JP2007127612A - 湿度センサ装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】感度のばらつきを低減し、且つ、製造コストを低減した湿度センサ装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１１上に、湿度に応じて比誘電率が変化する感湿膜１２を含む容量式の湿度センサ素子と、当該素子に電気的に接続されたパッド１３と、を形成してなるセンサチップ１０と、パッド１３と電気的に接続されるリード２０と、パッド１３とリード２０との接続部位を被覆するモールド材３０とを備える湿度センサ装置１００であって、モールド材３０は基板１１上に配置され、感湿膜１２の側面全面に接触して感湿膜１２の周囲を取り囲んでおり、感湿膜１２は、基板１１からの表面高さｈ１がモールド材３０の表面高さｈ２以下であり、表面高さｈ１が略均一である。
【選択図】図１

Description

本発明は、感湿膜を含む容量式の湿度センサ素子を備えた湿度センサ装置及びその製造方法に関するものである。

従来、一対の電極間に、湿度に応じて比誘電率が変化する感湿膜を介在させてなる容量式湿度センサの一例として、本出願人は先に特許文献１を開示している。

特許文献１に示す容量式湿度センサは、基板上の同一平面に、一対の電極を離間して対向するように形成し、一対の電極及び一対の電極間を覆うように、基板上に湿度に応じて比誘電率が変化する感湿膜を形成してなるものである。

ここで、上記容量式湿度センサの製造において、構成材料である高分子材料を含むペーストをスクリーン印刷し、硬化させて感湿膜を形成する方法を採用すると、スピンコート法を適用した場合に必要となるフォトプロセスによるパターニングを不要とできる。すなわち、工程を簡素化することができる。また、装置を扱いやすいという利点もある。
特開２００２−２４３６９０号公報

ところで、上述の容量式湿度センサは、感湿膜を誘電体の一部として一対の電極によりコンデンサを構成し、このコンデンサの静電容量の変化に基づいて湿度を検出する構成である。その際、静電容量は、電極の対向面間に配置された感湿膜だけでなく、上面間にある感湿膜の影響も受ける（所謂フリンジ容量）。また、所謂平行平板型構造の構成のものに比べて初期容量が小さいため、感度に対して感湿膜の膜厚ばらつきの影響を強く受ける。

しかしながら、感湿膜の形成にスクリーン印刷法を採用した場合、ペースト自体の条件（粘度等）と基板表面の条件（濡れ性等）だけでなく、スクリーン条件（パターン孔の大きさ（スクリーン開口度）、乳剤厚さ、スクリーンテンション等）やスキージ条件（走行速度、印圧等）の影響を受ける。特に、パターン孔周縁のスクリーンメッシュに近い領域（周縁領域）は、上記影響により膜厚にばらつきが生じ易い。

本発明は上記問題点に鑑み、感度のばらつきを低減し、且つ、製造コストを低減した湿度センサ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために請求項１に記載の発明は、基板上に、湿度に応じて比誘電率が変化する感湿膜を含む容量式の湿度センサ素子と、当該素子に電気的に接続された外部接続用電極と、を形成してなるセンサチップと、外部接続用電極と電気的に接続されるリードと、外部接続用電極とリードとの接続部位を被覆するモールド材とを備える湿度センサ装置であって、モールド材は基板上に配置され、感湿膜の側面全面に接触して感湿膜の周囲を取り囲んでおり、感湿膜は、基板からの表面高さがモールド材の表面高さ以下であり、表面高さが略均一であることを特徴とする。

このように本発明によると、感湿膜の基板からの表面高さが略均一である。言い換えれば、感湿膜の膜厚のばらつきが低減されている。従って、感度のばらつきを低減することができる。

また、このような構成は、外部接続用電極とリードとの接続部位を被覆するモールド材を利用して感湿膜の形成領域を取り囲む所謂ダムを形成し、このダム内に感湿膜の構成材料を流し込んで、基板からの表面高さがモールド材の表面高さ以下となるようにすることで構成することができる。すなわち、製造コストを低減することができる。

