPの光学デバイスへの適応が可能となる。これにより、従来に比べて工程を簡略化でき、設計の自由度が向上する。
絶縁樹脂層11は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また開口部11aは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
導電層12の材料としては、例えば銅等が用いられ、その厚さは例えば1〜20μmである。これにより十分な導電性が得られる。導電層12は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
図1では、半導体基板上の素子1つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の素子を備えた半導体装置に適用することもできる。
まず、図2(a)に示すように、集積回路(図示略)、フォトセンサ4、電極2およびパッシベーション膜3を有する半導体基板1を用意する。この半導体基板1は、上述したように、基材1aの一面上に電極2とフォトセンサ4とパッシベーション膜3とが形成されており、パッシベーション膜3には、電極2と整合する位置に開口部3a、フォトセンサ4と整合する位置に開口部3bが設けられた半導体ウエハである。
このような絶縁樹脂層11は、例えば上記樹脂からなる膜を例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによってパッシベーション膜3の全面に成膜した後、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより、電極2と整合する位置に開口部11aを形成することによって形成することができる。
ここで、導電層12を形成する好適な方法の一例について説明する。
まず、スパッタリング法等により、電解めっき用の薄いシード膜(図示略)を絶縁樹脂層11上の全面または必要な領域に形成する。シード膜は、例えばスパッタリング法により形成されたCu層およびCr層からなる積層体、またはCu層およびTi層からなる積層体である。また、無電解Cuめっき層でもよいし、蒸着法、塗布法または化学気相成長法(CVD)等により形成された金属薄膜層であってもよいし、上記の金属層形成方法を組み合わせてもよい。
そして、前記レジスト膜をマスクとして露出したシード膜上に、電解めっき法等により、Cu等から構成された導電膜を形成する。このようにして、所望の領域に導電層12が形成される。その後、不要なレジスト膜およびシード膜はエッチングにより除去し、導電層12が形成された領域以外の部分では絶縁樹脂層11が露出されるようにする
このような封止樹脂層13は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって、所望の位置に開口部13aを有する封止樹脂層13を形成することができる。なお、封止樹脂層13の形成方法は、この方法に限定されるものではなく、例えば印刷法によるパターン塗布でもよい。
半田バンプ14の形成方法としては、半田ボール搭載法、半田ペースト印刷法、メタルジェット法、半田ペーストディスペンス法により半田ペーストを載せた後リフローを実施、または電解半田めっき法、半田蒸着法等が挙げられる。
半田バンプ14の形成後、前記導電層12などの各種構造物が形成された半導体ウエハを所定の寸法にダイシングすることにより、前記導電層12がパッケージ化された半導体チップを得ることができる。
また、光学素子を備えた半導体装置において、光に感度を持つ部分、すなわち前記光学素子と重なる部分に透過性を有する材料を用いることにより、ウエハレベルCSPの光学デバイスへの適応が可能となる。これにより、従来に比べて工程を簡略化でき、設計の自由度が向上する。
<第二の実施形態>
なお、図3において、図1と同じ構成要素については同じ符号を付し、共通部分の詳細な説明を省略する。
半導体装置20は、半導体基板1上に設けられた絶縁樹脂層21と、この絶縁樹脂層21の前記電極2に整合する領域に形成された開口部21aと、この開口部21aを介して前記電極2に接続された導電層22と、前記半導体基板1、前記絶縁樹脂層21および前記導電層22を封止する封止樹脂層23と、この封止樹脂層23を貫通し上面に形成された半田バンプ24とを有する。
フォトセンサ4と重なる部分を薄くすることにより、絶縁樹脂層21および/または封止樹脂層23のフォトセンサと重なる部分における透過性が向上する。これによりX線装置や超音波装置を用いることなく、素子内部の検査を行うことができる。また、フォトセンサ4の感度が向上し、半導体装置20の光学特性を優れたものとすることができる。
<第三の実施形態>
なお、図4において、図1と同じ構成要素については同じ符号を付し、共通部分の詳細な説明を省略する。
半導体装置30は、半導体基板1上に設けられた絶縁樹脂層31と、この絶縁樹脂層31の前記電極2に整合する領域に形成された開口部31aと、この開口部31aを介して前記電極2に接続された導電層32と、前記半導体基板1、前記絶縁樹脂層31および前記導電層32を封止する封止樹脂層33と、この封止樹脂層33を貫通し上面に形成された半田バンプ34とを有する。
絶縁樹脂層31および/または封止樹脂層33において、前記フォトセンサ4に対応する部分に開口部を形成することにより、該部分の透過性を向上することができる。これによりX線装置や超音波装置を用いることなく、素子内部の検査を行うことができる。また、フォトセンサ4の感度が向上し、半導体装置30の光学特性を優れたものとすることができる。
前記傾斜の形状を変えることにより、半導体装置30に様々な光学機能を付与することができる。
傾斜をテーパ状とし、その傾斜角度を調整することで、フォトセンサ4に入射/出射する光の光路を制御することができる。これにより、用途に応じた半導体装置を提供することができる。
傾斜を円弧状とすることで、該傾斜にレンズ機能を付与することが可能となる。これにより、フォトセンサ4に入射/出射する光の光路を制御することができ、用途に応じた半導体装置を提供することができる。
傾斜を凹凸状とすることで、該傾斜に特殊なレンズ機能を付与することが可能となる。これにより、フォトセンサ4に入射/出射する光の光路を制御することができ、用途に応じた半導体装置を提供することができる。
レーザとしては、例えばエキシマレーザおよびCO2 レーザ又はUV−YAGレーザ等が使用可能である。また、このエッチングは、レーザによるものに限定されるものではなく、例えばCF4 プラズマを使用した異方性プラズマエッチングとしてもよい。
さらに、絶縁樹脂層および/または封止樹脂層を感光性樹脂から形成しておき、フォトリソグラフィにより絶縁樹脂層および/または封止樹脂層に開口部を形成してもよい。なお、開口部の形成方法は、これらの方法に限定されるものではない。
図7は、使用した樹脂の可視〜近紫外領域の透過率を示すものである。光の波長が400nm以上の領域に透過率1%以上の領域を持っていることがわかる。
この半導体装置は、比較的安価な可視光領域を用いる外観検査装置を使うことにより、樹脂内の異物や配線形状の検査を全数行うことができた。
また、この半導体装置は、波長900nmの近赤外線に対して感度を持つことが確認された。
Claims (7)
- 少なくとも一面に電極および光学素子を備えた基板と、
該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、
該絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電層と、
該絶縁樹脂層および該導電層を被覆する封止樹脂層とを備えた半導体装置であって、
前記絶縁樹脂層および封止樹脂層において、少なくとも前記光学素子と重なる部分は、前記光学素子にとって透過性を有する材料からなることを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁樹脂層および/または封止樹脂層において、前記光学素子と重なる部分は、他の部分に比べて薄いことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記絶縁樹脂層および/または封止樹脂層は、前記光学素子に対応する部分に開口部を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記開口部の側面は、前記絶縁樹脂層および/または封止樹脂層の表面に対して傾斜していることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記傾斜は、断面方向から見てテーパ状をなすことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記傾斜は、断面方向から見て円弧状をなすことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記傾斜は、断面方向から見て凹凸状をなすことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
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