JP2007142070A - 導電性高分子用ドーパント溶液、導電性高分子用酸化剤兼ドーパント、導電性組成物、固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
導電性高分子用ドーパント溶液、導電性高分子用酸化剤兼ドーパント、導電性組成物、固体電解コンデンサおよびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸、アントラキノンスルホン酸およびアントラキノンジスルホン酸よりなる群から選択される1種以上の芳香族スルホン酸を特定濃度で含有する導電性高分子用ドーパント溶液、該ドーパント溶液と過硫酸塩を特定濃度で含有する水溶液で構成されるか、上記ドーパント溶液と上記過硫酸塩水溶液の接触により析出物として得られる導電性高分子用酸化剤兼ドーパント、該酸化剤兼ドーパントを用いて得られる導電性組成物、および該導電性組成物を有する固体電解コンデンサである。
【選択図】 なし
Description
a+b×2≧20
を満足することを特徴とするものである。
a+b×2≧20
を満足するものである。
撹拌装置の付いた反応器に98%濃硫酸150モルを入れ、撹拌しながら80℃まで加熱した。そこにナフタレン100モルを10分かけて添加した。添加終了後140℃に温度を上げ、3時間反応させた。反応終了後温度を徐々に下げ、80℃前後で水を添加し完全に反応を終了させた。その後20℃まで温度を下げることにより析出したナフタレンスルホン酸を、遠心分離器により回収した。
0.3μmのフィルターを通すところまで上記調製例(1)と同様の操作を行い、その後蒸留により溶液を濃縮した後、エタノールを添加する操作を4回繰り返し、その後溶液の乾燥重量を測定することにより濃度を算出し、50%濃度になるようにエタノールを添加して、ナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液を得た。
撹拌装置の付いた反応器に98%濃硫酸150モルを入れし、撹拌しながら80℃まで加熱した。そこにナフタレン100モルを10分かけて添加した。添加終了後120℃に温度を上げ、3時間反応させた。反応終了後温度を徐々に下げ、80℃前後で水を添加し完全に反応を終了させた。その後20℃まで温度を下げることにより析出したナフタレンスルホン酸を、遠心分離器により回収した。
実施例1
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液10mlを10mlのバイアルに入れた。ここに、5×30mm(厚み1mm)のセラミックプレートを含浸させ、30秒放置後にゆっくり引き上げた。室温で5分間放置後、あらかじめ用意しておいた10mlバイアルに入っている40%過硫酸アンモニウム水溶液10mlにそのセラミックプレートを含浸させ、30秒放置後にゆっくり引き上げ、室温で5分間放置した。その後、このセラミックプレートを、100%3,4−エチレンジオキシチオフェン(液状、以下同じ)に含浸させ、10秒後にゆっくり引き上げ、50℃で20分間放置した。その後、洗浄のため、10mlバイアルの中に入っている純水10mlに上記のセラミックプレートを入れて5分間放置し、引き出した後、50℃で5分間乾燥した。この操作を3回繰り返した後、150℃で1時間乾燥して、導電性組成物を形成した。そして、1.5トンの荷重をかけたまま5分間静置し、膜厚を均一にした後、電導度を、室温(約25℃)下で、JIS K 7194の規定に準じて、4探針方式の電導度測定器〔三菱化学社製MCP−T600(商品名)〕により測定した。結果を表1に示す。なお、実施例1で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のナフタレンスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが0.91モルであった。
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。なお、実施例2で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のナフタレンスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが0.73モルであった。
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、40%濃度のナフタレン−1,5−ジスルホン酸のエタノール溶液を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。なお、実施例3で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のナフタレン−1,5−ジスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが1.26モルであった。
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、30%濃度のβ−アントラキノンスルホン酸の溶液[溶媒は、水:エタノール=5:5(質量比)]を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。なお、実施例4で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のβ−アントラキノンスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが1.68モルであった。
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、30%濃度のアントラキノン−1,5−ジスルホン酸の溶液[溶媒は、水:エタノール=5:5(質量比)]を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。なお、実施例5で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のアントラキノン−1,5−ジスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが2.15モルであった。
40%濃度の過硫酸アンモニウム水溶液に代えて、10%濃度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。
以下のように各操作を変更した以外は実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。40%濃度の過硫酸アンモニウム水溶液に代えて、10%濃度の過硫酸アンモニウム水溶液を使用し、40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に含浸後乾燥させたセラミックプレートを、上記過硫酸アンモニウム水溶液に含浸させ、30秒放置後にゆっくり引き上げ、室温で5分間放置した。上記の手順で過硫酸アンモニウム水溶液に含浸し室温で放置する操作を4回繰り返した後に、100%3,4−エチレンジオキシチオフェンにセラミックプレートを含浸して、その後は実施例1と同様の操作を行った。導電性組成物の電導度測定の結果を表1に示す。
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、10%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。
30%濃度のβ−アントラキノンスルホン酸のエタノール溶液に代えて、5%濃度のβ−アントラキノンスルホン酸のエタノール溶液を用いた他は、実施例4と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。