さらに、上記構成においては、湿度センサ素子を構成する感湿膜がモールド材に対して露出されるので、湿度センサ素子全体を例えば保護ゲル等で覆う構成に比べて、感度を向上することができる。

尚、湿度センサ素子は基板上の同一平面に離間して対向配置された一対の容量電極を備えているが、例えば請求項２に記載のように、一対の容量電極が、一対の共通電極部と、各共通電極部から一方向に延び、互いに噛み合うように櫛歯状に設けられた櫛歯電極部とにより構成され、感湿膜が、少なくとも櫛歯電極部を被覆するように基板上に形成された構成を採用しても良い。

この場合、一対の容量電極間の対向面積を大きくできるので、容量電極間の静電容量の変化量を大きくすることができる。

請求項３に記載のように、モールド材は、基板からの表面高さが感湿膜よりも高く設定されており、感湿膜との接触面における感湿膜の表面よりも高い部位と、接触面以外の部位との間に、貫通孔が形成された構成を採用すると良い。

このように構成すると、モールド材の基板からの表面高さが感湿膜よりも高く設定されている場合であっても、モールド材と感湿膜上面から構成される凹部に対して、貫通孔を通じて通気状態を確保することができる。

尚、請求項４に記載のように、センサチップを搭載する支持部材を備え、センサチップが湿度センサ素子形成面の裏面を搭載面として支持部材上に搭載された状態で、モールド材により被覆された構成を採用しても良い。その際、請求項５に記載のように、支持部材が、リードと同一材料を用いて構成されている場合、すなわち、支持部材とリードとが一体化され、モールド後に分離される構成を採用すると、センサチップを含めて、お互いの位置精度を向上することができる。

請求項６に記載の発明は、基板上の同一平面に離間して対向配置された一対の容量電極と、湿度に応じて比誘電率が変化する感湿膜とを含む容量式の湿度センサ素子を備えた湿度センサ装置の製造方法であって、基板上に、容量電極と、当該容量電極に電気的に接続された外部接続用電極と、を形成する準備工程と、外部接続用電極とリードとを接続する接続工程と、型内にモールド材を射出して、外部接続用電極とリードとの接続部位とともに、感湿膜の形成領域を取り囲むように基板上をモールド材にて被覆するモールド工程と、モールド工程後に、モールド材にて環状に取り囲まれた形成領域内に、感湿膜の構成材料を流し込み、基板上に感湿膜を形成する感湿膜形成工程とを備えることを特徴とする。

このように本発明によると、外部接続用電極とリードとの接続部位を被覆するモールド材を利用して感湿膜の形成領域を取り囲む所謂ダムを形成し、このダム内に感湿膜の構成材料を流し込んで感湿膜を形成する。従って、別途ダムを形成しなくとも良いので、製造コストを低減することができる。

また、ダム内に構成材料を流し込んで感湿膜を形成するので、所定位置に感湿膜を形成することができるとともに、形成される感湿膜の基板からの表面高さを略均一とすることができる。すなわち、容量電極上における膜厚ばらつきを低減することができるので、感度のばらつきを低減することができる。

請求項７に記載の発明は、その作用効果が、請求項２に記載の発明の作用効果と同様であるので、その記載を省略する。

請求項８に記載のように、モールド材の、感湿膜との接触面における感湿膜の表面よりも基板に対して高い部位と、接触面以外の部位との間に、貫通孔を形成する貫通孔形成工程を備えても良い。例えば請求項９に記載のように、貫通孔形成工程として、モールド工程において型の形状により貫通孔を構成し、感湿膜形成工程において、貫通孔の形成部位よりも、基板からの表面高さが低くなるように感湿膜を形成すれば良い。尚、請求項８，９に記載の発明の作用効果は、請求項３に記載の発明の作用効果と同様であるので、その記載を省略する。

