JP2007147409A - センサエレメント - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センサ基板1とセンサ基板1の一表面側に封着された貫通孔配線形成基板2と他表面側に封着されたカバー基板3とを備える。センサ基板1と貫通孔配線形成基板2とは、互いの対向面に形成された第1の封止用接合金属層18と第2の封止用接合金属層28とが接合されるとともに、互いの対向面に形成された第1の接続用接合金属層19と第2の接続用接合金属層29とが接合されている。センサ基板1は、第1の接続用接合金属層19における金属配線17との接続部位が、貫通孔配線形成基板2におけるセンサ基板1との対向面に形成された凹所である変位空間形成用凹部21内に位置している。
【選択図】 図1
Description
2 貫通孔配線形成基板
3 カバー基板
11 フレーム部
12 重り部
13 撓み部
17 金属配線
18 第1の封止用接合金属層
19 第1の接続用接合金属層
21 変位空間形成用凹部
24 貫通孔配線
25 外部接続用電極
28 第2の封止用接合金属層
29 第2の接続用接合金属層
Claims (4)
- 第1の半導体基板を用いて形成されセンシング部およびセンシング部に電気的に接続された金属配線を有するセンサ基板と、第2の半導体基板を用いて形成され金属配線に電気的に接続される貫通孔配線を有しセンサ基板の一表面側に封着された貫通孔配線形成基板とを備え、センサ基板は、前記一表面における周部の全周に亘って第1の封止用接合金属層が形成されるとともに、第1の封止用接合金属層よりも内側に金属配線と電気的に接続された第1の接続用接合金属層が形成され、貫通孔配線形成基板は、センサ基板側の表面における周部の全周に亘って第2の封止用接合金属層が形成されるとともに、第2の封止用接合金属層よりも内側に貫通孔配線と電気的に接続された第2の接続用接合金属層が形成され、センサ基板と貫通孔配線形成基板とは、第1の封止用接合金属層と第2の封止用接合金属層とが接合されるとともに、第1の接続用接合金属層と第2の接続用接合金属層とが接合され、センサ基板は、第1の接続用接合金属層における金属配線との接続部位が、貫通孔配線形成基板におけるセンサ基板との対向面に形成された凹所内に位置していることを特徴とするセンサエレメント。
- 前記各接続用接合金属層と前記各封止用接合金属層とが同一の金属材料により形成されてなることを特徴とする請求項1記載のセンサエレメント。
- 第3の半導体基板を用いて形成され前記センサ基板の他表面側に封着されたカバー基板を備え、前記センサ基板は、前記第1の封止用接合金属層および前記第1の接続用接合金属層が形成された枠状のフレーム部と、フレーム部の内側に配置され前記一表面に交差する方向に変位可能であって前記センシング部が形成された可動部とを有し、前記貫通孔配線形成基板における前記センサ基板側の表面には、可動部の変位空間を確保する変位空間形成用凹部が形成され、当該変位空間形成用凹部が前記凹所を兼ねていることを特徴とする請求項1または請求項2記載のセンサエレメント。
- 前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板および前記第3の半導体基板とはウェハレベルで接合されてから所望のチップサイズに切断されてなることを特徴とする請求項3記載のセンサエレメント。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005341255A JP4665733B2 (ja) | 2005-11-25 | 2005-11-25 | センサエレメント |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005341255A JP4665733B2 (ja) | 2005-11-25 | 2005-11-25 | センサエレメント |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007147409A true JP2007147409A (ja) | 2007-06-14 |
JP4665733B2 JP4665733B2 (ja) | 2011-04-06 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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