以下のように各操作を変更した以外は実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、10%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液を使用し、このエタノール溶液にセラミックプレートを含浸させ、30秒放置後にゆっくり引き上げ、室温で5分間放置する一連の操作を4回繰り返した後に、40%濃度の過硫酸アンモニウム水溶液に含浸させ、その後は実施例1と同様の操作を行った。導電性組成物の電導度測定の結果を表1に示す。
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、40%濃度のフェノールスルホン酸のエタノール溶液を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、40%濃度のスルホイソフタル酸のエタノール溶液を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、40%濃度のブチルナフタレンスルホン酸のエタノール溶液を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、40%濃度のパラトルエンスルホン酸のエタノール溶液を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。
40%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、40%濃度の1,3,6−ナフタレントリスルホン酸のエタノール溶液を用いた他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。
40%濃度のパラトルエンスルホン酸第2鉄のブタノール溶液と、3,4−エチレンジオキシチオフェンを質量比で4:1で混合し、10秒間激しく振った後、これにセラミックプレートを含浸し、10秒後にゆっくり引き上げた後、50℃で20分間放置した。その後、洗浄のために、10mlバイアルの中に入っている純水10mlにセラミックプレートを入れて5分間放置し、引き出した後、50℃で5分間乾燥した。この操作を3回繰り返したあと、150℃で1時間乾燥した他は、実施例1と同様にして導電性組成物を形成し、その電導度を測定した。結果を表1に示す。
実施例1〜5、および比較例2〜5で用いたセラミックプレートに関して、100%3,4−エチレンジオキシチオフェンに含浸する前の、ドーパント溶液と過硫酸塩水溶液により形成された析出物が付着した状態のセラミックプレート10個ずつを、10mlのバイアルに入れ、そこに蒸留水10mlを入れた。その後、バイアルを密栓した状態で、50℃で1週間放置することにより過硫酸を硫酸に分解し、その上澄み液をイオンクロマトグラフィーにて分析し、ドーパントである芳香族スルホン酸(ナフタレンスルホン酸、1,5−ナフタレンジスルホン酸、β−アントラキノンスルホン酸、またはアントラキノンジスルホン酸)と過硫酸の比率(モル比)を分析した。結果を表2に示す。
実施例6
タンタル焼結体をリン酸水溶液に浸漬した後、電圧をかけることによって電解酸化を行い、タンタル焼結体の表面に誘電体被膜を形成させてコンデンサ素子を得た。次に、50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に上記コンデンサ素子を含浸させて1分後に取り出し、5分間放置した。その後、このコンデンサ素子を、予め用意しておいた45%過硫酸アンモニウム水溶液に含浸させて30秒後に取り出し、室温で10分放置した。その後、このコンデンサ素子を、100%3,4−エチレンジオキシチオフェンに含浸して5秒後に引き上げ、室温下で60分放置した。その後純水に素子を含浸し、30分間放置した後取り出して、105℃で30分間乾燥させた。この操作を6回繰り返した後、コンデンサ素子に形成された導電性組成物の層をカーボンペーストおよび銀ペーストで覆って、タンタルコンデンサを得た。なお、実施例6で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のナフタレンスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが0.82モルであった。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、60%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。なお、実施例7で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のナフタレンスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが0.68モルであった。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、50%濃度のナフタレン−1,5−ジスルホン酸のエタノール溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。なお、実施例8で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のナフタレン−1,5−ジスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが1.14モルであった。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=90:10(モル比)]のエタノール溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。なお、実施例9で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のナフタレンスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが0.82モルであった。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]水溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。なお、実施例10で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のナフタレンスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが0.82モルであった。