請求項１０に記載のように、接続工程の前に、基板を湿度センサ素子形成面の裏面を搭載面として支持部材上に固定する搭載工程を備えても良い。特に請求項１１に記載のように、搭載工程において、支持部材はリードフレームの一部としてリードと一体化されており、モールド工程後にリードフレームを切り離す分離工程を備える構成とすると、センサチップを含めて、お互いの位置精度を向上することができる。また、接続工程及びモールド工程を簡素化することができる。

以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。

図１は、本実施形態に係る湿度センサ装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面視平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面における断面図である。

図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、湿度センサ装置１００は、容量式の湿度センサ素子を含むセンサチップ１０、センサチップ１０と電気的に接続されるリード２０、センサチップ１０とリード２０との接続部位を被覆するモールド材３０を含むものである。本実施形態においては、上記以外にも、センサチップ１０を搭載する支持部材４０を含んでいる。

センサチップ１０は、例えばシリコンからなる基板１１上に、湿度センサ素子の構成要素である周囲の湿度変化に応じて比誘電率が変化する感湿膜１２と、湿度センサ素子に電気的に接続された外部接続用電極としてのパッド１３を形成してなるものである。そして、パッド１３と導電材料からなるリード２０が、ボンディングワイヤ５０を介して電気的に接続されて、湿度センサ素子の出力がリード２０を介して外部に出力可能に構成されている。

ここで、センサチップ１０に構成される湿度センサ素子について、図２を用いてより詳細に説明する。図２は、センサチップ１０の湿度センサ素子形成領域の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面視平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面における断面図である。

図２（ｂ）に示すように、基板１１上には例えば酸化シリコンからなる絶縁膜１４が形成され、一対の容量電極１５，１６が絶縁膜１４上の同一平面において、離間して対向するように形成されている。

容量電極１５，１６は、図２（ａ）に示されるように、それぞれの電極１５，１６が、共通電極部１５ａ，１６ａと、この共通電極部１５ａ，１６ａから一方向に延びる複数の櫛歯電極部１５ｂ，１６ｂ（本例においては各４本）とを有している。そして、容量電極１５，１６を構成するそれぞれの櫛歯電極部１５ｂ，１６ｂが交互に並んで噛み合うように、一対の容量電極１５，１６が形成されている。

このように、一対の容量電極１５，１６の形状として櫛歯形状を採用することにより、容量電極１５，１６の配置面積を小さくしつつ、櫛歯電極部１５ｂ，１６ｂが互いに対向する面積を大きくするようにしている。これによると、周囲の湿度変化に伴って変化する容量電極１５，１６間の静電容量の変化量が大きくなり、湿度センサ装置１００の感度が向上する。

容量電極１５，１６は、例えばアルミ、銅、金、白金等の低抵抗金属材料を基板１１上に蒸着やスパッタリング等の手法によって付着させ、その後、フォトリソグラフィー処理により、櫛歯状パターンにパターニングすることによって形成される。本実施形態に係る容量電極１５，１６は、アルミを用いて形成されている。

また、基板１１上には、容量電極１５，１６及びその電極間を覆うように、例えば窒化シリコンからなる保護膜１７が形成されている。この保護膜１７は、例えばプラズマＣＶＤ法等により、基板１１上の各部において同じ厚さをもつように堆積形成される。この保護膜１７は、水分による容量電極１５，１６の腐食等を防止するためのものであり、容量電極１５，１６に水分に対する耐食性がある場合には、保護膜１７のない構成を採用することができる。

尚、容量電極１５，１６は、図示されない配線部を介してパッド１３と電気的に接続されており、パッド１３（及びリード２０）を介して、出力を補正する補正回路や静電容量の変化量を検出するための信号処理回路等と電気的に接続されている。このパッド１３は、ボンディングワイヤ５０との接続のため露出されている必要があり、保護膜１７によっては被覆されていない。また、基板１１として半導体基板を採用する場合には、上述した補正回路等を同一基板上に形成することも可能である。

保護膜１７上には、一対の容量電極１５，１６及び電極間を覆うように、感湿膜１２が形成されている。感湿膜１２は、例えばポリイミドの前駆体であるワニス状のポリアミド酸を所定粘度に調整して保護膜１７上に配置し、所定温度で加熱することにより閉環させてイミド化することにより形成される。

このように構成される湿度センサ素子において、感湿膜１２中に水分が浸透すると、水分は比誘電率が大きいため、その浸透した水分量に応じて、感湿膜１２の比誘電率が変化する。その結果、感湿膜１２を誘電体の一部として一対の容量電極１５，１６によって構成されるコンデンサの静電容量が変化する。感湿膜１２内に含まれる水分量は、湿度センサ素子の周囲の湿度に対応するため、一対の容量電極１５，１６間の静電容量から湿度を検出することができる。

モールド材３０は、エポキシ樹脂等の一体成形可能である電気絶縁材料からなり、支持部材４０上にセンサチップ１０が搭載された状態で、ボンディングワイヤ５０、及び各ボンディングワイヤ５０との接続部位（パッド１３及びリード２０）を、一体的に被覆している。本実施形態に係る湿度センサ装置１００においては、モールド材３０の構造（配置）に特徴があり、その特徴点については後述する。

支持部材４０は、センサチップ１０を搭載するものであり、本実施形態においてはリード２０と同一の材料を加工（例えばエッチング、プレス加工等）することにより形成されている。このように、リード２０と同一材料からなる構成を採用すると、湿度センサ装置１００の構成を簡素化することができる。尚、本実施形態においては、図１（ｂ），（ｃ）に示すように、センサチップ１０の搭載面に対して上方に突起し、センサチップ１０の側面に対向する位置決め部４１が設けられている。従って、センサチップ１０は、位置決め部４１を位置基準として支持部材４０に対して位置決めされ、湿度センサ素子形成面の裏面を下にして、例えば接着剤により支持部材４０に貼着固定されている。尚、位置決め部４１の個数は特に限定されるものではない。

次に、湿度センサ装置１００の特徴部分について、図１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。

本実施形態の湿度センサ装置１００は、感湿膜１２を誘電体の一部として一対の容量電極１５，１６によりコンデンサを構成し、このコンデンサの静電容量の変化に基づいて湿度を検出する構成のものである。その際、静電容量は、対向する電極間に介在する感湿膜１２だけでなく、対向する電極の上面（感湿膜１２側の端面）間の感湿膜１２の影響も受ける（所謂フリンジ容量）。また、櫛歯構造であるため、所謂平行平板型構造の構成のものに比べて初期容量が小さく、感度に対して感湿膜１２の膜厚ばらつきの影響を強く受けやすい。

これに対し、本実施形態においては、モールド材３０が、パッド１３とリード２０との接続部位を被覆するとともに、センサチップ１０上に配置されて感湿膜１２の側面全面に接触し、感湿膜１２の周囲を取り囲んでいる。すなわち、モールド材３０に、センサチップ１０を底面として感湿膜１２の形成領域を取り囲む溝部３１が設けられて所謂ダムとしての機能を果たし、この溝部３１によって規定された所定の領域（感湿膜の形成領域）内に感湿膜１２が配置されている。そして、感湿膜１２は、基板１１からの表面高さｈ１がモールド材３０の表面高さｈ２よりも低く、表面高さｈ１が略均一となっている。

このように、感湿膜１２の基板１１からの表面高さｈ１が略均一である（換言すれば、容量電極１５，１６の形成領域上における感湿膜１２の膜厚のばらつきが低減されている）ので、装置１００ごとの感度のばらつきを低減することができる。

また、湿度センサ素子を構成する感湿膜１２がモールド材３０に対して露出されているので、湿度センサ素子全体を例えば保護ゲル等で覆う構成に比べて、感度を向上することができる。