コンデンサ素子を含浸する順序を入れ替えて、先に45%過硫酸アンモニウム水溶液に含浸させ、次に50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に含浸させるようにした他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、30%濃度のβ−アントラキノンスルホン酸の溶液[溶媒は、水:エタノール=5:5(質量比)]を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。なお、実施例12で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のβ−アントラキノンスルホン酸1モルに対して、過硫酸アンモニウムが1.89モルであった。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、20%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液と、15%濃度のβ−アントラキノンスルホン酸の水溶液を、質量比で1:1で混合した溶液を使用し、この溶液にコンデンサ素子(タンタル焼結体)を含浸させ、1分後に取り出して5分放置する操作を3回繰り返した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。なお、実施例13で用いたドーパント溶液と過硫酸アンモニウム水溶液では、ドーパント溶液中のナフタレンスルホン酸とβ−アントラキノンスルホン酸の合計1モルに対して、過硫酸アンモニウムが2.66モルであった。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、10%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、10%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液を使用し、その溶液にコンデンサ素子(タンタル焼結体)を含浸させ、1分後に取り出して5分間放置する操作を5回繰り返した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
45%過硫酸アンモニウム水溶液に代えて、15%過硫酸アンモニウム水溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
45%過硫酸アンモニウム水溶液に代えて、15%過硫酸アンモニウム水溶液を使用し、その溶液にコンデンサ素子を含浸させ、30秒後に取り出して室温で10分放置する操作を3回繰り返した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、50%濃度のフェノールスルホン酸のエタノール溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、50%パラトルエンスルホン酸のエタノール溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、50%ブチルナフタレンスルホン酸のエタノール溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、50%スルホイソフタル酸のエタノール溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
50%濃度のナフタレンスルホン酸[β:α=99:1(モル比)]のエタノール溶液に代えて、50%濃度のナフタレン−1,3,6−トリスルホン酸のエタノール溶液を使用した他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
ドーパント溶液と過硫酸塩水溶液を用いる代わりに、パラトルエンスルホン酸第2鉄の40%エタノール溶液を用いた他は、実施例6と同様にしてタンタルコンデンサを作製した。
HEWLETT PACKARD社製のLCRメーター(4284A)を用い、25℃、120Hzで静電容量を測定した。
HEWLETT PACKARD社製のLCRメーター(4284A)を用い、25℃、100kHzでESRを測定した。
Claims (14)
- 芳香族スルホン酸を含有する導電性高分子用ドーパント溶液であって、
上記芳香族スルホン酸として、ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸、アントラキノンスルホン酸およびアントラキノンジスルホン酸よりなる群から選択されるすくなくとも1種の芳香族スルホン酸を含有しており、
上記ドーパント溶液が含有するナフタレンスルホン酸とナフタレンジスルホン酸の合計の濃度をa(質量%)、上記ドーパント溶液が含有するアントラキノンスルホン酸とアントラキノンジスルホン酸の合計の濃度をb(質量%)としたとき、
a+b×2≧20
を満足することを特徴とする導電性高分子用ドーパント溶液。 - 上記芳香族スルホン酸として、ナフタレンスルホン酸および/またはナフタレンジスルホン酸を、合計で20質量%以上の濃度で含有する請求項1に記載の導電性高分子用ドーパント溶液。
- 上記芳香族スルホン酸として、アントラキノンスルホン酸および/またはアントラキノンジスルホン酸を、合計で10質量%以上の濃度で含有する請求項1に記載の導電性高分子用ドーパント溶液。
- 乳化剤を含有している請求項1〜3のいずれかに記載の導電性高分子用ドーパント溶液。
- 上記乳化剤が、炭素数1〜20のアルキル基を有するアルキルアミンオキサイドである請求項4に記載の導電性高分子用ドーパント溶液。
- 全溶媒のうち、アルコールが5質量%以上である請求項1〜5のいずれかに記載の導電性高分子用ドーパント溶液。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のドーパント溶液と、過硫酸塩を20質量%以上の濃度で含有する水溶液で構成されたことを特徴とする導電性高分子用酸化剤兼ドーパント。
- 上記ドーパント溶液が含有する芳香族スルホン酸1モルに対して、上記過硫酸塩水溶液が含有する過硫酸塩が0.2〜8.0モルである請求項7に記載の導電性高分子用酸化剤兼ドーパント。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のドーパント溶液と、過硫酸塩を20質量%以上の濃度で含有する水溶液との接触により生成した析出物であることを特徴とする導電性高分子用酸化剤兼ドーパント。
- 上記析出物について、下記方法によって測定される芳香族スルホン酸と過硫酸の比率が、芳香族スルホン酸1モルに対して、過硫酸0.3〜4.0モルである請求項9に記載の導電性高分子用酸化剤兼ドーパント。
ここで、上記析出物における芳香族スルホン酸と過硫酸の比率は、該析出物を蒸留水に入れて密封し、50℃で1週間放置させて過硫酸を硫酸に分解した後に、その上澄み液をイオンクロマトグラフィーで分析することにより得られる芳香族スルホン酸と硫酸の比率として求める。 - 請求項9または10に記載の導電性高分子用酸化剤兼ドーパントとチオフェンまたはその誘導体との反応により形成されたことを特徴とする導電性組成物。
- タンタルまたはニオブで構成されたコンデンサ素子を有し、かつ請求項9または10に記載の導電性高分子用酸化剤兼ドーパントとチオフェンまたはその誘導体との反応により形成された導電性組成物を、固体電解質として有することを特徴とする固体電解コンデンサ。
- タンタルまたはニオブで構成されたコンデンサ素子に、請求項1〜6のいずれかに記載のドーパント溶液を浸み込ませた後に、過硫酸塩を20質量%以上の濃度で含有する水溶液に上記コンデンサ素子を浸漬するか、またはタンタルまたはニオブで構成されたコンデンサ素子に、過硫酸塩を20質量%以上の濃度で含有する水溶液を浸み込ませた後に、請求項1〜6のいずれかに記載のドーパント溶液に上記コンデンサ素子を浸漬することにより、導電性高分子用酸化剤兼ドーパントを析出させる工程(A)と、
上記導電性高分子用酸化剤兼ドーパントとチオフェンまたはその誘導体とを反応させて導電性組成物を形成させる工程(B)と、
上記導電性組成物を有するコンデンサ素子を用いて固体電解コンデンサを組み立てる工程(C)
を有することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 上記工程(A)に続いて上記工程(B)を実施する一連の操作を、2回以上繰り返した後に、上記工程(C)を実施する請求項13に記載の製造方法。
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