また、本実施形態において、モールド材３０は、図１（ａ），（ｃ）に示すように、基板１１からの表面高さｈ２が感湿膜１２の表面高さｈ１よりも高く設定されており、感湿膜１２との接触面（溝部３１の側面）における感湿膜１２の表面よりも高い部位と、接触面以外の部位との間に、貫通孔３２が形成されている。従って、モールド材３０の基板１１からの表面高さｈ１が感湿膜１２の表面高さｈ２よりも高く設定され、モールド材３０の溝部３１と感湿膜１２の上面とにより凹部が構成される場合であっても、この凹部内に気体が滞留することなく、貫通孔３２を通じて通気状態を確保することができる。従って、周囲の湿度を精度良く検出することができる。このように、一端が溝部３１の側面に連通し、他端が溝部３１の側面以外のモールド部材３０の部位に連通する貫通孔３２は、通気上、２箇所以上形成されることが好ましい。

次に、上述した湿度センサ装置１００を製造する方法の一例について、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図３は、湿度センサ装置１００の製造方法を示す工程別断面図であり、（ａ）は搭載工程、（ｂ）は接続工程、（ｃ）はモールド工程、（ｄ）は感湿膜形成工程を示す図である。

先ず、センサチップ１０を、感湿膜１２を形成する前の状態で準備する（すなわち、感湿膜１２のない状態のセンサチップ１０を準備する）準備工程を実施する。この準備工程において、基板１１上に、感湿膜１２を除く湿度センサ素子の構成要素（一対の容量電極１５，１６を含む）と、当該容量電極１５，１６に電気的に接続されたパッド１３が形成される。

そして、準備工程にて準備されたセンサチップ１０を、図３（ａ）に示すように、別途準備された支持部材４０上に、湿度センサ素子形成面の裏面を搭載面として搭載する。このとき、支持部材４０に設けられた位置決め部４１を基準としてセンサチップ１０を位置決めし、例えば貼着固定する。以上が搭載工程である。

次に、図３（ｂ）に示すように、センサチップ１０のパッド１３（図１（ａ）参照）とリード２０とをボンディングワイヤ５０により電気的に接続する接続工程を実施する。そして、図示されない型内にモールド材３０を射出して、インサート成形により、図３（ｃ）に示すように、ボンディングワイヤ５０、及びボンディングワイヤ５０との接続部位（パッド１３及びリード２０）を被覆する。また、それとともに、基板１１上の感湿膜１２の形成される領域を取り囲むようにモールド材３０にて一体的に被覆する。以上がモールド工程である。

これにより、基板１１上の感湿膜１２が形成される領域を取り囲むように、センサチップ１０を底面としたモールド材３０からなる溝部３１が形成される。この溝部３１は、基板１１上において、感湿膜１２の形成される領域を規定するとともに、感湿膜１２形成時に所謂ダムとしての機能を果たす。また、モールド工程において、貫通孔３２も形成される。

モールド工程後、モールド材３０にて環状に取り囲まれてなる溝部３１内に、感湿膜１２の構成材料（例えば１０Ｐａ・ｓ以下の粘度に調整された感湿膜前駆体溶液）を流し込み、硬化処理することにより、基板１１上に感湿膜１２を形成する感湿膜形成工程を実施する。このとき、形成された感湿膜１２の基板１１からの表面高さｈ１がモールド材３０の表面高さｈ２よりも低くなるように、溝部３１内の所定高さまで構成材料を流し込むようにする。尚、本実施形態においては、形成された感湿膜１２の基板１１からの表面高さｈ１が、一端が溝部３１の側面に開口する貫通孔３２の下端以下となるように、溝部３１内の所定高さまで構成材料を流し込む。

また、本実施形態においては、リード２０及び支持部材４０が同一の構成材料からなり、図示されない外周フレームによって一体化されている。このようにリード２０と支持部材４０とを一体化した構成とすると、センサチップ１０を含めて、お互いの位置精度を向上することができる。また、接続工程及びモールド工程を簡素化することができる。この外周フレーム部分を切除する分離工程は、モールド工程後のキュアを経て、感湿膜形成工程前に実施されても良いし、感湿膜形成工程後に実施されても良い。尚、図３（ａ）においては、便宜上、支持部材４０に一体化されたリード２０を省略して図示している。以上の工程により、本実施形態に係る湿度センサ装置１００を形成することができる。

このように本実施形態に係る湿度センサ装置１００の製造方法によると、パッド１３とリード２０との接続部位を被覆するモールド材３０を利用して感湿膜１２の形成領域を取り囲む所謂ダム（センサチップ１０を底面とする溝部３１）を形成し、この溝部３１に感湿膜１２の構成材料を流し込んで感湿膜１２を形成する。従って、別途ダムを形成しなくとも良いので、製造コストを低減することができる。

また、センサチップ１０を底面とする溝部３１内に構成材料を流し込んで感湿膜１２を形成するので、所定位置に感湿膜１２を形成することができるとともに、形成される感湿膜１２の基板１１からの表面高さｈ１を略均一とすることができる。すなわち、容量電極１５，１６上における膜厚ばらつきを低減することができるので、感度のばらつきを低減することができる。特に本実施形態においては、構成材料の粘度を１０Ｐａ・ｓ以下としているので、粘性が低く、表面高さｈ１をより均一とすることができる。

以上本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態のみに限定されず、種々変更して実施することができる。

本実施形態においては、センサチップ１０が支持部材４０上に搭載された状態で、リード２０と電気的に接続される構成を示した。しかしながら、支持部材４０を含まない構成を採用することもできる。

また、本実施形態においては、感湿膜１２の基板１１からの表面高さｈ１がモールド材３０の表面高さｈ２よりも低い構成を示した。しかしながら、表面高さｈ１と表面高さｈ２が等しい構成を採用することもできる。この場合、センサチップ１０を底面とする溝部３１内が感湿膜１２によって完全に閉塞され、感湿膜１２の上面と溝部３１の側面との間に凹部が形成されないので、貫通孔３２をモールド材３０に形成することはできない。しかしながら、凹部がなく、感湿膜１２の表面がモールド材３０の上面と面一となるので、通気状態を確保することができる。

また、本実施形態においては、モールド工程において、型形状によって、モールド材３０に溝部３１及び貫通孔３２が形成される例を示した。しかしながら、エッチング、レーザ加工等によって、モールド工程後に別途溝部３１及び貫通孔３２を少なくとも一方を形成することも可能である。

また、本実施形態において、センサチップ１０を構成する基板１０がシリコンからなる半導体基板である例を示した。このように半導体基板を用いると、一般的な半導体製造技術により、センサチップ１０を低コストで製造することができる。しかしながら、それ以外（例えばガラス等）の材料からなる基板を採用することもできる。

本発明に係る湿度センサ装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面視平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面における断面図である。 センサチップの概略構成を示す図であり、（ａ）は上面視平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面における断面図である。 湿度センサ装置の製造方法を示す工程別断面図であり、（ａ）は搭載工程、（ｂ）は接続工程、（ｃ）はモールド工程、（ｄ）は感湿膜形成工程を示す図である。

符号の説明

１０・・・センサチップ
１１・・・基板
１２・・・感湿膜
１３・・・パッド（外部接続用電極）
１５，１６・・・容量電極
２０・・・リード
３０・・・モールド材
３１・・・溝部
３２・・・貫通孔
４０・・・支持部材
５０・・・ボンディングワイヤ
１００・・・湿度センサ装置

Claims (11)

1. 基板上に、湿度に応じて比誘電率が変化する感湿膜を含む容量式の湿度センサ素子と、当該素子に電気的に接続された外部接続用電極と、を形成してなるセンサチップと、
   前記外部接続用電極と電気的に接続されるリードと、
   前記外部接続用電極と前記リードとの接続部位を被覆するモールド材とを備える湿度センサ装置であって、
   前記モールド材は前記基板上に配置され、前記感湿膜の側面全面に接触して前記感湿膜の周囲を取り囲んでおり、
   前記感湿膜は、前記基板からの表面高さが前記モールド材の表面高さ以下であり、前記表面高さが略均一であることを特徴とする湿度センサ装置。
2. 前記湿度センサ素子は、前記基板上の同一平面に離間して対向配置された一対の容量電極を備え、
   前記一対の容量電極は、一対の共通電極部と、各共通電極部から一方向に延び、互いに噛み合うように櫛歯状に設けられた櫛歯電極部とにより構成され、
   前記感湿膜は、少なくとも前記櫛歯電極部を被覆するように前記基板上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の湿度センサ装置。
3. 前記モールド材は、前記基板からの表面高さが前記感湿膜よりも高く設定されており、前記感湿膜との接触面における前記感湿膜の表面よりも高い部位と、前記接触面以外の部位との間に、貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の湿度センサ装置。
4. 前記センサチップを搭載する支持部材を備え、
   前記センサチップが湿度センサ素子形成面の裏面を搭載面として前記支持部材上に搭載された状態で、前記モールド材により被覆されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の湿度センサ装置。
5. 前記支持部材は、前記リードと同一材料を用いて構成されていることを特徴とする請求項４に記載の湿度センサ装置。
6. 基板上の同一平面に離間して対向配置された一対の容量電極と、湿度に応じて比誘電率が変化する感湿膜とを含む容量式の湿度センサ素子を備えた湿度センサ装置の製造方法であって、
   前記基板上に、前記容量電極と、当該容量電極に電気的に接続された外部接続用電極と、を形成する準備工程と、
   前記外部接続用電極とリードとを接続する接続工程と、
   型内にモールド材を射出して、前記外部接続用電極と前記リードとの接続部位とともに、前記感湿膜の形成領域を取り囲むように前記基板上を前記モールド材にて被覆するモールド工程と、
   前記モールド工程後に、前記モールド材にて環状に取り囲まれた前記形成領域内に、前記感湿膜の構成材料を流し込み、前記基板上に前記感湿膜を形成する感湿膜形成工程とを備えることを特徴とする湿度センサ装置の製造方法。
7. 前記一対の容量電極を、一対の共通電極部と、各共通電極部から一方向に延び、互いに噛み合うように櫛歯状に設けられた櫛歯電極部とにより構成し、
   前記感湿膜を、少なくとも前記櫛歯電極部を被覆するように前記基板上に形成することを特徴とする請求項６に記載の湿度センサ装置の製造方法。
8. 前記モールド材の、前記感湿膜との接触面における前記感湿膜の表面よりも前記基板に対して高い部位と、前記接触面以外の部位との間に、貫通孔を形成する貫通孔形成工程を備えることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の湿度センサ装置の製造方法。
9. 前記貫通孔形成工程として、前記モールド工程において前記型の形状により前記貫通孔を構成し、
   前記感湿膜形成工程において、前記貫通孔の形成部位よりも、前記基板からの表面高さが低くなるように前記感湿膜を形成することを特徴とする請求項８に記載の湿度センサ装置の製造方法。
10. 前記接続工程の前に、前記基板を湿度センサ素子形成面の裏面を搭載面として支持部材上に固定する搭載工程を備えることを特徴とする請求項６〜９いずれか１項に記載の湿度センサ装置の製造方法。
11. 前記搭載工程において、前記支持部材はリードフレームの一部として前記リードと一体化されており、前記モールド工程後に前記リードフレームを切り離す分離工程を備えることを特徴とする請求項１０に記載の湿度センサ装置の製造方法。

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